CN101132035A - 适用于超薄型led封装的基板及其封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种适用于超薄型LED封装的基板及其封装方法。基板包含一基材及附着于基材两端的接脚装置，并分支成多个正极接脚及负极接脚。其中，接脚的宽度小于基材的高度。超薄型LED的封装方法包含将多个发光组件的正极点及负极点分别与正极接脚及负极接脚接触，并利用导电胶相互黏合。再形成一保护层，以产生一具有多个发光单元的LED封装体，最后进行切割以形成多个适用于侧放的超薄型LED。

Description

适用于超薄型LED封装的基板及其封装方法

技术领域

本发明是有关于一种超薄型LED封装基板及其封装方法，且特别是有关于一种侧放的超薄型LED。

背景技术

近年来由于PDA、手机的使用普及化，除实用目的外，已逐渐走向外型轻、薄、短、小的趋势，更强调精致外型、便于携带等优势以增加产品的竞争力。相对的，携带式电子产品的零组件的研发与改良则更加地受到重视。

表面黏着型(SMD)LED的体积较其它传统型LED小，因此目前被广泛应用于小尺寸的液晶背光源与手机的按键上，其对于质量的要求也较一般传统封装体为高。目前薄型LED的厚度约为350微米左右，由于受限于LED晶粒本身高度及对薄基板的生产能力，尚无法做出低于200微米以下之超薄型LED，造成实际应用上的限制。

由于晶粒本身具有一定的高度，故欲降低LED封装体的厚度必须缩减其它组件(例如导线架)的高度或厚度，以减少堆栈LED结构的高度。然而，将组件厚度变薄会导致其刚性变弱，容易变形、破裂，使得运输、保存不易，提高了制造或运输过程中损坏的机率，相对的成本也随之增加。

因此，需要一种封装方法，不但可形成较目前更薄的LED封装结构，更能使组件保持一定的机械强度，以确保最佳的的产品质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种超薄型LED封装的基板及其封装方法，用以改善传统LED受限于晶粒及基板本身之高度，厚度无法降低之缺点。

本发明所要解决的另一技术问题在于，提供一种超薄型LED封装的基板及其封装方法，用以解决制作超薄型LED时，薄型组件刚性不足，造成制造或运输不易，及过程中容易导致变形破裂的问题。

为达到上述目的，提出一种适用于超薄型LED封装的基板，包含一基材及二接脚装置。接脚装置至少具有附着于相互平行第一侧面的第一部，及自第一部延伸至基板顶面的第二部。其中，第二部分支成多个正极接脚及负极接脚用以承载LED发光组件，每一正极接脚对应一负极接脚，且相邻的正极接脚或负极接脚具有固定间隔。依照本发明一较佳实施例，正极接脚及负极接脚分别具有一宽度，且宽度小于基板的高度。

为更好的实现本发明的目的，提出一种超薄型LED封装体，以横向排列方式结合基板与晶粒之间，取代传统的纵向堆栈以降低厚度。

为进一步实现本发明的目的，提出一种利用上述基板结构的超薄型LED封装基板的封装方法，该封装方法叙述如下：

首先，提供多个二端各具有一正极点及一负极点的发光组件，以及上述基板结构，其两端各具有多个正极接脚及负极接脚。接着，将多个发光组件放置于基板上，并将发光组件的正极点及负极点分别与基板的正极接脚及负极接脚接触。再涂布一导电胶于两者接触处，藉由导电胶使发光组件与基板相互黏合，用以将发光组件固接于基板上。之后再在发光组件与基板之上形成一保护层，以产生一具有多个发光单元的LED封装体。最后，切割此具有多个发光单元的LED封装体，以形成多个适用于侧放的超薄型LED封装体。

超薄型LED封装体制造方式是利用预先设计成适用于侧放的LED结构，并将基板、晶粒及其它组件以纵向堆栈的方式结合后，再由纵向切割成厚度介于50～100微米之间的大小，使用时则将此LED侧放，利用接脚部分与其它基材结合即可。

依照本发明一较佳实施例，基板的材质为导热材料，发光组件为透明基板发光组件；保护层的材质为透光材质。

根据上述发明内容，与现有技术相比，可知应用本发明的超薄型LED封装体制造方法具有下例优点：

1.应用本发明的超薄型LED封装体制造方法，可以批次生产的方式制造超薄型LED，制造出的LED结构是以横向排列方式结合基板与晶粒之间，取代传统的纵向堆栈以降低厚度，因此不需使用厚度薄、刚性不佳的组件(例如薄型支架或基板)，可减少制造及运输过程中的损坏。此外，由于制造过程中仍以纵向堆栈的方式固接各组件之间，最后再切割制成，因此具有操作简易、可与现有技术衔接的优点，更可达到降低成本、提高质量的目的。

2.本发明的超薄型LED封装体的厚度约为50～100微米，远低于传统厚度为200微米以上的LED封装体，适用于超薄型电子商品的应用。

为了使本发明的构成特征、操作方法、目的及优点更加容易了解，下面结合附图和具体实施方式，进一步详细说明本发明的技术方案。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例的一种应用于制造超薄型LED的基板示意图；

图2是本发明一较佳实施例的发光组件与基板组合示意图；

图3是本发明一较佳实施例的LED封装体组合示意图；

图4是本发明一较佳实施例的切割后的LED封装体示意图；

图5是本发明一较佳实施例的超薄型LED封装体与基板连接示意图；

图6是本发明另一较佳实施例的超薄型LED封装体与基板连接示意图。

其中附图标记为：

100：基板            102：基材

104：第一侧面        105：第二侧面

106：顶面            108：底面

111：第一部          112：第二部

112a：正极接脚       113：第三部

121：第一部          122：第二部

122a：负极接脚       123：第三部

140：高度            150：宽度

200：发光组件        210：正极点

220：负极点          222：导电胶

300：保护层          310：宽度

500：基材            600：基材

具体实施方式

请参照图1，图1是本发明一较佳实施例的一种应用于制造超薄型LED的基板示意图。基板100包含一基材102、接脚装置110及接脚装置120。基材102具有相互平行的一对第一侧面104、与第一侧面垂直相交的一对第二侧面105、一顶面106及一底面108。

二接脚装置分别具有一第一部111/121、第二部112/122及第三部113/123。第一部111/121分别附着于相对的第一侧面104，第二部112/122则分别自第一部111/121延伸至顶面106，并分支成多个正极接脚112a及负极接脚122a，且每一正极接脚112a对应一负极接脚122a，且相邻的正极接脚或负极接脚具有固定间隔。其中，正极接脚112a及负极接脚122a，是用以承载发光组件；第二部112/122及第三部113/123可用以与其它基材电性连接。

其中，基材可设计为具有一高度140，正极接脚112a及负极接脚122a分别具有一宽度150，且接脚的宽度小于基材高度。

依照本发明一较佳实施例，基材102的材质为导热材料，至少包含金属、塑料、钻石镀膜、奈米碳管、陶瓷材料(例如氧化铝、氮化铝)或复合材料。

请参照图2，图2是本发明一较佳实施例的发光组件与基板组合示意图。发光组件200的一侧面二端分别具有一正极点210及一负极点220，用以电性连接基板上的接脚。依照本发明一较佳实施例，系将至少一发光组件200放置于基板100上，并将发光组件200的正极点210及负极点220分别与基板的正极接脚112a及负极接脚122a接触。并涂布一导电胶222于此二接触处，藉由导电胶222使发光组件200与基板100相互黏合，用以将发光组件200固接于基板100上。依照本发明的一较佳实施例，发光组件200的厚度是介于40～80微米之间。发光组件200可为透明基板发光组件，例如蓝宝石基板发光组件。

再参照图3，图3是本发明一较佳实施例的LED封装体组合示意图。一保护层300形成于发光组件200与基板100之上，包覆发光组件200与基板100，以产生一具有至少一发光单元的LED封装体。依照本发明的一较佳实施例，保护层的材质为一透光材质，例如高透光性树脂。其中，高透光性树脂至少包含环氧树脂、聚苯乙烯、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、压克力、硅胶或上述的任意组合。

请参照图4，图4是本发明一较佳实施例之切割后的LED封装体示意图。如图3所示的LED封装体接着被以纵向切割，形成至少一适用于侧放的超薄型LED封装体。依照本发明的一较佳实施例，纵向切割后的LED封装体的基板侧边具有一宽度310，尺寸介于50～100微米之间，且宽度310小于基板高度140。

请参照图5，图5是本发明一较佳实施例的超薄型LED封装体与基板连接示意图。将图4所示的切割后的LED封装体侧放，利用接脚部分与其它基材500(例如印刷电路板、金属基材等)结合。其中，此基材500与此侧放的超薄型LED封装体的组装方向(自基板、发光组件到保护层)呈平行关系，即利用导电胶将接脚装置的第一部111/121及第二部112/122的侧边固定于基材500上，并与基材500电性连接。值得注意的是，将切割后的LED封装体侧放时，图4所示的宽度310成为此侧放的LED封装体的厚度，即介于50～100微米之间。

请参照图6，图6是本发明另一较佳实施例的超薄型LED封装体与基板连接示意图。是将一切割后的LED封装体侧放，利用导电胶将接脚装置的第三部113/123与基材600结合。其中，此基材600与此侧放的超薄型LED封装体的组装方向(自基板、发光组件到保护层)呈垂直关系，即利用基板的第一面及第二面上的接脚边缘部分以导电胶固定于基材600上，并与基材600电性连接。此侧放的LED封装体的厚度，介于50～100微米之间。

根据上述，可知应用本发明的超薄型LED封装体制造方法具有下例优点：

首先，应用本发明之超薄型LED封装体制造方法，可以批次生产的方式制造超薄型LED，制造出的LED结构其基板与晶粒之间系以横向排列方式配置，取代传统的纵向堆栈以降低厚度，因此不需使用厚度薄、刚性不佳的组件(例如薄型支架或基板)，可减少制造及运输过程中的损坏，达到降低成本、提高质量的目的。

此外，由于制造过程中仍以纵向堆栈的方式固接各组件之间，最后再切割制成，因此具有操作简易、可与现有技术衔接的优点。

再者，本发明的超薄型LED封装体的厚度约为50～100微米，远低于传统厚度为200微米以上的LED封装体，适用于超薄型电子商品的应用。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种适用于超薄型LED封装的基板，其特征在于，至少包含：

一基材，具有相互平行的一对第一侧面、与该对第一侧面垂直相交的一对第二侧面、一顶面及一底面；

二接脚装置，分别具有：

一第一部，附着于该对第一侧面，用以与其它基材电性连接；

一第二部，自该第一部延伸至该顶面，并分支成多个正极接脚及负极接脚用以承载LED发光组件，其中每一正极接脚对应一负极接脚，且相邻的正极接脚或负极接脚具有固定间隔；

其中，该基材具有一高度，每一该些正极接脚及负极接脚分别具有一宽度，且该宽度小于该高度。

2.根据权利要求1所述的适用于超薄型LED封装的基板，其特征在于，更包含一第三部，分别自该第一部延伸至该底面。

3.根据权利要求1所述的适用于超薄型LED封装的基板，其特征在于，其中该基材的材质为导热材料。

4.根据权利要求3所述的适用于超薄型LED封装的基板，其特征在于，其中该导热材料至少包含金属、塑料、钻石镀膜、奈米碳管、陶瓷材料或复合材料。

5.根据权利要求4所述的适用于超薄型LED封装的基板，其特征在于，其中该陶瓷材料为氧化铝、氮化铝或其组合。

6.一种利用权利要求1所述的基板结构的超薄型LED封装的基板的封装方法，其特征在于，该封装方法包含：

提供多个发光组件，每一该些发光组件的二端各具有一正极点及一负极点；

放置该些发光组件在该基材上，且每一该些发光组件的该正极点及该负极点分别与该正极接脚及该负极接脚接触；

涂布一导电胶于接触处，藉由该导电胶使该些发光组件与该基板相互黏合，用以将该些发光组件固接于该基板上；

形成一保护层在该些发光组件与该基板之上，以产生一具有多个发光单元的LED封装体；以及

切割该具有多个发光单元的LED封装体，以形成多个适用于侧放的超薄型LED。

7.根据权利要求6所述的超薄型LED封装的基板的封装方法，其特征在于，其中该LED封装体的切割宽度为50～100微米。

8.根据权利要求6所述的超薄型LED封装的基板的封装方法，其特征在于，其中该发光组件为透明基板发光组件。

9.根据权利要求8所述的超薄型LED封装的基板的封装方法，其特征在于，其中该发光组件为蓝宝石基板发光组件。

10.根据权利要求6所述的超薄型LED封装的基板的封装方法，其中该保护层的材质为透光材质。

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