CN101206883A - 光学拾取头装置及光检测器 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种光学拾取头装置及光检测器。BD用的第1光电二极管(25)接受从第1半导体激光器(11)射出的激光(L1)分离的激光(L2),检测第1半导体激光器(11)的激光器功率,并将输出电流i2进行输出。DVD/CD用的第2光电二极管(26)接受从第2半导体激光器(12)射出的激光(L3)分离的激光(L4),检测第1半导体激光器(12)的激光器功率,并将输出电流i5进行输出。第1光电二极管(25)的输出端与第2光电二极管(26)的输出端连接,将输出电流i2及输出电极i5输入到相同的第1电流电压变换电路(30)的输入端。

Description

光学拾取头装置及光检测器
技术领域
本发明涉及能够对信息记录介质进行信息的记录重放的光学拾取头装置及光检测器,更详细来说,涉及使用波长不同的多个半导体激光元件、对不同种类的光盘进行信息的记录或重放的光学拾取头装置,特别是涉及能够用单一的电路来控制多个半导体激光元件的射出功率的光学拾取头装置、以及在该光学拾取头装置中使用的光检测器。
背景技术
作为能够进行大容量信息的记录及重放的装置,过去已知有光盘装置。在光盘装置中,进行信息的记录及重放的光学拾取头装置(以下,有时也简称为「光学拾取头」)具有作为光源的半导体激光元件(以下,有时也简称为「半导体激光器」)。
光盘装置通过使从半导体激光器射出的激光向光盘进行照射,来进行信息的记录及重放。在重放时,光学拾取头将规定功率的激光聚焦在光盘上,检测光盘上形成的凹坑,通过这样读取记录在光盘中的信息。在记录时,光学拾取头以高于重放时的功率使半导体激光器发光,同时根据记录的信息,将射出功率(以下有时也称为「激光器功率」)进行调制,在光盘上形成凹坑。
为了以高质量进行信息的记录及重放,必须控制记录时的激光器功率及重放时的激光器功率。一般,半导体激光器的光输出功率容易受温度的影响。因而,光学拾取头进行控制,以便将照射光盘的激光的发光量保持在规定的值。
光学拾取头利用光检测元件例如光电二极管、接受从半导体激光器射出的激光的一部分,将光电二极管的输出电流利用电流电压变换电路变换为电压信号,将半导体激光器的射出功率作为电压信号进行检测,并对半导体激光器驱动电路进行反馈,通过这样对射出功率进行最优控制。
已经实现了用一个光学拾取头能够对多个标准的光盘进行信息的记录或重放的光学拾取头。例如,在与CD(Compact Disc,小型盘片)及DVD(DigitalVersatile Disc,数字通用盘片)的两种光盘相对应的光学拾取头中,装有红外波长的半导体激光器、以及红色波长的半导体激光器的两个半导体激光器。在装有这样的多个半导体激光器的光学拾取头中,必须检测各自的半导体激光器的射出功率,并控制各射出功率。因此,光学拾取头中安装的光学元件、及附属的电路也增加,担心这将妨碍光学拾取头实现小型化及低成本。
以往,提出了解决这样的问题的方案。例如,特开2002-109771号公报所述的光学装置,将来自多个激光光源的激光引向放置在同一组件中的多个受光元件即光检测元件,检测各自的激光器功率。将表示每个光检测元件检测出的射出功率的光电流,利用每个光检测元件的电极电压变换电路交换为电压,将变换的电压输入到公共的光通量控制手段,控制各自的半导体激光器的输出功率。对每个光检测元件设置电流电压变换电路,利用与各激光相适应的受光系统电路,检测激光器功率,控制激光光源的输出功率。
在特开2002-319175号公报所述的光学拾取头装置中,将来自多个光源的光引向一个光输出控制用光检测器即光检测元件,用同一光检测元件,检测多个光源的射出功率。通过这样,来实现减少光检测器及其附属电路。
在特开2003-217160号公报所述的光学拾取头及光盘装置中,将来自多个光源的光束引向一个光检测器即光检测元件,同时使遮光板移动,来调整入射至光检测元件的光束的入射光通量。通过这样,不使用根据光源相应切换光检测元件的监控灵敏度的切换电路,实现最佳的光检测灵敏度。
在特开2004-133987号公报所述的信息处理装置中,将反射来自多个光源的光的多个分光镜对于物镜按照波长由长至短的顺序配置,使分光镜对偏振光的透射率不同。通过这样,来实现确保光学拾取头的光效率、以及用同一光源功率检测器及光检测元件来检测多个光源的射出功率。
近年来,光盘的标准更加多样化,对多个标准的光盘进行信息的记录或重放的光学拾取头的光学系统越来越复杂化。例如,希望安装780nm附近的红外波长的半导体激光器、650nm附近的红色波长的半导体激光器、以及405nm附近的蓝紫色波长的半导体激光器的三个半导体激光器,除了适应CD及DVD,还适应BD(Blu-ray Disc,蓝光光盘)。再有,即使是使用相同蓝紫色波长的半导体激光器的光盘,还要求适应使用与BD不同的数值孔径(NA:NumericalAperture)的物镜的HD-DVD(High Definition DVD,高清晰度DVD)。
在适应这样的多个标准的光盘的光学拾取头中,必须对于各种光盘实现高质量的信息的记录或重放。因此,在各自的半导体激光器及物镜的光路中,要求进行最佳光学设计。然而,在检测半导体激光器的射出功率用的光学系统中,自然产生限制。若想要将多个半导体激光器的射出光引向一个光检测元件,来检测射出功率,则影响光学设计的自由度,很难进行适应多个光盘的最佳光学设计。为了不影响光学设计的自由度,对于多个半导体激光器的功率检测,需要使用多个光检测元件。
近年来,由各公司提出了驱动多个半导体激光器用的半导体激光器驱动LSI(Large Scale Integration,大规模集成电路)。为了减少激光器噪声,半导体激光器在信息重放时,进行用数百兆赫的高频加以调制的、所谓高频叠加。在信息记录时,要求被称为最后策略的数十兆赫的高速调制、以及高精度的功率控制。因此,必须在拾取头中安装半导体激光器驱动LSI。
在利用多个光检测元件检测多个半导体激光器的射出功率时,除了需要半导体激光器驱动LSI,还需要与其数量相对应安装附属的电流电压变换电路。与其数量相对应安装附属的电流电压变换电路,将妨碍光学拾取头实现小型化。再有,光学拾取头中安装多个电路元器件,将导致电路布线复杂化,由于布线的寄生电容,将影响激光器功率检测的高速性。
特开2002-109771号公报所述的以往的技术存在的问题是,必须对每个光检测元件设置电流电压变换电路。特开2002-319175号公报、特开2003-217160号公报、特开2004-133987号公报所述的以往的技术虽然都是将光检测元件设置为一个,但存在的问题是,由于将多个半导体激光器的射出光引向一个光检测元件,因而对光学系统产生限制,影响光学设计的自由度。
本发明的目的在于提供一种光学拾取头装置及光检测器,能够不影响使用多个光源的光学设计的自由度、减少为了控制多个光源的射出功率所必需的电流电压变换电路的数量。
发明内容
本发明的光学拾取头装置,对信息记录介质进行信息的记录及重放中的至少某一种,包含:
多个光源;
接受从光源射出的光、并具有输出与接受的光的强度相对应的电流信号的输出端的多个光检测元件;以及
具有输入电流信号的输入端、并将输入该输入端的电流信号变换为电压信号而输出的电流电压变换电路,
所述多个光检测元件的各输出端互相连接,同时与所述电流电压变换电路的输入端连接。
根据本发明,在对信息记录介质进行信息的记录及重放中的至少某一种时,包含多个光源,利用具有输出端的多个光检测元件,接受从光源射出的光,输出与接受的光的强度相对应的电流信号。由于利用具有输入端的电流电压变换电路,将输入该输入端的电流信号变换为电压信号而输出,所述多个光检测元件的各输出端互相连接,同时与所述电流电压变换电路的输入端连接,因此能够对各光源使用光检测元件,不影响光学设计的自由度,能够将为了控制多个光源的射出功率所必需的电流电压变换电路的数量减少为一个。因而,能够适应多个标准的光盘,确保光学设计的自由度,同时能够实现小型化及低成本。
另外,在本发明中,最好所述多个光源包含:
在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及
在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,
所述多个光检测元件包含:
接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及
接受从第2光源射出的光的第2光检测元件,
配置第1光检测元件及第2光检测元件,使得从第1光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度小于从第2光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度。
根据本发明,所述多个光源包含:在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,所述多个光检测元件包含:接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及接受从第2光源射出的光的第2光检测元件。而且,由于配置第1光检测元件及第2光检测元件,使得从第1光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度小于从第2光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度,因此能够减少在使记录重放高速动作一侧所检测出的电流信号的波形的钝化。因而,能够高精度控制射出功率,能够进行高质量的信息的记录或重放。
另外,在本发明中,最好光学拾取头装置还包含将预定的频率以上的高频信号截止用的高频截止元件,
所述多个光源包含:
在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及
在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,
所述多个光检测元件包含:
接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及
接受从第2光源射出的光的第2光检测元件,
第2光检测元件的输出端通过所述高频截止元件,与第1光检测元件的输出端及所述电流电压变换电路的输入端连接。
根据本发明,还包含使预定的频率以上的高频信号截止用的高频截止元件,所述多个光源包含:在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,所述多个光检测元件包含:接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及接受从第2光源射出的光的第2光检测元件。而且,由于第2光检测元件的输出端通过所述高频截止元件,与第1光检测元件的输出端及所述电流电压变换电路的输入端连接,因此能够防止因仅用于重放的光源侧的光检测元件的寄生电容、而使以高频动作的信息的记录侧的光检测元件的频率特性产生恶化。因而,能够以宽频带进行功率检测,能够提高可靠性。
另外,在本发明中,最好光学拾取头装置包含:
分别驱动所述多个光源的多个驱动电路;以及
与所述电流电压变换电路放置在同一组件中、形成该电流电压变换电路的输入端的高密度集成电路部,
所述多个光检测元件的各输出端与高密度集成电路部中形成的输入端连接。
根据本发明,由于包含:分别驱动所述多个光源的多个驱动电路;以及与所述电流电压变换电路放置在同一组件中、形成该电流电压变换电路的输入端的高密度集成电路部,所述多个光检测元件的各输出端与高密度集成电路部中形成的输入端连接,因此能够使用将驱动电路与电流电压变换电路放置在同一组件中的现有的低价格的LSI。因而,能够力图降低成本。
另外,在本发明中,最好光学拾取头装置还包含:
将光检测元件与电流电压变换电路放置在同一组件中、并具有将用电流电压变换电路变换的电压信号进行输出的输出端的光检测器;以及
与该光检测器的输出端连接的电阻元件,
将所述光检测器的输出端通过所述电阻元件与所述高密度集成电路部中形成的输入端连接。
根据本发明,由于还包含:将光检测元件与电流电压变换电路放置在同一组件中、并具有将用电流电压变换电路变换的电压信号进行输出的输出端的光检测器;以及与该光检测器的输出端连接的电阻元件,将所述光检测器的输出端通过所述电阻元件与所述高密度集成电路部中形成的输入端连接,因此能够以高频进行光检测。因而,能够实现高速动作。再有,两个光源中,对于一个光源的功率检测,使用将光检测元件与电流电压变换电路进行模铸的光检测器,对于其它光源的功率检测,使用设置在激光器组件中的电流电压变换电路,通过这样能够实现小型化及低成本。
另外,本发明是光检测器,将接受光并输出与接受的光的强度相对应的电流信号的光检测元件、以及将电流信号变换为电压信号的电流电压变换电路放置在同一组件内,具有输入电流信号用的输入端,
将光检测元件输出的电流信号、以及从输入端输入的电流信号,输入到电流电压变换电路。
根据本发明,由于将接受光并输出与接受的光的强度相对应的电流信号的光检测元件、和将电流信号变换为电压信号的电流电压变换电路放置在同一组件内,具有输入电流信号用的输入端,将光检测元件输出的电流信号、以及从输入端输入的电流信号,输入到电流电压变换电路,因此与不和电流电压变换电路组合、单独使用光检测元件的情况相比,能够进行更高频带的光检测,单独使用的光检测元件的电流信号能够从输入端输入,进行电流电压变换。因而,对于要求高速动作的光源及不是高速也可以的光源,能够使用一个电流电压变换电路,能够实现小型化。即,不影响使用多个光源的光学设计的自由度,能够减少为了控制多个光源的射出功率所必需的电流电压变换电路的数量。
附图说明
关于本发明的目的、特色、及优点,由下述的详细说明及附图将更明确。
图1为本发明第1实施形态的光学拾取头的简要方框图。
图2所示为图1所示的第1光电二极管、第2光电二极管、及第1电流电压变换电路的电路构成的一个例子。
图3为本发明第2实施形态的光学拾取头的简要方框图。
图4为图3所示的光学拾取头的配置图。
图5所示为图3所示的第1光电二极管、第2光电二极管、线圈、及第1电流电压变换电路的电路构成的一个例子。
图6为本发明第3实施形态的光学拾取头的简要方框图。
图7所示为图6所示的第1光电二极管、第3光电二极管、及半导体激光器驱动LSI等的电路构成的一个例子。
图8所示为使用第4光检测器来代替图7所示的第1光电二极管的电路构成的一个例子。
图9所示为本发明的一个实施形态的第5光检测器的简要构成。
具体实施方式
以下将附图作为参考,详细说明本发明的理想实施形态。
图1为本发明第1实施形态的光学拾取头1的简要方框图。光学拾取头装置即光学拾取头1,为了进行信息的记录及重放,对信息记录介质即光盘2照射激光。光学拾取头1也可以这样构成,使其在信息的记录及重放中仅进行某一种。光盘2例如可从BD(Blu-ray Disc)、CD(Compact Disc)、以及DVD(DigitalVersatile Disc)中选择一种光盘。
在本实施形态中,将对于与三种标准的光盘相对应的三波长拾取头进行说明,但不限定于此,也可以是与两种标准的光盘相对应的两波长拾取头。例如,也可以像BD及HD-DVD(High Definition DVD)那样,是使用相同蓝紫色波长的两个半导体激光器的光学拾取头。在BD、HD-DVD、DVD、及CD等各种标准的光盘中,有只读盘片、能反复记录的盘片、或只能记录一次的盘片等,可以是任何一种盘片,也可以是MD(Mini Disc,微型盘片)等光磁盘。
光学拾取头1是例如照射三个波长的激光的三波长拾取头,包含第1半导体激光器11、第2半导体激光器12、第1分光镜13、第2分光镜14、第1准直透镜15、第2准直透镜16、二向色反射镜17、λ/4片18、第1向上反射镜19、第2向上反射镜20、第1物镜21、第2物镜22、第1光检测器23、第2光检测器24、第1光电二极管25、第2光电二极管26、第1电流电压变换电路(在图中简称为「I/V」)30、以及半导体激光器驱动电路(在图中简称为「LDD」)40。图1为说明本发明的实施形态用的简要方框图,关于伺服信号检测用的光学系统等与本发明的实施形态没有直接关系的部分则省略。
第1半导体激光器11是发出405nm附近的蓝紫色波长的激光、为了对BD进行记录重放而使用的半导体激光元件。第2半导体激光器12是发出780nm附近的红外波长的激光、及650nm附近的红色波长的激光的两波长激光器,是为了对CD或DVD进行记录重放而使用的半导体激光元件。第1半导体激光器11利用半导体激光器驱动电路40进行驱动,向第1分光镜13的方向射出激光L1。第2半导体激光器12利用半导体激光器驱动电路40进行驱动,向第2分光镜14的方向射出激光L3。虽然第2半导体激光器12的对DVD进行记录重放的激光、与对CD进行记录重放的激光的发光点位置由于略有不同,因此实际上射出的两个激光的光轴不同,但在图1中,为了使说明简单起见,画作为同一光轴。
第1分光镜13将从第1半导体激光器11射出的激光L1的一部分分离,向第1光电二极管25的方向反射。从第1半导体激光器11射出的激光L1的剩余部分直线前进,向第1准直透镜15的方向前进。再有,将用光盘2反射而返回来的激光L1的反射光,向第1光检测器23的方向反射。第2分光镜14将从第2半导体激光器12射出的激光L3的一部分分离,向第2光电二极管26的方向反射。从第2半导体激光器12射出的激光L3的剩余部分直线前进,向第2准直透镜16的方向前进。再有,将用光盘2反射而返回来的激光L3的反射光向,第2光检测器24的方向反射。
第1准直透镜15将从第1半导体激光器11射出的、透过第1分光镜13的光形成为实质上平行的光,反之将从光盘2返回来的反射光聚焦在第1光检测器23上。第2准直透镜16将从第2半导体激光器12射出的、透过第2分光镜14的光形成为实质上平行的光,反之将从光盘2返回来的反射光聚焦在第2光检测器24上。通过使第1准直透镜15或第2准直透镜16沿光轴方向移动,能够补偿形成在光盘2上的束点的像差。
二向色反射镜17是具有波长选择特性的反射镜,将BD系统光路、与DVD/CD系统光路进行分离与合成。具体来说,使BD系统光路的光即从第1半导体激光器11射出的激光L1及其反射光通过,将DVD/CD系统光路的光即从第2半导体激光器12射出的激光L3及其反射光进行反射。
λ/4片18是为了进行偏振光光学系统中的去路与回路的光路分离,而将激光变换为圆偏振光。利用λ/4片18将激光形成为圆偏振光,从而能够减少光盘的双折射的影响。λ/4片18在本实施形态中,是配置在二向色反射镜与第1向上反射镜19之间,但也可以分别对BD系统及DVD/CD系统进行配置,即配置在第2向上反射镜20与第2物镜22之间、及第1向上反射镜19与第1物镜21之间。
第1向上反射镜19与二向色反射镜17相同,是具有波长选择特性的反射镜,使BD使用的从第1半导体激光器11射出的激光L1及其反射光透过,将DVD/CD使用的从第2半导体激光器12射出的激光L3及其反射光进行反射。第2向上反射镜20将激光L1及其反射光进行反射。
第1物镜21将激光L3聚焦在光盘2的表面上,反之将来自光盘2的反射光形成为实质上平行的光。第2物镜22将激光L1聚焦在光盘2的表面上,反之将来自光盘2的反射光形成为实质上平行的光。第1物镜21是双焦点透镜,与DVD及CD的双方相对应。BD所使用的第2物镜22,使用数值孔径(NA:Numerical Aperture)为0.85左右的物镜。
第1光检测器23将用光盘2反射的、沿BD系统光路返回来的反射光进行光电变换,形成重放信号S1。第2光检测器24将用光盘2反射的、沿DVD/CD系统光路返回来的反射光进行光电变换,形成重放信号S3。重放信号S1及重放信号S3向光学拾取头1的外部输出。
光检测元件的第1光电二极管25,接受从第1半导体激光器11射出的激光L1中的、利用第1分光镜13分离并反射的激光L2,检测第1半导体激光器11的激光器功率即光强度,并将输出电流i2进行输出。将输出电流i2输入到第1电流电压变换电路30。光检测元件的第2光电二极管26接受从第2半导体激光器12射出的激光L3中的、利用第2分光镜14分离并反射的激光L4,检测第2半导体激光器12的激光器功率,并将输出电流i5进行输出。输出电流i5向第1电流电压变换电路30输入。第2光电二极管26是检测DVD用的激光器功率、及CD用的激光器功率的双方而构成的。第1光电二极管25的输出端、与第2光电二极管26的输出端互相连接,与同一个第1电流电压变换电路30的输入端连接。
在第1半导体激光器11发光时,从第1光电二极管25将它的检测电流i2输入到第1电流电压变换电路30,在第2半导体激光器12发光时,从第2光电二极管26将它的检测电流i5输入到第1电流电压变换电路30。利用光学拾取头1进行记录重放的光盘2可以选择BD、DVD、及CD中的任何一种,在通常动作中第1半导体激光器11与第2半导体激光器12不同时发光。
第1电流电压变换电路30是将电流信号、即从第1光电二极管25输入的输出电流i2或从第2光电二极管26输入的输出电流i5变换为电压信号S2的电路。将电压信号S2向光学拾取头1的外部输出,输入到光盘装置具有的未图示的控制电路。在该控制电路中,为了控制从第1半导体激光器11向光盘2照射的激光L1的功率、或从第2半导体激光器12向光盘2照射的激光L3的功率为规定的功率,对半导体激光器驱动电路40进行反馈控制。该控制是一般被称为APC(自动光输出功率控制)的控制。APC的功能也可以在半导体激光器驱动电路40的内部具有。通过这样,能够在光学拾取头1中构成反馈控制环。
半导体激光器驱动电路40从光盘装置具有的所述未图示的控制电路,接受设定射出功率即激光器功率和被称为最后策略的功率调制方式用的设定信号SD、要记录的信息的信号即数据信号DATA、以及时钟信号CK。半导体激光器驱动电路40在对BD进行记录重放时,根据这些信号,对第1半导体激光器11供给电流i1,使第1半导体激光器11发光。即,半导体激光器驱动电路40,将与对光盘2记录的信息相对应的脉冲状的电流i1供给到第1半导体激光器11。通过这样,第1半导体激光器11的射出光被记录光脉冲波形调制。同样,半导体激光器驱动电路40根据这些信号,在对DVD进行记录重放时,对第2半导体激光器12供给电流i3,使第2半导体激光器12发光。在对CD进行记录重放时,对第2半导体激光器12供给电流i4,使第2半导体激光器12发光。
对光盘2进行信息记录时的光学拾取头1的动作,与重放时的动作基本相同。在对BD进行记录重放时,从第1半导体激光器11射出的激光L1,经过第1分光镜13、第1准直透镜15、二向色反射镜17、λ/4片18、第1向上反射镜19、第2向上反射镜20、以及第2物镜22等光学系统,对光盘2进行照射。用光盘2反射的激光L1的反射光,经过第2物镜22、第2向上反射镜20、第1向上反射镜19、λ/4片18、二向色反射镜17、第1准直透镜15、以及第1分光镜13,向第1光检测器23入射。再有,与之并行,从第1半导体激光器11射出的激光L1的一部分用第1分光镜13进行分离反射,用第1光电二极管25进行检测。
在对DVD/CD进行记录重放时,从第2半导体激光器12射出的激光L3,经过第2分光镜14、第2准直透镜16、二向色反射镜17、λ/4片18、第1向上反射镜19、以及第1物镜21等光学系统,对光盘2进行照射。用光盘2反射的激光L3的反射光,经过第1物镜21、第1向上反射镜19、λ/4片18、二向色反射镜17、第2准直透镜16、以及第2分光镜14,向第2光检测器24入射。再有,与之并行,从第2半导体激光器12射出的激光L3的一部分用第2分光镜14进行分离反射,用第2光电二极管26进行检测。
图2所示为图1所示的第1光电二极管25、第2光电二极管26、以及第1电流电压变换电路30的电路构成的一个例子。对第1光电二极管25及第2光电二极管26的各阴极端都加上电源电压Vcc。通过这样,对第1光电二极管25及第2光电二极管26加上反向偏压。一般,光电二极管通过加上反向偏压,将提高高速性能。第1光电二极管25及第2光电二极管26的各阳极端互相连接,与第1电流电压变换电路30的输入端连接。通过这样,将第1光电二极管25的输出电流i2、以及第2光电二极管26的输出电流i5,输入到第1电流电压变换电路30。
第1电流电压变换电路30由第1运算放大器31、第1电阻32、以及电容器33构成。第1电阻32的两个端子中,一个端子与第1运算放大器31的反相输入端连接,另一个端子与第1运算放大器31的输出端连接。对第1运算放大器31的同相输入端加上基准电压Vref。电容器33与第1电阻32并联连接。电容器33起到使高频带的信号分量衰减、使电路工作稳定的作用。但在第1运算放大器31的工作稳定时,也不一定需要。
若设第1电阻32的值为R1,则第1电流电压变换电路30的输入电流Iin与输出电压Vout的关系为下式所示。
Vout=Vref-Iin×R1
如上所述,由于对第1光电二极管25与第2光电二极管26不会同时入射功率检测用的激光,因此第1电流电压变换电路30的输入电流Iin与第1光电二极管25的输出电流i2及第2光电二极管26的输出电流i5中的某一个实质上相等。
即使对光电二极管没有光入射时,已知有很小的被称为暗电流的电流流过。再有,在功率检测用的激光以外的光、例如来自拾取头外部的光入射时,以及第2半导体激光器12的射出光的一部分的光入射第1光电二极管25时,或者反之第1半导体激光器11的射出光的一部分的光入射第2光电二极管26时等情况下,由于这些被称为杂散光的光入射,往往流过微小的电流。在这种情况下,由于在第1电流电压变换电路30的输出与想要检测的激光器功率之间产生误差,因此在第1电流电压变换电路30内也可以具有校正用的偏置调整功能。若在第1电流电压变换电路30内设置偏置调整功能,则由于电路规模增大,有碍光学拾取头1实现小型化,因此最好在从光学拾取头1输出之后,在光盘装置中进行校正。
为了校正因偏压电流产生的偏置,一般在第1运算放大器31的同相输入端,通过电阻与电压Vref连接,但这里为了简化说明,将该电阻省略。
这样,由于是分别利用不同的第1光电二极管25及第2光电二极管26检测出第1半导体激光器11的激光器功率及第2半导体激光器12的激光器功率而构成的,因此不需要将第1半导体激光器11及第2半导体激光器12的激光引向一处。因而,光学拾取头1的光学设计的自由度增加,能够实现可靠性高的光学拾取头1。同时,由于是将第1光电二极管25的输出与第2光电二极管26的输出互相连接、输入到一个第1电流电压变换电路30而构成的,因此第1电流电压变换电路30的数量用一个即可,电路能够小型化,光学拾取头1的信号线的数量也可以减少。因而,能够实现光学拾取头的小型化及低成本。
即,在对信息记录介质的例如光盘2进行信息的记录及重放中的至少某一种时,包含多个光源的例如第1半导体激光器11及第2半导体激光器12,利用具有输出端的多个光检测元件的例如第1光电二极管25及第2光电二极管26,接受从光源射出的光,输出与接受的光的强度即激光器功率相对应的电流信号。利用具有输入端的电流电压变换电路的例如第1电流电压变换电路30,将输入该输入端的电流信号变换为电压信号后输出,由于所述多个光检测元件的各输出端互相连接,同时与所述电流电压变换电路的输入端连接,因此能够对各光源使用光检测元件,不影响光学设计的自由度,能够将为了控制多个光源的射出功率所必需的电流电压变换电路的数量减少为一个。因而,能够适应多个标准的光盘,确保光学设计的自由度,同时能够实现小型化及低成本。
图3为本发明的第2实施形态的光学拾取头101的简要方框图。光学拾取头装置即光学拾取头101是对图1所示的光学拾取头1增加线圈27、将第1半导体激光器11置换为第3半导体激光器111而构成的。对于与图1所示的光学拾取头1的构成要素相同的构成要素,附加相同的参照标号,为避免重复而省略说明。
光学拾取头101对CD及DVD进行记录重放,但对BD仅进行重放。由于光学拾取头101对BD仅进行重放,因此第3半导体激光器111使用低输出功率的半导体激光元件。线圈27是将预定的频率例如100MHz以上的高频信号截止用的高频截止元件,连接在第1光电二极管25的输出端与第1电流电压变换电路30的输入端之间。
图4为图3所示的光学拾取头101的配置图。该配置图是在光学拾取头101组装的状态下、说明第1光电二极管25、第2光电二极管26、以及第1电流电压变换电路30等配置的位置关系用的说明图。
第1物镜21及第2物镜22具有使这些物镜的位置产生位移的执行器50。第1电流电压变换电路30及半导体激光器驱动电路40被焊接安装在未图示的电路基板上。被称为FPC(柔性印刷电路)的布线基板与该电路基板连接,从光学拾取头101输入输出信号。电路基板本身也可以用FPC。
半导体激光器驱动电路40在对光盘2进行信息记录时,必须使供给第2半导体激光器12的电流高速变化。因而,半导体激光器驱动电路40配置在第2半导体激光器12的附近,使得记录时的光波形不产生钝化,其间的布线设计得尽量短。同样,检测第2半导体激光器12的激光器功率的第2光电二极管26也要求高速性能。因而,第2光电二极管26、与将它的输出电流变换为电压的第1电流电压变换电路30配置在附近,其间的布线设计得尽量短。
第1光电二极管25由于仅检测第3半导体激光器111在重放时的一定功率,因此不需要配置在第1电流电压变换电路30的附近。总之,在本发明的第2实施形态中,第1电流电压变换电路30对于第2光电二极管26,配置在比第1光电二极管25要近的位置。
图5所示为图3所示的第1光电二极管25、第2光电二极管26、线圈27、以及第1电流电压变换电路30的电路构成的一个例子。图5所示的电路构成是对图2所示的电路构成增加线圈27而构成的。
第1光电二极管25的阳极端与线圈27连接,通过线圈27与第2光电二极管26的阳极端互相连接,与第2光电二极管26的阳极端连接的线圈27的端子与第1电流电压变换电路30的第1运算放大器31的反相输入端连接。即,线圈27连接在第1光电二极管25的阳极端、与第1运算放大器31的反相输入端之间,在第1电流电压变换电路30的输入端侧与第2光电二极管26的阳极端连接。
第1光电二极管25利用线圈27,与第2光电二极管26及第1电流电压变换电路30进行高频隔离。第2光电二极管26的输出电流i5在记录时以高速、例如数十兆赫左右的频率变化。线圈27是为了防止高频电流流入第1光电二极管25一侧而设置的。线圈27截止的频带设计为例如将记录动作等产生的100MHz以上的噪声分量截止。线圈27必须配置在第1电流电压变换电路30及第2光电二极管26的附近。第1光电二极管25、及从第1光电二极管25到第1电流电压变换电路30的布线存在寄生电容。在没有设置线圈27时,该寄生电容将妨碍第2光电二极管26的输出电流i5的高速性能。通过设置线圈27,能够防止第2光电二极管26的频率特性恶化。在本发明的第2实施形态中,作为高频截止元件是采用线圈27,但也可以采用铁氧体磁环、或被称为二端阻抗元件的高频截止元件。
这样,是对进行记录及重放的两方面的第2半导体激光器12进行功率检测的第2光电二极管26配置在第1电流电压变换电路30的附近,对仅进行重放的第3半导体激光器111进行功率检测的第1光电二极管25通过线圈27,与第2光电二极管26及第1电流电压变换电路30进行高频隔离而构成。因而,能够以简单的电路且不影响高速性、以宽频带对进行记录的第2半导体激光器12进行功率检测,能够实现可靠性高的光学拾取头。
即,所述多个光源包含:在对信息记录介质的例如光盘2进行信息的记录及重放时射出光的第1光源的例如第2半导体激光器12;以及在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源的例如第3半导体激光器111,所述多个光检测元件包含:接受从第1光源射出的光的第1光检测元件的例如第2光电二极管26;以及接受从第2光源射出的光的第2光检测元件的例如第1光电二极管25。而且,由于这样配置第1光检测元件及第2光检测元件,使得从第1光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的例如第1电流电压变换电路30的输入端的布线路径长度小于从第2光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度,因此能够减少在使记录重放高速动作一侧所检测出的电流信号的波形的钝化。因而,能够高精度控制射出功率,能够进行高质量的信息的记录或重放。
再有,还包含将预定的频率以上的高频信号截止用的高频截止元件的例如线圈27,所述多个光源包含:在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源的例如第2半导体激光器12;以及在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源的例如第3半导体激光器111,所述多个光检测元件包含:接受从第1光源射出的光的第1光检测元件的例如第2光电二极管26;以及接受从第2光源射出的光的第2光检测元件的例如第1光电二极管25。而且,由于第2光检测元件的输出端通过所述高频截止元件,与第1光检测元件的输出端及所述电流电压变换电路的例如第1电流电压变换电路30的输入端连接,因此能够防止因仅用于重放的光源侧的光检测元件的寄生电容、而使以高频动作的信息的记录侧的光检测元件的频率特性产生恶化。因而,能够以宽频带进行功率检测,能够提高可靠性。
图6为本发明的第3实施形态的光学拾取头201的简要方框图。光学拾取头装置即光学拾取头201基本上是将图1所示的光学拾取头1中所示的第1电流电压变换电路30及半导体激光器驱动电路40置换为半导体激光器驱动LSI(Large Scale Integration)的装置,但为了表示实施形态的多样性,是将DVD/CD用的第2半导体激光器12、第2分光镜14、第2光检测器24、以及第2光电二极管26置换为组件化的第4半导体激光器28的装置。对于与图1所示的光学拾取头1的构成要素相同的构成要素,附加相同的参照标号,为避免重复而省略说明。
第4半导体激光器28是将检测半导体激光元件283的功率的第3光电二极管281、检测重放信号或伺服信号的第3光检测器282、发出两个波长的激光的半导体激光元件283、以及将激光分离的全息光学元件284进行组件化的全息激光器。
从半导体激光元件283射出的激光通过全息光学元件284面向光盘2,来自光盘2的反射光利用全息光学元件284进行衍射,入射到第3光检测器282,输出重放信号S3。半导体激光元件283的功率检测与图1所示的例子不同,利用检测从半导体激光元件283的后方射出的激光的、被称为所谓后监控器的第3光电二极管281来进行。
半导体激光器驱动LSI60包含电流电压变换电路及半导体激光器驱动电路,能够将电流变换为电压,同时有选择地驱动三种半导体激光器。
图7所示为图6所示的第1光电二极管25、第3光电二极管28、以及半导体激光器驱动LSI60等的电路构成的一个例子。半导体激光器驱动LSI60包含:接口电路61、数字/模拟变换电路62、驱动电流源63、第1开关电路64、第3运算放大器65、以及第2开关电路66。接口电路61接受来自外部的控制信号例如图6所示的设定信号SD、数据信号DATA、以及时钟信号CK,对数字/模拟变换电路62、第1开关电路64、以及第2开关电路66进行控制。
半导体激光器驱动LSI60包含能够有选择地驱动三种半导体激光器的半导体激光器驱动电路。该半导体激光器驱动电路由数字/模拟变换电路62、驱动电流源63、以及第1开关电路64构成。数字/模拟变换电路62将来自接口电路61的数字信号变换为模拟信号,输入驱动电流源63。驱动电流源63将输入的模拟信号进行放大,通过第1开关电路64,对第1驱动电流输出端out1~第3驱动电流输出端out3的某一端输出。第1开关电路64利用例如场效应晶体管的半导体开关构成,利用来自接口电路61的信号,使三个开关中的一个开关接通。第的驱动电流输出端out1与第3半导体激光器111连接,第2驱动电流输出端out2及第3驱动电流输出端out3与第4半导体激光器28的半导体激光元件283连接。利用对半导体激光器驱动LSI60的控制信号S4,通过串行接口,控制第1开关电路64,来选择驱动的半导体激光器。控制信号S4是例如图6所示的设定信号SD、数据信号DATA、以及时钟信号CK。
再有,半导体激光器驱动LSI60包含将功率检测用的光电二极管的输出电流变换为电压信号的电流电压变换电路。该电流电压变换电路利用第3运算放大器65及第2开关电路66构成。第2开关电路66中包含的三个开关分别与半导体激光器驱动LSI60的外部的第2电阻70~第4电阻72连接。因而,利用第2开关电路66选择的电阻,与第3运算放大器65的反相输入端及第3运算放大器65的输出端连接。
第1光电二极管25及第3光电二极管281的阴极端,与第3运算放大器65的反相输入端连接。这里,与图1所示的例子不同,所示为光电二极管的阴极端与第3运算放大器65的反相输入端连接的例子。第1光电二极管25及第3光电二极管281的阳极端与GND(接地)连接,第3运算放大器65的同相输入端与基准电压Vref连接。这样,通过将第1光电二极管25及第3光电二极管281的阳极端与GND连接,在如第4半导体激光器28那样,半导体激光元件283的阴极端与第3光电二极管281的阳极端是公共端时,也可以使用后监控器的第3光电二极管281。
第2开关电路66利用例如场效应晶体管的半导体开关构成,利用来自接口电路61的信号,与第1开关电路64联动进行切换。即,BD用的激光器功率检测时,连接第2电阻70,DVD用的激光器功率检测时,连接第3电阻71,CD用的激光器功率检测时,连接第4电阻72。若设第2电阻70~第4电阻72的值分别为R2~R4,则各个情况的输入电流Iin与输出电压Vout的关系为下式所示。Rn是电阻值R2~R4中的某一个值。
Vout=Vref-Iin×Rn
之所以这样利用第2开关电路66来切换进行电流电压变换用的第2电阻70~第4电阻72,是因为各半导体激光器产生的射出功率与激光器功率检测用光电二极管的输出电流的关系不同。
图8所示为使用第4光检测器80来代替图7所示的第1光电二极管25的电路构成的一个例子。第4光检测器80是将第4光电二极管81与第4电流电压变换电路82进行模铸而放置在一个组件中。
第4电流电压变换电路82包含第4运算放大器821及第5电阻822。第5电阻822连接在第4运算放大器821的反相输入端与第4运算放大器821的输出端之间。第4光检测器80的输出Vo通过电阻元件83,输入到构成半导体激光器驱动LSI60内的电流电压变换电路的第3运算放大器65的反相输入端。第4光电二极管81的输出电流利用第4电流电压变换电路82,变换为电压信号Vo之后,用电阻元件83变换为电流,利用半导体激光器驱动LSI60内的电流电压变换电路,再次变换为电压信号Vout。第4光检测器80的输出电压Vo与电压信号Vout的关系为下式所示。
Vout=-Vo×Rn/R5
Rn是第2电阻70~第4电阻72中利用第2开关电路66选择的电阻的电阻值、即电阻值R2~R4中利用第2开关电路66选择的电阻的电阻值,R5是电阻元件83的电阻值。第4电流电压变换电路82的第4运算放大器821内的基准电压Vref及半导体激光器驱动LSI60内的第3运算放大器65的基准电压Vref使用相同的电压。
这样,是使用将半导体激光器驱动电路与电流电压变换电路放置在同一组件中的半导体激光器驱动LSI60,第1光电二极管25及第3光电二极管281的输出互相连接,输入到半导体激光器驱动LSI60内的电流电压变换电路的输入端而构成。因而,由于对半导体激光器驱动LSI60的电流电压变换电路安装灵敏度切换用的第2开关电路66等,能够使更高性能的电路实现小型化,因此光学拾取头201能够实现更小型化及高性能化。
即,由于包含将分别驱动所述多个光源的多个驱动电路以及所述电流电压变换电路放置在同一组件中,形成该电流电压变换电路的输入端的高密度集成电路部的例如半导体激光器驱动LSI60,所述多个光检测元件的例如第1光电二极管25及第3光电二极管281的各输出端与高密度集成电路部中形成的输入端连接,因此能够使用将驱动电路与电流电压变换电路放置在同一组件中的现有的低价格的LSI。因而,能够力图降低成本。
再有,由于第4光检测器80是将第4光电二极管81与第4电流电压变换电路82进行模铸而成,因此能够进行高速的光检测。而且,通过使用第4光检测器80的第4光电二极管81、以及第4半导体激光器28中具有的第3光电二极管281,能够力图实现低成本。再有,是具有将第4光电二极管81及第4电流电压变换电路82放置在同一组件中的第4光检测器80,第4光检测器80的输出通过电阻元件83输入到半导体激光器驱动LSI60内的电流电压变换电路的输入端而构成。因而,与使用光电二极管单体的情况相比,能够进行更高频带的光检测,同时增加使用的光检测器的选择分支,能够更增加光学拾取头设计的自由度。
即,由于将光检测元件与电流电压变换电路放置在同一组件中,还包含具有将用电流电压变换电路变换的电压信号进行输出的输出端的光检测器的例如第4光检测器80、以及与该光检测器的输出端连接的电阻元件的例如电阻元件83,所述光检测器的输出端通过所述电阻元件与所述高密度集成电路部的例如半导体激光器驱动LSI60中形成的输入端连接,因此能够进行高频的光检测。因而,能够实现高速动作。再有,两个光源中,对于一个光源的功率检测,使用将光检测元件与电流电压变换电路进行模铸的光检测器,对于其它光源的功率检测,使用设置在激光器组件中的电流电压变换电路,通过这样能够实现小型化及低成本。
图9所示为本发明的一个实施形态的第5光检测器90的简要构成。第5光检测器90包含第5光电二极管91及第5电流电压变换电路92,将它们放置在组件99中。第5电流电压变换电路92利用第5运算放大器921及第6电阻922构成,第6电阻922连接在第5运算放大器921的反相输入端与第5运算放大器921的输出端之间。
在第5光检测器90的组件99中,设置与第5运算放大器921的反相输入端连接的in端93、与第5运算放大器921的同相输入端连接的Vref端94、与第5运算放大器921的输出端连接的out端95、供给电源电压Vcc用的Vcc端96、以及与GND连接用的GND端97。供给Vcc端96的电源电压Vcc也用于运算放大器的电源及第5光电二极管91的反向偏压。
基准电压Vref与和第5运算放大器921的同相输入端连接的Vref端94连接。第5光电二极管91的阳极端与和第5运算放大器921的反相输入端连接的in端93连接,再连接未图示的外部的光电二极管的输出端。第6电阻922为了能够进行外部调整,也可以在第5光检测器90的外部连接而构成。或者,也可以在电流电压变换后还具有放大器电路而构成。第5光检测器90的输出也可以是差动输出而构成。
这样,第5光检测器90是将组件99内部的第5光电二极管91的输出与第5运算放大器921的反相输入端连接,还具有将来自外部的光电二极管的输入电流进行电流电压变换用输入端即in端93而构成。因而,若对于图1所示的光学拾取头1及图3所示的光学拾取头101使用第5光检测器90,则对于多个光电二极管,能够将电流电压变换电路的数量减少为一个,能够简单地实现小型化及低成本的光学拾取头。
即,由于将接受光并输出与接受的光的强度即激光器功率相对应的电流信号的光检测元件的例如第5光电二极管91、与将电流信号变换为电压信号并输出的电流电压变换电路的例如第5电流电压变换电路92放置在同一组件中,具有输入电流信号用的输入端的例如in端93,将光检测元件输出的电流信号、以及从输入端输入的电流信号输入到电流电压变换电路,因此与不和电流电压变换电路组合而单独使用光检测元件的情况相比,能够进行更高频带的光检测,单独使用的光检测元件的电流信号能够从输入端输入,进行电流电压变换。因而,对于要求高速动作的光源及不是高速也可以的光源,能够使用一个电流电压变换电路,能够实现小型化。即,不影响使用多个光源的光学设计的自由度,能够减少为了控制多个光源的射出功率所必需的电流电压变换电路的数量。
本发明在不脱离其精神或主要特征的情况下,能够以其它各种各样的形态实施。因而,所述的实施形态在所有方面不过仅表示举例,本发明的范围是权利要求的范围中所示的范围,不受说明书正文的任何约束。再有,属于权利要求的范围内的变形或变更全部是本发明的范围内的。

Claims (6)

1.一种光学拾取头装置,对信息记录介质进行信息的记录及重放中的至少某一种,其特征在于,包含:
多个光源;
接受从光源射出的光、并具有输出与接受的光的强度相对应的电流信号的输出端的多个光检测元件;以及
具有输入电流信号的输入端,并将输入该输入端的电流信号变换为电压信号而输出的电流电压变换电路,
所述多个光检测元件的各输出端互相连接,同时与所述电流电压变换电路的输入端连接。
2.如权利要求1所述的光学拾取头装置,其特征在于,
所述多个光源包含:
在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及
在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,
所述多个光检测元件包含:
接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及
接受从第2光源射出的光的第2光检测元件,
配置第1光检测元件及第2光检测元件,使得从第1光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度小于从第2光检测元件的输出端到所述电流电压变换电路的输入端的布线路径长度。
3.如权利要求1所述的光学拾取头装置,其特征在于,
还包含将预定的频率以上的高频信号截止用的高频截止元件,
所述多个光源包含:
在对信息记录介质进行信息的记录及重放时射出光的第1光源;以及
在对信息记录介质仅进行信息的重放时射出光的第2光源,
所述多个光检测元件包含:
接受从第1光源射出的光的第1光检测元件;以及
接受从第2光源射出的光的第2光检测元件,
第2光检测元件的输出端通过所述高频截止元件,与第1光检测元件的输出端及所述电流电压变换电路的输入端连接。
4.如权利要求1所述的光学拾取头装置,其特征在于,包含:
将分别驱动所述多个光源的多个驱动电路与所述电流电压变换电路放置在同一组件中,形成该电流电压变换电路的输入端的高密度集成电路部,
所述多个光检测元件的各输出端与高密度集成电路部中形成的输入端连接。
5.如权利要求4所述的光学拾取头装置,其特征在于,还包含:
将光检测元件与电流电压变换电路放置在同一组件中,并具有将用电流电压变换电路变换的电压信号进行输出的输出端的光检测器;以及,
与该光检测器的输出端连接的电阻元件,
将所述光检测器的输出端通过所述电阻元件与所述高密度集成电路部中形成的输入端连接。
6.一种光检测器,其特征在于,
该光检测器将接受光并输出与接受的光的强度相对应的电流信号的光检测元件以及把电流信号变换为电压信号的电流电压变换电路放置在同一组件中,还具有输入电流信号用的输入端,
并且将光检测元件输出的电流信号以及从输入端输入的电流信号,输入到电流电压变换电路。
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