CN101250407A - 硼硅酸盐荧光粉及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硼硅酸盐荧光粉及其制备方法,它的组成为Ma-xBbSicOd:xRe;其中,M为Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu、中的一种或多种;1≤a≤4,1≤b≤2,1≤c≤2,5≤d≤15,x<0.5;Re为Mn、Eu、Tb、Ce、Gd、Dy、Sm、Nd、Pr中的一种或几种;本发明按照化学计量比称取原料,然后球磨成粉末,高温焙烧,将焙烧粉末洗涤后获得最终产品,本发明在硅酸盐的基础上采用硼原子取代部分硅原子,改变硅酸盐的晶体结构,优化材料的性能,开发出激发波长在380nm~410nm的以MaBbSicOd为基质的新型荧光材料,本发明物化性能稳定,原料廉价易得,设备简单,操作安全、可靠,在白光LED照明、等离子体显示等方面有广泛应用。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料技术领域,特别地,涉及一种硼硅酸盐荧光粉及其制备方法。
背景技术
LED照明又称半导体照明,是一种新型高效固体光源,具有节能、长寿命、环保、安全、色彩丰富等显著优点,被认为是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃,是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。采用荧光粉产生白光共有三种方式:蓝光LED芯片配合黄色荧光粉;蓝光LED芯片配合红色、绿色荧光粉;UV-LED芯片配合红、绿、蓝三基色荧光粉。目前商品化的主要是蓝色LED芯片与YAG荧光粉的黄光组合而成的单芯片型高亮度白光LED,但是这种产品应用于一般的照明场合会出现其自身固有缺陷:因为缺少红光而导致显色性不好,发光效率随使用温度的升高显著降低。“蓝光LED芯片配合红色、绿色荧光粉”的方式虽然可以获得高的显色指数,但“UV-LED芯片配合红、绿、蓝三基色荧光粉”方式却具有更为广阔的发展前景,这是因为该方式的显色性更好,色温在2500~10000K范围内任意匹配,而且这种白光产生方式可以突破日亚专利的封锁,因而逐渐成为国内外研究的热点,得到了国内外企业的高度重视。
随着各国对LED研究的深入,人们发现在紫外光400nm附近,InGaN系的LED外部量子效率非常高,甚至能达到43%,这极大推动了“UV-LED芯片配合红、绿、蓝三基色荧光粉”方式制备白光LED的发展。但三基色白光LED要想向高效的方向发展,进一步提升白光LED的性能,必须要提高红、蓝、绿荧光粉在受紫光激发时的转化效率。硅酸盐基质具有较高的化学稳定性和热稳定性,在紫外光区有较强的吸收,高纯二氧化硅原料廉价易得,因此稀土离子激活的硅酸盐发光材料引起了人们的重视。但是硅酸盐的激发峰对应的波长较短,目前常用的绿色的荧光粉为BaMgAl10O17:Eu3+,Mn2+的最佳激发峰在330nm~350nm,与现在使用的紫光LED芯片匹配效果差,转化效率不高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种硼硅酸盐荧光粉及其制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种硼硅酸盐荧光粉,它的组成为Ma-xBbSicOd:xRe。其中,M为Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu、中的一种或多种;1≤a≤4,1≤b≤2,1≤c≤2,5≤d≤15,x<0.5;Re为Mn、Eu、Tb、Ce、Gd、Dy、Sm、Nd、Pr中的一种或几种。
一种权利要求1所述的硼硅酸盐荧光粉的制备方法,包括以下步骤:
(1)按照化学计量比称取原料:按Ma-xBbSicOd:xRe的化学计量比称取硼酸或三氧化二硼,Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu、Si、Mn、Eu、Tb、Ce、Dy、Sm、Nd和Pr的氧化物、卤化物或碳酸盐;
(2)将原料混合均匀:将称取的原料直接混合均匀,或者与一定量的助熔剂一起混合均匀,将混合好的原料研磨成细小粉末;
(3)焙烧:将研磨好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,在指定气氛中,以200~600℃/小时的升温速率加热到1000~1300℃,在该温度下保持3~20小时,进行焙烧,焙烧次数至少一次,随后缓慢冷却至室温;
(4)洗涤与干燥:将焙烧得到粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤,除去残留的杂物,在60~120℃下烘干2~20个小时,获得硼硅酸盐荧光粉。
本发明的有益效果是,
(1)在硅酸盐的基础上,通过添加硼原子,优化材料的性能,得到一类稀土掺杂的新型硼硅酸盐荧光材料。
(2)粉料具有结构松散,易于破碎,亮度高,发光颜色纯正等优点,激发峰在380nm~410nm,适合近紫外-紫光激发,发射光谱根据掺杂稀土离子不同,覆盖整个可见光区。
(3)材料具有高的物理和化学稳定性,原料廉价易得,设备简单,操作安全、可靠,在白光LED照明、等离子体显示等方面有广泛应用。
附图说明
图1是掺铕硼硅酸钇荧光粉的激发和发射光谱;
图2是掺铕硼硅酸钙荧光粉的激发和发射光谱;
图中,实线为激发光谱,虚线为发射光谱
具体实施方式
本发明硼硅酸盐荧光粉的具体组成为Ma-xBbSicOd:xRe,其中M为Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu中的一种或几种,Ca、Mg、Sr、Ba、Zn金属在材料中以+2价态存在,Sc、Y、La、Gd、Lu以+3价态存在;1≤a≤4;1≤b≤2;1≤c≤2;5≤d≤15;x<0.5;2a+3b+4c=2d或3a+3b+4c=2d;Re为Mn、Eu、Tb、Ce、Gd、Dy、Sm、Nd、Pr中的一种或几种,这些金属离子作为发光中心,价态为+2或+3价。由于本发明将硼原子代替部分硅原子,改变了材料的光学性能。
本发明硼硅酸盐荧光粉的制备方法,包括如下技术方案:
一、按照化学计量比称取原料
确定Ma-xBbSicOd:xRe组分中M、Re的所代表的具体元素和a、b、c、d所代表的具体值,然后按照化学计量比准确称取二氧化硅、硼酸或三氧化二硼、M的氧化物或碳酸盐,精确称取Re的氧化物、碳酸盐或卤化物,如果采用助溶剂,需要称取一定量助溶剂与原料混在一起。硼酸或者三氧化二硼按照化学计量比的120%过量。如果采用助溶剂,需要称取一定量助溶剂与原料混在一起,助熔剂MX,M为Li、Na、K、Ca、Mg、Sr、Ba,X为F、Cl、Br。
二、将原料混合均匀
将称取的原料与玛瑙球一起放入玛瑙研钵中,采用高性能球磨机,将原料混合均匀,并研磨成细小颗粒,研磨大约5~20个小时。
三、焙烧:
根据材料的要求选择烧结气氛,非还原气氛为空气,还原气氛为氢气与氮气的混合气或碳粒在空气中燃烧所生成的气体,将研磨好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,在指定气氛中,以200~600℃/小时的升温速率加热到1000~1300℃,在该温度下保持3~20小时,进行焙烧,随后缓慢冷却至室温。
将粉料用球磨机再次研磨成细小粉末,放置于刚玉舟中,在指定气氛中,再次焙烧。
四、洗涤与干燥:
将焙烧得到粉料(至少焙烧一次)研磨成粉末,用去离子水和乙醇分别洗涤三次,除去残留的杂物,在60~200℃下烘干2~20个小时,获得荧光粉。
下面结合实施例和附图对本发明进一步说明,但不限于这些实施例。
实施例1:
Y3-0.05BSi2O10:0.05Eu3+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取6.7克氧化钇、2.4克二氧化硅、1.5克硼酸和0.176克氧化铕,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以200℃/小时的升温速率加热到1150℃,并在该温度下保持5小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,120℃烘干2个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
实施例2:
Ca1-0.05B2Si2O8:0.05Ce3+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取9.5克碳酸钙、12.4克二氧化硅、15克硼酸和0.86克氧化铈,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以300℃/小时的升温速率加热到1000℃,并在该温度下保持3小时,随后缓慢冷却至室温。
将焙烧的粉料研磨成细小粉末,放置于刚玉舟内,在在H2/N2(5%/95%)还原气氛下,高温管式炉中,以600℃/小时的升温速率加热到1000℃,并在该温度下保持10小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,60℃烘干20个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
实施例3:
La3-0.05BSi2O10:0.05Eu3+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取10.6克氧化镧、2.4克二氧化硅、1.5克硼酸和0.176克氧化铕,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以300℃/小时的升温速率加热到1200℃,并在该温度下保持20小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,120℃烘干5个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
实施例4:
Gd3-0.05BSi2O10:0.05Eu2+,0.2Mn2+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取11.7克氧化钆、2.4克二氧化硅、1.5克硼酸和0.176克氧化铕和0.43克碳酸锰,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以600℃/小时的升温速率加热到1300℃,并在该温度下保持10小时,随后缓慢冷却至室温。
将焙烧的粉料研磨成细小粉末,放置于刚玉舟内,在在H2/N2(5%/95%)还原气氛下,高温管式炉中,以600℃/小时的升温速率加热到1300℃,并在该温度下保持10小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,100℃烘干8个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
实施例5:
La3-0.05BSi2O10:0.05Ce3+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取10.6克氧化镧、2.4克二氧化硅、1.5克硼酸和0.17克氧化铈,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以400℃/小时的升温速率加热到1200℃,并在该温度下保持20小时,随后缓慢冷却至室温。
将焙烧的粉料研磨成细小粉末,放置于刚玉舟内,在在H2/N2(5%/95%)还原气氛下,高温管式炉中,以400℃/小时的升温速率加热到1200℃,并在该温度下保持20小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,120℃烘干2个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
实施例6:
Ca1-0.02Sr1-0.02B2SiO7:0.02Eu2+,0.02Dy3+荧光材料的合成。
按照化学计量比称取4.9克碳酸钙、7.2克碳酸锶、7.3克硼酸、3.1克二氧化硅、0.176克氧化铕和0.186克氧化镝,将称取的原料以研磨方式混合均匀。
随后将混合好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,以300℃/小时的升温速率加热到1050℃,并在该温度下保持5小时,随后缓慢冷却至室温。
将焙烧的粉料研磨成细小粉末,放置于刚玉舟内,在在H2/N2(5%/95%)还原气氛下,高温管式炉中,以300℃/小时的升温速率加热到1050℃,并在该温度下保持5小时,随后缓慢冷却至室温。
将烧结得到的粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤除去残留的杂物,110℃烘干20个小时,得到颗粒大小均匀的发光粉末。
上述实施例用来解释说明本发明,而不是对本发明进行限制,在本发明的精神和权利要求的保护范围内,对本发明作出的任何修改和改变,都落入本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种硼硅酸盐荧光粉,其特征在于,它的组成为Ma-xBbSicOd:xRe。其中,M为Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu、中的一种或多种;1≤a≤4,1≤b≤2,1≤c≤2,5≤d≤15,x<0.5;Re为Mn、Eu、Tb、Ce、Gd、Dy、Sm、Nd、Pr中的一种或几种。
2.一种权利要求1所述的硼硅酸盐荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按照化学计量比称取原料:按Ma-xBbSicOd:xRe的化学计量比称取硼酸或三氧化二硼,Ca、Mg、Sr、Ba、Zn、Sc、Y、La、Gd、Lu、Si、Mn、Eu、Tb、Ce、Dy、Sm、Nd和Pr的氧化物、卤化物或碳酸盐。
(2)将原料混合均匀:将称取的原料直接混合均匀,或者与一定量的助熔剂一起混合均匀,将混合好的原料研磨成细小粉末。
(3)焙烧:将研磨好的原料放置于刚玉舟内,用高温电阻炉,在指定气氛中,以200~600℃/小时的升温速率加热到1000~1300℃,在该温度下保持3~20小时,进行焙烧,焙烧次数至少一次,随后缓慢冷却至室温。
(4)洗涤与干燥:将焙烧得到粉料研磨成粉末,用去离子水和乙醇洗涤,除去残留的杂物,在60~120℃下烘干2~20个小时,获得硼硅酸盐荧光粉。
3.根据权利要求2所述的硼硅酸盐荧光粉的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述助熔剂MX,其中,M为Li、Na、K、Ca、Mg、Sr或Ba,X为F、Cl或Br。
4.根据权利要求2所述的硼硅酸盐荧光粉的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述高温电阻炉指定气氛为还原气氛或非还原气氛;其中,还原气氛为氢气与氮气的混合气或碳粒在空气中燃烧所生成的气体;非还原气氛为空气。
5.根据权利要求2所述的硼硅酸盐荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的硼酸或者三氧化二硼按照化学计量比的120%过量称取。
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