CN101174561A - 硅双面扩散衬底片加工方法 - Google Patents
硅双面扩散衬底片加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101174561A CN101174561A CNA2007100358952A CN200710035895A CN101174561A CN 101174561 A CN101174561 A CN 101174561A CN A2007100358952 A CNA2007100358952 A CN A2007100358952A CN 200710035895 A CN200710035895 A CN 200710035895A CN 101174561 A CN101174561 A CN 101174561A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- grinding
- diffusion
- processing method
- sided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一半，降低了单面研磨的磨削厚度，提高了研磨效率，减小了硅材料的损耗，大大降低了硅扩散衬底片的材料成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体功率器件衬底硅材料加工制作工艺，特别是一种硅双面扩散衬底片加工方法。
背景技术
硅扩散衬底片作为器件制作的主要原材料之一，它具有其它材料不可比拟的特性：工艺稳定、价格低廉，特别是在分立功率器件的应用中，硅扩散衬底片占据着绝对的材料片市场。目前，常规的扩散衬底片加工方法是采用单面减薄工艺技术，硅材料损耗大，成本高。
发明内容
本发明的目的是为了克服上述不足之处，而提供一种损耗小、成本低的硅双面扩散衬底片加工方法。
本发明的目的是这样实现的：硅双面扩散衬底片加工方法包括硅片清洗、硅片腐蚀、予扩、去磷硅玻璃、热氧化、主扩、单面研磨、抛光加工步骤，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开成两片。
本发明由于采用以上加工方法，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一半，降低了单面研磨的磨削厚度，提高了研磨效率，减小了硅材料的损耗，大大降低了硅扩散衬底片的材料成本，以4寸扩散片为例，一公斤硅材料原来只能加工出合格的扩散衬底片64片，使用本发明的方法则可获得98片。
具体实施方式
本硅双面扩散衬底片加工方法的具体加工步骤如下：
1、硅片清洗：依次使用3号液、1号液对硅片进行清洗后，再用水、氢氟酸重量比为20∶1的氢氟酸溶液将清洗后的硅片浸泡30秒。
2、硅片腐蚀：使用氢氧化钠或氢氧化钾碱腐蚀液对经浸泡的硅片进行腐蚀，去除量约8-10微米，冲洗干净并甩干后，按厚度2微米且TTV不大于5微米进行分选。
3、予扩：将分选好的硅片依次使用1号液、2号液清洗后，用水、氢氟酸重量比为20∶1的氢氟酸溶液浸泡30秒，冲洗后甩干装舟进行予扩散，予扩的工艺曲线图如下：
4、去磷硅玻璃：硅片出炉后，用水、氢氟酸重量比为5∶1的氢氟酸溶液浸泡去除表面的磷硅玻璃层，直至硅片表面脱水为止，然后冲洗甩干，测试硅片表面的方块电阻，工艺要求值为3.3±0.3Ω/□。
5、热氧化：热氧化的工艺曲线图如下：
6、主扩：将经氧化的硅片竖直装在主扩舟上，定位面方向一致朝上，连续硅片累加厚度不得超过30cm、多线加工的最大长度为30cm，必须放置一片氧化隔片，然后按下面的工艺曲线图进行主扩。
7、线切割：由于硅片经主扩后贴合在一起形成硅棒，按照硅片的厚度、硅片间的空隙大小选择适当线距的槽轮，沿厚度中心线将硅片切开，然后将相互间贴合的硅片用氢氟酸溶液进行超声分离。
8、单面研磨：由于各种因素的影响造成硅片厚度中心线间距不一致，因此，在原始硅片厚度的选择上一般都增加40微米以上的厚度来弥补这些因素产生的误差。切割分离开之后的片厚度会出现较大的误差，抛削量大，为此必须先将硅片进行单面研磨，研磨后的片厚保留量按扩散结深、高阻区宽度、抛光量计算。
9、抛光：将研磨好的硅片按标准抛光后即可。
Claims (1)
1.一种硅双面扩散衬底片加工方法，包括硅片清洗、硅片腐蚀、予扩、去磷硅玻璃、热氧化、主扩、单面研磨、抛光加工步骤，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开成两片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100358952A CN101174561A (zh) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 硅双面扩散衬底片加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100358952A CN101174561A (zh) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 硅双面扩散衬底片加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101174561A true CN101174561A (zh) | 2008-05-07 |
Family
ID=39422962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007100358952A Pending CN101174561A (zh) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | 硅双面扩散衬底片加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101174561A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102270569A (zh) * | 2011-05-20 | 2011-12-07 | 蚌埠天光传感器有限公司 | 一种半导体应变硅片成型方法 |
| CN107464753A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-12-12 | 捷捷半导体有限公司 | 一种用于二极管芯片制程中n+扩散的方法 |
| CN115241048A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-10-25 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
-
2007
- 2007-10-12 CN CNA2007100358952A patent/CN101174561A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102270569A (zh) * | 2011-05-20 | 2011-12-07 | 蚌埠天光传感器有限公司 | 一种半导体应变硅片成型方法 |
| CN107464753A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-12-12 | 捷捷半导体有限公司 | 一种用于二极管芯片制程中n+扩散的方法 |
| CN115241048A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-10-25 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
| CN115241048B (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-09 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6452743B2 (ja) | 携帯機器用カバーガラス、携帯機器用ガラス基板 | |
| CN102019582B (zh) | 8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺 | |
| CN102285010B (zh) | 一种使用金刚石线切割的太阳能级硅晶薄片及其切割方法 | |
| CN101431021B (zh) | 一种薄型硅单晶抛光片加工方法 | |
| WO2003094215A1 (fr) | Procede de fabrication de plaquettes semi-conductrices et plaquette | |
| CN104669106A (zh) | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 | |
| CN1345465A (zh) | 加工半导体晶片用的压力喷射机及方法 | |
| CN102528597A (zh) | 一种大直径硅片制造工艺 | |
| CN105014520B (zh) | 一种蓝宝石衬底片浸没式化学机械抛光方法 | |
| CN103128865A (zh) | 一种硅片切割方法 | |
| CN101656195A (zh) | 大直径硅片的制造方法 | |
| CN104842225A (zh) | 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法 | |
| CN105313234A (zh) | 一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法 | |
| CN104827592A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石衬底片的加工方法 | |
| JP2015056473A (ja) | 鏡面研磨ウェーハの製造方法 | |
| WO2001006564A1 (en) | Method for producing bonded wafer and bonded wafer | |
| JPS6296400A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| CN110314896A (zh) | 一种半导体衬底材料抛光方法 | |
| CN101174561A (zh) | 硅双面扩散衬底片加工方法 | |
| CN105161397B (zh) | 一种异形半导体晶片、制备方法及晶片支承垫 | |
| CN102837227A (zh) | 一种液体抛光单晶硅片的方法 | |
| CN105655240A (zh) | 一种蓝宝石晶片的加工方法 | |
| CN106914815B (zh) | 半导体硅片的研磨方法 | |
| CN106733876A (zh) | 一种金刚线切割的晶体硅的清洗方法 | |
| CN101556924B (zh) | 硅片键合分离方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |