CN101211252A - 存储器储存装置 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种存储器储存装置，其包括：一印刷电路板，用以承载下列元件；一存储器模组，是置于该印刷电路板上，其具有一第一储存区域及一第二储存区域；一对映表；以及一控制器，是置于该印刷电路板上且耦接至该存储器模组及该对映表，且该控制器会将该第一储存区域及/或该第二储存区域中每一区块被存取的次数记录于该对映表中；当该控制器由一主机接收一写入资料命令时，会视目的及功能优先将该资料写至该第一储存区域或该第二储存区域中。
Description
技术领域
本发明是有关于一种存储器储存装置，特别是指一种可于主机接收到写入资料命令时，会视目的及功能优先将该资料写至SLC结构的闪存芯片或MLC结构的闪存芯片中的存储器储存装置。
背景技术
按一般存储器储存装置，尤其是包含闪存装置，其闪存可为单准位胞元(Si(Single Level Cell，下称SLC)结构或多准位胞元(Multi Level Cell，下称MLC)结构，其中，SLC结构的闪存是以一个胞元代表一个比特，其具单位单位容量成本较MLC高且重复写入次数可达百万次的优点，而MLC结构的闪存是以一个胞元代表多个比特，例如但不限于2个比特或4个比特等，其具容量高的优点，但其单位容量成本较SLC低且重复写入次数较低，例如2个比特的MLC结构的闪存其重复写入次数可达十万次，但4个比特的MLC结构的闪存其重复写入次数则只可达千次。因此，一般应用上可将较常更改的资料储存于SLC结构的闪存，以及将较少更改的资料储存于MLC结构的闪存，以使SLC结构的闪存及MLC结构的闪存的应用达到最佳化配置的目的。
此外，一般闪存的控制器仅具有写入SLC结构的闪存或MLC结构的闪存能力，亦即，一个闪存储存置中不是全为SLC结构的闪存就是全为MLC结构的闪存，而不具混合写入的能力，因此，应用上甚为不便，诚属美中不足之处。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种存储器储存装置，其控制器具混合写入SLC结构的闪存及MLC结构的闪存的能力。
本发明的另一目的是提供一种存储器储存装置，其控制器会视目的及功能优先将该资料写至SLC结构的闪存芯片或MLC结构的闪存芯片。
本发明的再一目的是提供一种存储器储存装置，其控制器将一档案写入该第二储存区域时，会优先至该档案对映表中检查，若该档案被更改的次数大于一临界值，则将该档案改写至该第一储存区域。
为达上述的目的，本发明的一种存储器储存装置，其特征在于，其包括：
一印刷电路板，用以承载下列元件；
一存储器模组，是置于该印刷电路板上，其具有一第一储存区域及一第二储存区域；
一对映表；
一控制器，是置于该印刷电路板上且耦接至该存储器模组及该对映表，且该控制器会将该第一储存区域及/或该第二储存区域中每一区块被存取的次数记录于该对映表中；以及
一第一接口，其耦接至该控制器，由该第一接口可将该存储器储存装置连接至一主机；
当该控制器由该主机接收一写入资料命令时，会视目的或功能优先将该资料写至该第一储存区域中。
其进一步具有一应用程序可供安装于该主机中，由该应用程序可设定该存储器储存装置是执行于一正常存取模式或一最佳化配置模式，且该目的或功能可为一区块或档案的计算为考量，当以区块的计算为考量时，该控制器会优先将资料写至该第一储存区域。
其中当执行于该最佳化配置模式且以区块为考量时，该控制器于接收到该主机的写入资料命令时，会至该对映表中检查到该第一储存区域中某一区块的存取次数是否到达一第一启动值，若是，则会将该第一储存区域中存取次数低于一第一预设范围的区块中的资料优先写至该第二储存区域中，再将新资料写入至该搬移后的区块中；或者当该第二储存区域中某一区块的存取次数高于一第二启动值时，则在该第一储存区域有空闲区块时，会将该第二储存区域中存取次数高于一第二预设范围的区块中资料写至该第一储存区域的空闲区块中。
其中当执行于该最佳化配置模式且以区块为考量时，该控制器于接收到该主机的写入资料命令时，会检查该第一储存区域是否已写满，若是，则会将该第一储存区域中存取次数低于该第一预设范围的区块中的资料优先写至该第二储存区域中，再将新资料写入至该搬移后的区块中；或者当该第二储存区域中某一区块的存取次数高于该第二启动值时，则在该第一储存区域有空闲区块时，会将该第二储存区域中存取次数高于该第二预设范围的区块中资料写至该第一储存区域的空闲区块中。
其中该存储器模组为闪存模组。
其中该第一储存区域为一SLC结构的闪存芯片，该第二储存区域为一MLC结构的闪存芯片。
其中该对映表位于该控制器、该第一储存区域或该第二储存区域中。
其中该第一启动值、该第一预设范围、该第二启动值及该第二预设范围由执行该应用程序设定。
其中该第一启动值为1000次，该第一预设范围为0-50次；该第二启动值为500次，该第二预设范围为400-500次。
其中该第一接口为一USB接口或其兼容的接口。
其中该主机为一个人计算机、个人数字助理器、数字相机或可携式影像播放器。
其进一步包括一第二接口及一第二接口控制器，其中该第二接口是耦接至该第二接口控制器。
其中该第二接口是为一SmartMedia、CompactFlash、MMC、Security Digital、Memory Stick、Memory Stick Pro、xD或Microdrive、Memory StickDuo或Memory Stick Pro Duo等存储卡的接口；而该第二接口控制器则为该第二接口相对应的控制器。
其进一步包括一壳体，该壳体具有一上壳体及一下壳体，该上壳体及下壳体互相盖合形成一容置空间以容纳该印刷电路板。
为达上述的目的，本发明的一种存储器储存装置，其特征在于，其包括：
一印刷电路板，用以承载下列元件；
一存储器模组，是置于该印刷电路板上，其具有一第一储存区域及一第二储存区域；
一档案对映表；
一控制器，是置于该印刷电路板上且耦接至该存储器模组及该档案对映表，且该控制器会将写入至该第一储存区域及/或该第二储存区域中档案的档案名称记录于该档案对映表中；以及
一第一接口，其耦接至该控制器，由该第一接口将该存储器储存装置连接至一主机；
当该控制器由该主机接收一写入资料命令时，会视目的或功能优先将该资料写至该第二储存区域中。
其进一步具有一应用程序可供安装于该主机中，由该应用程序可设定该存储器储存装置是执行于一正常存取模式或一最佳化配置模式，且该目的或功能可为一区块或档案的计算为考量，当以档案的计算为考量时，该控制器会优先将资料写至该第二储存区域。
其中当该控制器将一档案写入该第二储存区域时，会至该档案对映表中检查，若该档案被写入的次数大于一临界值，则将该档案改写至该第一储存区域。
其中该存储器模组为闪存模组。
其中该第一储存区域为一SLC结构的闪存芯片，该第二储存区域为一MLC结构的闪存芯片。
其中该档案对映表位于该控制器、该第一储存区域或该第二储存区域中。
其中该临界值由执行该应用程序设定。
其中该临界值为3-10次。
其中该第一接口为一USB接口或其兼容的接口。
其中该主机为一个人计算机、个人数字助理器、数字相机或可携式影像播放器。
其进一步包括一壳体，该壳体具有一上壳体及一下壳体，该上壳体及下壳体可互相盖合形成一容置空间以容纳该印刷电路板。
其中该应用程序进一步可供设定一写入上限值，当写入至该第二储存区域的档案名称次数超过该写入上限值时，该应用程序会将该第二储存区域变成只读功能。
其中该写入上限值为1000-10000次。
附图说明
为进一步说明本发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1为一示意图，其绘示本发明一较佳实施例的存储器储存装置的分解示意图。
图2为一示意图，其绘示本发明一较佳实施例的存储器储存装置的方块示意图。
图3为一示意图，其绘示本发明一较佳实施例的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时的动作流程示意图。
图4为一示意图，其绘示本发明的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且欲将资料写至该第二储存区域的动作流程示意图。
图5为一示意图，其绘示本发明另一较佳实施例的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且欲将资料写至该第一储存区域的动作流程示意图。
图6为一示意图，其绘示本发明又一较佳实施例的存储器储存装置的档案对映表的示意图。
图7为一示意图，其绘示本发明另一较佳实施例的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且以档案考量为要时的动作流程示意图。
具体实施方式
请一并参照图1及图2，其中图1绘示本发明一较佳实施例的存储器储存装置的分解示意图；图2绘示本发明一较佳实施例的存储器储存装置的方块示意图。如图所示，本发明的存储器储存装置1，其具有：一壳体10；一印刷电路板20；一存储器模组30；一对映表40；以及一控制器50所组合而成。
其中，该壳体10是以绝缘材料，例如但不限于塑料材料所制成，其具有一上壳体11及一下壳体12，且该上壳体11及下壳体12可互相盖合形成一容置空间13以容纳该印刷电路板20。
该印刷电路板20是可容纳于该容置空间13中，用以承载该存储器模组30以及控制器50元件。
该存储器模组30是置于该印刷电路板20上，其例如但不限于为一闪存模组，且具有一第一储存区域31及一第二储存区域32，其中，该第一储存区域31例如但不限于为一SLC结构的闪存芯片，该第二储存区域32则例如但不限于为一MLC结构的闪存芯片，该第一储存区域31及第二储存区域32皆耦接至该控制器50，以接受其控制。
该对映表(Mapping Table)40是耦接至该控制器50，其容量不定，可视该第一储存区域31及第二储存区域32的容量大小而改变，该控制器50于写入资料时会将该第一储存区域31及/或该第二储存区域32中每一区块(block，图未示)被存取的次数记录于该对映表40中，其中每一区块的大小例如但不限于为512字节。
该控制器50是置于该印刷电路板20上且耦接至该存储器模组30及该对映表40，且该控制器50可将该第一储存区域31及/或该第二储存区域32中每一区块被存取的次数记录于该对映表40中；其中，当该控制器50内含一存储器(图未示)时，该对映表40可放置该控制器50的存储器中，或者当该控制器50未内含一存储器时，该对映表40可放置该第一储存区域31中。此外，该控制器50具有一数据总线(Data Bus)51及一信号控制总线(Signal Control Bus)52，经由该信号控制总线52可知悉该第一储存区域31以及该第二储存区域32是为SLC结构的闪存芯片或者MLC结构的闪存芯片。
此外，本发明的存储器储存装置1进一步具有一第一接口60，其耦接至该控制器50，由该第一接口60可将该存储器储存装置连接至一主机80。其中，该第一接口60，例如但不限于为一USB接口或其兼容的接口，以供连接至该主机80。其中，该主机80可为一个人计算机、个人数字助理器、数字相机或可携式影像播放器，其具有一连接接口(图未示)，例如但不限于为一USB接口或其兼容的接口。
此外，本发明的存储器储存装置1进一步具有一第二接口70及一第二接口控制器75，其中该第二接口70是耦接至该第二接口控制器75，且该第二接70例如但不限于为一Smart Media、CompactFlash、MMC、Security Digital(SD)、MemoryStick、Memory Stick Pro、xD或Microdrive、MemoryStick Duo或Memory Stick Pro Duo等存储卡的接口；而该第二接口控制器75则例如但不限于为该第二接口70相对应的控制器。
此外，本发明的存储器储存装置1进一步具有一应用程序(图未示，Application Program)，其可供安装于该主机80中，以便由该应用程序可设定该存储器储存装置是执行于一正常存取模式或一最佳化配置模式。其中，当使用者由该应用程序设定本发明的存储器储存装置1工作于正常存取模式时，该控制器50将视该第一储存区域31及该第二储存区域32为相同结构，亦即资料将会以随机顺序写入该第一储存区域31及该第二储存区域32中；使用者可视目的及功能由该应用程序决定要将该资料优先写至该第一储存区域31或该第二储存区域32，当使用者由该应用程序设定本发明的存储器储存装置1工作于最佳化配置模式且根据其目的及功能，例如但不限于区块或档案，决定要将该资料优先写至例如但不限于该第一储存区域31(在本实施例中是以区块考量为要，因此优先写至该第一储存区域31为例加以说明，但并不以此为限)时，该控制器50将会优先将该资料写至该第一储存区域31中，待写满后才写入至该第二储存区域32中。或者，当使用者由该应用程序设定本发明的存储器储存装置1作于最佳化配置模式且根据其目的及功能，例如以档案考量为要，因此决定要将该资料优先写至该第二储存区域32时，该控制器50将会优先将该资料写至该第二储存区域32中，待写满后才写入至该第一储存区域31中，使用上非常具有弹性。
此外，当本发明的存储器储存装置1工作于最佳化配置模式时，需由该应用程序设定若干参数供该控制器50参考，以使该存储器的最佳化配置可正常执行。其中，该些参数包括：一第一启动值、一第一预设范围、一第二启动值及一第二预设范围等。其中，该第一启动值例如但不限于为1000次，该第一预设范围例如但不限于为0-50次；该第二启动值例如但不限于为500次，该第二预设范围例如但不限于为400-500次，其详细运作情形请参照下述的说明。
请参照图3，其绘示本发明的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且欲将资料写至该第一储存区域31的动作流程示意图。如图所示，当本发明的存储器储存装置1执行于该最佳化配置模式且根据其目的及功能，例如以区块考量为要，因此决定要将该资料优先写至该第一储存区域31时，当该控制器50于接收到该主机80的写入资料命令时(步骤1)，会先至该对映表40中检查该第一储存区域31中是否有某一区块的存取次数到达第一启动值(例如为1000次)(步骤2)；若是，则会将该第一储存区域31中存取次数低于一第一预设范围(例如为0-50次)间的区块中的资料优先写至该第二储存区域32中(步骤3)；再将新资料写入至该搬移后的该第一储存区域31的区块中(步骤4)。
请参照图4，其绘示本发明的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且欲将资料写至该第二储存区域32的动作流程示意图。如图所示，当有资料要被写至该第二储存区域32中时(步骤1)；该控制器50会先至该对映表40中检查该第二储存区域中某一区块的存取次数是否高于一第二启动值(例如为500次)？(步骤2)；若是，则会将该第一储存区域31中存取次数高于一第二预设范围(例如为400-500次)间的区块中的资料在该第一储存区域31有空闲(free)区块时，将该第二储存区域32中存取次数高于该第二预设范围(例如为400-500次)的区块中资料写至该第一储存区域31的空闲区块中(步骤3)；然后，再将资料写至该第二储存区域32中(步骤4)。如此，可确保本发明的存储器储存装置1工作于最佳化配置模式且根据其目的及功能决定要将该资料优先写至该第一储存区域31时会优先将资料写至该第一储存区域31(即SLC结构的闪存芯片)，待该第一储存区域31写满时再将资料写至该第二储存区域32(即MLC结构的闪存芯片)，以兼顾其成本及使用寿命。
请参照图5，其绘示本发明另一较佳实施例的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且欲将资料写至该第一储存区域31的动作流程示意图。如图所示，当本发明的存储器储存装置1执行于该最佳化配置模式且根据其目的及功能，例如以区块考量为要，决定要将该资料优先写至该第一储存区域31时且该控制器50于接收到该主机80的写入资料命令时(步骤1)，检查该第一储存区域31是否已写满(步骤2)；若是，则会将该第一储存区域31中存取次数低于一第一预设范围(例如为0-50次)间的区块中的资料优先写至该第二储存区域32中(步骤3)；再将新资料写入至该搬移后的该第一储存区域31的区块中(步骤4)。
此外，本发明的存储器储存装置亦可根据写入至该第二储存区域32中档案名称的次数进行资料的最佳化配置。请参照图6，其绘示本发明又一较佳实施例的存储器储存装置的档案对映表的示意图。如图所示，本实施例是档案考量为要，因此以写入该第二储存区域32中为优先，该控制器50会根据档案名称的次数进行资料的最佳化配置，其必需有一档案对映表90用以记录写入该第二储存区域32中档案名称的次数。该档案对映表90中例如但不限于具有两个栏位，其中一个为档案名称栏位91，另一个则为写入次数栏位92。其中，该档案对映表90可位于该控制器50、该第一储存区域31或该第二储存区域32中。
请参照图7，其绘示本发明另一较佳实施例的存储器储存装置工作于最佳化配置模式时且以档案考量为要时的动作流程示意图。如图所示，当本发明的存储器储存装置1执行于该最佳化配置模式且根据其目的及功能，例如以档案考量为要时，当该控制50将一档案写入该第二储存区域32时(步骤1)；会优先至该档案对映表90中检查(步骤2)；若该档案被更改的次数大于一临界值(步骤3)；则将该档案改写至该第一储存区域31(步骤4)；否则将该档案写至该第二储存区域32(步骤5)。
于步骤1中，以档案考量为要时，该控制器50写入一档案时，可写入该该第一储存区域31或第二储存区域32中，在本实施例中是以优先写入档案至该第二储存区域32为例加以说明，但并不以此为限。
于步骤2中，该档案对映表90的结构及说明请参照上述图6的相关说明。
于步骤3中，若该档案被更改的次数大于一临界值；其中，该临界值例如但不限于可为3-10次，可根据需要由执行该应用程序设定。
此外，该应用程序进一步可供设定一写入上限值，当写入至该第二储存区域32的档案名称次数超过该写入上限值时，该应用程序会将该第二储存区域32变成只读功能，以避免写入寿命较短的第二储存区域32因档案写入次数过多而损坏。其中，该写入上限值可为例如但不限于1000-10000次。
因此，本发明的存储器储存装置与已知技术相较，确具有可混合存取SLC结构的闪存芯片及及MLC结构的闪存芯片且可兼顾其成本及写入寿命的优点。
因此，由上述本发明的存储器储存装置，其会优先将资料写至SLC结构的闪存芯片，待该SLC结构的闪存芯片写满时再将资料写至MLC结构的闪存芯片，以兼顾其成本及写入寿命等优点；因此，确可改善已知存储器储存装置的缺点。
本发明所揭示的，乃较佳实施例，凡是局部的变更或修饰而于本发明的技术思想而为熟习该项技术的人所易于推知的，俱不脱本发明的专利权范畴。
Claims (27)
1.一种存储器储存装置，其特征在于，其包括：
一印刷电路板，用以承载下列元件；
一存储器模组，是置于该印刷电路板上，其具有一第一储存区域及一第二储存区域；
一对映表；
一控制器，是置于该印刷电路板上且耦接至该存储器模组及该对映表，且该控制器会将该第一储存区域及/或该第二储存区域中每一区块被存取的次数记录于该对映表中；以及
一第一接口，其耦接至该控制器，由该第一接口可将该存储器储存装置连接至一主机；
当该控制器由该主机接收一写入资料命令时，会视目的或功能优先将该资料写至该第一储存区域中。
2.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其进一步具有一应用程序可供安装于该主机中，由该应用程序可设定该存储器储存装置是执行于一正常存取模式或一最佳化配置模式，且该目的或功能可为一区块或档案的计算为考量，当以区块的计算为考量时，该控制器会优先将资料写至该第一储存区域。
3.如权利要求2项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中当执行于该最佳化配置模式且以区块为考量时，该控制器于接收到该主机的写入资料命令时，会至该对映表中检查到该第一储存区域中某一区块的存取次数是否到达一第一启动值，若是，则会将该第一储存区域中存取次数低于一第一预设范围的区块中的资料优先写至该第二储存区域中，再将新资料写入至该搬移后的区块中；或者当该第二储存区域中某一区块的存取次数高于一第二启动值时，则在该第一储存区域有空闲区块时，会将该第二储存区域中存取次数高于一第二预设范围的区块中资料写至该第一储存区域的空闲区块中。
4.如权利要求2项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中当执行于该最佳化配置模式且以区块为考量时，该控制器于接收到该主机的写入资料命令时，会检查该第一储存区域是否已写满，若是，则会将该第一储存区域中存取次数低于该第一预设范围的区块中的资料优先写至该第二储存区域中，再将新资料写入至该搬移后的区块中；或者当该第二储存区域中某一区块的存取次数高于该第二启动值时，则在该第一储存区域有空闲区块时，会将该第二储存区域中存取次数高于该第二预设范围的区块中资料写至该第一储存区域的空闲区块中。
5.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该存储器模组为闪存模组。
6.如权利要求5项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一储存区域为一SLC结构的闪存芯片，该第二储存区域为一MLC结构的闪存芯片。
7.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该对映表位于该控制器、该第一储存区域或该第二储存区域中。
8.如权利要求3或4项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一启动值、该第一预设范围、该第二启动值及该第二预设范围由执行该应用程序设定。
9.如权利要求8项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一启动值为1000次，该第一预设范围为0-50次；该第二启动值为500次，该第二预设范围为400-500次。
10.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一接口为一USB接口或其兼容的接口。
11.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该主机为一个人计算机、个人数字助理器、数字相机或可携式影像播放器。
12.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其进一步包括一第二接口及一第二接口控制器，其中该第二接口是耦接至该第二接口控制器。
13.如权利要求12项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第二接口是为一SmartMedia、CompactFlash、MMC、Security Digital、Memory Stick、Memory Stick Pro、xD或Microdrive、Memory StickDuo或Memory Stick Pro Duo等存储卡的接口；而该第二接口控制器则为该第二接口相对应的控制器。
14.如权利要求1项所述的存储器储存装置，其特征在于，其进一步包括一壳体，该壳体具有一上壳体及一下壳体，该上壳体及下壳体互相盖合形成一容置空间以容纳该印刷电路板。
15.一种存储器储存装置，其特征在于，其包括：
一印刷电路板，用以承载下列元件；
一存储器模组，是置于该印刷电路板上，其具有一第一储存区域及一第二储存区域；
一档案对映表；
一控制器，是置于该印刷电路板上且耦接至该存储器模组及该档案对映表，且该控制器会将写入至该第一储存区域及/或该第二储存区域中档案的档案名称记录于该档案对映表中；以及
一第一接口，其耦接至该控制器，由该第一接口将该存储器储存装置连接至一主机；
当该控制器由该主机接收一写入资料命令时，会视目的或功能优先将该资料写至该第二储存区域中。
16.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其进一步具有一应用程序可供安装于该主机中，由该应用程序可设定该存储器储存装置是执行于一正常存取模式或一最佳化配置模式，且该目的或功能可为一区块或档案的计算为考量，当以档案的计算为考量时，该控制器会优先将资料写至该第二储存区域。
17.如权利要求16项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中当该控制器将一档案写入该第二储存区域时，会至该档案对映表中检查，若该档案被写入的次数大于一临界值，则将该档案改写至该第一储存区域。
18.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该存储器模组为闪存模组。
19.如权利要求18项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一储存区域为一SLC结构的闪存芯片，该第二储存区域为一MLC结构的闪存芯片。
20.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该档案对映表位于该控制器、该第一储存区域或该第二储存区域中。
21.如权利要求17项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该临界值由执行该应用程序设定。
22.如权利要求21项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该临界值为3-10次。
23.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该第一接口为一USB接口或其兼容的接口。
24.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该主机为一个人计算机、个人数字助理器、数字相机或可携式影像播放器。
25.如权利要求15项所述的存储器储存装置，其特征在于，其进一步包括一壳体，该壳体具有一上壳体及一下壳体，该上壳体及下壳体可互相盖合形成一容置空间以容纳该印刷电路板。
26.如权利要求16项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该应用程序进一步可供设定一写入上限值，当写入至该第二储存区域的档案名称次数超过该写入上限值时，该应用程序会将该第二储存区域变成只读功能。
27.如权利要求26项所述的存储器储存装置，其特征在于，其中该写入上限值为1000-10000次。
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|---|---|---|---|---|
| CN101944067A (zh) * | 2009-04-30 | 2011-01-12 | 国际商业机器公司 | 存储数据的方法和存储器系统 |
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| CN103811054A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NAND Flash存储器、NAND Flash存储器实现方法及其系统 |
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| JP2006011811A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Ltd | 記憶制御システム及び記憶制御方法 |
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101944067A (zh) * | 2009-04-30 | 2011-01-12 | 国际商业机器公司 | 存储数据的方法和存储器系统 |
| CN101944067B (zh) * | 2009-04-30 | 2013-04-24 | 国际商业机器公司 | 存储数据的方法和存储器系统 |
| CN101964208A (zh) * | 2009-07-22 | 2011-02-02 | 株式会社东芝 | 半导体存储装置 |
| US8687420B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
| TWI474325B (zh) * | 2009-07-22 | 2015-02-21 | Toshiba Kk | Semiconductor memory device |
| CN103811054A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NAND Flash存储器、NAND Flash存储器实现方法及其系统 |
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