CN101207092A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示(LCD)器件，包括：划分为像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；形成在第一基板像素部的栅极和栅线；以岛状形成在栅极上并具有比栅极小的宽度的有源图案；绝缘膜，其形成在第一基板上并具有分别暴露有源图案的源极区域和漏极区域的第一和第二接触孔；源极和漏极，其形成在第一基板的像素部处并通过第一和第二接触孔与有源图案的源极区域和漏极区域电连接；数据线，其形成在第一基板的像素部处并与栅极线交叉，从而限定像素区域；蚀刻阻挡结构，其位于源极和漏极之间并形成为绝缘膜；与漏极电连接的像素电极；和以面对方式与第一基板粘接的第二基板。

Description

液晶显示器件及其制造方法

技术领域

本发明的实施方式涉及一种显示器件，尤其涉及一种液晶显示(LCD)器件及其制造方法。尽管本发明的实施方式可适用于较宽的应用范围，但尤其适用于通过减小掩模数而简化制造工序，提高生产率，并提高器件可靠性。

背景技术

随着消费者对信息显示器的关注度提高且对便携式(移动)信息设备的需求增加，轻且薄的平板显示器(“FPD”)的研究和商业化也在增加。

在FPD中，液晶显示器(“LCD”)是用于通过使用液晶的光学各向异性来显示图像的器件。LCD器件表现出优秀的分辨率以及颜色和图像质量，从而其广泛用于笔记本计算机或桌上显示器等。

LCD包括滤色片基板、阵列基板和形成在滤色片基板与阵列基板之间的液晶层。

通常用于LCD的有源矩阵(AM)驱动方法是通过使用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)作为开关元件来驱动像素部中的液晶分子的方法。

在LCD的制造工序中，进行多个掩模工序(即光刻工序)来制造包含TFT的阵列基板，从而用于减小掩模工序次数的方法可提高生产率。

图1所示为一般LCD器件的分解透视图。

如图1中所示，LCD包括滤色片基板5、阵列基板10和形成在滤色片基板5与阵列基板10之间的液晶层30。

滤色片基板5包括具有实现红色、绿色和蓝色的多个子滤色片7的滤色片(C)、用于分割子滤色片7并阻止光穿过液晶层30的黑矩阵6、和用于给液晶层30施加电压的透明公共电极8。

阵列基板10包括垂直和水平设置以确定多个像素区域(P)的栅线16和数据线17、形成在栅线16和数据线17的各个交点处的TFT，即开关元件以及形成在像素区域(P)上的像素电极18。

滤色片基板5和阵列基板10通过形成在图像显示区域边缘的密封剂(没有示出)以面对的方式粘接以形成液晶面板，并且通过形成在滤色片基板5或阵列基板10上的连接键实现滤色片基板5和阵列基板10的粘接。

图2A到2E所示为连续示出图1中的LCD的阵列基板制造工序的横截面图。

如图2A中所示，通过使用光刻工序(第一掩模工序)在基板上形成由导电材料形成的栅极21。

接着，如图2B中所示，在其上形成有栅极21的基板10的整个表面上连续沉积第一绝缘膜15a、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，并且通过使用光刻工序(第二掩模工序)对非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜选择性地构图，从而在栅极21上形成非晶硅薄膜的有源图案24。

在该情形中，在有源图案24上形成以与有源图案24相同形式被构图的n+非晶硅薄膜图案25。

之后，如图2C中所示，在阵列基板10的整个表面上沉积导电金属材料并随后通过使用光刻工序(第三掩模工序)选择性地构图，从而在有源图案24的上部形成由导电金属材料形成的源极22和漏极23。此时，通过第三掩模工序去除形成在有源图案24上的n+非晶硅薄膜图案的特定部分，从而在有源图案24与源极22和漏极23之间形成了欧姆接触层25’。

随后，如图2D中所示，在其上形成有源极22和漏极23的阵列基板10的整个表面上沉积第二绝缘膜15b，并且通过光刻工序(第四掩模工序)去除一部分第二绝缘膜15b，从而形成暴露一部分漏极23的接触孔40。

如图2E中所示，在阵列基板10的整个表面上沉积透明导电金属材料并通过使用光刻工序(第五掩模工序)选择性地构图，从而形成通过接触孔40与漏极23电连接的由透明导电金属材料形成的像素电极18。

如上所述，在依照现有技术制造包含TFT的阵列基板中，必须进行总共五轮光刻工序来对栅极、有源图案、源极和漏极、接触孔和像素电极进行构图。

光刻工序是将形成在掩模上的图案转移到其上沉积有薄膜的基板上以形成理想图案的工序，其包括多个工序，如涂敷光敏溶液的工序、曝光工序和显影工序等，最终导致生产率下降。

尤其是，因为设计用于形成图案的掩模十分昂贵，所以随着工序中使用的掩模数增加，LCD的制造成本成比例地增加。

发明内容

因此本发明的实施方式涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的液晶显示器(LCD)及其制造方法。

本发明的实施方式的一个目的是提供一种通过将有源图案形成为岛状并使用蚀刻阻挡结构来减小截止电流并提高器件可靠性的液晶显示器(LCD)及其制造方法。

本发明的实施方式的另一个目的是提供一种通过进行四次掩模工序来制造阵列基板的LCD及其制造方法，其中通过单个掩模工序形成有源图案和栅极，并且不需要额外进行掩模工序形成蚀刻阻挡结构。

本发明实施方式的其他特征和优点一部分在随后的说明书中列出，一部分通过下面的内容将变得显而易见或者从本发明实施方式的实践而理解到。通过在所写说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明实施方式的目的和其他优点。

为了实现这些和其它的优点并根据本发明实施方式的目的，如这里具体化和广泛描述的，液晶显示器(LCD)包括：划分为像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；形成在第一基板的像素部的栅极和栅线；以岛状形成在栅极上并具有比栅极小的宽度的有源图案；绝缘膜，其形成在第一基板上并具有分别暴露有源图案的源极和漏极区域的第一和第二接触孔；源极和漏极，其形成在第一基板的像素部处并通过第一和第二接触孔与有源图案的源极和漏极区域电连接；数据线，其形成在第一基板的像素部处并与栅线交叉，从而确定像素区域；蚀刻阻挡结构，其位于源极和漏极之间并形成为绝缘膜；与漏极电连接的像素电极；以及以面对方式与第一基板粘接的第二基板。

为了实现这些和其它的优点并根据本发明实施方式的目的，如这里具体化和广泛描述的，制造液晶显示器的方法包括：提供划分为像素部及第一和第二焊盘部的第一基板；在第一基板的像素部处形成栅极和栅线并在栅极上形成岛状的有源图案；在第一基板上形成绝缘膜；去除一部分绝缘膜，从而形成暴露有源图案的源极和漏极区域的第一和第二接触孔，并在源极和漏极区域之间的有源图案上形成由第一绝缘膜形成的蚀刻阻挡结构；形成通过第一和第二接触孔与有源图案的源极和漏极区域电连接的源极和漏极，并形成与栅线交叉的数据线，从而确定像素区域；形成与漏极电连接的像素电极；和粘接第一和第二基板。

应当理解，前面的一般描述和随后的详细描述是示范性的和说明性的，意在提供如权利要求所述的实施方式的进一步解释。

附图说明

提供本发明进一步的理解并结合组成该申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1所示为一般液晶显示器(LCD)的分解透视图；

图2A到2E是连续显示图1中的LCD的阵列基板制造工序的横截面图；

图3所示为依照本发明第一实施方式的LCD的一部分阵列基板的平面图；

图4A到4D是沿图3中的阵列基板的线IIIa-IIIa’，IIIb-IIIb’和IIIc-IIIc’连续显示制造工序的横截面图；

图5A到5D是连续显示图3中的阵列基板制造工序的平面图；

图6A到6F是显示图4A和5A中的第一掩模工序的横截面图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述液晶显示器(LCD)及其制造方法。

图3所示为依照本发明第一实施方式的LCD的一部分阵列基板的平面图，其中为了解释方便，示出了包含栅极焊盘部和数据焊盘部的单个像素。

实际上，彼此交叉形成有N条栅线和M条数据线，从而确定了M×N个像素。为了简化解释，只显示了单个像素。

如图3中所示，栅线116和数据线117形成为垂直和水平地设置，从而在阵列基板110上确定了像素区域。在栅线116和数据线117的交点处形成有薄膜晶体管(TFT)，即开关元件。在像素区域内形成有像素电极118，其与TFT连接，从而与滤色片基板(没有示出)的公共电极一起驱动液晶分子(没有示出)。

栅极焊盘电极126p和数据焊盘电极127p形成在阵列基板110的边缘部并与栅线116和数据线117电连接，并将从外部驱动电路单元(没有示出)施加的扫描信号和数据信号分别传送到栅线116和数据线117。

就是说，栅线116和数据线117延伸到驱动电路单元，从而与相应栅极焊盘线116p和数据焊盘线117p连接，栅极焊盘线116p和数据焊盘线117p通过与栅极焊盘线116p和数据焊盘线117p电连接的栅极焊盘电极126p和数据焊盘电极127p从驱动电路单元接收扫描信号和数据信号。

TFT包括与栅线116连接的栅极121、与数据线117连接的源极122、和与像素电极118连接的漏极123。TFT还包括通过供给到栅极121的栅极电压而在源极122和漏极123之间形成导电沟道的有源图案124。

源极122和漏极123的上部由不透明导电材料形成。此外，以与源极122和漏极123相同的形式，分别对由透明导电材料形成的源极图案(没有示出)和漏极图案(没有示出)进行构图。

一部分源极122在一个方向上延伸，从而形成一部分数据线117，并且一部分漏极图案延伸到像素区域，从而形成像素电极118。

在本发明的实施方式中，有源图案124由非晶硅薄膜形成并在由栅极121周边所确定的边界内在栅极121上形成为岛状，从而减小了TFT的截止电流。通过使用衍射(狭缝)掩模或半色调掩模(之后，假定当涉及半色调掩模时，其也包括衍射掩模)的单个掩模工序形成有源图案124和栅极121，因而节省了一次制造阵列基板110的掩模工序。

此外，在其中暴露背沟道的源极122和漏极123之间形成有由绝缘膜形成的蚀刻阻挡结构150，从而阻止有源图案124的背沟道的污染。

一部分在前的栅线116’与一部分像素电极118重叠，在其间夹有第二绝缘膜(没有示出)，从而形成存储电容Cst。存储电容Cst用于均匀地保持施加给液晶电容的电压，直到接收下一个信号为止。就是说，阵列基板110的像素电极118与滤色片基板的公共电极一起形成液晶电容。然而，有时候施加给液晶电容器的电压没有保持到接收下一个信号，而是泄漏了。因此，为了保持施加的电压，存储电容Cst应与液晶电容相连。

除了保持信号之外，存储电容还具有稳定灰度再现、减小闪烁影响、和减小残余图像形成等效果。

在依照本发明实施方式的LCD中，栅极121和有源图案124通过使用狭缝掩模的单个掩模工序同时形成，并且不用进行任何额外的掩模工序而形成用于保护背沟道的蚀刻阻挡结构150。因而，通过进行总共四次的掩模工序制造阵列基板110。现在将详细描述。

图4A到4D是连续显示图3中的阵列基板制造工序的横截面图。左侧显示了制造像素部的阵列基板的工序，右侧显示了制造数据线部、数据焊盘部和栅极焊盘部的阵列基板的连续工序。

图5A到5D是连续显示图3中的阵列基板制造工序的平面图。

如图4A和5A中所示，在由透明绝缘材料，如玻璃形成的阵列基板110的像素部上形成栅极121和栅线116和116’，在阵列基板110的栅极焊盘部上形成栅极焊盘线116p。

附图标记116’表示相对于相应像素来说在前的栅线，相应像素的栅线116和在前的栅线116’以相同的方式形成。

在本发明的实施方式中，有源图案124在栅极121的上部形成为岛状，在它们之间夹有第一绝缘膜115a。通过在阵列基板110的整个表面上沉积第一导电膜、第一绝缘膜和非晶硅薄膜并随后通过光刻工序(第一掩模工序)对其构图而形成栅极121、栅线116和116’、栅极焊盘线116p和有源图案124。

这样，在本发明的实施方式中，通过使用狭缝掩模同时形成栅极121、栅线116和116’、栅极焊盘线116p和有源图案124。现在将参照附图详细描述第一掩模工序。

图6A到6F是详细显示图4A和5A中的第一掩模工序的横截面图。

如图6A中所示，在由透明绝缘材料，如玻璃形成的阵列基板110的整个表面上连续沉积第一导电膜130、第一绝缘膜115和非晶硅薄膜120。

这里，第一导电膜130可由低电阻的不透明导电材料，如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)等形成。此外，第一导电膜130可通过层叠两个或多个低电阻导电材料以多层结构形成。

之后，如图6B中所示，在阵列基板110的整个表面上形成由光敏材料，如光刻胶形成的感光膜170，其中光通过狭缝掩模180选择性地照射到该感光膜170上。

狭缝掩模180包括讲照射的光全部透过的第一透射区域(I)、仅使光一部分透过而阻挡其余光的第二透射区域(II)、和全部阻挡照射的光的阻挡区域(III)。只有透过半色调掩模180的光才能照射到感光膜170上。

随后，当对通过狭缝掩模180曝光的感光膜170进行显影时，如图6C中所示，第一和第二感光膜图案170a到170d保留在通过阻挡区域(III)和狭缝区域(II)全部阻挡或部分阻挡光的区域处，光全部透过的透射区域(I)处的感光膜完全被去除，从而暴露出非晶硅薄膜120的表面。

此时，形成在阻挡区域III处的第一感光膜图案170a比通过狭缝区域II形成的第二到第四感光膜图案170b到170d厚。此外，光全部透过第一透射区域I的区域处的感光膜完全被去除。这是因为使用了正型光刻胶，但并不限于此，在本发明中还可使用负型光刻胶。

之后，如图6D中所示，通过使用感光膜图案170a到170d作为掩模选择性地去除下面的第一导电膜、第一绝缘膜和非晶硅膜，从而在阵列基板110的像素部处形成由第一导电膜形成的栅极和栅线116和116’，在阵列基板110的栅极焊盘部处形成由第一导电膜形成的栅极焊盘线116p。

然后，由非晶硅薄膜形成并以与栅极121、栅线116和116’以及栅极焊盘线116p相同的形式进行构图的像素部非晶硅薄膜图案120’、栅线部非晶硅薄膜图案120”和焊盘部非晶硅薄膜图案120保留在栅极121、栅线116和116’、和栅极焊盘线116p的上部。

由第一绝缘膜形成并以与栅极121、栅线116和116’以及栅极焊盘线116p相同的形式进行构图的像素部第一绝缘膜图案115’、栅线部第一绝缘膜图案115”和焊盘部第一绝缘膜图案115夹在栅线121、栅线116和116’和栅极焊盘线116p与像素部非晶硅薄膜图案120’、栅线部非晶硅薄膜图案120”和焊盘部非晶硅薄膜图案120之间。

之后，进行灰化工序，从而去除一部分第一感光膜图案170a到170d。然后，如图6E中所示，应用狭缝曝光的狭缝区域II的第二到第四感光膜图案被完全去除，从而暴露出像素部非晶硅薄膜图案120’、栅线部非晶硅薄膜图案120”和焊盘部非晶硅薄膜图案120的部分表面。

在该情形中，通过仅在对应于阻挡区域III的特定区域处去除第二到第四感光膜图案的厚度，第一感光膜图案保留为第五感光膜图案170a’。

之后，如图6F中所示，通过使用保留的第五感光膜图案170a’作为掩模去除一部分像素部第一绝缘膜图案和像素部非晶硅薄膜图案，从而形成由非晶硅薄膜形成的栅绝缘膜115a和有源图案124。此时保留的栅线部非晶硅薄膜图案、焊盘部非晶硅薄膜图案、栅线部第一绝缘膜图案和焊盘部第一绝缘膜图案被去除，从而暴露出栅线116和116’和栅极焊盘线116p的表面。

这样，在本发明的实施方式中，可通过使用狭缝掩模的单个掩模工序形成栅极121、栅线116和116’、栅极焊盘线116p和有源图案124。因而，可减小用于制造TFT的掩模数，因而可减小制造工序和成本并提高生产率。

此外，因为有源图案124在栅极121上且由栅极周边所确定的边界内形成为岛状，所以可减小TFT的截止电流。

接下来，如图4B和5B中所示，在其上形成有栅极121、栅线116和116’、栅极焊盘线116p和有源图案124的阵列基板110的整个表面上沉积第二绝缘膜115b，通过光刻(第二掩模工序)去除一部分第二绝缘膜115b，从而形成暴露出有源图案124特定区域(例如源极和漏极区域)的第一接触孔140a和第二接触孔140b以及暴露出一部分栅极焊盘线116p的焊盘孔140。

此时，位于有源图案124背沟道区域处的第二绝缘膜保留下来形成蚀刻阻挡结构150。

在依照本发明实施方式的LCD中，因为形成蚀刻阻挡结构150来防止暴露有源图案124的背沟道以保护背沟道，所以有源图案124的厚度相对较薄，可防止有源图案124背沟道的污染。因而，栅绝缘膜115a可形成较薄，从而可充分降低TFT的驱动电压和阈值电压。

参照图4C和5C，在阵列基板110的整个表面上形成n+非晶硅薄膜和第二导电膜之后，通过使用光刻工序(第三掩模工序)选择性地构图，从而形成通过第一接触孔与源极区域电连接的源极和通过第二接触孔与漏极区域电连接的漏极123。

此时，在有源图案124上形成欧姆接触层125，其由n+非晶硅薄膜形成并以与源极122和漏极123相同的形式进行构图，从而使下面的有源图案124的源极漏极区域和源极122和漏极123进行欧姆接触。

通过第三掩模工序在数据焊盘部的阵列基板110上形成由第二导电膜形成的数据焊盘线117p，并且由n+非晶硅薄膜形成并以与数据焊盘线117p相同形式被构图的焊盘部n+非晶硅薄膜图案125p保留在数据焊盘线117p的下部。

在该情形中，像素部的一部分源极122在一方向上延伸，从而组成数据线117的一部分，形成在n+非晶硅薄膜上的数据线部n+非晶硅薄膜图案125’以与数据线117相同的形式被构图并保留在数据线117的下部。

这里，在本发明的实施方式中，数据线在其下部不具有由非晶硅薄膜形成的有源图案的尾部，从而不存在由于有源图案的尾部所导致的干扰数据线117的信号。例如，在通过使用狭缝掩模的单掩模工序形成有源图案、源极和漏极以及数据线的工序中，有源图案的尾部形成在数据线的下部。因为具有比数据线大的宽度，所以尾部对数据线造成信号干扰并降低了开口率。

为了形成源极122和漏极123、数据线117和数据焊盘线117p，第二导电膜由低电阻不透明导电材料，如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)等形成。

随后，如图4D和5D中所示，在阵列基板110的整个表面上形成第三导电膜，并通过光刻工序(第四掩模工序)选择性地构图，从而形成与漏极123电连接的像素电极118并同时形成与栅极焊盘线116p和数据焊盘线117p连接并暴露它们的栅极焊盘电极126p和数据焊盘电极127p。

此时，在源极122和漏极123上形成由第三导电膜形成并以与源极122和漏极123相同形式被构图的源极图案122’和漏极图案123’，并且一部分漏极图案123’延伸到像素区域，从而形成像素电极118。

像素电极118和数据焊盘电极127p直接与下面的漏极123和数据焊盘线117p电连接，栅极焊盘电极126p通过焊盘孔与下面的栅极焊盘线116p电连接。

此外，一部分相应的像素电极118与一部分在前的栅线116’重叠，从而与在前的栅线116’一起形成存储电容Cst，在它们之间夹有第二绝缘膜115b。

为了形成像素电极118、栅极焊盘电极126p和数据焊盘电极127p，第三导电膜可由具有良好透光率的透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。

通过施加到图像显示部外边缘的密封剂以面对的方式粘接依照本发明实施方式的阵列基板与滤色片基板。在该情形中，滤色片基板包括用于阻止光泄漏到TFT的黑矩阵、栅线和数据线以及用于实现红色、绿色和蓝色的彩色滤色片。

通过形成在滤色片基板或阵列基板上的连接键实现滤色片基板和阵列基板的粘接。

在本发明的实施方式中，作为有源图案，作为一个例子使用了利用非晶硅薄膜的非晶硅TFT，但本发明不限于此，作为有源图案，还可使用利用多晶硅薄膜的多晶硅TFT。

本发明还可适用于使用TFT制造的不同的显示器件，例如OLED(有机发光二极管)显示器件，其中OLED与驱动晶体管连接。

尽管以没有脱离本发明精神或实际特性的几个形式实施了本发明，但还应理解，上述的实施方式不限于前面描述的任何细节，除非另有说明，而是应当在所附权利要求中定义的其精神和范围内广泛地进行解释，因此通过所附权利要求涵盖落入权利要求边界和范围，或者这种边界或范围的等价物内的所有变化和修改。

Claims (22)

1.一种制造液晶显示器的方法，包括：

提供划分为像素部及第一焊盘部和第二焊盘部的第一基板；

在第一基板的像素部处形成栅极和栅线并在栅极上形成岛状的有源图案；

在第一基板上形成绝缘膜；

去除一部分绝缘膜，从而形成暴露有源图案的源极区域和漏极区域的第一接触孔和第二接触孔，并在源极区域和漏极区域之间的有源图案上形成由第一绝缘膜形成的蚀刻阻挡结构；

形成通过第一接触孔和第二接触孔与有源图案的源极区域和漏极区域电连接的源极和漏极，并形成与栅线交叉的数据线，以限定像素区域；

形成与漏极电连接的像素电极；以及

粘接第一基板和第二基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

通过使用用于形成栅极的第一导电膜在第一基板的第一焊盘部上形成栅极焊盘线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：

通过使用用于形成源极和漏极的第二导电膜在第一基板的第二焊盘部上形成数据焊盘线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括：

通过使用用于形成像素电极的第三导电膜，在第一基板的第一焊盘部上形成与栅极焊盘线电连接的栅极焊盘电极，以及在第一基板的第二焊盘部上形成与数据焊盘线电连接的数据焊盘电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括：

通过使用第三导电膜在源极和漏极的上部处形成以与源极和漏极相同形式进行构图的源极图案和漏极图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，漏极图案的一部分延伸到像素区域，以形成像素电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻阻挡结构位于源极和漏极之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，栅极、栅线和有源图案通过使用衍射(狭缝)掩模或半色调掩模的单个掩模工序形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

形成欧姆接触层，其位于源极和漏极的下部并以与源极和漏极相同的形式进行构图，从而使源极区域和漏极区域与源极和漏极彼此欧姆接触。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在栅极与有源图案之间形成由绝缘材料形成并以与有源图案相同的形式进行构图的栅绝缘膜。

11.一种液晶显示(LCD)器件，包括：

划分为像素部及第一焊盘部和第二焊盘部的第一基板；

形成在第一基板的像素部处的栅极和栅线；

以岛状形成在栅极上并具有比栅极小的宽度的有源图案；

绝缘膜，其形成在第一基板上并具有分别暴露有源图案的源极区域和漏极区域的第一接触孔和第二接触孔；

源极和漏极，其形成在第一基板的像素部处并通过第一接触孔和第二接触孔与有源图案的源极区域和漏极区域电连接；

数据线，其形成在第一基板的像素部处并与栅线交叉，以限定像素区域；

蚀刻阻挡结构，其位于源极和漏极之间并形成为绝缘膜；

与漏极电连接的像素电极；和

以面对方式与第一基板粘接的第二基板。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，进一步包括：

栅极焊盘线，其由形成栅极的第一导电膜形成，并形成在第一基板的第一焊盘部上。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，进一步包括：

数据焊盘线，其由形成源极和漏极的第二导电膜形成，并形成在第一基板的第二焊盘部上。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，进一步包括：

通过使用用于形成像素电极的第三导电膜形成的与第一基板的第一焊盘部上的栅极焊盘线电连接的栅极焊盘电极和与第一基板的第二焊盘部上的数据焊盘线电连接的数据焊盘电极。

15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，进一步包括：

通过使用第三导电膜形成在源极和漏极上部的源极图案和漏极图案，其以与源极和漏极相同的形式进行构图。

16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，漏极图案的一部分延伸到像素区域，以形成像素电极。

17.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，进一步包括：

欧姆接触层，其位于源极和漏极的下部并以与源极和漏极相同的形式进行构图，从而使源极区域和漏极区域与源极和漏极彼此欧姆接触。

18.根据权利要求17所述的器件，其特征在于，欧姆接触层与有源图案的一部分源极区域和漏极区域、源极和漏极以及绝缘膜接触。

19.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，一部分像素电极与一部分栅线重叠，并且在它们之间夹置绝缘膜，从而形成存储电容。

20.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，栅绝缘膜位于栅极的上部并以与有源图案相同的形式进行构图。

21.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，进一步包括：

n+非晶硅薄膜图案，其形成在数据线的下部并以与数据线相同的形式进行构图。

22.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，进一步包括：

栅绝缘膜，其由栅极与有源图案之间的绝缘材料形成并以与有源图案相同的形式进行构图。

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