CN101114637B - 半导体元件封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种半导体元件封装结构,包括一载体、一第一半导体元件、一第二半导体元件、多个导电元件、一预模制材料及一上盖。该第一半导体元件系电性连接至该载体。该第二半导体元件系位于该第一半导体元件上方。这些导电元件系用以电性连接该第二半导体元件及该载体。该预模制材料系与该载体形成一容置空间以容置该第一半导体元件、该第二半导体元件及这些导电元件。该上盖系黏附于且覆盖住该预模制材料的开口。藉此,由于该预模制材料系利用灌模方式形成,因此工艺上较习知半导体元件封装结构简单。
Description
【技术领域】
本发明关于一种半导体元件封装结构,详言之,是关于一种内含预模制材料的半导体元件封装结构。
【背景技术】
参考图1,显示美国专利US6,871,231B2所揭示的习知半导体元件封装结构的剖视示意图。该习知半导体元件封装结构1包括一基板11、多个表面安装元件(SurfaceMountable Components)12及一上盖13。
该基板11具有一上表面111及一下表面112。这些表面安装元件12是微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)元件,例如一转换器(Transducer)、麦克风(Microphone)、集成电路(Integrated Circuit)或其他相类似物。这些表面安装元件12系水平排列放置,且附着于该基板11上表面111。该上盖13是一类似ㄇ字外型,且与该基板11上表面111形成一容置空间14以容置这些表面安装元件12。该上盖13系由一外盖15及一内盖16所组成,该外盖15及该内盖16皆是导电材质,且外型皆为类似ㄇ字外型。该外盖15及该内盖16的下端利用一导电黏胶17黏附于该基板11上表面111。该外盖15及该内盖16具有多个相对应的透孔18以与外界沟通。每一该透孔18包含一遮蔽层(Barrier)19,夹设于该外盖15及该内盖16之间,且用以阻隔外界的水气、杂质或光线进入该容置空间14而影响这些表面安装元件12。
该习知半导体元件封装结构1的缺点如下。首先,这些表面安装元件12系水平排列放置,因此会加大该习知半导体元件封装结构1整体的水平方向的宽度。其次,在制造过程中,该外盖15及该内盖16紧配后再黏附于该基板11上表面111,其定位不易,增加制造的困难度。
因此,有必要提供一种创新且具进步性的半导体元件封装结构,以解决上述问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种半导体元件封装结构,包括一载体、一第一半导体元件、一第二半导体元件、多个导电元件、一预模制材料(Pre-mold)及一上盖(Lid)。该载体具有一上表面。该第一半导体元件系电性连接至该载体。该第二半导体元件系位于该第一半导体元件上方。这些导电元件系用以电性连接该第二半导体元件及该载体上表面。该预模制材料系与该载体上表面形成一容置空间以容置该第一半导体元件、该第二半导体元件及这些导电元件,且该预模制材料具有一开口。该上盖(Lid)系黏附于且覆盖住该预模制材料的开口。藉此,由于该预模制材料系利用灌模方式形成,因此工艺上较习知半导体元件封装结构简单,也不会有习知该外盖及该内盖定位不易的问题。而且该预模制材料内还可以配置被动元件,这是习知该外盖及该内盖所无法达到的功能。此外,该第二半导体元件系位于该第一半导体元件上方,如此可减少该半导体元件封装结构整体的水平方向的宽度。
【附图说明】
图1显示美国专利US6,871,231B2所揭示的习知半导体元件封装结构的剖视示意图;
图2显示本发明半导体元件封装结构的第一实施例的剖视示意图;
图3显示本发明半导体元件封装结构的第二实施例的剖视示意图;
图4显示本发明半导体元件封装结构的第三实施例的剖视示意图;及
图5显示本发明半导体元件封装结构的第四实施例的剖视示意图。
【具体实施方式】
参考图2,显示本发明半导体元件封装结构的第一实施例的剖视示意图。该半导体元件封装结构2包括一载体21、一第一半导体元件22、一第二半导体元件23、多条导电元件24(如导线)、一预模制材料(Pre-mold)25及一上盖(Lid)26。该载体21具有一上表面211及一下表面212。在本实施例中,该载体21是一基板(Substrate),然而可以理解的是该载体21也可以是一导线架(Leadframe)。
该第一半导体元件22系电性连接至该载体21。在本实施例中,该第一半导体元件22是一芯片,且系以倒装芯片方式附着于该载体21上表面211。然而可以理解的是该第一半导体元件22也可以是一封装结构。
该第二半导体元件23系位于该第一半导体元件22上方。在本实施例中,该第二半导体元件23的面积系小于该第一半导体元件22,因此直接黏附位于该第一半导体元件22上方。该第二半导体元件是一微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)元件,例如一转换器(Transducer)、麦克风(Microphone)、集成电路(IntegratedCircuit)或其他相类似物。这些导电元件24系用以电性连接该第二半导体元件23及该载体21上表面211。
该预模制材料25是一环侧壁外型,利用灌模(Molding)方式形成。该预模制材料25与该载体21上表面211形成一容置空间27以容置该第一半导体元件22、该第二半导体元件23及这些导电元件24,且该预模制材料25具有一开口。该上盖26系黏附于该预模制材料25上且覆盖住该预模制材料25的开口。该上盖26具有至少一透孔261以与外界沟通。较佳地,该半导体元件封装结构2更包括多个被动元件28,位于该载体21上表面211且位于该预模制材料25内。
在该半导体元件封装结构2中,该预模制材料25系利用灌模方式形成,因此工艺上较习知半导体元件封装结构1(图1)简单,也不会有习知该外盖15及该内盖16定位不易的问题。而且该预模制材料25内还可以配置这些被动元件28,这是习知该外盖15及该内盖16所无法达到的功能。此外,该第二半导体元件23系位于该第一半导体元件22上方,如此可减少该半导体元件封装结构2整体的水平方向的宽度。
参考图3,显示本发明半导体元件封装结构的第二实施例的剖视示意图.本实施例的半导体元件封装结构3与该第一实施例的半导体元件封装结构2(图2)大致相同,其中相同元件赋予相同的编号.本实施例的半导体元件封装结构3与该第一实施例的半导体元件封装结构2(图2)不同处仅在于,该第二半导体元件23的面积系大于该第一半导体元件22,因此必须增设一间隔体(Spacer)29,该间隔体29夹设于该第一半导体元件22及该第二半导体元件23之间.
参考图4,显示本发明半导体元件封装结构的第三实施例的剖视示意图。该半导体元件封装结构4包括一载体41、一第一半导体元件42、一第二半导体元件43、多条导电元件44、一预模制材料(Pre-mold)45及一上盖(Lid)46。该载体41具有一上表面411及一下表面412。在本实施例中,该载体41是一基板(Substrate),然而可以理解的是该载体41也可以是一导线架(Leadframe)。
该第一半导体元件42系电性连接至该载体41。在本实施例中,该第一半导体元件42是一芯片,且系以倒装芯片方式附着于该载体41上表面411。然而可以理解的是该第一半导体元件42也可以是一封装结构。
该预模制材料45系利用灌模(Molding)方式形成,其具有一底部451及一环侧部452,该底部451包覆该第一半导体元件42及该载体41上表面411,该底部451具有一贯穿孔4511以暴露部分该载体41上表面411。该底部451与该环侧部452形成一容置空间47。
该第二半导体元件43系位于该容置空间47内,且可位于该预模制材料45的底部451上表面的任何位置。该第二半导体元件是一微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)元件,例如一转换器(Transducer)、麦克风(Microphone)、集成电路(Integrated Circuit)或其他相类似物。
这些导电元件44系用以穿过该底部451的贯穿孔4511而电性连接该第二半导体元件43及该载体41上表面411。该上盖46系黏附于该预模制材料45的该环侧部452且覆盖住该预模制材料45的容置空间上。该上盖46具有至少一透孔461以与外界沟通。较佳地,该半导体元件封装结构4更包括多个被动元件48,这些被动元件48位于该载体41上表面411且位于该预模制材料45的底部451内。
参考图5,显示本发明半导体元件封装结构的第四实施例的剖视示意图。本实施例的半导体元件封装结构5与该第三实施例的半导体元件封装结构4(图4)大致相同,其中相同元件赋予相同的编号。本实施例的半导体元件封装结构5与该第三实施例的半导体元件封装结构4(图4)不同处仅在于,在本实施例中,该第一半导体元件42是一芯片,黏附着于该载体41上表面411,且以打线方式电性连接至该载体41上表面411。
惟上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效,而非用以限制本发明。因此,习于此技术的人士可在不违背本发明的精神对上述实施例进行修改及变化。本发明的权利范围应如后述的申请专利范围所列。
Claims (9)
1.一种半导体元件封装结构,包括:
一载体,具有一上表面;
一第一半导体元件,电性连接至该载体;
一第二半导体元件,位于该第一半导体元件上方;
多个导电元件,用以电性连接该第二半导体元件及该载体上表面;
一预模制材料(Pre-mold),与该载体上表面形成一容置空间以容置该第一半导体元件、该第二半导体元件及这些导电元件,且该预模制材料具有一开口;及
一上盖(Lid),黏附于且覆盖住该预模制材料的开口,
其中所述预模制材料是一环侧壁外型且利用灌模方式形成,
该预模制材料(Pre-mold),具有一底部及一环侧部,该底部包覆该第一半导体元件及该载体上表面,且该底部具有一贯穿孔以暴露部分该载体上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该载体是一基板(Substrate)。
3.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该载体是一导线架(Leadframe)。
4.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该第一半导体元件是
一芯片,且以倒装芯片方式附着于该载体上表面。
5.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该第一半导体元件是一封装结构。
6.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该第二半导体元件是一微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)。
7.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,更包括多个被动元件,位于该载体上表面且位于该预模制材料内。
8.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,更包括一间隔体,夹设于该第一半导体元件及该第二半导体元件之间。
9.根据权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,该上盖具有至少一透孔。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1718532A (zh) * | 2004-07-07 | 2006-01-11 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 微镜元件封装构造 |
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