CN102270569A - 一种半导体应变硅片成型方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤：先将单晶硅片切成所需厚度大片状，研磨、抛光后制作电极；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；再在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面，直至硅片沿所述的刻槽处断开为止。本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。
Description
技术领域：
本发明涉及到硅片成型领域，具体的是一种半导体应变硅片成型方法。
背景技术：
半导体应变计硅片原加工方法是将〔111〕晶向的单晶硅，用单晶硅切割机按照一定的方向切成火柴杆形状的硅条；再用腐蚀法腐蚀成一定阻值相应尺寸的硅片。这种加工方法材料利用率低，机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵。
发明内容：
本发明提供了一种半导体应变硅片成型方法，解决了原有技术存在的材料利用率低，机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵的问题。
本发明的技术方案：
半导体应变硅片成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、先将单晶硅片切成所需厚度大片状，制作电极；
（2）、按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；
（3）、在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；
（4）、使用化学材料腐蚀大片状硅片刻槽背面的表面，得到条状的硅片。
所述的步骤（1）中切厚的硅片经过研磨、抛光后再制作电极。
所述的步骤（3）中的涂复材料为稀释的沥青。
所述的步骤（4）中的化学材料为硫酸、盐酸、硝酸及其他酸性溶液中的一种或多种。
所述的步骤（4），所述的化学材料腐蚀大片状硅片时，直至硅片沿步骤（2）中所述的刻槽处断开为止。
本发明的优点：
本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。
附图说明：
图1为本发明的俯视结构示意图。
图2为图1示本发明的横向结构图。
图3为图1示本发明的纵向结构图。
具体实施方式：
半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤：先将单晶硅片切成所需厚度大片状1，研磨、抛光后制作电极2；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片1上刻槽3；再在大片状硅片1刻槽面进行涂复4稀释的沥青保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面5的表面，直至硅片沿步骤（2）中所述的刻槽3处断开为止，从而获得所需尺寸的硅片。
采用以上方法可以有效的避免原有技术材料利用率低，机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵的问题。
Claims (5)
1.一种半导体应变硅片成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）、先将单晶硅片切成所需厚度大片状，制作电极；
（2）、按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；
（3）、在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；
（4）、使用化学材料腐蚀大片状硅片刻槽背面的表面，得到条状的硅片。
2.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于：所述的步骤（1）中切厚的硅片经过研磨、抛光后再制作电极。
3.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于：所述的步骤（3）中的涂复材料为稀释的沥青。
4.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于：所述的步骤（4）中的化学材料为硫酸、盐酸、硝酸及其他酸性溶液中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于：所述的步骤（4），所述的化学材料腐蚀大片状硅片时，直至硅片沿步骤（2）中所述的刻槽处断开为止。
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- 2011-05-20 CN CN2011101307691A patent/CN102270569A/zh active Pending
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