CN101178939B

CN101178939B - 移位寄存器及预充电电路

Info

Publication number: CN101178939B
Application number: CN2007101987449A
Authority: CN
Inventors: 陈忠君
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2007-12-12
Filing date: 2007-12-12
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2027-12-12
Also published as: CN101178939A

Abstract

本发明公开了一种移位寄存器及预充电电路，该预充电电路包含接收模块、启动模块及重置模块。接收模块根据一控制信号接收该预充电电路所接收的驱动信号并输出给该启动模块。启动模块用以于接收到该驱动信号时，输出一预充电信号。重置模块耦接于该接收模块与该启动模块之间，用以接收一重置信号以重置该预充电信号。本发明的预充电电路不会受到工艺影响，使得利用本发明的预充电电路的移位寄存器能够有较佳的驱动力。

Description

移位寄存器及预充电电路

技术领域

本发明涉及一种移位寄存器及其预充电电路；尤其涉及一种具有更稳定的预充电电位的移位寄存器及其预充电电路。

背景技术

请参考图1。图1为现有技术以N型金氧半(metal-oxide-semiconductor；MOS)晶体管工艺的移位寄存器的示意图。如图所示，移位寄存器100包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路110、致能控制器120及三个开关Q_N2、Q_N3、Q_N4移位寄存器100的输入端I用以接收前一级移位寄存器的驱动信号，输出端0则用以输出移位寄存器100的驱动信号。致能控制器120包含开关Q_N10及反相器INV₁。开关Q_N10的第一端耦接于输入端I，其控制端用以接收频率信号CLK，开关Q_N10用以根据频率信号CLK将其第一端耦接于其第二端。反相器INV₁的输入端耦接于开关Q_N10的第二端，其输出端耦接于节点N，用以将输入端I上所接收的信号反向后输出至节点N。预充电电路110包含开关Q_N1。开关Q_N1的控制端耦接于输入端I，其第一端耦接于输入端I，其第二端则耦接于节点Z，用以将输入端I上的信号传送至节点Z以对节点Z预充电。开关Q_N2的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于节点Z，其第二端则耦接于输出端O。开关Q_N3的控制端耦接于节点Z，其第一端用以接收频率信号XCK，其第二端则耦接于输出端O。频率信号XCK于高准位时电压为7.5伏特(在此设定高准位电压为V_DD)，于低准位时电压为0伏特。上述高准位电压与低准位电压可依照使用者需求予以设定。在此以高准位电压为7.5伏特与低准位电压为0伏特为范例。开关Q_N4包含控制端耦接于节点N，其第一端耦接于电压源V_SS(在此设定电压V_SS为0伏特)，其第二端则耦接于输出端O。另外，由于移位寄存器100采用N型金氧半晶体管工艺，因此开关Q_N1～Q_N4、Q_N10皆为N型金氧半晶体管。另外，频率信号CLK与XCK互为反相信号。

请参考图2，图2为图1所示移位寄存器100的时序图。如图所示，当输入端I接收到前一级移位寄存器的驱动信号时(电位提升至电压V_DD，时间长度为半个频率信号XCK)，前一级的驱动信号分别经由预充电电路110传送至节点Z和经由致能控制器120传送至节点N；此时，频率信号XCK的前半周期为低准位。由于预充电电路110由开关Q_N1(N型金氧半晶体管)所构成，因此节点Z的电位将会被降低一个开关Q_N1的源一漏极电压V_DS；在此情况下电压V_DS为开关Q_N1的临界电压V_TH1(在此设定临界电压V_TH1为2.5伏特)。因此，此时节点Z的电位为5伏特(V_DD-V_TH1)。致能控制器120由开关Q_N10与反相器INV₁所构成，因此节点N将由原本的电压V_DD下降至电压0，并维持在一个频率信号XCK的周期。由于此时节点N的电位为0，由图可知开关Q_N2与Q_N4将被关闭。在频率信号XCK的后半周期(频率信号XCK的电压维持在高准位)内，开关Q_N1、Q_N2、Q_N4都为关闭状态，因此在节点Z上的电荷便无消散途径。由于开关Q_N3在其第一端与控制端间有寄生电容C₁，因此在当开关Q_N3的第一端上的频率信号XCK的电压由低准位上升至高准位时，节点Z的电位亦会被再提升一个电压V_DD而成为12.5伏特(2V_DD-V_TH1＝2×7.5-2.5)。因此，便可将开关Q_N3导通而使输出端O的电位被拉升至电压V_DD(7.5伏特)以作为移位寄存器100的驱动信号。的后当节点N的电压再度上升至电压V_DD时，开关Q_N2与Q_N4被导通，而才将输出端O的电压下拉至电压V_SS(0伏特)。

由上述可知，当移位寄存器100输出驱动信号时，节点Z的电位为(2V_DD-V_TH1)，输出端O的电位为V_DD，因此开关Q_N3的栅-源极电压V_GS应为5伏特(2V_DD-V_TH1-V_DD＝V_DD-V_TH1＝7.5-2.5)。然而，移位寄存器100的输出端O的驱动能力与开关Q_N3的栅-源极电压V_GS有关(电压V_GS越大则驱动能力越强)，且工艺的因素会造成开关的临界电压V_TH有所变动，因此根据上式得出的电压V_GS(V_DD-V_TH1)也会随之变动，进而影响移位寄存器100的驱动能力。

请参考图3，图3为现有技术以P型金氧半晶体管为主的移位寄存器200的示意图。如图所示，移位寄存器200包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路210、致能控制器220及三个开关Q_P2、Q_P3、Q_P4。移位寄存器200的输入端I用以接收前一级移位寄存器的驱动信号，移位寄存器200的输出端O用以输出移位寄存器200的驱动信号。致能控制器220包含开关Q_P10及反相器INV₂。开关Q_P10的第一端耦接于输入端I，其控制端用以接收频率信号XCK，开关Q_P10用以根据频率信号XCK将其第一端耦接于其第二端。反相器INV₁的输入端耦接于开关Q_P10的第二端，其输出端耦接于节点N，用以将输入端I上所接收的信号反向后输出至节点N。预充电电路210包含开关Q_P10。开关Q_P10的控制端耦接于输入端I，其第一端耦接于输入端I，其第二端耦接于节点Z，用以将输入端I上的信号传送至节点Z以对节点Z预充电。开关Q_P2的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于节点Z，其第二端则耦接于输出端O。开关Q_P3的控制端耦接于节点Z，其第一端用以接收频率信号CLK，其第二端则耦接于输出端O。频率信号CLK于高准位时电压为V_DD(在此设定电压V_DD为7.5伏特)，于低准位时电压为0。开关Q_P4的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于电压源V_DD(在此设定电压V_DD为7.5伏特)，其第二端则耦接于输出端O。另外，由于移位寄存器200为P型金氧半晶体管工艺，因此开关Q_P1～Q_P4及Q_P10都为P型金氧半晶体管。

请参考图4，图4为图3所示移位寄存器200的时序图。如图所示，当输入端I接收到前一级移位寄存器的驱动信号时(电位由V_DD下降至0，维持半个频率信号CLK周期的长度)，前一级的驱动信号经由预充电电路210传送至节点Z；前一级的驱动信号经由致能控制器220传送至节点N，此时频率信号CLK的前半周期为高电位，电压为V_DD。由于预充电电路210由开关Q_P1(P型金氧半晶体管)所构成，因此节点Z的电位将会被提升一个开关Q_P1的源-漏极电压V_DS，于此情况下电压V_DS为开关Q_P1的临界电压V_TH2(设临界电压V_TH2为2.5伏特)。因此，此时节点Z的电位为2.5伏特(V_DD-V_DD+V_TH2)。致能控制器120由开关Q_P10与反相器INV₂所构成，因此节点N将由原本的电压0上升至V_DD，并维持一个频率信号CLK的周期的长度。由于此时节点N的电位为V_DD，由图可知开关Q_P2与Q_P4将被关闭。在频率信号CLK的后半周期(频率信号CLK的电压维持在0伏特)内，开关Q_P1、Q_P2、Q_P4都为关闭状态，因此在节点Z上的电荷便无消散途径。由于开关Q_P3在其第一端与控制端间有寄生电容C₂，因此在当开关Q_P3的第一端上的频率信号CLK的电压由V_DD下降至0时，节点Z的电位也会被再下拉一个电压V_DD而成为-2.5伏特(V_TH1-V_DD＝2.5-5)。因此，便可将开关Q_P3导通而使输出端O的电位被下拉至0伏特以作为移位寄存器200的驱动信号。之后当节点N的电压再度下降至0伏特时，开关Q_p2与Q_p4被导通，而才将输出端O的电压提升至V_DD。

由上述可知，当移位寄存器200输出驱动信号时，节点Z的电位为(-V_DD+V_TH2)，输出端0的电位为0伏特，因此开关Q_P3的栅-源极电压V_GS应为-5伏特(-V_DD+V_TH2-O＝-7.5+2.5)。然而，移位寄存器200的输出端O的驱动能力与开关Q_P3的栅-源极电压V_GS有关(电压V_GS越大则驱动能力越强)，且工艺的因素会造成开关的临界电压V_TH变动，因此根据上式得出的电压V_GS(-V_DD+V_TH2)也会随之变动，进而影响了移位寄存器200的驱动能力。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种移位寄存器及预充电电路，以解决现有技术中预充电电路的移位寄存器驱动力差的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种预充电电路。该预充电电路包含输入端、输出端、接收模块、启动模块以及重置模块。该输入端用以接收驱动信号。该输出端用以输出预充电信号。该接收模块包含输入端、控制端及输出端。该接收模块的输入端耦接于该预充电电路的输入端，用以接收该驱动信号。该接收模块的控制端用以接收一控制信号。该接收模块的输出端于该接收模块接收到该控制信号时，传送该驱动信号。该启动模块，耦接于该接收模块的该输出端与该预充电电路的输出端之间，用以于接收到该驱动信号时，输出该预充电信号。该重置模块，耦接于该接收模块的该输出端与该启动模块之间，用以接收重置信号以重置该预充电信号。

而且，为实现上述目的，本发明另提供一种移位寄存器。该移位寄存器包含输入端、输出端、致能控制器、预充电电路、第一开关、第二开关及第三开关。该输入端用以接收第一驱动信号。该输出端用以输出一第二驱动信号。该致能控制器耦接于该移位寄存器的输入端，用以于接收到该第一驱动信号时，输出致能信号。该致能信号为该第一驱动信号的反相。该预充电电路包含输入端、输出端、接收模块、启动模块及重置模块。该预充电电路的输入端耦接于该移位寄存器的输入端，用以接收该第一驱动信号。该预充电电路的输出端用以输出预充电信号。该预充电电路的接收模块包含输入端、控制端及输出端。该预充电电路的接收模块的输入端耦接于该预充电电路的输入端，用以接收该第一驱动信号。该预充电电路的接收模块的控制端用以接收控制信号。该预充电电路的接收模块的输出端，于该接收模块接收到该控制信号时，传送该第一驱动信号。该预充电电路的启动模块耦接于该预充电电路的接收模块的输出端与该预充电电路的输出端之间，用以于接收到该第一驱动信号时，输出该预充电信号。该预充电电路的重置模块，耦接于该预充电电路的接收模块的输出端与该预充电电路的启动模块之间，用以接收重置信号以重置该预充电信号。该第一开关包含第一端、控制端及第二端。该第一开关的第一端用以接收一频率信号。该第一开关的控制端，耦接于该预充电电路的输出端，用以接收该预充电信号。该第一开关的第二端，耦接于该移位寄存器的输出端，用以于该第一开关接收到该预充电信号时，耦接于该第一开关的第一端。该第二开关包含第一端、控制端及第二端。该第二开关的第一端，耦接于一第一电压源。第二开关的控制端，耦接于该致能控制器的输出端，用以接收该致能信号。第二开关的第二端，耦接于该移位寄存器的该输出端，用以于该第二开关接收到该致能信号时，耦接于该第二开关的第一端。该第三开关包含第一端、控制端及第二端。该第三开关的第一端，耦接于该预充电电路的输出端。该第三开关的控制端，耦接于该致能控制器的输出端，用以接收该致能信号。该第三开关的第二端，耦接于该移位寄存器的输出端，用以于该第三开关接收到该致能信号时，耦接于该第三开关的第一端。

综上所述，本发明的预充电电路不会受到工艺影响，使得利用本发明的预充电电路的移位寄存器能够有较佳的驱动力。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为现有技术以N型金氧半晶体管制作的移位寄存器的示意图；

图2为图1的移位寄存器的时序图；

图3为现有技术以P型金氧半晶体管制作的移位寄存器的示意图；

图4为图3所示移位寄存器的时序图；

图5为本发明移位寄存器第一实施例的示意图；

图6为图5所示移位寄存器的时序图；

图7为本发明移位寄存器第二实施例的示意图；

图8为本发明移位寄存器第三实施例的示意图；

图9为本发明移位寄存器第四实施例的示意图；

图10为本发明移位寄存器第五实施例的示意图；

图11为本发明移位寄存器第六实施例的示意图。

其中，附图标记：

100、200、500、700、800、900、1000、1100：移位寄存器

110、210、510、710、810、910、1010、1110：预充电电路

120、220：致能控制器

511、711、811、911、1011、1111：接收模块

512、712、812、912、1012、1112：启动模块

513、713、813、913、1013、1113：重置模块

V_DD、V_SS：电压源

C₁～C₅：电容

INV₁、INV₂：反相器

R₁、R₂：重置信号

E₁、E₂：控制信号

O：输出端

I：输入端

Z、J、N：节点

Q_N1～Q_N9、Q_N10：N型金氧半晶体管

Q_P1～Q_P9、Q_P10：P型金氧半晶体管

具体实施方式

请参考图5。图5为本发明移位寄存器第一实施例的示意图。移位寄存器500以N型金氧半晶体管为例。如图所示，移位寄存器500包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路510、致能控制器120及三个开关Q_N2、Q_N3、Q_N4。移位寄存器500的输入端I用以接收前一级移位寄存器的驱动信号，移位寄存器500的输出端O用以输出移位寄存器500的驱动信号。致能控制器120包含开关Q_N10及反相器INV₁。开关Q_N10的第一端耦接于输入端I，其控制端用以接收频率信号CLK，开关Q_N10用以根据频率信号CLK将其第一端耦接于其第二端。反相器INV₁的输入端耦接于开关Q_N10的第二端，其输出端耦接于节点N，用以将输入端I上所接收的信号反向后输出至节点N。预充电电路510包含接收模块511、启动模块512、重置模块513及节点J。开关Q_N2的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于节点Z，其第二端则耦接于输出端O。开关Q_N3的控制端耦接于节点Z，其第一端用以接收频率信号XCK，其第二端则耦接于输出端O。频率信号XCK于高准位时电压为V_DD(在此设定电压V_DD为7.5伏特)，于低准位时电压为0。开关Q_N4的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于电压源V_SS(在此设定电压V_SS为0伏特)，其第二端则耦接于输出端O。

接收模块511包含开关Q_N5。开关Q_N5的控制端用以接收控制信号E₁，其第一端耦接于输入端I，其第二端则耦接于节点J。当开关Q_N5接收到控制信号E₁时，开关Q_N5的第二端将耦接于开关Q_N5的第一端，用以将输入端I上的信号传送至节点J。

启动模块512包含开关Q_N6。开关Q_N6的控制端耦接于节点J，用以接收经由接收模块511传送来的信号，其第一端耦接于电压源V_DD，其第二端则耦接于节点Z。当开关Q_N6接收经由接收模块511传送来的信号时，开关Q_N6的第二端将耦接于开关Q_N5的第一端而提升节点Z的电位至电压V_DD。

重置模块513包含开关Q_N7。开关Q_N7的控制端用以接收重置信号R₁，其第一端耦接于电压源V_SS，其第二端耦接于节点J。当开关Q_N7接收到重置信号R₁时，开关Q_N7的第二端将耦接于开关Q_N5的第一端而将节点J的电位下拉至V_SS，进而使启动模块512的开关Q_N6关闭而停止提升节点Z的电位。

移位寄存器500以N型金氧半晶体管为例，因此开关Q_N2～Q_N7、Q_N10都为N型金氧半晶体管。

请参考图6。图6为图5所示移位寄存器500的时序图。如图所示，当输入端I接收到前一级移位寄存器的驱动信号时(电位提升至V_DD，并维持半个频率信号XCK的长度)，前一级的驱动信号分别经由预充电电路510传送至节点Z以及经由致能控制器120传送至节点N，此时频率信号XCK的前半周期为低电位，电压为0。此时，预充电电路510中，接收模块511的开关Q_N5因为控制信号E1而将前一级的驱动信号传送至节点J。由于开关Q_N5为N型金氧半晶体管，因此节点J的电位将会被降低一个开关Q_N5的源-漏极电压V_DS，于此情况下电压V_DS为开关Q_N5的临界电压V_TH5(在此设定临界电压V_TH5为2.5伏特)。因此，此时节点J的电位为5伏特(V_DD-V_TH5)。启动模块512的开关Q_N6因为节点J的电位上升而导通，而将节点Z的电位提升至V_DD。节点Z的电位能于此时被提升至V_DD是因为开关Q_N6由于在节点J与Z之间有寄生电容C₃，而当节点Z的电压上升至V_DD时，会对电容C₃充电而使得节点J的电位再上升至电压(V_DD+V_TH6)，如此便能保持开关Q_N6导通而节点Z的电位维持在V_DD。致能控制器120由反相器INV₁所构成，因此节点N将由原本的V_DD下降至电压0，并维持一个频率信号XCK的周期的长度。由于此时节点N的电位为0，由图可知开关QN₂与Q_N4将被关闭。在频率信号XCK的后半周期(频率信号XCK的电压维持在V_DD)内，开关Q_N1、Q_N2、Q_N4都为关闭状态，因此于节点Z上的电荷便无消散途径。由于开关Q_N3在其第一端与控制端间有寄生电容C₁，因此在当开关Q_N3的第一端上的频率信号XCK的电压由0上升至V_DD时，节点Z的电位也会被再提升一个电压V_DD而成为15伏特(2V_DD＝2×7.5)，如此便可将开关Q_N3导通而使输出端O的电位被拉升至V_DD，以作为移位寄存器500的驱动信号。之后当节点N的电压再度上升至V_DD时，开关Q_N2与Q_N4被导通，而才将输出端O的电压下拉至V_SS。重置模块513也于此时接收重置信号R₁，将开关Q_N7导通，并且把节点J的电位下拉，进而关闭启动模块512的开关Q_N6而停止提升节点Z的电位。

重置信号R₁可为频率信号XCK的反相信号(CLK)或者为移位寄存器500的驱动信号(意即将开关Q_N7耦接于输出端O)；控制信号E₁可以用前一级移位寄存器的驱动信号(意即耦接于输入端I)或者为频率信号XCK的反相信号(CLK)。

由上述可知，当移位寄存器500输出驱动信号时，节点Z的电位为(2VDD)，输出端O的电位为V_DD，因此开关Q_N3的栅-源极电压V_GS应为7.5伏特(2V_DD-V_DD＝V_DD)。然而，移位寄存器100的输出端O的驱动能力与开关Q_N3的栅-源极电压V_GS有关，也即电压V_GS越大、驱动能力越强；因此，根据上式得出的电压V_GS(V_DD)不会受工艺关系所引起的V_TH的变动所影响，因此有高且稳定的驱动能力。

请参考图7。图7本发明移位寄存器第二实施例的示意图。移位寄存器700包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路710、致能控制器120及三开关Q_N2、Q_N3、Q_N4。预充电电路710包含接收模块711、启动模块712、重置模块713及节点J。移位寄存器700与移位寄存器500类似，不同的处在于移位寄存器700的预充电电路710中的启动模块712较启动模块512新增了电容C₄和两个开关Q_N8及Q_N9。电容C₄耦接于节点J与开关Q_N6的第二端之间。开关Q_N8的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_N6的第二端。开关Q_N9的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_N8的第二端，其第二端则耦接于节点Z。开关Q_N8和Q_N9都为N型金氧半晶体管。

请参考图8。图8为本发明移位寄存器第三实施例的示意图。移位寄存器800包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路810、致能控制器120及三个开关Q_N2、Q_N3、Q_N4。预充电电路810包含接收模块811、启动模块812、重置模块813及节点J。移位寄存器800与移位寄存器500类似，不同之处在于移位寄存器800的预充电电路810中的启动模块812较启动模块512新增了电容C₄和两个开关Q_N8及Q_N9。电容C4耦接于节点J与开关Q_N6的第二端之间。开关Q_N8的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_N6的第二端。开关Q_N9的控制端用以接收频率信号XCK的反相信号(CLK)，其第一端耦接于开关Q_N8的第二端，其第二端则耦接于节点Z。开关Q_N8、Q_N9都为N型金氧半晶体管。

请参考图9。图9为本发明移位寄存器第四实施例的示意图。移位寄存器900以P型金氧半晶体管来制作。如图所示，移位寄存器900包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路910、致能控制器220及三个开关QP2、Q_P3、Q_P4。移位寄存器900的输入端I用以接收前一级移位寄存器的驱动信号，移位寄存器900的输出端O用以输出移位寄存器900的驱动信号。致能控制器220包含开关Q_P10及反相器INV₂。开关Q_P10的第一端耦接于输入端I，其控制端用以接收频率信号XCK，开关Q_P10用以根据频率信号XCK将其第一端耦接于其第二端。反相器INV₂的输入端耦接于开关Q_P10的第二端，其输出端耦接于节点N，用以将输入端I上所接收的信号反向后输出至节点N。预充电电路910包含接收模块911、启动模块912、重置模块913及节点J。开关Q_P2的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于节点Z，其第二端则耦接于输出端O。开关Q_P3的控制端耦接于节点Z，其第一端用以接收频率信号CLK，其第二端则耦接于输出端O。频率信号CLK于高准位时电压为V_DD(在此设定V_DD为7.5伏特)，于低准位时电压为0。开关Q_P4的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于电压源V_DD，其第二端耦接于输出端O。

接收模块911包含开关Q_P5。开关Q_P5的控制端用以接收控制信号E₂，其第一端耦接于输入端I，其第二端耦接于节点J。当开关Q_P5接收到控制信号E₂时，开关Q_P5的第二端将耦接于开关Q_P5的第一端，用以将输入端I上的信号传送至节点J。

启动模块912包含开关Q_N6。开关Q_P6的控制端耦接于节点J，用以接收经由接收模块911传送来的信号，其第一端耦接于电压源V_SS，其第二端耦接于节点Z。当开关Q_P6接收经由接收模块911传送来的信号时，开关Q_P6的第二端将耦接于开关Q_P5的第一端而下降节点Z的电位至V_SS。

重置模块913包含开关Q_P7。开关Q_P7的控制端用以接收重置信号R₂，其第一端耦接于电压源V_DD，其第二端耦接于节点J。当开关Q_P7接收到重置信号R₂时，开关Q_P7的第二端将耦接于开关Q_P5的第一端而将节点J的电位降低至电压V_SS(0伏特)，进而使启动模块912的开关Q_P6关闭而停止下拉节点Z的电位。

由于移位寄存器900以P型金氧半晶体管制作，因此开关Q_P2～Q_P7和Q_P10都为P型金氧半晶体管。

移位寄存器900的相关工作原理与移位寄存器500的工作原理相似，因此不再赘述。

重置信号R₂可为频率信号CLK的反相信号(XCK)或者为移位寄存器900的驱动信号(也即将开关Q_P7耦接于输出端O)；控制信号E₂可以用前一级移位寄存器的驱动信号(也即耦接于输入端I)或者为频率信号CLK的反相信号(XCK)。

请参考图10。图10为本发明移位寄存器第五实施例的示意图。移位寄存器1000包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路1010、致能控制器220及三个开关Q_P2、Q_P3、Q_P4。预充电电路1010包含接收模块1011、启动模块1012、重置模块1013及节点J。移位寄存器1000与移位寄存器900类似，不同之处在于移位寄存器1000的预充电电路1010中的启动模块1012较启动模块912新增了电容C₅和两个开关Q_P8及Q_P9。电容C₅耦接于节点J与开关Q_P6的第二端之间。开关Q_P8的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_P6的第二端。开关Q_P9的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_P8的第二端，其第二端则耦接于节点Z。开关Q_P8和Q_P9都为P型金氧半晶体管。

请参考图11。图11为本发明移位寄存器第六实施例的示意图。移位寄存器1100包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路1110、致能控制器220及三个开关Q_P2、Q_P3、QN_P4。预充电电路1110包含接收模块1111、启动模块1112、重置模块1113及节点J。移位寄存器1100与移位寄存器900类似，不同之处在于移位寄存器1100的预充电电路1110中的启动模块1112较启动模块912新增了电容C₅和两个开关Q_P8及Q_P9。电容C₅耦接于节点J与开关Q_P6的第二端之间。开关Q_P8的控制端耦接于节点J，其第一端耦接于开关Q_P6的第二端。开关Q_P9的控制端用以接收频率信号CLK的反相信号(XCK)，其第一端耦接于开关Q_P8的第二端，其第二端耦接于节点Z。开关Q_P8和Q_P9都为P型金氧半晶体管。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims

1.一种预充电电路，适用于移位寄存器，其特征在于，该预充电电路包含：

一输入端，用以接收一驱动信号，该驱动信号为脉冲信号；

一输出端，用以输出一预充电信号；

一接收模块，包含：

一输入端，耦接于该预充电电路的输入端，用以接收该驱动信号；

一控制端，用以接收一控制信号；及

一输出端，于该接收模块接收到该控制信号时，传送该驱动信号；

一启动模块，耦接于该接收模块的该输出端与该预充电电路的输出端之间，用以于接收到该驱动信号时，输出该预充电信号，该启动模块包含一第一开关，该第一开关包含：

一第一端，耦接于该预充电电路的该输出端；

一控制端，耦接于该接收模块的该输出端，用以接收该驱动信号；

一第二端，耦接于一第一电压源，用以于该第一开关接收到该驱动信号时，耦接于该第一开关的该第一端；及

一寄生电容，耦接于该第一开关的该第一端与该第一开关的该控制端之间；及

一重置模块，耦接于该接收模块的该输出端与该启动模块之间，用以接收一重置信号以重置该预充电信号。

2.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，该重置模块包含：

一第二开关，包含：

一第一端，耦接于该接收模块的该输出端，用以接收该驱动信号；

一控制端，用以接收该重置信号；及

一第二端，耦接于一第二电压源，用以于该第二开关接收到该重置信号时，耦接于该第二开关的该第一端以重置该预充电信号。

3.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，该启动模块另包含：

一第三开关，包含：

一第一端，耦接于该第一开关的该第一端；

一控制端，耦接于该接收模块的该输出端，用以接收该驱动信号；及

一第二端，用以于该第三开关的该控制端接收到该驱动信号时，耦接于该第三开关的该第一端；及

一第四开关，包含：

一第一端，耦接于该第三开关的该第二端；

一控制端，用以接收一频率信号；及

一第二端，耦接于该预充电电路的该输出端，用以于该第四开关接收到该频率信号时，耦接于该第四开关的该第一端。

4.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，该接收模块另包含一第五开关，该第五开关包含：

一第一端，耦接该接收模块的该输出端；

一控制端，耦接于该接收模块的该控制端，用以接收该控制信号；及

一第二端，耦接于该接收模块的该输入端，用以于该第五开关接收到该控制信号时，耦接于该第五开关的该第一端。

5.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，该控制信号为该驱动信号或一频率信号。

6.根据权利要求1所述的预充电电路，其特征在于，该重置信号为一频率信号。