CN101182625A

CN101182625A - 掩模装置及电子器件的制造方法

Info

Publication number: CN101182625A
Application number: CN200710167599.8A
Authority: CN
Inventors: 桑岛一; 大久保等
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2006-10-27
Filing date: 2007-10-29
Publication date: 2008-05-21
Also published as: US8048228B2; JP4349531B2; US20080107873A1; JP2008112761A

Abstract

本发明的掩模装置具有：包括一张以上的隔板并具有可容纳芯片的内腔的掩模基体；以及配置在掩模基体的上下面，并具有与要形成在芯片的外表面上的电极的形状对应的形状的成膜开口，而且可通过该成膜开口对芯片的外表面有选择性地进行成膜掩模板。上述内腔具有与芯片的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，从而可包围容纳在内部的芯片的周围，在其内面具有与成膜开口连通的成膜槽，由此，可与芯片的成膜状态下的上下面同时在芯片周面上形成电极。可在电子器件(芯片)的多个外表面上同时形成电极而减少工序数。

Description

掩模装置及电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及掩模装置及电子器件的制造方法，尤其涉及用于在片状电子器件的外表面上形成端子电极等外部构造体的掩蔽技术。

背景技术

目前提供着在片状电容器和片状感应器、片状电阻器等各种单个部件或者组合了多个能动、从动元件的各种电子设备等电子器件，而这些无论是哪种电子器件，为了与外部进行电、机械连接并实现向电路板的安装，在该电子器件上都需要端子电极。

这种端子电极例如可通过溅射等气相成膜法来形成基底电极，并通过在该基底电极上使成为电极的主体层的主导体层电镀生长而形成。在形成基底电极上，为了在要形成电极的部件表面上有选择性地进行成膜而使用掩模装置。该掩模装置一般具有保持片状切割的各个电子器件的掩模基体、以及具有与要形成的电极形状对应的成膜开口的掩模板，在掩模基体的内腔内以加工面为上而容纳片状的电子器件(以下，有时简称为芯片)，在内腔(掩模基体)的表面覆盖掩模板后进行成膜处理。

另外，不使用气相成膜法，涂敷导电性糊料的糊料印刷法、转印法等成膜方法也广泛利用于电极形成上。

再有，在芯片的外表面上有时设有各种膜状的构造物(外部构造体)，该构造物不限于外部连接用的端子电极，例如可以是用于在该芯片上搭载其他元件的连接垫片、配置在芯片外表面的配线，而且不仅可以是导电体，还可以是例如在由半导体和金属板构成的导电性芯片的外表面上为进行配线而有选择性地设置的绝缘膜等。

另外，作为公开掩模装置的专利文献，有日本特开平4-13858号公报。

但是，设在芯片外表面上的端子电极等外部构造体，很多情况下需要形成为在芯片的顶面(表面)，底面(背面)及周面(端面及侧面)中的多个面的范围内连续。例如，将芯片的顶面电极和底面电极通过配置在芯片的周面上的电极进行连接，或者从芯片的内部配线层向周面引出电极并将此连接在顶面和底面上的情况。

以往，在形成这种遍及多个面的电极的场合，需要每个面的成膜处理。例如，在将连接顶面电极和底面电极的电极形成于芯片的两端部的场合(参照后述图1)，需要如(1)顶面、(2)底面、(3)一个端面、以及(4)另一个端面的4次成膜处理。另外，在将相同的连接电极形成于芯片的两端部和两侧部(4周面部全部)的场合(参照后述图8)，需要(1)顶面、(2)底面、(3)一个端面(短面)、(4)另一个端面(短面)、(5)一个侧面(长面)以及(6)另一个侧面(长面)共计6次的成膜处理。

但是，对这些各面的成膜处理，分别需要以特定的姿势保持芯片的掩模基体(隔板)、以及固定在掩模基体的表面上的特定的(与要形成的电极对应的)图形掩模，对每个面组合这些特定的掩模基体和图形掩模并重新装填芯片的作业，烦杂且需要时间。

一方面，为了避免这种工序的烦杂，通过一次成膜处理在多个面上(例如于侧面一起在顶面及侧面上也)进行成膜也不是不可能的。例如，预先对芯片施加将芯片的棱边形成为圆形(倒角)的加工。由于芯片的拐角(棱边)形成为圆形，所以在一个面(例如侧面)上涂敷导电糊料时，沿着圆形的棱边在其他面(例如顶面、底面)上也蔓延糊料，可以对该其他面上同时涂敷糊料。

但是，实际上将芯片的棱边高精度地形成为均匀的圆形是比较困难的，并且难以控制由于圆形的不均匀或涂敷糊料时的压力和糊料的粘度的不均匀而超过棱边部分蔓延到其他面上的糊料的量，存在利用蔓延形成的另一面的电极，其尺寸精度特别差的缺点。

另一方面，不仅是这种成膜工序的烦杂，而且反复进行几次成膜工序，在电极自身的质量、机械和电的接合强度、尺寸和位置的精度、电气特性(电位电阻)方面也是不理想的。

例如，在使用导电性糊料形成电极的场合，涂敷糊料后的干燥工序也要进行多次，因此在这期间未涂敷糊料的其他内部配线的露出面被氧化，或者附着有机物等杂质而污染接合面，从而使接合部的内部电阻增大，并且有可能降低电、机械的接合强度。在通过溅射等气相成膜法来形成基底电极的场合，在必须隔开时间依次进行对各外表面的成膜工序上也没有变化，在从一个面的处理到下一个面的处理之间，可能产生露出的接合面恶化的同样的问题。

另外，在继续芯片的顶面、底面而形成侧面的基底电极的场合，在芯片的棱边附近(顶面、底面与侧面的边界部，芯片的拐角)，形成为侧面电极覆盖顶面电极乃至底面电极的形状，因此基底电极在该棱边部分隆起来，在这上面例如通过电镀形成电极的主体层的场合，在棱边部分集中电场而使电极膜局部性地生长，在芯片的棱边部分形成电极膜的突出部，不仅产生电极的尺寸误差，而且还有可能产生该突起部在处理中被挂住而使电极膜受到剥离损伤等意外事故。

再有，还存在成膜时的芯片的定位精度的问题。具体来讲，成膜时使用的上述掩模(成膜开口)和具有内腔的掩模基体，很少简单地由一张板材构成，通常采用叠加了多张薄的金属板的构造。其理由在于，掩模板和掩模基体一般由不锈钢板等金属板制作，成膜开口和内腔开口通过蚀刻形成，而通过蚀刻的开口的形状精度在板厚厚时得不到足够的精度，板厚越薄越能得到良好的精度。

但是，若掩模板和掩模基体(构成这些的金属板)变薄，则这些由于溅射等的成膜工序中的热量而容易变形，在反复使用中构成掩模板和掩模基体的各金属板翘曲或起波纹等而在它们之间产生间隙，从而产生电子器件进入该间隙而不能在内腔内准确定位电子器件的情况。因此，形成的电极的位置和形状精度下降。

另外，尤其在近年来，与电子设备的小型化一起它们使用的电子器件的小型化、低高度化的进展非常显著，对电子器件所具有的端子电极的精度要求(形状的准确及形成位置的精度)越来越严格，存在部件本身极小且薄的倾向，认为今后小型、低高度化也会进一步推进，因此这种现有的掩模装置的问题有可能变得更加明显。

一方面，从以往就进行着如下技术方案，即为了消除这种掩模的间隙而设置贯通掩模的多个螺钉，通过用这些螺钉来紧固掩模整体从而抑制如上所述的金属板的翘曲和波纹。然而，逐一装卸这些多个螺钉比较烦杂且作业性差，在生产率方面并不理想。

另一方面，在上述专利文献的发明中，为了节省这种螺钉固定作业，在掩模装置上设置磁铁谋求问题的解决，但是需要设置磁铁的空间，从而设在每张掩模上的内腔数(每一次电子器件的处理个数)不得不减少使生产率下降，而且由于磁铁比较脆且容易残缺，因此在反复进行多次装卸的过程中磁铁的碎片混入到制品(电子器件)内还有可能成为污染源。

再有，在该专利文献的装置中，由于在磁铁22(磁铁保持板20b)与通过该磁铁吸引的磁性体(隔板20d及上部掩模板20e)之间，存在作为非磁性体的下部掩模板20c而隔开的距离，因此只用磁铁22不能说对掩模和隔板的变形(翘曲、波纹)的矫正力比较充分。

另外，在对作为大量生产品的电子器件如上所述形成电极的场合，为了提高生产率也有对一个掩模装置(一次端子成膜工序)设置例如数千个内腔而同时进行成膜处理的情况，但是还要求在这些多个内腔的各个上比较短时间内有效地容纳一个个芯片，并相对掩模准确(高概率)定位。

发明内容

因此，本发明的第一目的在于，对于设在电子器件的外表面上的外部构造体，通过可在多个面上同时形成该构造体来减少制造工序数。第二目的在于，得到机械、电气上良好的接合状态。并且第三目的在于，在掩模装置的内腔内容易容纳电子器件，并准确地进行定位从而可形成更准确的位置、形状的电极。

为了解决上述问题并达到上述目的，本发明的掩模装置具有：包括一张以上的隔板并具有可容纳电子器件的内腔的掩模基体；以及配置在该掩模基体的上面和下面的任意一个或双方上，并具有与要形成在上述电子器件的外表面上的外部构造体的形状对应的形状的成膜开口，而且可通过该成膜开口对上述电子器件的外表面有选择性地进行成膜而形成上述外部构造体的掩模板，其中，上述内腔具有与上述电子器件的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，从而可包围容纳在内部的上述电子器件的周围，并且在其内面具有与上述成膜开口连通的成膜槽，由此，与上述电子器件的成膜状态下的上面及下面的任意一个或双方同时也可以在该电子器件的成膜状态下的周面上形成上述外部构造体。

在本发明的掩模装置中，在掩模基体的内腔内容纳成为加工对象(成膜对象)的芯片(电子器件)，在此覆盖掩模板(图形掩模)后在该芯片的表面(包括正面或顶面或上面、背面或底面或下面、周面或侧面和端面等芯片的外表面的全部)上有选择性地进行成膜，从而形成电极。在掩模上形成有与要形成的电极形状对应的开口(成膜开口)，通过该成膜开口来形成构成电极的薄膜。作为进行成膜的具体地方法，例如使用溅射法、蒸镀法或气相生长法(CVD法)等气相成膜法(干式成膜法)，或者喷墨法、糊料印刷法、转印法等即可。

掩模基体具有一张以上的隔板，通过该隔板形成的内腔的深度具有与电子器件的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸。换言之，在本发明的掩模装置中，构成掩模基体的一张以上的隔板整体的厚度与电子器件的成膜状态下的高度大致抑制的方式，层叠一张或两张以上的隔板。

另外，为了通过掩模板的成膜开口来进行成膜，电子器件被容纳在上述内腔内，而所谓上述“电子器件的成膜状态下的高度尺寸”，意味着在向该内腔的容纳状态下的电子器件的高度尺寸。即，该“电子器件的成膜状态下的高度尺寸”并不一定是电子器件的安装状态下的高度，可以是电子器件的长度方向的尺寸，也可以是宽度方向的尺寸(宽度)，或者有时意味着厚度。

在内腔的内面，具有与上述掩模板的成膜开口连通的成膜槽。构成要形成在电子器件的外表面上的外部构造体的成膜材料，通过掩模板的成膜开口首先向芯片的表面(与掩模板相对的面)供给，然后，侵入到与成膜开口连通的成膜槽内，还供给芯片的周面(与配置有该成膜槽的内腔内面抵接的面)。由此，不仅在掩模板的相对面，而且在芯片的周面也同时形状外部构造体。成膜槽做成与要形成在该芯片周面上的外部构造体的形状对应的形状即可。由此，与简单地利用如上所述的成膜材料的蔓延的情况比较，在芯片周面上也可以形成准确的位置、尺寸及形状的外部构造体。

在本发明中所谓“外部构造体”，是指形状在电子器件的外表面上的膜状的构造体。典型的是端子电极和连接电极(例如包括外部连接电极、凸起、接线柱及其他)、配线、连接垫片(倒装式接合用垫片、引线接合用垫片等)、焊盘等的电极乃至导电体，但并不局限于此，还包括绝缘膜之类的其他功能膜。例如，如上所述为了在由半导体或金属板构成的导电性芯片的外表面上进行配线而有选择性地设置的绝缘膜等，在芯片的外表面上有时设有各种膜状的构造物(外部构造物)，而本发明包括在这些芯片的外表面上形成的构造物。总之，本发明可广泛应用利用通过图形掩模供给电子器件的外表面上的成膜材料而形成的构造体。

另外，本发明的一个特征在于，能与芯片的上下面(或者上下面的任意一个)一起还在周面上同时形成外部构造体这一点上，而在该场合的“同时”并不意味着时间上的完全的同时性。即，成膜材料首先到达芯片的与掩模板的相对面(上面或下面)并进行膜生长，周面的膜生长与上下面比较通常推迟，而这种状态也是本发明所说的“同时”。总之是，无需从该掩模装置取出该电子器件，或者无需分解掩模装置，用一次成膜操作“一起”进行的意思。

再有，所谓“上下方向”或“垂直方向”，意味着掩模板或掩模基体的厚度方向(相对掩模表面的法线方向)，所谓“水平方向”意味着与掩模表面平行的方向。

另外，本发明所说的“电子器件”不限其种类，包括单个部件(分立元件)或片状部件(例如片状电容器、片状感应器、片状电阻器、片状热敏电阻、非线性电阻等)，以及组合了多个电气元件(能动元件和从动元件)的电子设备(例如过滤器、双工机、功率放大器模块、高频重叠模块、隔离器、传感器、驱动器、连接器及其他各种设备)的双方。

对于形成外部构造体的位置也不特别限定，可以是芯片的正面背面或周面(侧面或端面)的任一个，在这些面内的外部构造体的形成位置和形状、数量也可以是各种各样，不限于后述附图所示的例子。

再有，在后面所述的实施方式中，假设使用基于本发明的掩模装置形成基底电极(例如Cr膜和Cu膜等)，并在其上使主导体层电镀生长而形成端子电极的电极构造，但是也可以使用本发明的掩模装置形成例如有时设在主导体层和电极的表面上的表面层(提高焊锡性的接合层(例如Sn膜等)和提高它与Cu等主导体层的接合性的中间层(例如Ni膜等)等)，或者电极的全部。

在上述掩模装置中，掩模基体具备具有形成内腔的内腔形成部并在该掩模基体的厚度方向层叠的至少包含第一隔板及第二隔板的2张以上的隔板，通过这些2张以上的隔板的内腔形成部来形成上述内腔，并且这些内腔形成部的一个以上具有上述成膜槽，第一隔板及第二隔板中的任一个成为由上述内腔形成部具有在内腔内沿水平方向对电子器件进行定位时成为基准且互相相交而形成基准角部的第一基准内面和第二基准内面，而且在与掩模板之间固定了相对位置的基准隔板，第一隔板及第二隔板中的另一个，成为沿水平方向可滑动地配置并将容纳在内腔内的电子器件通过用内腔形成部推进而使其在内腔内水平移动的偏置隔板，通过使该偏置隔板从内腔中心部向上述基准角部的方向移动，将电子器件按压在由第一基准内面和第二基准内面形成的基准角部，将电子器件相对掩模板进行定位也可以。

根据这种装置构造，在芯片的装填时，可以比较大地展开内腔的开口而容易在其中容纳芯片，并且在向内腔内的容纳后，可以将芯片相对掩模板可靠地进行定位从而进行准确的成膜。

具体来讲，将掩模基体做成包含具有形成内腔的内腔形成部且在掩模基体的厚度方向层叠的至少包含第一隔板及第二隔板的2张以上的隔板。而且，将这些第一隔板及第二隔板中的任一个(例如第一隔板)作为基准隔板，在与具有成膜开口的掩模板之间固定相对位置。该固定构造并不特别限定。例如，若设置贯通掩模板和第一隔板的多个(至少2根)螺栓或棒状部件(例如定位销)，则可以阻止水平方向的相对移动。

各隔板具有形成内腔的内腔形状部，这些隔板中基准隔板(例如第一隔板)，在其内腔形成部具有互相相交并形成基准角部的第一基准内面和第二基准内面。由这些内面划分的基准角部成为与掩模板(成膜开口)的位置基准，通过在该基准角部通过偏置隔板(后述)按压芯片而相对成膜开口准确配置该芯片。

另一方面，第一隔板及第二隔板中的另一个(例如第二隔板)作为偏置隔板。该偏置隔板相对掩模板及上述基准隔板可相抵滑动地进行叠加。而且，由各隔板的内腔形成部形成的内腔在接受芯片时的状态(还未使偏置隔板水平移动的芯片定位前的状态，以下，将该偏置隔板的位置称为“第一水平位置”)下，比芯片的水平断面大，从而能够在该内腔内容易容纳芯片。

另外，所谓本发明所说的上述“芯片的水平断面”，是指芯片(电子器件)容纳(插入)在内腔内的状态(姿势)下的水平断面。换言之，是指容纳在内腔内并与相对于掩模板的芯片的表面(上面或下面)平行的芯片断面。从而，该水平断面与相对于掩模板的芯片的面对应，例如有时成为与芯片的顶面(正面)、底面(背面)、侧面或端面的各面平行的端面。在本发明中，对应于该水平断面的大小，将上述内腔形成部配置成在芯片的移动操作前(利用偏置隔板的芯片的定位操作前)即上述第一水平位置下的内腔的开口尺寸比该水面断面大。

并且，作为由该内腔形成部形成的移动操作前的内腔的大小的上限，该移动操作前的内腔的开口尺寸，最好做成在插入该开口内的状态下芯片不会水平方向旋转的大小。这是为了在内腔内利用偏置隔板移动芯片时，防止芯片不小心旋转而引起位置偏移。

在这种由内腔形成部形成的开口内容纳芯片后，使偏置隔板从内腔中心部向上述基准隔板的基准角部的方向移动。由此，内腔内的芯片被该偏置隔板的内腔形成部按压而向基准隔板的基准角部沿水平移动，最终被按压在基准角部而相对掩模板(成膜开口)准确地定位。另外，将该偏置隔板的位置称为“第二水平位置”。

构成掩模基体的隔板并不限于2张，3张以上(具有除第一隔板及第二隔板以外的隔板)也没关系。在该场合，除该第一隔板及第二隔板以外所具有的隔板，与该第一隔板及第二隔板同样，可以是作为基准隔板或偏置隔板(后述)的隔板，也可以是虽具有内腔形成部但不作为基准隔板及偏置隔板的任何一个的隔板(例如，只是为了使内腔的深度与上述电阻器件的成膜状态下的高度尺寸一致而层叠的隔板等，如后述的图2的中间隔板15、16)。另外，在具有2张以上基准隔板及偏置隔板中的任一方或双方的场合，它们的层叠顺序不特别限定，可以交替层叠基准隔板和偏置隔板，也可以连续层叠任一个隔板。

在内腔的内面具有的上述成膜槽，有时具有与要在电子器件的成膜状态下的周面上形成的外部构造体的长度相对应的深度。这是为了在利用成膜槽在芯片周面上形成一定长度的(不遍及该周面的全长而是具有倒途中的长度)外部构造体的场合，形成准确的长度尺寸的该外部构造体。

另一方面，在本发明中，也可以在掩模基体的上面及下面具有掩模板，成膜槽作为与配置在该掩模基体的上面及下面的两掩模板的各成膜开口连通且贯通掩模基体的槽。根据这种掩模(成膜槽)构造，可形成遍及芯片周面的全高(垂直方向的全长)的外部构造体(例如连接该容纳状态下的芯片的上面电极和下面电极的电极)。

另外，也可以第一隔板及第二隔板都具有在掩模基体的厚度方向重叠的板状的隔板主体部、以及贯通该隔板主体部的贯通开口，而且，通过配置成内腔形成部向上述贯通开口的形成区域内突出，从而在上述贯通开口内形成内腔。在这种掩模装置中，在第一及第二隔板的贯通开口内形成容纳芯片的内腔。

再有，在这种掩模装置中，最好第一隔板及第二隔板都具有两个以上内腔形成部，通过配置成这些两个以上内腔形成部向同样的上述贯通开口的形成区域内突出，从而在上述贯通开口内形成两个以上的内腔。

这样若将内腔形成部设置成可在一个贯通开口形成多个内腔，则关于属于同样的贯通开口的内腔，可将邻接的内腔彼此接近配置，因此与在一个贯通开口形成一个内腔的场合比较，作为掩模装置整体多配置内腔数，可增加能一次处理的芯片的总数。

另外，这样在贯通开口内设置内腔形成部的掩模构造中，向贯通开口的形成区域内突出并与容纳在内腔内的电子器件的周面抵接的内腔形成部的侧面，最好相对第一隔板及第二隔板具有大致相同的高度尺寸，而且配置在大致相同的高度位置。

如上所述，第一隔板及第二隔板中的一个成为基准隔板，另一个成为使芯片移动的偏置隔板，但是如上所述若使这些两隔板的内腔形成部的高度一致，则在相同高度位置通过内腔形成部来夹持芯片的周面，因此只要至少具有1组(各1张)基准隔板和偏置隔板，就可以在内腔内的芯片的移动时(定位操作时)，以及移动后的成膜时，不会使芯片在内腔内移动，并且稳定地使芯片在内腔内移动、保持。

另一方面，在这样利用偏置隔板使芯片移动的场合，尤其是芯片薄的场合，由于芯片钻进隔板之间或挂住，或者偏置隔板越过芯片等，因此还可能产生不能准确定位的情况。于是，在本发明的掩模装置中，还可以由至少在局部具有磁铁的磁铁板，或者至少在局部具有可通过磁铁吸引的磁性体的磁性体板的任一个形成掩模板及隔板。由此，使构成掩模装置的各板牢固密合，作为整体成为一体化而更可靠地防止各板的翘曲和波纹，可防止芯片的钻进和位置偏移。

构成掩模板或隔板的上述磁铁板，从更可靠地防止各板的翘曲和波纹方面考虑，最好将该板整体做成磁铁(由磁铁构成板整体，或磁化板整体作为磁铁)，但是并不局限于这种构造，也可以是在局部具有磁铁的部件。要在局部具有磁铁，例如，使用埋入磁铁，或安装磁铁，或者磁化该板的一部分等的方法即可。

同样，构成掩模板或隔板的上述磁性体板，从更可靠地防止各板的翘曲和波纹方面考虑，最好将该板整体做成磁性体(由磁性体构成板整体或至少其正面和背面整体)，但是并不局限于这种构造，也可以是在局部具有磁性体的部件。而且，对于掩模板或隔板在它们的局部具有磁铁或磁性体的场合，若使该掩模板或隔板内的磁铁或磁性体的水平方向的位置(俯视时的位置)相对各掩模板及隔板大致一致，则可以利用磁铁吸引磁性体，使各板密合(在后述制造方法中也相同)。

再有，若由磁铁板或磁性体板的任一个形成掩模板和隔板，使得磁性体板和磁铁板可交替层叠，则可以更进一步提高各板的密合性。

另外，也可以具有上述磁铁板所具有的磁铁，或者覆盖磁铁板整体的保护膜。若设置这种保护膜，则可以避免由于掩模装置各板的反复使用而使磁铁残缺，并且该碎片混入倒制品(电子器件)的问题。

保护膜由例如由镍(Ni)或铬(Cr)等磁性体材料构成的金属膜构成，在通过磁力使掩模板和隔板或各隔板彼此密合这一点上比较好，但是并不局限于这些磁性体材料，也可以做成使用了其他金属材料或金属以外的材料的保护膜。

上述磁性体可以由以铁为主体的材料，例如SUS430构成。

另一方面，上述磁铁虽然最好是由以铁为主体的材料构成的永磁铁，但是也可以是电磁铁。另外，上述永磁铁可以包含钐、钴及钕中的一种以上，也可以通过磁化由SUS430构成的板来构成。

本发明的电子器件的制造方法包括：在包含1张以上的隔板且具有可容纳电子器件的内腔的掩模基体的该内腔内容纳电子器件的电子器件装填工序；将具有与要形成在上述电子器件的外表面上的外部构造体的形状对应的形状的成膜开口的掩模板配置在上述掩模基体的上面及下面的任一方或双方上的掩模设置工序；以及通过上述成膜开口对上述电子器件的外表面上有选择性地进行成膜而形成上述外部构造体的成膜工序。

并且，上述内腔具有可包围容纳在内部的电子器件的周围的与电子器件的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，并且在其内面具有与成膜开口连通的成膜槽，在上述成膜工序中，将构成外部构造体的材料通过成膜开口供给内腔内，从而在容纳于该内腔内的电子器件的上面及下面的任一方或双方和该电子器件的周面上同时形成外部构造体。

根据这种电子器件的制造方法，能够以比以往少的工序数在电子器件的外表面上形成电极等外部构造体。

另外，上述制造方法在电子器件装填工序与成膜工序之间，还可以包括通过使容纳在内腔内的电子器件在内腔内水平移动而相对掩模板进行定位的部件定位工序。

在该场合，掩模基体具备具有形成内腔的内腔形成部且在该掩模基体的厚度方向层叠的至少包含第一隔板及第二隔板的2张以上的隔板，由这些2张以上的隔板的内腔形成部来形成内腔，并且这些内腔形成部的至少一个以上具有成膜槽，第一隔板及第二隔板中的任一个成为由上述内腔形成部具有在内腔内沿水平方向对电子器件进行定位时成为基准且互相相交而形成基准角部的第一基准内面和第二基准内面，而且在与掩模板之间固定了相对位置的基准隔板，第一隔板及第二隔板中的另一个，成为沿水平方向可滑动地配置并将容纳在内腔内的电子器件通过用内腔形成部推进而使其在内腔内水平移动的偏置隔板，在上述部件定位工序中，通过使偏置隔板从内腔中心部向基准角部的方向移动，将电子器件按压在由第一基准内面和第二基准内面形成的基准角部，将该电子器件定位于掩模板上。

根据这种方法，与对上述本发明的掩模装置的叙述同样，可在内腔内容易容纳芯片，并且将容纳的芯片相对掩模板准确定位。

再有，在上述方法中，也可以作为掩模板及上述隔板，使用由至少在局部具有磁铁的磁铁板，或者至少在局部具有可通过磁铁吸引的磁性体的磁性体板的任一个所形成的板。

在上述成膜工序中，使用溅射法、蒸镀法或气相生长法(CVD法)等气相成膜法(干式成膜法)，或者喷墨法、糊料印刷法、转印法等来进行成膜，利用这些任一个成膜法来在电子器件的外表面上形成外部构造体。

另外，本发明的电子器件是具有包含一个以上的电气功能元件部并具有互相邻接相交的两个以上的外表面的电子器件主体、以及遍及上述外表面中的至少两个外表面上连续地在上述电子器件主体的外表面所具有的外部构造体的电子器件，其特征在于，上述外部构造体在上述互相邻接的外表面所相交的角部没有界面。

如上所述，以往在遍及互相相交的多个外表面形成外部构造体(例如电极)的场合，需要对各面分别进行成膜，但是在这种外部构造体中，在该相交的面的角部可看到界面(对第一面成膜的外部构造体的膜部分与对邻接于该第一面的第二面成膜的外部构造体的膜部分的边界)。如已经所述，这种界面的存在使电阻增大，或者这种角部与平面分比较容易受到外力和内部应力，因此从外部构造体的机械接合强度这一点上也不理想。

从而，在本发明的电子器件中，做成在邻接的外表面相交的电子器件主体的角部，外部构造体不具有界面的构造。由此，可提高该外部构造体的电气特性及机械接合强度。而且，这种遍及多个外表面具有没有界面的外部构造体的电子器件，通过使用上述本发明的制造方法或掩模装置可容易制作。

另外，所谓“没有界面”不仅对该外部构造体的厚度方向，而且对长度方向而言，例如在该外部构造体为层叠多个成膜层的构造的场合，在该多个成膜层之间(在外部构造体的厚度方向上)存在界面也当然没问题。再有，即使是不仅在电子器件主体的角部，而且例如在一个外表面的中间部具有界面的电子器件(例如在后述实施方式中不是从两面的同时溅射，而是分为两个工序对各面进行溅射的场合在芯片的周面形成界面)，只要在电子器件主体的角部(邻接的两个外表面的边界部)不存在界面，也是上述本发明所说的电子器件，包含在本发明中。

另外，上述所谓“电气功能元件部”是指起到某种电气(或电磁)功能的部分，例如意味着构成感应器或电容器、电阻及其他从动元件功能的部分，或者具有如晶体管那样的能动元件功能的构成部分，本发明的电子器件具有一个以上实现这些电气功能的元件部。

根据本发明，对于设在电子器件的外表面上的外部构造体，可以在多个面上同时形成该构造体而减少制造工序数。而且，对于该外部构造体，可实现机械、电气上良好的接合状态。再有，在掩模装置的内腔内容易容纳电子器件，可可靠地进行定位而形成准确的位置、形状的电极。

通过以下本发明的实施方式的说明，本发明的其他目的、特征及优点将更加明确。而且，本发明并不局限于下述实施方式，对本领域技术人员来说可以在本发明所记载的范围内进行各种变更。另外，在各图中，相同的符号表示相同或相当部分。

附图说明

图1是表示使用本发明的第一实施方式的掩模装置形成了端子电极的芯片(电子器件)的立体图。

图2是概念地表示上述第一实施方式的掩模装置的一部分(相当于贯通开口一个的部分，在以下附图中也相同)的分解立体图。

图3是放大表示上述第一实施方式的掩模装置所具有的基准隔板和偏置隔板的立体图。

图4A是概念地表示上述第一实施方式的掩模装置(向内腔内装填芯片时的状态)的俯视图。

图4B是图4A的X-X剖视图。

图4C是图4A的Y-Y剖视图。

图5A是概念地表示上述第一实施方式的掩模装置(成膜时的状态)的俯视图。

图5B是图5A的X-X剖视图。

图5C是图5A的Y-Y剖视图。

图6A是表示上述第一实施方式的掩模装置(向内腔内装填芯片时的状态)的俯视图。

图6B是表示上述第一实施方式的掩模装置(成膜时的状态)的俯视图。

图7是表示使用本发明的掩模装置形成了端子电极的其他芯片的立体图。

图8是表示使用本发明的第二实施方式的掩模装置形成了端子电极的芯片的主体图。

图9是概念地表示上述第二实施方式的掩模装置的分解立体图。

图10A是概念地表示上述第二实施方式的掩模装置(向内腔内装填芯片时的状态)的俯视图。

图10B是图10A的X-X剖视图。

图10C是图10A的Y-Y剖视图。

图11A是概念地表示上述第二实施方式的掩模装置(成膜时的状态)的俯视图。

图11B是图11A的X-X剖视图。

图11C是图11A的Y-Y剖视图。

图12是表示上述第二实施方式的掩模装置的变形例的剖视图。

图13是表示使用本发明的掩模装置形成了端子电极的另一种芯片的立体图。

图14A～图14G是概念地依次表示上述实施方式的掩模装置所具有的基准隔板及偏置隔板的制造方法的工序图。

图15是表示本发明的电子器件的一例的剖视图。

图16A是表示使用基于本发明的掩模装置而在外表面上形成了电极的电子器件的一例的立体图。

图16B是表示使用基于本发明的掩模装置而在外表面上形成了电极的电子器件的其他一例的立体图。

图16C是表示使用基于本发明的掩模装置而在外表面上形成了电极的电子器件的另一个例的立体图。

具体实施方式

第一实施方式

图1表示使用本发明的第一实施方式的掩模装置形成了端子电极的电子器件(芯片)。如该图所示，第一实施方式的掩模装置，在芯片1的两端部可分别同时(一次成膜工序)通过溅射而形成从芯片1的顶面1a到端面(宽度方向的一对侧面)1e、1f及底面1b连续的端子电极2A、2B。

图2是概念地表示本实施方式的掩模装置的分解立体图，图3是放大表示包含于该掩模装置的基准隔板和偏置隔板的立体图，图4A～图4C是分别表示该掩模装置的芯片装填时的状态的俯视图、X-X剖视图、Y-Y剖视图，图5A～图5C是分别表示该掩模装置的成膜时的状态的俯视图、X-X剖视图、Y-Y剖视图，图6A及图6B是说明该掩模装置的整体结构的概念图。

如这些图所示，第一实施方式的掩模装置11具有：容纳芯片1并保持它的掩模基体12；以及分别在该掩模基体12的正面和背面配置的图形掩模(掩模板)13、13a。而且，在图形掩模13、13a的表面(上述图形掩模13的上面及下部图形掩模13a的下面)上，分别设有支撑这些图形掩模13、13a的加强板(未图示)。

另外，这些图2～图5是概念地放大表示本装置(图形掩模13、13a、掩模基体12等)的一部分(芯片2个份的容纳部分，内腔两个部分)的图(对图8～图12所示的后述第二实施方式也相同)，在本实施方式的装置11中，在掩模基体12上形成可分别一个个容纳多个芯片1的多个(例如数百到数千)内腔25，而且于这些各内腔25对应而在图形掩模13、13a上也设置多个成膜开口10，从而可一次对多个芯片1进行成膜处理。

在图形掩模13、13a上设有与要形成的电极2A、2B的形状对应的形状的开口10，更具体地说，设有与用于形成向内腔25内的容纳状态下的芯片1的上面(端面1e、1f)的电极形成部分2a和芯片1的周面(顶面1a及底面1b)的电极部分2b、2c的成膜槽26对应的开口(成膜开口)10，通过该成膜开口10并利用溅射而形成电极膜2A、2B。而且，如前面已经说明，成膜的方法不限于溅射，可使用其他气相成膜法(例如蒸镀法或CVD法)和喷墨法、糊料印刷法、转印法等。另外，为了不堵住该成膜开口10，在上述加强板(未图示)上也设置开口。

掩模基体12包括多张(在该实施方式中为2张)基准隔板14a、多张(在该实施方式中为2张)偏置隔板14b、以及多张(在该实施方式中为3张)中间隔板15、16，利用这些隔板14～16可包围芯片1的周围(两侧面1b、1c，底面1b及顶面1a)。另外，层叠了各隔板14～16的高度(掩模基体12的高度)与芯片1的长度方向的长度1(参照图1)一致，在内腔25(后述)内以竖立的状态容纳芯片1，然后覆盖上面的图形掩模13，则芯片1被上下两图形掩模13、13a夹持而在垂直方向上被固定。

在该实施方式中，基准隔板14a和偏置隔板14b以其各1张作为一组(以下，将这种由基准隔板14a和偏置隔板14b构成的组称为“定位隔板对”或简称为“隔板对”)，将2组定位隔板对14分别配置在掩模基体12的上端部和下端部，利用这些2组隔板对14将芯片1相对图形掩模13、13a进行定位。构成各隔板对14的基准隔板14a和偏置隔板14b在上下方向上邻接层叠。

另外，该隔板对14虽然在该实施方式中由1张基准隔板14a和1张偏置隔板14b构成，但是包含于该隔板对14的基准隔板14a及偏置隔板14b的张数并不特别限定，基准隔板14a和偏置隔板14b中的任一方或双方也可以是2张以上。而且，可以将隔板对14设置1组，或者设置3组以上。

基准隔板14a利用贯通该掩模装置11的定位销(参照图6A、图6B)在上述图形掩模13、13a之间以固定水平方向的相对位置的方式设置。而且，在基准隔板14a和偏置隔板14b上设有贯通该隔板14a、14b的贯通开口20，在该贯通开口20的内侧设置用于形成内腔25的内腔形成部21、22。内腔形成部21、22具有互相正交的两个内侧面并具有大致L字形的平面形状，而且从贯通开口20的一侧边缘向开口内水平突出。

另一方面，与上述基准隔板14a邻接层叠的偏置隔板14b，如图6A及图6B所示，例如通过长孔32与上述定位销31配合，从而使上述定位销31贯通掩模基体12，在层叠各隔板14～16的状态(图形掩模13、13a和基准隔板14a关于水平方向相对固定的状态)下也能使其水平方向移动地设置。

若更具体地说明该偏置隔板14b的移动方向，就是将通过后述偏置隔板14b的内腔形成部22的两内侧面形成的角部靠近基准隔板14a的基准角部28的方向(内腔25的对角线方向)。换言之，在基准隔板14a的内腔形成部21所具有的两个内侧面23、24中的一个内侧面(第一内侧面)23和与该内侧面相对的偏置隔板14b的内腔形成部22所具有的两个内侧面33、34中的一个内侧面(第一内侧面)33互相靠近，而且，基准隔板14a的内腔形成部21所具有的两个内侧面23、24中的另一个内侧面(第二内侧面)24和与该内侧面24相对的偏置隔板14b的内腔形成部22所具有的两个内侧面33、34中的另一个内侧面(第二内侧面)34互相靠近的方向上，偏置隔板14b可移动地进行设置。

另外，偏置隔板14b也具有与基准隔板14a相同的贯通开口20，并具有在贯通开口20内形成内腔25的内腔形成部22。不过，该偏置隔板14b的内腔形成部22，从贯通开口20的与上述基准隔板14a的内腔形成部21相反的一侧的侧边缘向贯通开口20内水平突出，与基准隔板14a的内腔形成部21成对，具有反L字形的平面形状以形成具有大致方形的水平断面形状的内腔25。即，由向贯通开口20的内方互相相对地突出的一对内腔形成部21、22(支撑在基准隔板14a上的内腔形成部21和支撑在偏置隔板14b上的内腔形成部22)，在贯通开口20内形成容纳芯片1的内腔25。

在该实施方式中，在一个贯通开口20上设置2组(2对)内腔形成部21、22，形成两个内腔25。内腔25(内腔形成部21、22)的设置数量，除了本例之外，可以对每一个贯通开口设置一个(1组)，也可以设置3组以上的内腔形成部21、22并具有三个以上的内腔25。而且，在该场合，与内腔25的设置数量对应而适当变更贯通开口20的大小即可(对后述第二实施方式也相同)。

基准隔板14a的内腔心肠部21和偏置隔板14b的内腔形成部22具有相同的厚度(高度)尺寸。而且，配置在上面侧的基准隔板14a的内腔形成部21，其上面与该基准隔板14a的上面为同一面，从而基准隔板14a的上面作为整体是平坦的，而在贯通开口20内向下方突出，其下面与配置在基准隔板14a的下面的偏置隔板14b的下面为同一面。

另一方面，配置在下面侧的偏置隔板14b的内腔形成部22，其下面与该偏转隔板14b的下面为同一面(从而偏置隔板14b的下面作为整体是平坦的)，而在贯通开口20内向上方突出，其上面与配置在该偏置隔板14b的上面的基准隔板14a的上面为同一面。从而，该隔板对14所具有的基准、偏置两隔板14a、14b的内腔形成部21、22配置在相同的高度位置上，如后所述，在内腔25内使芯片1水平移动并保持在内腔25内时，可以从相同的高度稳定地夹持芯片1的周围。

而且，该说明关于设在掩模基体12的上端侧的隔板对14(将基准隔板14a配置在上侧，将偏置隔板配置在下侧)的，对于设在掩模基体12的下端部侧的上述隔板对14，与此相反，将偏置隔板14b配置在上侧，将基准隔板14a配置在下侧，因此在上述说明中两隔板的关系(向内腔形成部21、22的上下的突出方向)相反。不过，很显然起到与上述隔板对完全相同的功能。

基准隔板14a的内腔形成部21，如上所述具有L字形的平面形状，从而具有互相正交的两个内侧面23、24，而这些内侧面23、24成为相对图形掩模13、13a(成膜开口)对芯片1进行定位(关于水平方向)的基准面(第一基准内面及第二基准内面)，由这些基准面23、24形成的角部28成为基准角部。通过利用上述定位销31来固定这些基准面23、24及基准角部28与图形掩模13、13a的成膜开口10的相对位置关系，可在内腔25内相对图形掩模13、13a对芯片1进行定位。

另外，在该基准角部28上形成有在内腔形成部21的全高范围内延伸(从上面到下面)的圆筒状的切口槽27。若设置这种切口槽27，即使在隔板的制作时该基准角部28呈圆形(钝)，或在芯片1的定位时芯片1的拐角没有准确形成或附着混入物(杂质)的情况下，也可以将芯片1的拐角容纳在切口槽27内，并且在第一基准内面23和第二基准内面24上可靠地按压芯片1的周围，因此可以现故地图形掩模13、13a准确地对芯片1定位。另外，对于后述偏置隔板14b的内腔形成部22，也由于同样的理由，在由两个内侧面33、34形成的角部设有同样的切口槽27。

再有，基准隔板14a的内腔形成部21和偏置隔板14b的内腔形成部22，为了在移动了偏置隔板14b的芯片1的定位状态下也不互相抵接，而在两内腔形成不21、22之间设有间隙S(参照图5A)。若设有这种间隙S，则例如在内腔形成部21、22的形成精度误差和芯片1的外形上产生波动的场合，也可以防止产生在芯片1的定位操作时内腔形成部21、22彼此接触而妨碍芯片1的定位的情况，可以将芯片1可靠地按压在基准隔板14a的上述基准内面23、24上而相对图形掩模13、13a准确定位。

在基准隔板14a和偏置隔板14b所具有的一对内腔形成部21、22的内侧面23、24、33、34上，以互相相对方式分别设有成膜槽26。这些成膜槽26用于使通过成膜开口10侵入掩模装置内的溅射材料蔓延到容纳在内腔25内的芯片1的周面(顶面1a侧及底面1b侧)而在各周面1a、1b上形成与端面1e、1f连续的电极膜2a、2b，上端(对于掩模基体下端的隔板对是下端，以下相同)开放并与图形掩模13(或13a)的成膜开口10连通，另一方面在内腔形成部21、22的高度方向上延伸到内腔形成部21、2的中间部(遍及与该芯片顶面1a及底面1b的电极部分2b、2c的长度对应的长度)，并且下端(对于掩模基体下端的隔板对是上端，以下相同)封闭(有底)。

中间隔板15、16为填埋掩模基体上端的定位隔板对14与掩模基体下端的定位隔板对14的间隙，并包围芯片1的周围而设置，各中间隔板15、16具有用于与上述定位隔板对14(基准隔板14a及偏置隔板14b)一起形成容纳芯片1的内腔25的贯通开口30、40。设在这些中间隔板15、16上的贯通开口30、40，若是不影响芯片1的装填及定位操作的大小的开口，其形状就不特别限定。具体来讲，若比芯片装填时(偏置隔板14b的移动操作前)由上述隔板对14形成的内腔开口大，而且俯视为由该隔板对14形成的内腔开口包含于其内侧地进行配置的开口，则其形成也不限。另外，代替这些中间隔板15、16的任一个或全部，也可以将上述基准隔板14a和偏置隔板14b设在掩模基体12的中间部。

芯片的装填、定位操作

若要在掩模装置11内装填芯片1，在将下面的加强板(未图示)和图形掩模13a、及掩模基体12(基准隔板14a、偏置隔板14b及中间隔板15、16)重叠测组装的状态下在内腔25内放入芯片1，然后，安装上面的图形掩模13和加强板(未图示)。此时，如图4A～图4C及图6A所示，偏置隔板14b处于内腔25开口较大的上述第一水平位置，可相对内腔25容易插入芯片1。

而且，在内腔25内装填芯片1之后，如图5A～图5C及图6B所示，使偏置隔板14b向上述第二水平位置水平移动，以使偏置隔板14b的内腔形成部22接近基准隔板14a的内腔形成部21(参照图4A～4C、图6A的箭头A)。于是，芯片1被偏置隔板14b的内侧面33、34按压而在内腔25内水平移动，并与基准隔板14a的两基准面23、24抵接而正好容纳在基准角部28。在该定位结束的状态下，芯片1被基准隔板14a的内腔形成部21和偏置隔板14b的内腔形成部22夹住而被阻止水平方向的移动，从而在相对图形掩模13、13a的成膜开口10定位的状态下在内腔25内关于水平方向被固定。

并且在该固定状态下，定位隔板对14(基准隔板14a的内腔形成部21和偏置隔板14b的内腔形成部22)从相同的高度位置夹住芯片1，并且在芯片1的上下两端部分别设有该定位隔板对14，因此可以无倾斜且稳定地使芯片1水平方向移动并相对上下面的图形掩模13、13a保持。

并且，在芯片1的定位结束后，若覆盖上面的图形掩模13和加强板，则芯片1被夹持在上下两图形掩模13、13a之间而芯片1关于垂直方向也保持在内腔25内。

另外，在掩模装置11上设置可紧固掩模装置整体(由上下两图形掩模13、13a及各隔板14～16构成的掩模基体)的多根贯通螺栓(未图示)。这是因为，如上所述，通过将芯片1装填在内腔25内并覆盖上面的图形掩模13及加强板之后用该贯通螺栓紧固掩模装置整体，从而将图形掩模13、13a和各隔板14～16成为一体化，相对图形掩模13、13a可靠地保持芯片1。

另外，固定图形掩模13、13a和各隔板14～16的方法，除了这种贯通螺栓以外还可以使用其他固定方法。而且，上述贯通螺栓还可以兼作将基准隔板14a定位于图形掩模13、13a上的上述定位销31。另外，上述贯通螺栓及定位销31的设置数量及位置并不特别限定。

图形掩模13、13a及各隔板14～16，也可以由磁铁或金属磁性体形成，并且这些大致交替层叠。这是因为，通过磁力使图形掩模13、13a与隔板14之间、及各隔板14～16之间密合。而且，在根据磁力的密合力过于强大的场合，通过在图形掩模13、13a或隔板14～16上适当设置贯通孔，或者不将板整体由磁铁或磁性体构成，而是在其局部上设置磁铁或磁性体板，则可以控制磁力及根据磁力的吸附力。

要将图形掩模13、13a和各隔板14～16做成金属磁性体板，将它们例如由以铁(Fe)为主体的金属板(例如各种Fe合金或SUS430等)形成，并且在此蚀刻加工成膜开口10和贯通开口20、内腔形成部21、22即可(对于基准隔板14a及偏置隔板14b的制作方法在后面叙述)。另外，要做成磁铁板，在该蚀刻加工之后，对这些金属磁性体再进行磁化即可。并且，即使是非磁性体板(例如非磁性的不锈钢板等)，只要对它电镀磁性体材料(例如Ni)也可以作为上述磁性体板使用，将它再进行磁化则可以作为磁铁板使用。另外，这些图形掩模13、13a和各隔板14～16还可以利用电铸法或析出法来制作。

另外，在将上述图形掩模13、13a及各隔板14～16由磁铁板构成的场合，还可以用保护膜覆盖它们。若设置这种保护膜，则可以防止由于掩模装置11的反复使用而是该磁铁板欠缺，而且该碎片附着在芯片1上或混入到形成的电极内的情况。作为该保护膜，设置例如Ni或Cr膜即可。

再有，图形掩模13、13a及各隔板14～16的构成材料除了上述以外，还可以使用例如在Cu上施加了镀Ni的板或Ni板、在Ni板的表面上配置了SUS的板、在Ni板的表面上形成了热固性树脂(例如氟或聚酰亚胺等)的表面层的板等各种材料。

另外，根据具有与本实施方式相同的结构的掩模装置，如图7所示，还可以在芯片1的侧面1c、1c(长度方向的一对侧面)侧形成同样的端子电极3A、3B。即，在根据该变形例的装置中，以使掩模基体整体的厚度与芯片1的端面1e、1f的宽度尺寸w一致的方式，将基准隔板14a和偏置隔板14b，以及根据需要将中间隔板也一起层叠，并且将内腔2的开口尺寸和图形掩模13、13a的成膜开口10、成膜槽26的形状、尺寸，做成与将芯片侧面1c、1d配置成上下的图7所示的芯片1的姿势对应即可。根据这种装置，可以将在芯片1的顶面1a、侧面1c(或1d)及底面1b的范围内连续的电极3A、3B形成于芯片1的两侧面部。

第二实施方式

图8是表示使用本发明第二实施方式的掩模装置而形成了端子电极的芯片的图。如该图所示，第二实施方式的掩模装置，可以在芯片1的两端面部和两侧面部，同时通过溅射而形成分别从芯片1的顶面1a遍及端面1e、1f或侧面1c、1d及底面1d连续的端子电极2A、2B、3A、3B。

图9是概念地表示第二实施方式的掩模装置的分解立体图，图10A～图10C分别是表示该掩模装置的芯片装填时的状态的俯视图，X-X剖视图、Y-Y剖视图，图11A～图11C分别是表示该掩模装置的成膜时的状态的俯视图、X-X剖视图、Y-Y剖视图。

如这些图所示，本实施方式的掩模装置51也与上述第一实施方式同样，具有容纳芯片1并保持它的掩模基体12和分别配置在该掩模基体12的正面和背面上的图形掩模53、53a，掩模基体12具有相对图形掩模53、53a固定了相对位置的基准隔板14a、以及在芯片装填时的上述第一水平位置与相对图形掩模53、53a对芯片1进行了定位的上述第二水平位置之间可进行水平移动的偏置隔板14b。

不过，在本实施方式的掩模装置51中，由于将芯片1保持为水平(顶面1a和底面1b朝向上下)，因此为了按照该芯片1的容纳姿势(高度)正好保持它并且可包围芯片1的周面(侧面1c、1d和端面1e、1f)，而将构成掩模基体12的隔板的设置数量设置为与上述第一实施方式不同。具体来讲，由1组定位隔板对14(1张基准隔板14a和1张偏置隔板14b)构成掩模基体12。

另外，设在基准隔板14a和偏置隔板14b的各内腔形成部21、22上的成膜槽56，与要形成的端子电极数(该例的场合为4个)对应，对基准隔板14a的内腔形成部21的各内侧面23、24各一个，对偏置隔板14b的内腔形成部22的各内侧面33、34各一个，对一个内腔25一个，共设有4个。

再有，这些成膜槽56，为了与上面的图形掩模53所具有的成膜开口50和下面的图形掩模53a所具有的成膜开口50的双方连通，做成从内腔形成部21、22的上面到下面(在内腔形成部21、22的全高范围内)延伸的贯通槽。这是因为，从配置在掩模基体12的上下两面上的图形掩模53、53a的成膜开口50分别使溅射材料侵入成膜槽56内，形成连接芯片顶面1 a的电极部分2b、3b和芯片底面1b的电极部分2c、3c的端面电极2A、2B及侧面电极3A、3B。

图形掩模53、53a、基准隔板14a及偏置隔板14b，与上述第一实施方式同样，也可以磁铁板和磁性体板交替层叠的方式由磁铁板或磁性体板的任一种形成。

向掩模装置51的芯片1的装填及定位操作与上述第一实施方式相同。如图10A～10C所示，从偏置隔板1b处于第一水平位置的状态下，向内腔25装填芯片1并覆盖上面的图形掩模53后，如图11A～图11C所示，使偏置隔板14b向第二水平位置滑动，并相对图形掩模53、53a对芯片1进行定位即可。基准隔板14a的内腔形成部21与芯片1的4个周面(两端面1e、1f及两侧面1c、1d)中的邻接的两个芯片周面(一个端面1e或1f和一个侧面1c或1d)抵接，并且偏置隔板14b的内腔形成部22与邻接的其他两个周面(另一个端面1f或1e和另一个侧面1d或1c)抵接，从而使芯片1保持在内腔25内。

图12是表示第二实施方式的变形例的掩模装置的图，如该图所示，可以将基准隔板14a和偏置隔板14b构成为较薄并将它们设置2张以上。再有，通过变更图形掩模53的成膜开口50，还可以同时形成如图13所示的例如连接端子电极2A、2B彼此的配线4。

再有，图15是表示本发明的电子器件的一例的剖视图。如该图表示，电子器件1具有电极201(第一层201a及第二层201b)，该电极201遍及基础基板(电子器件主体)1A的多个外表面1a、1e(或1f)、1b连续，而且尤其在电子器件主体1A的角部C没有界面。具有这种电极201的电子器件1，若使用上述实施方式或或基于本发明的同样的掩模装置，就可以容易制作。另外，图15所示的电子器件1具有遍及芯片1的顶面1a、端面1e、1f及底面1b(三个外表面)的电极201，但该无界面的电极201可以设在邻接的两个外表面上，也可以形成于4个以上的外表面上。对于形成的外表面，除了该例之外还可以形成于各种面上。

再有，图16A～图16C是举例说明使用基于本发明的掩模装置而在外表面上形成了电极的芯片的图，如这些图所示，在基于本发明制作的芯片的电极(外部构造体)上，有时具有利用成膜槽进行成膜的芯片周面的电极部分202a的侧边缘不是笔直垂直形成而形成为锥形的侧边缘。这是因为，在制作隔板(成膜槽)的场合，成膜槽的槽宽度在高度方向上不成为一定宽度(成膜槽的内面垂直陡立)，成膜槽的形状容易成为锥形。尤其在隔板的厚度尺寸大的场合，而且利用蚀刻法形成成膜槽的场合这种倾向更大，从而在使用该掩模装置形成的周面电极202a也显示出于该成膜槽的锥形状对应的锥形的侧边缘。而且，在图16A～图16C中，符号202b、202c表示通过图形掩模的成膜开口进行了成膜的芯片上下面的电极部分。

并且，这种锥形的侧边缘，根据隔板层叠张数和锥形的成膜槽的方向(是向上方扩大或还是向下方扩大)等而表现出各种形状类型。例如，掩模基体由1组隔板对构成的上述第二实施方式那样，一个成膜槽不采用由多张隔板形成的形成的成膜槽在垂直方向连接的方式，而是仅由简单地形成为1张隔板的(1根)成膜槽形成的场合，如图16A所示，成为在该电极部分202a的全高范围内连续的(直线状的)锥边缘。

另外，根据隔板的层叠张数和锥形的成膜槽的方向等，如图16B～图16C所示，其一部分成为锥形，或锥形的开度(角度)和方向不同的多个锥形侧边缘在上下方向连接的形状等，有时看到除了这些图16A～16C所示的例子以外，还有各种类型的锥形侧边缘。另外，对于周面电极部分不遍及芯片周面的全高而是延伸到途中的电极(例如图1的周面电极部分2b、2c)，也由于同样的理由，在通过成膜槽进行成膜的芯片周面的电极部分上，也可以看到锥形的侧边缘。

隔板的制造方法

本第二实施方式及上述第一实施方式的隔板(基准隔板14a及偏置隔板14b)，例如可如下制作。

参照图14A～14G，首先，为了制作电铸上述隔板14a、14b的母型，对涂敷了抗蚀剂102的不锈钢板101的表面上(图14A)进行曝光及显影而通过抗蚀剂102生成内腔形成部21、22的图形之后(图14B)，使Cu电镀生长而在不锈钢板101的表面上形成Cu膜103(图14C)。然后，在该Cu膜103上涂敷抗蚀剂104并进行曝光、显影，从而将用该抗蚀剂104在Cu膜103的表面上形成贯通开口20的图形(图14D)。

然后，将此作为母型，析出构成隔板14a、14b的Ni105，并通过电铸形成具有内腔形成部21、22的隔板14a、14b(图1 4E)。若除去抗蚀剂104，并剥离母型101、103，就完成具有内腔形成部21(或22)的隔板14a(或14b)(图14G)。

使用掩模装置的电子器件的制造

将使用上述第一实施方式及第二实施方式的掩模装置制造芯片的工序的一例依次说明如下。

(1)在集合基板的各芯片形成区域形成规定的功能元件，通过切割(切断)做成各个芯片之后，将它们洗净、干燥，然后状态到第一或第二实施方式的掩模装置的内腔内，相对图形掩模对芯片进行定位。

(2)从掩模装置的上下两面通过反溅射对表面进行清洁之后进行溅射照射，从芯片的上下两面侧进行成膜，在形成了端子电极(基底电极)后，从掩模装置取出芯片。而且，在该成膜工序中，从两面进行溅射，在可减少工序及形成在上下面及周面上连续的电极膜这方面比较好，但也可以像在从一个面(例如上面)进行溅射后从另一个面(例如下面)进行溅射那样，分为两次进行成膜处理(例如使用只能从一个面侧进行溅射的装置的场合等)。并且，在该场合也最好在通过反溅射对表面进行清洁之后进行溅射照射。再有，通过成膜槽26、56并利用溅射材料的蔓延而形成的芯片周面的电极部分，与对置在图形掩模的成膜开口10、50上的芯片上下面的电极部分比较，存在电极厚度薄的倾向。然而，只要成膜厚度(溅射时间、量)设定为芯片周面的电极部分所需的厚度，就没问题可同时形成电极。

(3)将芯片洗净干燥后，从上述基底电极通过筒镀电镀生长而形成成为端子电极的主体部分的导体膜(例如Cu膜)。

(4)在该导体膜的表面上，为了提高焊锡润湿性而同样通过筒镀形成电极表面层(例如Ni膜及Sn膜)。

(5)最后，通过将芯片1洗净干燥而完成该电子器件。

综述本发明及上述实施方式的效果如下。

(1)由于可减少电极形成的工序数，因此可提高电子器件的生产率，并降低制造成本。

(2)由于可用根据同时成膜的连续的膜来形成遍及芯片的多个面的电极，因此可以减少电极的内部电阻而提高该电子器件的电气特性，并且可稳定并强化接合部的密合强度。

(3)可以将芯片容易装填到内腔内并对图形掩模准确定位，并可提高电极的形状、尺寸精度。

(4)还可以同时形成配线和电极。另外，在上述是实施方式中，对一个周面形成了一个电极，但是若改变图形掩模的成膜开口和内腔形成部所具有的成膜槽的数量和形状，显然可改变端子电极的数量和形状等，例如在一个周面上形成两个以上电极也可以，或者在各周面和顶面、底面上形成不同的形状和数量的电极也可以。

Claims

1.一种掩模装置，具有：

包括一张以上的隔板并具有可容纳电子器件的内腔的掩模基体；以及

配置在该掩模基体的上面及下面的任意一方或双方上，并具有与要形成在上述电子器件的外表面上的外部构造体的形状对应的形状的成膜开口，而且可通过该成膜开口对上述电子器件的外表面有选择性地进行成膜而形成上述外部构造体的掩模板，其特征在于，

上述内腔具有与上述电子器件的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，从而可包围容纳在内部的上述电子器件的周围，

并且在上述内腔的内面具有与上述成膜开口连通的成膜槽，由此，可与上述电子器件的成膜状态下的上面及下面的任一方或双方同时在该电子器件的成膜状态下的周面上形成上述外部构造体。

2.根据权利要求1所述的掩模装置，其特征在于，

上述掩模基体具备具有形成上述内腔的内腔形成部并在该掩模基体的厚度方向层叠的至少包含第一隔板及第二隔板的2张以上的隔板，

通过这些2张以上的隔板的内腔形成部来形成上述内腔，并且这些内腔形成部的一个以上具有上述成膜槽，

上述第一隔板及第二隔板中的任一个，成为由上述内腔形成部具有在内腔内沿水平方向对上述电子器件进行定位时成为基准且互相相交而形成基准角部的第一基准内面和第二基准内面，而且在与上述掩模板之间固定了相对位置的基准隔板，

上述第一隔板及第二隔板中的另一个，成为沿水平方向可滑动地配置并将容纳在上述内腔内的电子器件通过用内腔形成部推进而使其在内腔内水平移动的偏置隔板，

通过使该偏置隔板从内腔中心部向上述基准角部的方向移动，将上述电子器件按压在由上述第一基准内面和第二基准内面形成的上述基准角部，将该电子器件相对上述掩模板进行定位。

3.根据权利要求1所述的掩模装置，其特征在于，

上述成膜槽具有与要形成在上述电子器件的成膜状态下的周面上的外部构造体的长度对应的深度。

4.根据权利要求2所述的掩模装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的掩模装置，其特征在于，

在上述掩模基体的上面及下面具有上述掩模板，

上述成膜槽是与配置在该掩模基体的上面及下面的两掩模板的各成膜开口连通且贯通上述掩模基体的槽。

6.根据权利要求2所述的掩模装置，其特征在于，

在上述掩模基体的上面及下面具有上述掩模板，

7.根据权利要求1所述的掩模装置，其特征在于，

上述第一隔板及上述第二隔板都具有：

在上述掩模基体的厚度方向重叠的板状的隔板主体部；以及

贯通该隔板主体部的贯通开口，

而且，通过配置成上述内腔形成部向上述贯通开口的形成区域内突出，从而在上述贯通开口内形成内腔。

8.根据权利要求2所述的掩模装置，其特征在于，

上述第一隔板及第二隔板都具有：

在上述掩模基体的厚度方向重叠的板状的隔板主体部；以及

贯通该隔板主体部的贯通开口，

9.根据权利要求7所述的掩模装置，其特征在于，

上述第一隔板及第二隔板，都具有两个以上上述内腔形成部，并且通过配置成这两个以上内腔形成部向同样的上述贯通开口的形成区域内突出，从而在上述贯通开口内形成两个以上的上述内腔。

10.根据权利要求8所述的掩模装置，其特征在于，

11.根据权利要求7所述的掩模装置，其特征在于，

向上述贯通开口的形成区域内突出并与容纳在内腔内的电子器件的周面抵接的上述内腔形成部的侧面，相对上述第一隔板及上述第二隔板具有大致相同的高度尺寸，而且配置在大致相同的高度位置。

12.根据权利要求8所述的掩模装置，其特征在于，

13.根据权利要求9所述的掩模装置，其特征在于，

14.根据权利要求10所述的掩模装置，其特征在于，

15.根据权利要求1～14中任一项所述的掩模装置，其特征在于，

上述掩模板及上述隔板，由至少在局部具有磁铁的磁铁板，或者至少在局部具有可通过磁铁吸引的磁性体的磁性体板的任一个形成。

16.根据权利要求1～14中任一项所述的掩模装置，其特征在于，

由上述磁铁板或磁性体板的任一个形成上述掩模板和上述隔板，使得磁性体板和磁铁板可交替层叠。

17.根据权利要求15所述的掩模装置，其特征在于，

还具有覆盖上述磁铁的保护膜。

18.根据权利要求16所述的掩模装置，其特征在于，

还具有覆盖上述磁铁的保护膜。

19.一种电子器件的制造方法，包括：

在包含1张以上的隔板且具有可容纳电子器件的内腔的掩模基体的该内腔内容纳电子器件的电子器件装填工序；

将具有与要形成在上述电子器件的外表面上的外部构造体的形状对应的形状的成膜开口的掩模板配置在上述掩模基体的上面及下面的任一方或双方上的掩模设置工序；以及

通过上述成膜开口对上述电子器件的外表面有选择性地进行成膜而形成上述外部构造体的成膜工序，

其特征在于，

上述内腔具有可包围容纳在内部的上述电子器件的周围的与上述电子器件的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，并且在其内面具有与上述成膜开口连通的成膜槽，

在上述成膜工序中，将构成上述外部构造体的材料通过上述成膜开口供给上述内腔内，从而在容纳于该内腔内的电子器件的上面及下面的任一方或双方和该电子器件的周面上同时形成上述外部构造体。

20.根据权利要求19所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在上述电子器件装填工序与上述成膜工序之间，还包括通过使容纳在上述内腔内的电子器件在内腔内水平移动而相对上述掩模板进行定位的部件定位工序。

上述掩模基体具备具有形成上述内腔的内腔形成部且在该掩模基体的厚度方向层叠的至少包含第一隔板及第二隔板的2张以上的隔板，由这些2张以上的隔板的内腔形成部来形成上述内腔，并且这些内腔形成部的至少一个以上具有上述成膜槽，

在上述部件定位工序中，通过使上述偏置隔板从内腔中心部向上述基准角部的方向移动，将上述电子器件按压在由上述第一基准内面和第二基准内面形成的上述基准角部，将该电子器件定位于上述掩模板上。

21.根据权利要求19所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

作为上述掩模板及上述隔板，使用由至少在局部具有磁铁的磁铁板，或者至少在局部具有可通过磁铁吸引的磁性体的磁性体板的任一个形成的板。

22.根据权利要求20所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

23.根据权利要求19～22中任一项所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在上述成膜工序中，使用气相成膜法、喷墨法、糊料印刷法以及转印法的任一种在上述电子器件的外表面上进行成膜。

24.一种电子器件，具有：包含一个以上的电气功能元件部并具有互相邻接相交的两个以上的外表面的电子器件主体；以及

遍及上述外表面中的至少两个外表面连续地在上述电子器件主体的外表面所具有的外部构造体，其特征在于，

上述外部构造体在上述互相邻接的外表面相交的角部没有界面。