CN101218102A - 微滴沉积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微滴沉积设备。喷墨印刷头具有：由限定通道(1508)的可致动侧壁(1507)形成的第一阵列，可致动侧壁可变位以致使在所选通道中产生压力，该阵列中的交错通道为喷射通道；和由平行侧壁(1503)形成的第二阵列，所述平行侧壁在通道高度方向上偏置以限定向着相应的喷射通道(1508)开口的通道延伸区域(1504)。喷嘴(1506)与每一个通道延伸区域连通。第二阵列中的相邻侧壁之间的间距较大以减小阻抗，而第一阵列中的相邻可致动侧壁之间的间距较小以提供高效的致动。

Description

微滴沉积设备
技术领域
本发明涉及微滴沉积设备，并且在一个重要实施例中涉及喷墨印刷头，尤其是按需供墨喷墨印刷头。
背景技术
在已知的结构中，例如EP-B-0 278 590中所述，通道形成在压电材料主体中，并且通过由通道壁变位而在墨通道中产生的声波作用喷射墨滴。这样的壁致动结构有利地允许紧凑的通道间距，并因此允许狭窄的喷嘴间距。这样的共用壁结构的复杂性在于，所选通道通过壁变位而致动可致使在相邻通道中也产生压力变化，即所谓的“串扰”。已经提出通过使用仅每隔一个通道用于微滴喷射来解决该复杂性，但是其结果是增大了喷嘴的间距。
在EP-B-0 278 590中提出，沿相反方向延伸阵列中的交错通道，延伸的区域允许由中间通道间隔开的通道之间以一定程度压力连通。通过适当地选择尺寸，该布置提供了一种使所有通道喷射同时降低串扰的方法。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括沿通道阵列方向延伸的通道的阵列，所述通道沿通道长度方向延伸，其中，所述阵列中的交错通道沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的墨喷射方向变位，使得所述通道的第一子组具有位于垂直于所述墨喷射方向的墨喷射平面中的顶面、与位于所述墨喷射平面中的微滴喷射喷嘴连通并作为喷射通道，而所述通道的第二子组与所述墨喷射平面间隔开并作为非喷射通道，所述通道的第一子组和第二子组通过可致动侧壁分开，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，从而实现从所选喷嘴进行微滴沉积。
所述喷射通道的顶面优选在所述阵列方向上比所述喷射通道的底面宽，并且优选在与所述喷射通道邻接的侧壁表面中形成台阶，从而为每一个喷射通道限定上部通道区域、下部通道区域和台阶表面，所述台阶表面优选基本平行于所述墨喷射平面，所述上部通道区域在所述阵列方向上比所述下部通道区域宽。
有利地，所述喷射通道的横截面基本为T型或L型。
合适地，分隔所述通道的第一子组的所述上部通道部分的壁为不可致动的。
另一方面，本发明在于一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括：由沿阵列方向延伸以在其间限定相应通道的可致动侧壁形成的第一阵列，所述侧壁和所述通道沿通道长度方向延伸，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，其中所述阵列中的交错通道为喷射通道；由侧壁形成的第二阵列，所述侧壁平行于由可致动侧壁形成的所述第一阵列延伸，并相对于所述第一阵列沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的通道高度方向偏置以在所述侧壁之间限定相应的通道延伸区域，每一个通道延伸区域向着相应的喷射通道开口；微滴喷射喷嘴，所述微滴喷射喷嘴与每一个通道延伸区域连通，使得喷射通道的两个可致动侧壁的致动实现在该喷射通道的通道延伸区域中从所述微滴喷射喷嘴进行微滴沉积；其中所述第二阵列中的相邻侧壁之间的间距大于所述第一阵列中的相邻可致动侧壁之间的间距。
优选地，每一个通道延伸区域的纵横比约为2以下，相邻可致动侧壁之间的每一个通道区域的纵横比约为5以上。
自所述喷射通道进行的所述微滴喷射的方向可平行于每一个通道的长度或正交于每一个通道的长度。
合适地，具有在侧壁的通道面对表面上延伸的电极层，并在所述侧壁中具有台阶，该台阶形成所述电极层中的电隔离断口所在的位置。
有利地，所述设备构造成使微滴沉积流体沿每一个喷射通道连续流动。
又一方面，本发明在于一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括沿通道阵列方向延伸的通道的阵列，所述通道沿通道长度方向延伸，其中所述阵列中的交错通道沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的通道高度方向变位，使得所述通道的第一子组具有位于垂直于所述通道高度方向的顶部平面中的顶面，而所述通道的第二子组与所述顶部平面间隔开；所述通道的第一子组和第二子组由可致动侧壁分开，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，从而实现微滴沉积；并且其中在所述通道的第一子组的侧壁中形成台阶，从而限定上通道部分、下通道部分和台阶表面，所述上通道部分在所述阵列方向上比所述下通道部分宽。
优选地，所述通道的第一子组的横截面基本为T型。
可选地，所述通道的第一子组的横截面基本为L型。
附图说明
现在将参照附图仅以实施例方式对本发明进行描述，附图中：
图1示出现有技术的印刷头布置；
图2示出图1的印刷头的变体；
图3示出现有技术的第二种印刷头布置；
图4示出本发明的第一实施方式；
图5示出图4的实施方式的变体；
图6示出图5的实施方式的变体；
图7和图8示出本发明实施方式的剖视图；
图9示出可选电极图案；
图10示出图7的实施方式的移位结构；
图11示出图9的实施方式的变体；
图12示出又一种结构；
图13和14以横向和纵向剖视图示出又一实施方式；和
图15和图16以横向剖视图和等轴测图示出再一实施方式。
具体实施方式
参照图1，已知的喷墨印刷头布置包括多个形成阵列的墨通道102，其中所述通道沿阵列方向间隔开并垂直于阵列方向(向纸内观看)延伸。通道形成在由上层104和下层106形成的压电材料(本情况下为PZT(压电陶瓷))的主体中。这两层沿由箭头108和110标示的相反方向极化。所述通道在顶部和底部分别由绝缘片112和114闭合。所述通道与金属电极层116对准。当垂直于极化(通过施加到通道壁两侧上的通道电极的不同电压)方向横跨通道壁施加电场时，所述壁以剪切模式偏转，并且变位成采取如虚线118示意性示出的类V字形状。这又引起由该壁界定的通道中的压力变化，该压力变化可用来实现从喷嘴120喷射墨。可看出，墨从通道的端部喷射，因而该布置被称为“端部喷枪”。已经提出多种喷射顺序和模式来控制这种印刷头布置的微滴喷射。
图2示出图1中所示的印刷头的已知变体，其中交错通道垂直偏置。喷嘴202朝向上通道204底部，朝向通道206顶部布置，从而基本沿直线布置。
图3示出已知印刷头布置的第二种类型，其中PZT体302形成有多个顶部敞开的通道304。所述通道由通道壁沿阵列方向分隔，每一个通道垂直于阵列方向沿通道长度方向延伸。所述通道在顶面处由在此形成有多个喷嘴306的喷嘴板305闭合。电极(未示出)形成在通道壁上，并施加横跨通道壁的电场，使通道壁变位。
在操作中，墨流到通道304中，优选连续地从通道的入口端308流到通道的出口端310。通过致动所选通道的壁使墨从这些通道喷射，产生的压力变化致使从喷嘴306产生喷射。该布置被称为“侧喷枪”，并且可看出，墨从每一个通道的侧部在其长度的中间位置喷射。
参照图4，示意性示出了本发明的第一实施方式，其包括具有通道阵列的压电材料(在该实施例中为PZT)主体。交错通道垂直偏置，通道402形成在PZT的顶面中并且敞开，而通道404形成在PZT中的下部并且闭合。当两组通道叠置时，致动侧壁由在这些区域中沿箭头406所示的相反方向极化的PZT限定。这些侧壁形成有电极，并且如上所述在电场作用下以剪切模式横向移动。可看出，通过致动侧壁，可在通道中产生压力变化，导致从设置在结合到PZT上表面并闭合上部通道的喷嘴板(未示出)中的喷嘴(如虚线408所示)喷射微滴。
下部通道404未形成有喷嘴，并且不喷射。在该实施例中，非喷射通道填充有墨，并与喷射通道的供墨歧管连通。
通过使非喷射管道偏置，可在不存在类似的会降低刚度的细长通道壁的情况下获得细长的喷射通道，细长的喷射通道在保持通道的横截面面积的同时提供更靠近的喷嘴间距。
在一些实施方式中，期望上部通道和下部通道具有相似的横截面面积。可对影响通道设计的尺寸和材料进行选择以便可控制对发出到歧管中的声噪声起作用的参数。一个目的是由于改进了通道的声匹配并因此改进了歧管处的抵消，因而减少了歧管中的不期望的压力波，从而改进了液滴喷射特性。
图5中示出图4的实施方式的变体。这里，上部通道502在最上部区域中比在其底部处宽，具有通道向下在中途形成的台阶。可选地，所述通道可朝向底部成锥形。这能获得更紧凑的结构，其中需要一定的等效液压直径hD来将墨流供应到喷嘴。等效液压直径越大导致流体阻抗越小，从而就此而言最上部区域的最佳形式为其宽度(W)等于其高度(H)。对于正方形或矩形通道截面，液压直径hD公知表示为等于4WH/(2W+2H)。
另外，待与喷嘴连通的通道表面的面积增大，从而允许更大的喷嘴或者甚至多个喷嘴与上部通道连通。
宽度(W)和高度(H)尺寸应选择成使通道保持适当的刚度，否则会降低工作特性。通常，通道宽度和高度会选择成使得最上壁的刚度近似于或大于下部致动壁的刚度。如本领域的技术人员可清楚理解的，实际尺寸只能在完成仿真后并考虑到可选择的设计、材料和性能的折衷的情况下作出选择。
图6中示出一个变体，其中在修改的喷嘴板部件606中形成分隔最上部通道区域602的侧壁604的阵列。类似地，侧壁604的阵列可形成在“传统”喷嘴板下方的喷嘴支撑部件中。
图7中示出根据本发明的通道布置的横截面。从该图中可看出，上部或喷射通道具有基本为T型的横截面。PZT主体由沿箭头606标示的相反方向极化的两个层602和604形成。在优选的制造方法中，在通道内侧沉积金属涂层608以在通道壁上形成电极。电印制线610将电极连接到合适的驱动电路。连接到下部通道612的第一组印制线连接到公共电位(具有固定或变化的振幅)或地。连接到上部通道614、616的第二组印制线连接到可选择地在非零电位被驱动的驱动节点。在该实施方式中，仅需(从电方面考虑)在喷射通道下部上具有有源电极。但是，某些金属涂层可提供附加的结构刚度，从而通过将涂层保持在特定区域(甚至是从电方面考虑不需要之处)中而形成显著的性能优点。
为了形成对应于两组印制线的电极，需要在致动侧壁上的金属涂层中沿通道长度形成断口。因为台阶结构提供沿阵列方向突出的台阶表面，这可方便地通过例如在台阶表面上如箭头620所示进行激光切割来获得。
在PZT主体的端面上涂层也被适当地切割，以如线621(在图6上未示出)所示将两组电极分开，这导致最上壁部分618上的涂层连接到第一组印制线(公共电位或地电位)，该连接由虚线622标示。
为了操作例如喷射通道614，节点624由非零信号驱动，该非零信号在由614’标注的致动区域中在上部通道614内壁上的电极上产生电荷。这产生横跨该区域中的壁的电场，所述壁由于上述极化模式而以V字形状变位到通道中。在图7的布置中，喷射通道被对称地驱动，该通道两侧的可致动壁在致动区域中偏转到通道内。
图8中示意性示出偏转形状，图8还示出具有喷嘴652和654的喷嘴板650。侧壁656和658的偏转致使在喷射通道614中产生纵向压力波，这导致从通道顶部中的喷嘴652喷射微滴。在非喷射通道612中也发生压力变化，但是基本无影响。重要的是，相邻的喷射通道616(和未示出的其他相邻喷射通道)保持基本不受通道614喷射的影响。重要的是注意针对喷嘴652的该喷射操作提供了实现微滴喷射的压力变化顺序。侧壁658的偏转(如图8中所示)产生进入通道614的正压和到通道612的负压。不管喷射条件如何，相邻通道616会通过壁与通道612的顺应性而接收到小的负压脉冲。类似地，通道616在其与通道614相邻的最上部区域将接收到压力脉冲，只不过该压力为正压。结构的精心设计(例如考虑到相关壁的顺应性)使得能进行基本消除了相邻串扰(注意：不同于歧管中的声串扰)的操作。
在图7的布置中，没有横跨壁的最上部分618的场，并因此PZT的这些部分保持不作用并且不可被致动。在可选的电极布置中，这些最上部分可有利地起作用，如图9中所示。
在图9的布置中，连接到接收驱动信号的下部通道的印制线和连接到上部通道的印制线此时保持为零电位或地电位。该布置中的涂层中的切口不是如图7中形成在上部通道的每一个肩部上，而是形成在上壁部的一个肩部上和顶部上。在由直线721标示的端面上的切割导致上壁部一侧740上的电极连接到零电位，而另一侧742上的电极连接到由虚线744标示的驱动节点。
在驱动节点例如节点750致动时，在致动区域中横跨下部通道752的内壁建立电场。同时横跨上壁部754建立电场。该壁部也如所示被极化，并因此该壁部将以剪切模式变位。
该场的模式导致下部通道752的壁均等的向外偏转，而上壁部754悬臂式偏转。图10中示意性示出了整体偏转形状，该图还示出闭合上部通道的顶部并具有喷嘴804、806的喷嘴板802以及底部808。该结构的未偏转形状以虚线示出。可以看出，所述偏转致使在通道810中在区域812和814处产生位移，两处的位移都起减小通道容积的作用。同时，所述偏转致使在通道820中在区域822和824处产生增大该通道容积的位移，而且还在区域826处产生减小通道820的容积的位移，从而具有抵消效果。
应理解通过选择适当的材料和尺寸，可产生一种布置，通道810中的位移借此增强以提供致动压力脉冲，而通道820中的位移借此消除到零。这样的布置因此允许在一个上部通道中喷射，而在相邻的上部通道中基本没有压力影响。
图11示出本发明的实施方式，其中上部通道不对称。待附接盖或喷嘴板的上壁部918相对于前述实施方式沿阵列方向变位。可以看出，上部通道具有基本(倒置的)L型结构。这具有在上部通道中产生更宽的台阶表面的效果，该台阶表面为切割涂层以形成电极提供了更大的面积，如箭头920所示。
图12示出本发明的构造成端部喷枪装置的实施方式，也就是说，以附图标记1201示意性表示的喷嘴布置在安装到喷射通道1202的敞开端上的喷嘴板中。除此以外该结构与图5中所示的相似。由可致动侧壁1203形成的第一阵列在它们之间限定出通道，所述通道包括与非喷射通道1204交错的喷射通道1202。由侧壁1205(其不需要是可被致动的)形成的第二阵列与可致动侧壁1203平行，并且在侧壁1205之间限定出用于相应喷射区域的通道延伸区域1206。喷嘴1201与这些通道延伸区域连通。通常，一基板(未示出)将支撑所述的致动器和附接到所述致动器的最上表面的盖(未示出)。
本发明的其他实施方式具有对墨闭合并填充有空气的非喷射通道，以显著减少在相邻喷射通道之间传递的串扰。可选择其他的适应材料来完全或部分填充非喷射通道。
图13和图14示出本发明的构造成端部喷枪装置可选实施方式，但是闭合的非喷射通道的布置对于例如图5中所示的侧部喷枪结构也会是有利的。
在图13中，压电材料主体1301具有包含由可致动侧壁1303形成的第一阵列以及由侧壁1305(其不需要可被致动)形成的第二平行阵列的向前区域。如在前面的实施方式中那样，由可致动侧壁1303形成的第一阵列限定在与非喷射通道1304交错的喷射通道1302之间。由侧壁1305形成的第二平行阵列在侧壁之间限定出通道延伸区域，所述通道延伸区域与以附图标记1306示意性表示并布置在安装到喷射通道1302的敞开端上的喷嘴板(未示出)中的喷嘴连通。
压电材料主体1301还具有向后区域1307。喷射通道1302延伸到该向后区域1307中以利于供墨。出于该目的，设置在图14中以附图标记1308示意性表示的供墨歧管。图14还示出喷射通道(其通过锯切方便地形成)延伸到主体1301的上表面外的方式。非喷射通道1304从主体1301的下侧形成(通过锯切)，并且确实与供墨歧管1308连通地连接。
现在参照图15和图16，图15和图16以侧部喷枪结构示出本发明的又一个实施方式。如作为正交于通道长度的剖视图的图15中所示，压电材料主体1501结合到基板1502。在该布置中，压电材料主体1501的总体高度为545μm。
主体1501设有上部通道壁1503的阵列，在上通道壁1503之间限定出用于相应喷射通道的通道延伸区域1504。安装到主体1501的上表面上的喷嘴板1505闭合喷射通道，并设有喷嘴1506。
主体1501还设有可致动侧壁1507的阵列。由这些可致动侧壁1507限定的通道交错地形成喷射通道1508和非喷射通道1510。可以看出，每一个喷射通道1508向相应的通道延伸区域1504开口。可致动侧壁1507由在附图标记1511处结合的上部分和下部分形成；上部分和下部分以公知方式沿相反方向极化，从而使壁以V字剪切模式致动。致动侧壁的高度为300μm，这(与主体501的底部和粘合层一起)使非喷射通道的通道高度为375μm。非喷射通道的宽度为35μm。
以附图标记1511表示的电极如前面关于图7的描述那样广义连接，但是在该情况下，电极结构中的隔离断口设置在由喷射通道1508和其通道延伸区域1504形成的T型结构的仅一个台阶上。
这里应注意的是，该实施方式(以及前述实施方式中的某些其他实施方式)的优点在于压电主体1501的顶面可保持金属化。另外避免了否则为修整每一壁顶部所需的精细而复杂的处理，并且喷镀金属可确实简化与喷嘴板(以侧喷枪结构)或盖(以端部喷枪结构)结合的形成。
图16以等轴测图示出该结构，为了清楚起见去除了喷嘴板。主体1501的端部表面被斜切，以使得能够通过正交于基板的激光束为这些端部表面绘制图案。
在使用中，墨优选连续地流动经过具有设置在主体1501的相对两端的入口墨歧管和出口墨歧管的喷射通道。非喷射通道1510在该布置中对供墨开放；已经注意到，在可选结构中，这些非喷射通道可用例如硅胶之类的适应材料填充，或者对墨闭合而对空气开放。
返回到图15，可以看出本发明的实施方式可如何巧妙地满足两种看似矛盾的设计要求。为了以最小容积产生大的压力变化，要求通道是细的并具有薄壁。但是，细通道对于墨流表现出高阻抗，从而不易许可先前已发现提供重要优点的通过通道的相对较高的连续流速。由于该原因，通过通道的流速可以是微滴喷射时通过喷嘴的最大流速的两倍、五倍或十倍。
图15中所示的布置解决了该问题。在通道延伸区域1504中喷射通道的厚度由壁1503之间的间距限定，并且相对较大。因此通道延伸区域1504为沿通道长度方向(也就是说从图15中的图面出来)的墨流提供了相对较低的阻抗。但是，在致动区域中喷射通道的宽度由可致动侧壁1507的间距独立控制。在该布置中，可致动侧壁1507的间距提供35μm的通道宽度，而非致动壁1503的间距提供100μm的延伸通道区域厚度。通道延伸区域1504的深度为120μm，总喷射通道深度为470μm。
还应注意，虽然非致动侧壁1503的壁厚绘制成与可致动侧壁1507的壁厚大致相同，但这不是必要条件，并且在特定的应用中可对非致动壁1503的厚度进行调节以平衡延伸通道区域1504中的需要通道宽度和通道壁的需要刚度。
在优选布置中，通道延伸区域具有约为2以下，更优选为约1.5以下，更加优选为约1.2以下的纵横比(为高度与宽度之比和宽度与高度之比中的较大者)。
在优选布置中，每一个喷射通道的通道延伸区域的工作区域(为可致动侧壁之间的区域)具有约3以上，更优选为约5以上，更加优选为约10以上的纵横比。
如已经注意到的，在每一个喷射通道中致动区域与延伸通道区域的功能分离还产生这样的好处：在相邻喷射通道的致动区域和延伸通道区域中的不同串扰作用具有相反意义，从而显著减小从一个喷射通道到下一喷射通道的串扰。
虽然以喷墨印刷头作为实施例对本发明进行了描述，但是应理解，本发明具有应用于微滴沉积设备的更一般的应用。
本公开的范围包括这里明确或隐含公开的任何新颖特征或这些特征的组合，或者其任何概括，而无论其是否与所要求保护的发明相关或者无论其是否缓解了由本发明解决的任一或全部问题。本申请人特此声明，在该申请或从其衍生的进一步申请的任何起诉过程中，新的权利要求可表达为这样的特征。具体地说，参照所附权利要求，从属权利要求的特征可以与独立权利要求的特征相组合，并且各独立权利要求的特征可以按任何适当方式组合而不仅仅是以所附权利要求中列举的特定组合。

Claims (19)

1.一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括沿通道阵列方向延伸的通道的阵列，所述通道沿通道长度方向延伸，其中，所述阵列中的交错通道沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的墨喷射方向变位，使得所述通道的第一子组具有位于垂直于所述墨喷射方向的墨喷射平面中的顶面、与位于所述墨喷射平面中的微滴喷射喷嘴连通并作为喷射通道，而所述通道的第二子组与所述墨喷射平面间隔开并作为非喷射通道，所述通道的第一子组和第二子组通过可致动侧壁分开，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，从而实现从所选喷嘴进行微滴沉积。
2.根据权利要求1所述的微滴沉积设备，其中，所述喷射通道的顶面在所述阵列方向上比所述喷射通道的底面宽。
3.根据权利要求2所述的微滴沉积设备，其中，在与所述喷射通道邻接的侧壁表面中形成台阶，从而为每一个喷射通道限定上部通道区域、下部通道区域和台阶表面，所述上部通道区域在所述阵列方向上比所述下部通道区域宽。
4.根据权利要求3所述的微滴沉积设备，其中，所述台阶表面基本平行于所述墨喷射表面。
5.根据权利要求3或4所述的微滴沉积设备，其中，所述喷射通道的横截面基本为T型。
6.根据权利要求3或4所述的微滴沉积设备，其中，所述喷射通道的横截面基本为L型。
7.根据权利要求3所述的微滴沉积设备，其中，分隔所述通道的第一子组的所述上通道部分的壁为不可致动的。
8.一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括：由沿阵列方向延伸以在其间限定相应通道的可致动侧壁形成的第一阵列，所述侧壁和所述通道沿通道长度方向延伸，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，其中所述阵列中的交错通道为喷射通道；由侧壁形成的第二阵列，所述侧壁平行于由可致动侧壁形成的所述第一阵列延伸，并相对于所述第一阵列沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的通道高度方向偏置以在所述侧壁之间限定相应的通道延伸区域，每一个通道延伸区域向着相应的喷射通道开口；微滴喷射喷嘴，所述微滴喷射喷嘴与每一个通道延伸区域连通，使得喷射通道的两个可致动侧壁的致动实现在该喷射通道的通道延伸区域中从所述微滴喷射喷嘴进行微滴沉积；其中所述第二阵列中的相邻侧壁之间的间距大于所述第一阵列中的相邻可致动侧壁之间的间距。
9.根据权利要求8所述的微滴沉积设备，其中，每一个通道延伸区域的纵横比约为2以下。
10.根据权利要求8或9所述的微滴沉积设备，其中，相邻可致动侧壁之间的每一个通道区域的纵横比约为5以上。
11.根据权利要求8所述的微滴沉积设备，其中，所述可致动侧壁由压电材料形成。
12.根据权利要求8所述的微滴沉积设备，其中，自所述喷射通道进行的微滴喷射的方向平行于每一个通道的长度。
13.根据权利要求8所述的微滴沉积设备，其中，自所述喷射通道进行的所述微滴喷射的方向正交于每一个通道的长度。
14.根据权利要求8所述的微滴沉积设备，该微滴沉积设备具有在侧壁的通道面对表面上延伸的电极层，并在所述侧壁中具有台阶，该台阶形成所述电极层中的电隔离断口所在的位置。
15.根据权利要求8到14中任一所述的微滴沉积设备，该微滴沉积设备构造成使微滴沉积流体沿每一个喷射通道连续流动。
16.一种微滴沉积设备，该微滴沉积设备包括沿通道阵列方向延伸的通道的阵列，所述通道沿通道长度方向延伸，其中所述阵列中的交错通道沿正交于所述通道长度方向和所述阵列方向的通道高度方向变位，使得所述通道的第一子组具有位于垂直于所述通道高度方向的顶部平面中的顶面，而所述通道的第二子组与所述顶部平面间隔开；所述通道的第一子组和第二子组由可致动侧壁分开，所述可致动侧壁可沿所述阵列方向变位以在所选通道中产生压力变化，从而实现微滴沉积；并且其中在所述通道的第一子组的侧壁中形成台阶，从而限定上通道部分、下通道部分和台阶表面，所述上通道部分在所述阵列方向上比所述下通道部分宽。
17.根据权利要求16所述的微滴沉积设备，其中，所述台阶表面基本平行于所述墨喷射平面。
18.根据权利要求16或17所述的微滴沉积设备，其中，所述通道的第一子组的横截面基本为T型。
19.根据权利要求16到18中任一所述的微滴沉积设备，其中，所述通道的第一子组的横截面基本为L型。
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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