CN101246268A - 安装体的制造方法、安装体及基板 - Google Patents

安装体的制造方法、安装体及基板 Download PDF

Info

Publication number
CN101246268A
CN101246268A CNA2008100032577A CN200810003257A CN101246268A CN 101246268 A CN101246268 A CN 101246268A CN A2008100032577 A CNA2008100032577 A CN A2008100032577A CN 200810003257 A CN200810003257 A CN 200810003257A CN 101246268 A CN101246268 A CN 101246268A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
heater
laser
installation region
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100032577A
Other languages
English (en)
Inventor
児岛荣作
和田竹彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Publication of CN101246268A publication Critical patent/CN101246268A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

提供一种安装装置的制造方法、安装装置及基板，能够高效地加热ACF等粘结剂来缩短安装所需要的时间，并且抑制对其他元件的不必要的加热。在使ACF(3)处于形成了多个布线(6)的玻璃基板(1)与要安装的IC芯片(2)之间，玻璃基板(1)的反面进行激光照射，来加热ACF(3)，在连接布线(6)的电极部(6a)与IC芯片(2)的凸电极(5)的安装时，在安装玻璃基板(1)的IC芯片(2)的安装区域，预先形成吸收上述激光而发热的发热体(9)，通过发热体(9)的发热来加热ACF(3)。

Description

安装体的制造方法、安装体及基板
技术领域
本发明涉及一种在基板上安装元件的安装体的制造方法、安装体以及在安装中使用的基板。
背景技术
近年来，作为个人电脑以及其他各种显示器用的图像显示装置，液晶显示装置等的平板显示器正在迅速普及。
例如，液晶显示装置由液晶面板、LCD(Liquid Crystal Display)驱动器、背光灯等周边构件组成。液晶面板这样形成的：在一对玻璃基板的各个表面上形成规定图案的透明电极，并使这对玻璃基板夹着液晶相互贴合。在液晶显示装置中，由一对彼此相向的透明电极形成像素，通过LCD驱动器的IC芯片向这些透明电极施加电压，使图像可视化。
有关将该LCD驱动器的IC芯片安装到液晶面板上的方法，至今有很多种已知的方法，其中有一种称为COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)的方式。
图13是用于说明COG方式的粘合方法的剖视图。
在玻璃基板50上形成布线51，同时其端部是用于元件连接的电极部51a。在安装于该玻璃基板50上的LCD驱动器的IC芯片52的下表面，形成有凸电极53。
首先，在玻璃基板50上粘附粘结剂，例如粘附ACF(AnisotropicConductive Film：各向异性导电性薄膜)54，进而，在ACF54上配置IC芯片52。接着，通过按压已加热至规定温度的加热器加压头55，使IC芯片52热压到玻璃基板50上。这样一来，LCD驱动器的IC芯片52就被安装在液晶面板的玻璃基板50上。
在这样的安装方法中一直存在这样的问题：由于用加热器加压头55隔着IC芯片52对ACF54进行加热，所以ACF54从被加热到熔融、固化需要时间，同时从IC芯片52到玻璃基板50产生温度差，由于温度变低而发生弯曲。
因此，如图14所示，本案申请人提出了这样的方法：从玻璃基板50的背面侧，以箭头所示方向进行激光照射，用透过玻璃基板50的激光来直接加热ACF54，使其熔融并固化，同时通过加压头56加压，从而粘合玻璃基板50(参照专利文献1)。
专利文献：JP特开2006-253665号公报
在上述提案的方法中，由于ACF54等粘结剂的厚度仅是例如几十μm，所以照射激光没有被粘结剂充分吸收就穿透了粘合剂，有改善粘结剂的加热效率的余地。此外，透过了粘结剂的激光被IC芯片52等元件吸收，有使元件被不必要地加热这一课题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，高效地加热ACF等粘结剂，从而缩短安装所需时间，而且，其进一步的目的在于，抑制对其他元件等的不必要的加热。
(1)本发明提供一种安装体的制造方法，使含有热反应性树脂的粘结剂位于形成多个布线的基板和要安装于该基板上的元件之间，并通过激光照射来加热上述粘结剂，从而使上述布线的电极部和上述元件的电极连接，在上述基板上要安装上述元件的安装区域，预先形成吸收上述激光而发热的发热体，针对吸收上述激光而被直接加热的上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
在此，作为形成了布线的基板，优选激光容易透过的基板，包括玻璃基板、薄膜基板、软性基板、或者硅基板等。
元件包括IC、晶体管等有源元件，电阻、电容等无源元件，或者基板、连接器等辅助元件等。
含有热反应性的树脂的粘结剂包括ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电性薄膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste：各向异性导电性胶)等各向异性导电性粘结剂，或者NCF(Non Conductive Film：非导电性薄膜)、NCP(Non Conductive Paste：非导电性胶)等非导电性粘结剂。
激光优选从基板安装面的反面进行照射，但在使用激光不容易透过的印刷布线基板等作为基板的情况下，也可以从印刷布线基板的安装面一侧进行激光照射。
安装区域是指元件被安装的区域，也是基板与元件重叠的区域。
夹着粘结剂的区域，与安装区域相同或者比安装区域稍大都比较好，但也可以比安装区域小。
发热体至少形成于安装区域内即可，也可以横亘整个安装区域外而形成。
发热体优选是吸收激光后容易发热的材料，例如，优选是铝、铜等。
发热体吸收激光并发热，从而加热粘结剂，从而增加除了粘结剂自身吸收激光直接被加热以外的间接(辅助)的加热量。
因此，通过该发热体的发热，从基板侧间接地加热的加热量比以往相比有所增大。
该发热体可以完全与布线分离，也可以与布线的一部分相连接，例如，与地线相连接。
发热体可以使连续的形状，也可以是多个分开的岛状。
发热体优选形成于布线的电极部的旁边，也可以形成于多个电极部之间。
发热体可以在与布线同一个工序中形成，也可以在其它工序中形成。
根据本发明，在基板的安装区域，即夹着粘结剂的区域，因为预先形成了吸收激光并发热的发热体，所以激光一旦照射，基板上的发热体就吸收激光并发热，并且加热上面的粘结剂，所以粘结剂被高效的加热，融化并固化，与以往相比，可以缩短安装所需要的时间。
此外，通过从基板安装面的反面侧进行激光照射，激光被基板上的发热体吸收的部分和透过粘结剂的激光变少，所以可以抑制因透过粘结剂的激光所引起的安装元件被不必要地加热的情况。
(2)在本发明的安装体的制造方法的一个实施方式中，上述发热体也可以与上述布线相独立。
布线包括与元件的电极相连接的电极部，电极部优选是布线的端部。
独立于布线是指，不与布线相连的分离的状态。
根据本实施方式，由于发热体与布线分开，所以能够防止来自吸收激光发热的发热体的热量经由布线图案向安装区域外散热，从而可以高效的加热粘结剂。
(3)在本发明的安装体的制造方法的其他实施方式中，在上述安装区域中形成上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
形成发热体的部分的投影面积总和的上限是，在安装区域中形成布线的部分以外的大致全部区域形成发热体时的投影面积总和。
根据该实施方式，安装区域中的发热体所占的面积较大，因此发热体吸收激光后所发出的发热量可以充分确保加热粘结剂的加热量。
(4)在本发明的安装体的制造方法的另外其他的实施方式中，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
与其它元件在电流上分离是指，发热体与其他元件不电性连接。
根据该实施方式，由于发热体没有与安装区域外的其他元件相连接，所以可以抑制从吸收激光后发热的发热体向安装区域外放热，从而高效地加热粘结剂。
(5)在本发明的安装体的制造方法的一个实施方式中，将多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，将上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
各电极部的最外端位置的内侧是指，由多个各电极部的外缘所围成的区域内，即，假设连接安装区域中的多个各电极部的外缘而成的区域内。
根据该实施方式，由于上述发热体形成在位于安装区域周围的各电极部的内侧，所以发热体在安装区域的中央部高效地吸收激光并发热，从而可以有效地加热粘结剂。
(6)本发明的安装体，使含有热反应性树脂的粘结剂位于形成有多个布线的基板和要安装于该基板上的元件之间，并通过加热上述粘结剂，使上述布线的电极部和上述元件的电极连接，在上述基板上要安装上述元件的安装区域，预先形成有吸收上述激光而发热的发热体，针对吸收上述激光而被直接加热的上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
根据本发明，因为在基板的安装区域形成了吸收激光并发热的发热体，所以激光一旦照射，基板上的发热体就吸收激光并发热，粘结剂被高效的加热，融化并固化，可以缩短安装所需要的时间。
此外，通过从基板安装面的反面侧进行激光照射，激光被基板上的发热体吸收的部分和透过粘结剂的激光变少，所以能够抑制透过粘结剂的激光引起的安装元件被不必要地加热的情况。
(7)在本发明的安装体的一个实施方式中，上述发热体也可以与上述布线相独立。
根据本实施方式，由于发热体与布线分开，所以能够防止来自吸收激光发热的发热体的热量经由布线图案向安装区域外散热，从而可以高效的加热粘结剂。
(8)在本发明的安装体的其他实施方式中，在上述安装区域中形成上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
根据该实施方式，安装区域中的发热体所占的面积较大，因此发热体吸收激光后所发出的发热量可以充分确保加热粘结剂的加热量。
(9)在本发明的安装体的另外其他的实施方式中，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
根据该实施方式，由于发热体没有与安装区域外的其他元件相连接，所以可以抑制从吸收激光后发热的发热体向安装区域外放热，从而高效地加热粘结剂。
(10)在本发明的安装体的一个实施方式中，将多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，将上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
根据该实施方式，由于上述发热体形成在位于安装区域周围的各电极部的内侧，所以发热体在安装区域的中央部高效地吸收激光并发热，从而可以有效地加热粘结剂。
(11)本发明的基板，形成有多个布线，通过含有热反应性树脂的粘结剂，使上述布线的电极部与要安装的元件的电极连接，从而安装上述元件，在要安装上述元件的安装区域，形成有吸收激光而发热的发热体，针对吸收上述激光而被直接加热上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
根据本发明，因为在基板的安装区域形成了吸收激光并发热的发热体，所以激光一旦照射，基板上的发热体就吸收激光并发热，粘结剂被高效的加热，融化并固化，可以缩短安装所需要的时间。
此外，通过从基板安装面的反面侧进行激光照射，激光被基板上的发热体吸收的部分和透过粘结剂的激光变少，所以能够抑制透过粘结剂的激光引起的安装元件被不必要地加热的情况。
(12)在本发明的基板的一个实施方式中，上述发热体也可以与上述布线相独立。
根据本实施方式，由于发热体与布线分开，所以能够防止来自吸收激光发热的发热体的热量经由布线图案向安装区域外散热，从而可以高效的加热粘结剂。
(13)在本发明的基板的其他实施方式中，在上述安装区域中形成上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
根据该实施方式，安装区域中的发热体所占的面积较大，因此发热体吸收激光后所发出的发热量可以充分确保加热粘结剂的加热量。
(14)在本发明的基板的另外其他的实施方式中，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
根据该实施方式，由于发热体没有与安装区域外的其他元件相连接，所以可以抑制从吸收激光后发热的发热体向安装区域外放热，从而高效地加热粘结剂。
(15)在本发明的基板的一个实施方式中，将多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，将上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
根据该实施方式，由于上述发热体形成在位于安装区域周围的各电极部的内侧，所以发热体在安装区域的中央部高效地吸收激光并发热，从而可以有效地加热粘结剂。
根据本发明，因为一旦进行激光照射，基板上的发热体就吸收激光并发热，从而加热上面的粘结剂，所以粘结剂被高效的加热，熔融并固化，与以往相比，可以缩短安装所需要的时间。
此外，通过从基板安装面的反面侧进行激光照射，激光被基板上的发热体吸收的部分和透过粘结剂的激光变少，所以可以抑制透过粘结剂的激光引起的安装元件被不必要地加热的情况。
附图说明
图1是用于说明COG方式的安装的立体图。
图2是用于说明IC芯片向玻璃基板安装的方法的剖视图。
图3是安装体的剖视图。
图4是表示玻璃基板的一部分的立体图。
图5是表示发热体的其他例的俯视图。
图6是使用安装方法的粘合装置的示意图。
图7是图6的激光部的概略框图。
图8是本发明的其他实施方式的安装体的俯视图。
图9是图8的剖视图。
图10是本发明的其他实施方式的安装体的主要部位的俯视图。
图11是图10的剖视图。
图12是图10的玻璃基板的俯视图。
图13是用于说明以往例的安装方法的剖视图。
图14是用于说明使用激光的安装方法的剖视图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
第一实施方式
例如图1的示意图所示，在本实施方式中，使用ACF3通过COG方式，将LCD驱动器的IC芯片2安装在液晶面板一侧的玻璃基板上。如图2的剖面图所示，在该安装时，从玻璃基板1的背面侧顺着箭头所示方向进行激光照射，从而加热ACF3使其熔融并固化，同时通过后述的加压头13来进行加压，使IC芯片2的多个凸电极5与玻璃基板1上的多个布线6的端部的电极部6a相连接，由此，得到如图3所示的安装体7。
在该实施方式中，通过激光照射，高效地加热ACF3，缩短安装所需的时间，同时不使IC芯片2等被不必要地加热，其构成如下。
即，如图4的立体图所示，在玻璃基板1上，在表示安装IC芯片2的矩形虚线的安装区域8中预先形成发热体9，该发热体9通过吸收激光而发热，从而加热ACF3。
在玻璃基板1上的矩形安装区域8中，沿着该相对的长边，排列形成有与DIP型IC芯片2的多个凸电极5相对应的多个电极部6a。发热体9在相互对置的多个电极部6a之间形成为与布线6分离的独立的矩形图案。
这样形成为独立的图案，使得吸收了激光的发热体9所发出的热量不会通过布线6的图案向安装区域8以外放热，从而可以高效的加热发热体9上的ACF3。
为了确保吸收激光所引起的充足的发热量，优选这样形成发热体9：安装区域8中形成发热体9的投影面积，即投影于平面的矩形面积，是安装区域8中形成包括电极部6a的多个布线6的投影面积的总和的三倍以上。
该发热体9优选由吸收激光后容易发热的材料构成，例如，由铝、铜等的材料构成。
该发热体9通过与玻璃基板1上的布线6的图案相同的工序形成，其厚度也与布线6相同，例如为2000至3000左右。
该发热体9优选形成于布线6的电极部6a附近，以使得在吸收激光后可以高效地加热布线6的电极部6a上的ACF3，例如，如图5所示，形成为插入到多个电极部6a间的图案。
图6是使用该实施方式的安装方法的粘合装置10的示意图。
该粘合装置10具有以单色光的激光对ACF3进行照射的激光部11、用于支撑玻璃基板1的支撑台12、玻璃制加压头13、玻璃制加压头(棱镜型)14、汽缸15、激光部16、分色镜17、全反射镜18，测定部19，垫板玻璃20，控制整个粘合装置10的控制部21、用于真空吸附对象物的真空吸附部22。并且，在汽缸15与玻璃基板1间插入有IC芯片2以及ACF3。
激光部11对ACF3照射规定波长的激光。具体来讲选择这样的波长，该波长与其他波长相比，透过率对于玻璃相对高，而且吸收率对于发热体9和ACF3相对高。
汽缸15用于通过玻璃制加压头13、14在IC芯片2和基板1的粘合过程中进行加压。
玻璃制加压头13、14都是玻璃制，且透过从激光部11照射的激光。并且，在玻璃制加压头14中，使激光分岔并输出到全反射镜18。另外，作为玻璃制加压头14，可以使用平面精度高的加工品，即使用所谓的光学平面(optical flat)、光学窗。
全反射镜18反射从玻璃制加压头(光线分岔用棱镜型)14出射的激光。分色镜17对从全反射镜18反射的激光进一步进行反射，使其进入测定部19。
测定部19接受从分色镜17入射的激光，对其受光强度进行测定。
真空吸附部22基于控制部21的指示，通过设置于玻璃制加压头13的吸引孔来真空吸附对象物即本例中的IC芯片2。由此，能够防止因与ACF3粘结时的加压而可能产生的对准偏差，从而能够实现高精度的对准。
另外，如图所示，在本例中，激光部16照射用于校准对准的激光，透过分色镜17的激光，通过全反射镜18以及玻璃制加压头13、14照射在IC芯片2上。
此外，在图6中，作为一个例子表示一个吸引孔通过玻璃制加压头13与真空吸附部22相连的情况，但是并不局限于此，当然也可以使用多个吸引孔进行真空吸附。
图7是说明激光部11的概略框图。该实施方式的激光部11具有激光振荡器23、光束扩展器24、分色镜25、狭缝26、光束取样器27、激光镜28、光束扩展器29、激光线发生器30、对准用激光指示器31和功率表32。
激光振荡器23，作为一个例子可以使用出射波长λ＝1064nm左右的激光的YAG激光器等固体激光器。此外，也可以使用激光二极管。从激光振荡器23出射的激光通过光束扩展器24向规定宽度的平行光线偏转。并且，在通过分色镜25后，通过狭缝26变为狭缝宽度的光线。通过狭缝26后，一部分光线被光束取样器27反射，进而入射至功率表32。功率表32检测入射光线的受光强度，判断是否从激光振荡器23出射了所期望的光强度的激光，虽然没有被图示，但是通过控制激光振荡器23等控制部21来调整激光振荡器23的输出。通过了狭缝26的激光被激光镜28反射，入射至光束扩展器29。光束扩展器29汇聚所入射的激光，对ACF3进行照射。
对准用激光指示器31是振荡产生用于调整对准的激光的激光振荡器，例如选择可视光的波长。例如，在本例中，使用690nm的激光器。从该对准用激光指示器31出射的激光被激光线发生器(laser line generator)30整形后，经由分色镜25，与从激光振荡器23出射的激光同样的照射至ACF3。该激光是用于调整对准的激光，即用于对位的激光，用该激光进行定位控制。另外，在上述激光部11中，对使用激光镜28作为激光反射元件的情况进行了说明，但并不局限于此，例如，可以取代激光镜28而使用可以微调激光反射角度的所谓的电流镜或者多面镜等。
此外，该激光部11是所谓的激光打标器(laser marker)，就激光照射而言，可以向定位在作为载物台的支撑台12上的规定位置能够照射任意轨迹的激光。
一般来说，通常的激光打标器可以使用CAD数据对规定的位置进行照射。因此，例如可以就原样使用液晶表示面板LCD的CAD数据来定位控制照射区域。就激光的照射轨迹而言，为了能够充分的加热薄膜，优选使用能够将能量集中于局部的照射轨迹。另外，通过适当地控制激光的照射光量以及/或者照射轨迹，可以适当的调整粘结强度，例如，可以采用所谓的摇摆方式(wobbling)或全面涂抹方式。摇摆方式的照射轨迹是指，使照射光斑的中心绕圈的同时移动的轨迹。另一方面，全面涂抹方式是以多条平行线填充照射预定区域的方式。关于该技术，由于是一般的技术，所以在本申请说明书中省略其详细说明。
使用这种粘合装置10，如下所述进行安装。
首先，如图2所示，使玻璃基板1的布线6的电极部6a与对应的IC芯片2的凸电极5相对，对相对应的各个电极进行定位，为了夹住放在玻璃基板1的布线6的电极部6a与IC芯片2的凸电极5之间的ACF3，使用图6所示的汽缸15在加压头13、14和支撑台12之间对玻璃基板1和IC芯片2进行加压。然后，从激光部11出射的激光通过玻璃基板1，照射在发热体9和ACF3上。这时，形成于安装区域的发热体9吸收激光而发热，因该发热而间接地加热其上面的ACF3。即，ACF3一方面吸收了激光而自身直接被加热，另一方面因加热体9发热而间接地被加热。由此，与没有形成发热板9的以往例子相比，本例中对ACF3的加热量增大，ACF达到熔融固化的时间变短，缩短了安装所需的时间。
此外，由于发热体9吸收激光而发热，从而透过ACF3的激光变少，抑制了透过的激光使IC芯片2被不必要地加热的问题。
另外，在ACF3固化后，释放加压头13施加的压力。
在该情况下，可以通过如下方式执行电极的对位：用CCD照相机(有时只称为照相机)透过玻璃基板1来进行拍摄，并例如在控制部21等中对照相机所拍摄的拍摄图像进行图像处理。在本例中，从玻璃基板1的背面侧用照相机进行拍摄的情况下，由于可以同时拍摄玻璃基板1和IC芯片2，所以电极的对位变得容易，但也可以例如使用设置在玻璃基板1和IC芯片2上的基准标志等进行对位，也可以用照相机从IC芯片2上方进行摄影从而对位。
第二实施方式
在上述实施方式中，虽然应用于COG方式，但是本发明也可以应用于COF(Chip On Film：薄膜覆晶封装)的方式。
图8是应用COF方式的安装体的俯视图，图9是其A-A剖面的剖视图。
在由聚酰亚胺等构成的薄膜基板33上，形成具有电极部34a的布线34，在安装于该薄膜基板33上的IC芯片35的下表面，如图9所示形成有凸电极36。
与上述实施方式同样，在安装薄膜基板33的IC芯片35的安装区域，形成有与布线34分离而独立的发热体9-1，因此在安装时该发热体9-1吸收激光而加热ACF37。其他的结构与上述实施方式相同。
第三实施方式
在上述实施方式中，应用于IC芯片的安装，但是本发明不仅局限于IC芯片，而也可应用于TCP或者其他元件的安装，例如，可应用于作为连接用的辅助品的薄膜基板等的安装。
图10是将薄膜基板38安装在玻璃基板39上的状态的俯视图，图11是其剖视图。
如图11所示，通过ACF42将玻璃基板39上的布线40端部的电极部40a和薄膜基板38的布线41端部的电极部41a连接在一起。
在该实施方式中，如图12的俯视图所示，在玻璃基板39上，多个发热体9-2分别形成在多个布线40之间。
另外，就其他实施形态而言，也可以用薄膜基板来替代玻璃基板39。

Claims (15)

1.一种安装体的制造方法，使含有热反应性树脂的粘结剂位于形成多个布线的基板和要安装于该基板上的元件之间，并通过激光照射来加热上述粘结剂，从而使上述布线的电极部和上述元件的电极连接，其特征在于，
在上述基板上要安装上述元件的安装区域，预先形成吸收上述激光而发热的发热体，
针对吸收上述激光而被直接加热的上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
2.如权利要求1所述的安装体的制造方法，其特征在于，上述发热体与上述布线相互独立。
3.如权利要求1所述的安装体的制造方法，其特征在于，在上述安装区域中形成上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
4.如权利要求1所述的安装体的制造方法，其特征在于，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
5.如权利要求1所述的安装体的制造方法，其特征在于，将多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，将上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
6.一种安装体，使含有热反应性树脂的粘结剂位于形成有多个布线的基板和要安装于该基板上的元件之间，并通过加热上述粘结剂，使上述布线的电极部和上述元件的电极连接，其特征在于，
在上述基板上要安装上述元件的安装区域，预先形成有吸收上述激光而发热的发热体，
针对吸收上述激光而被直接加热的上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
7.如权利要求6所述的安装体，其特征在于，上述发热体与上述布线相互独立。
8.如权利要求6所述的安装体，其特征在于，在上述安装区域中形成有上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成有上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
9.如权利要求6所述的安装体，其特征在于，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
10.如权利要求6所述的安装体，其特征在于，多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
11.一种基板，形成有多个布线，通过含有热反应性树脂的粘结剂，使上述布线的电极部与要安装的元件的电极连接，从而安装上述元件，其特征在于，
在要安装上述元件的安装区域，形成有吸收激光而发热的发热体，
针对吸收上述激光而被直接加热上述粘结剂，通过上述发热体的发热来增加上述直接加热以外的加热量。
12.如权利要求11所述的基板，其特征在于，上述发热体与上述布线相互独立。
13.如权利要求11所述的基板，其特征在于，在上述安装区域中形成有上述发热体的部分的投影面积总和，是在上述安装区域中形成有上述布线的部分的投影面积总和的三倍以上。
14.如权利要求11所述的基板，其特征在于，上述发热体与位于上述安装区域外的其他元件电性分离。
15.如权利要求11所述的基板，其特征在于，多个上述布线的各电极部分别配置在上述安装区域的周围，上述发热体形成在上述安装区域的上述各电极部的最外端位置的内侧。
CNA2008100032577A 2007-02-16 2008-01-28 安装体的制造方法、安装体及基板 Pending CN101246268A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007036238A JP2008205003A (ja) 2007-02-16 2007-02-16 実装方法、実装体および基板
JP2007036238 2007-02-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101246268A true CN101246268A (zh) 2008-08-20

Family

ID=39782238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100032577A Pending CN101246268A (zh) 2007-02-16 2008-01-28 安装体的制造方法、安装体及基板

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2008205003A (zh)
KR (1) KR20080076714A (zh)
CN (1) CN101246268A (zh)
TW (1) TW200847874A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311190A (zh) * 2013-05-14 2013-09-18 苏州晶方半导体科技股份有限公司 微投影仪芯片封装结构及其封装方法
CN108702845A (zh) * 2016-03-25 2018-10-23 迪睿合株式会社 连接结构体的制造方法
CN111234718A (zh) * 2020-01-19 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 导电胶结构、显示装置及绑定方法
WO2023115855A1 (zh) * 2021-12-21 2023-06-29 厦门市芯颖显示科技有限公司 电路基板、led显示装置及发光元件

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5762851B2 (ja) 2011-06-28 2015-08-12 株式会社日立製作所 シリコン及びゲルマニウム発光素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189331B2 (ja) * 1991-11-22 2001-07-16 セイコーエプソン株式会社 接合方法および接合装置
JPH0676864A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Casio Comput Co Ltd 回路基板の接続構造およびその接続方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311190A (zh) * 2013-05-14 2013-09-18 苏州晶方半导体科技股份有限公司 微投影仪芯片封装结构及其封装方法
CN103311190B (zh) * 2013-05-14 2016-04-13 苏州晶方半导体科技股份有限公司 微投影仪芯片封装结构及其封装方法
CN108702845A (zh) * 2016-03-25 2018-10-23 迪睿合株式会社 连接结构体的制造方法
CN108702845B (zh) * 2016-03-25 2021-04-06 迪睿合株式会社 连接结构体的制造方法
CN111234718A (zh) * 2020-01-19 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 导电胶结构、显示装置及绑定方法
WO2023115855A1 (zh) * 2021-12-21 2023-06-29 厦门市芯颖显示科技有限公司 电路基板、led显示装置及发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
TW200847874A (en) 2008-12-01
KR20080076714A (ko) 2008-08-20
JP2008205003A (ja) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060191631A1 (en) Bonding apparatus
TWI674654B (zh) 用以接合裸晶片晶粒之方法
US6284086B1 (en) Apparatus and method for attaching a microelectronic device to a carrier using a photo initiated anisotropic conductive adhesive
TWI258049B (en) Circuit board, mounting structure for semiconductor device with bumps, and electro-optic device and electronic apparatus
JP6898908B2 (ja) 位置安定的はんだ付け方法
CN101246268A (zh) 安装体的制造方法、安装体及基板
US20080047663A1 (en) Apparatus and method for bonding anisotropic conductive film using laser beam
US20070215584A1 (en) Method and apparatus for bonding electronic elements to substrate using laser beam
US20240008189A1 (en) Method and Apparatus for Flexible Circuit Cable Attachment
KR101177292B1 (ko) 레이저를 이용한 전자부품의 본딩 방법 및 장치
JP2008153399A (ja) 接合装置および接合装置による接合方法
JP2008153366A (ja) 接合装置による接合方法
JP2007049040A (ja) 接合方法
KR20050042582A (ko) 레이저를 이용한 이방전도성필름 본딩 장치 및 방법
KR100879005B1 (ko) 레이저 본딩장치 및 레이저 본딩방법
JP2005142397A (ja) ボンディング方法およびその装置
CN101013236A (zh) 黏贴结构及其制造方法
US20210185831A1 (en) Selective Soldering with Photonic Soldering Technology
JPH05206220A (ja) テープキャリアパッケージと回路基板との接続方法
JP2008227409A (ja) 接合装置および接合方法
JP2010287612A (ja) Ａｃｆ貼り付け装置及び貼り付け方法、並びにフラットディスプレイ装置
KR20210099782A (ko) 레이저 디본딩 장치
KR20010064618A (ko) 레이저를 이용한 유리 기판에서의 회로 소자 접합 및 탈착방법
KR101010021B1 (ko) 구동용 회로기판의 접합 장치
KR20070019559A (ko) 접합 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20080820