CN101114561A - 等离子显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子显示面板的保护层。在包括彼此面对地布置的第一面板和第二面板同时在该两个面板之间插入阻挡条的等离子显示面板中，该等离子显示面板进一步包括在第一面板的介电层上形成的第一保护层，以及在第一保护层上形成的第二保护层，该第二保护层包含金属氧化物，该金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

Description

等离子显示面板及其制造方法

本发明要求于2006年7月28日提交的韩国专利申请No.10-2006-0071601、于2006年7月28日提交的韩国专利申请No.10-2006-0071600以及于2007年1月29日提交的韩国专利申请No.10-2007-0008805的权利，将这些专利申请包括在此以资参考。

技术领域

本发明涉及显示设备，更具体地，涉及保护层和制造该保护层的方法。

背景技术

随着多媒体时代的到来，越来越需要能够表现接近自然色的颜色的更精致和更大的显示设备。由于现有的阴极射线管(CRT)在构建40英寸或更大的大尺寸屏幕方面有限制，液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)、投影电视(TV)等由于它们的用途扩展到高清晰度图像领域而得到快速发展。

等离子显示面板包括：具有寻址电极的下面板；具有维持电极对的上面板；以及由阻挡条限定的放电单元；每个放电单元内施加的荧光体。这里，利用例如氖气、氦气、氖气和氦气的混合气体等主要放电气体和包含少量的氙气的惰性气体来填充每个放电单元。如果在上面板和下面板之间的放电空间中发生放电，则产生真空紫外射线并将其辐射到每个放电单元的荧光体上，从而产生可见光。利用该可见光，将图像显示在屏幕上。

等离子显示面板的上面板和下面板都分别地形成有介电层，从而保护维持电极对和寻址电极。然而，当在等离子显示面板中发生放电时，上面板处形成的上介电层由于阳离子导致的冲击而损耗并消失。因此，上面板的电极具有被金属元素例如钠短路的风险。

为了解决上述问题，在上面板处提供的上介电层上形成保护层。将该保护层形成为，例如氧化镁(MgO)的涂覆层，该涂覆层具有对阳离子导致的冲击的高抗性，并具有高的二次电子放电系数。通过形成保护层，可以降低等离子显示面板所需要的驱动电压。这样的低驱动电压具有减少等离子显示面板的电力消耗以及对等离子显示面板提供改进的亮度和放电效率的优点。

然而，上述传统等离子显示面板的保护层具有以下问题。

当保护层由氧化镁制成时，保护层中可能包含杂质，从而导致抖动特性的劣化。因此，必需提供均质保护层，用于防止抖动特性的劣化。然而，传统等离子显示面板的保护层在其表面中不能避免杂质。此外，在包含杂质的保护层中，由于等离子粒子所导致的冲击，可能在保护层的表面发生细裂缝。裂缝导致保护层的寿命降低，并可能减少相对放电期间从保护层发出的二次电子的数量。

当保护层仅仅由氧化镁制成时，虽然保护层能够将二次电子的放电系数增加到一定程度，但是放电系数的增加是有限制的，并且得到的等离子显示面板具有高驱动电压和低效率的问题。

发明内容

因此，本发明针对等离子显示面板及其制造方法，它们充分避免了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。

在以下的描述中部分地阐明本发明的另外优点和特征，以及这些优点和特征在检查下文后对于本领域技术人员来说是显而易见的，并且可以从本发明的实践学到。本发明的优点可以通过在所著述的说明及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些优点并根据本发明的目的，如在这里具体实施和广泛描述的，一种等离子显示面板，其包括布置为彼此面对同时之间插入阻挡条的第一面板和第二面板，其进一步包括：第一保护层，形成在第一面板的介电层上；以及第二保护层，形成在第一保护层上，并且包含金属氧化物，该金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

根据本发明的另一方面，提供了用于制造等离子显示面板的方法，其包括：在第一面板的介电层上，淀积第一保护层；以及在第一保护层上淀积第二保护层，该第二保护层包含单晶金属氧化物，该单晶金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

根据本发明的又一方面，提供用于制造氧化镁的方法，其包括：制备镁气体；以及向该镁气体提供氧气和氩气，以形成氧化镁单晶。

应当理解，本发明的以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性的和说明性的，并意图提供对于如权利要求的本发明的进一步解释。

附图说明

本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且其被结合进并构成此申请的一部分，其说明了本发明的实施例，并和说明书一起来解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出根据本发明的等离子显示面板中包括的保护层的结构的实施例的视图；

图2是示出根据本发明的实施例的等离子显示面板中包括的放电单元的结构的透视图；

图3A和3B是示出根据本发明的等离子显示面板的表面放电电压和相对放电电压的图；

图4A是示出根据本发明的等离子显示面板的抖动特性的图；

图4B是示出构成根据本发明的等离子显示面板的保护层的金属氧化物的阴极射线发光特性的图；

图5是示出根据本发明的化学汽相淀积设备的实施例的视图；以及

图6是示出用于制造根据本发明的等离子显示面板的第二保护层的方法的实施例的流程图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的优选实施例，这些优选实施例的例子在附图中示出。在任何可能的地方，将在所有附图中使用相同的参考数字来表示相同或相似的部分。

图1是示出根据本发明的等离子显示面板中包括的保护层的结构的实施例的视图。现在，将参考图1来描述根据本发明的等离子显示面板中包括的保护层的优选实施例。

在介电层(未示出)上形成第一保护层100a。第一保护层100a由氧化镁制成，另外，第一保护层100a中可以包含掺杂剂。掺杂剂具有改善保护层中包括的二次电子的放电特性以及减少放电延迟的功能。掺杂剂可以选自由铝(Al)、铬(Cr)、氢(H₂)、硅(Si)、钪(Sc)和钆(Gd)组成的组。第一保护层100a可以具有100到1000纳米的厚度。优选地，为了最大程度地减少抖动值，第一保护层100a中包含的掺杂剂的量为百万分之20到500(也就是20到500ppm)。

在第一保护层100a上形成第二保护层100b。第二保护层100b可以包含金属氧化物。这里，金属氧化物具有这样的特征，其具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。此外，该金属氧化物具有这样的特征，其是通过对气相金属元素提供2到20sccm的氧气和0到18sccm的氩气来产生的。另外提供由金属氧化物制成的第二保护层100b原因为：虽然第一保护层100a保护介电层免于受到由阳离子导致的冲击，但是其具有在抖动特性和放电效率上的弱点。第二保护层100b可以具有100到1500纳米的厚度。金属氧化物可以具有50到1000纳米的颗粒尺寸。

这里，第二保护层100b中的金属氧化物可以是单晶氧化镁粉末或者碱或碱土金属氧化物。从下面的表1可知，包含碱或碱土金属氧化物的保护层具有比仅仅包含氧化镁的保护层更大的二次电子放电系数。

表1

淀积方法	保护层	二次电子放电系数
			电子束(E-beam)	MgO	0.33
MgO+碱金属	0.53～0.60
		溅射		MgO	0.40
MgO+碱土金属	0.56～0.62

具体的，金属氧化物可以选自由SrCaO、MgCaO、MgSrO和CsI组成的组中。构成第二保护层100b的金属氧化物可以仅仅位于部分第一保护层100a上。更具体地，该金属氧化物可以具有分布在第一保护层100a上的块状的形式。根据透明电极的图案，在第一保护层100a上使金属氧化物形成图案，从而对第一保护层100a提供不均匀的表面。因此，当等离子显示面板中发生气体放电时，在保护层的增加的表面面积上，紫外线离子与保护层碰撞，从而可以增加二次电子的放电量并可以降低放电启动电压。这因此具有提高放电效率和限制抖动特性的效果。当构成第二保护层100b的金属氧化物具有比氧化镁更大的二次电子放电系数时，可以更加增强这些效果。

构成第二保护层100b的金属氧化物可以具有基于面板中的透明电极的图案而分布的块状的形式。这里，除了保护透明电极之外，金属氧化物还具有将在等离子显示面板的放电期间由例如氙气(Xe)的放电气体所产生的具有147纳米波长的真空紫外线，转换成具有250纳米波长的紫外线的功能，从而提高等离子显示面板的亮度。

图2是示出根据本发明的实施例的等离子显示面板中包括的放电单元的结构的透视图。现在，将参考图2描述根据本发明的等离子显示面板的实施例。

根据本实施例的等离子显示面板包括上面板和下面板，这些面板被配置为彼此面对，同时在它们之间插入阻挡条。上面板包括：上基片70，其具有图像显示表面；以及维持电极对，其布置在该上基片70上，每个维持电极对由一对透明电极80a和80b以及一对总线电极80a’和80b’组成。下面板包括下基片10以及寻址电极20，该寻址电极20布置在下基片10上以与上述维持电极对交叉。将上面板和下面板彼此平行地接合，并且使得它们之间具有预定的距离。

为了形成多个放电空间也就是放电单元，将条型或井型阻挡条40彼此平行地布置在下面板上。将多个寻址电极20平行阻挡条布置，从而通过执行寻址放电来产生真空紫外线。将红、绿和蓝荧光体50a、50b和50c施加到下面板的上表面上，以在寻址放电期间发出可见光用于显示图像。在寻址电极20和荧光体50a、50b和50c之间形成下介电层30，以保护寻址电极20。

在维持电极对上形成上介电层90，以及接着，顺序地在上介电层90上形成第一保护层100a和第二保护层100b。第一和第二保护层100a和100b的详细特性如上所述。这里，虽然当放电空间中发生放电时产生阳离子，但由氧化镁等制成的第一保护层100a保护上介电层90。此外，与该放电空间接触的第二保护层100b由氧化镁等制成，以实现如上所述的放电特性的改善。

图3A和3B是示出根据本发明的等离子显示面板的表面放电电压和相对放电电压的图。图4A是示出根据本发明的等离子显示面板的抖动特性的图。图4B是示出构成根据本发明的等离子显示面板的保护层的金属氧化物的阴极射线发光特性的图。

如图3A中所示，传统等离子显示面板在大约320伏特处引起表面放电，而根据本发明的等离子显示面板在305伏特或更低处引起表面放电。并且，如图3B所示，传统等离子显示面板在大约258伏特处引起相对放电，而根据本发明的等离子显示面板在250伏特或更低处引起相对放电。因此，本发明具有降低放电启动电压的效果，从而降低等离子显示面板的电力消耗。

在下表2中示出了具有膜型保护层的传统等离子显示面板和具有金属氧化物型保护层的本发明的等离子显示面板的放电特性。

表2

	膜	金属氧化物
			表面放电	320V	303V
相对放电	258V	247V

如图4A所示，具有膜型保护层的传统等离子显示面板，具有大约2微秒的放电延迟时间，而根据本发明的等离子显示面板具有1.2微秒或者更少的放电延迟时间。这里，传统等离子显示面板的膜型保护层和根据本发明的等离子显示面板的金属氧化物型保护层的抖动特性被表示在以下的表3中。

表3

	膜	金属氧化物
			T99.9	2.265	1.115
Tf	0.600	0.785
			Tavg	0.982	0.928
Sigma	0.249	0.054
			Tsc6z	2.477	1.252

从以上表3中可以知道，膜型保护层具有稍微快些的形成时间(formative time)T_f，但是金属氧化物型保护层其他时间都更短，导致金属氧化物型保护层的总的放电延迟时间减少。通过这样的事实来实现这种抖动特性的改进，该事实为：第二保护层中包含的金属氧化物在具有300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

在下文中，将描述根据本发明的实施例的用于制造等离子显示面板的方法。本实施例的方法与具有上述结构的等离子显示面板的制造相关。

首先，在先前在上面板上形成的介电层上淀积第一保护层。这里，第一保护层可以利用从以下方法中选择的任何一个方法形成：喷射法、涂敷法、化学汽相淀积(CVD)法、电子束(E-beam)法、离子镀法、溶胶-凝胶(sol-gel)法、溅射法等等。第一保护层形成为接近介电层，以保护介电层免于由阳离子等导致的冲击。为了实现上述特性，第一保护层优选具有100到1000纳米的厚度。如果第一保护层的厚度小于100纳米，则有错误放电的风险。另一方面，如果第一保护层的厚度大于1000纳米，则可能导致制造过程和成本方面的问题。第一保护层包含氧化镁，另外可能包含上述的掺杂剂。如果添加了掺杂剂，则其具有降低寻址放电期间的抖动值的效果。然而，如果掺杂剂的含量超出预定值或更多，则可能不利地增加了抖动值。因此，优选在一定范围内进行掺杂剂的掺杂，以最大程度地减少抖动值，更优选地，在保护层中以20到500ppm的量包含有掺杂剂。

现在，将描述使用电子束(E-beam)方法淀积第一保护层。首先，制备第一源材料，作为第一保护层的构成材料。如上所述，第一源材料包括氧化镁和少量的掺杂剂，并且该掺杂剂选自由Al、Cr、H₂、Si、Sc和Gd组成的组。虽然可以将第一源材料提供为通过在氧化镁中掺杂上述掺杂剂获得的单个源材料，但是可以单独制备氧化镁和掺杂剂。接着，在高温下对上述第一源材料加热，从而通过使用物理能量在介电层上淀积第一保护层。

然后，通过使用从以下方法中选择的任何一个方法，来在第一保护层上淀积第二保护层，这些方法为喷射法、涂敷法、化学汽相淀积(CVD)法、电子束(E-beam)法、离子镀法、溶胶-凝胶法、溅射法等等。现在，将描述使用化学汽相淀积法来淀积第二保护层。该第二保护层具有这样的特征：包含单晶金属氧化物，该单晶金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。通过对气相金属元素提供2到20sccm的氧气和0到18sccm的氩气，来获得该金属氧化物。

首先，制备作为第二保护层的构成材料的第二源材料。这里，第二源材料仅仅包括氧化镁。通过使用对第二源材料进行加热所产生的流，在第一保护层上形成第二保护层。在这样的情况下，淀积氧化镁以使之具有单晶结构。利用化学汽相淀积方法，第二保护层中的氧化镁具有层和晶体的中间物理特性，并且与喷射方法等相比，能够增强第二保护层的淀积强度。

图5是示出根据本发明的化学汽相淀积设备的实施例的视图。下文中将描述根据本发明的化学汽相淀积设备的实施例。

根据本发明的化学汽相淀积设备包括腔室、温度调节器和控制器。如图5所示，腔室200包括：入口部分210，用于将源材料等注入到腔室200中；以及出口部分220，用于将源材料等排放到外部。并且，虽然图5中未示出，腔室200设有问题调节器，用于调节腔室200的内部问题，以及控制器，用于调节腔室200中运载气体和反应气体的流速。

在将形成有第一保护层100a的等离子显示面板的上面板放置到上述腔室200中之后，经由化学汽相淀积方法形成第二保护层100b。在这样的情况下，将运载气体、反应气体、前体和源材料注入到腔室200中。源材料为例如金属醇盐(metal-alkoxide)，以便于氧化镁晶体的生长。运载气体可以是氮气或氢气，而反应气体可以是氧气、氢气、氮气和氩气的任何一种。

在用于在第一保护层上形成第二保护层的过程中，在第一保护层上形成晶核产生位点，并从每个晶核生长氧化镁单晶。每个氧化镁单晶具有不规则的形状，并因此整个保护层具有不均匀的表面。在这样的情况下，第二保护层优选具有100到1500纳米的厚度。为了满足上述特性，优选通过控制器来调节运载气体和反应气体的流速，以及通过温度调节器来调节腔室的内部温度。

可以利用液相淀积方法而不是化学汽相淀积方法来淀积上述第二保护层。在下文中，将描述使用液相淀积方法来淀积第二保护层。

首先，将描述使用碱或碱土金属氧化物形成第二保护层。

首先，如图6所示，通过预混合溶剂、分散剂和单晶金属氧化物粉末来制备第二保护层液体(S410)。金属氧化物可以是碱或碱土金属氧化物。这里，1到10wt％的单晶金属氧化物粉末与90到99wt％的溶剂和分散剂混合。溶剂可以是醇、多元醇或二醇、丙二醇醚(propylene glycol ether)、丙二醇乙酸酯、酮、丁基卡必醇醋酸酯(butylcarbitol acetate，BCA)、二甲苯、萜品醇(terpineol)、texanol、水或它们的混合物。分散剂可以是丙烯、环氧树脂、聚氨酯(urethane)、丙烯酸聚氨酯(acrylic urethane)、醇酸树脂、聚酰胺聚合物(poly amidpolymer)、聚羧酸或它们的混合物。

接着，制备的第二保护层液体经受研磨处理(S420)。这里，通过研磨机来执行第二保护层液体的研磨。

第二保护层液体的制备在2000到4000rpm下持续1到10分钟。第二保护层液体的研磨在6000到10000rpm下持续10到60分钟。通过搅拌预定的时间(例如，一个小时)来使混合，并且使用超声分布器(distributor)使溶剂、分散剂和单晶金属氧化物粉末经受超声分布，从而形成第二保护层液体。

接着，通过从以下方法中选择的任一种将研磨的第二保护层液体施加到第一保护层的整个表面上(S430)，这些方法为喷涂方法、刮棒涂敷(bar coating)方法、丝网印刷方法以及绿片方法(green sheetmethod)。然后，施加到第一保护层上的第二保护层液体被干燥和烧制(S440)，从而形成第二保护层(S450)。这里，基于溶剂类型，在100到200摄氏度的温度下执行干燥，并且在400到600摄氏度的温度下执行烧制。从而，包括单晶金属氧化物粉末的颗粒以块的形式不规则地保留在第一保护层的整个表面上，从而形成第二保护层。

在下文中，将描述经由淀积单晶氧化镁粉末来形成第二保护层的过程。

首先，预混合溶剂、分散剂和单晶氧化镁(MgO)纳米粉末，从而制备第二保护层液体(S410)。这里，将1到20wt％的单晶氧化镁纳米粉末与80到99wt％的溶剂和分散剂混合。溶剂可以是醇、多元醇或二醇、丙二醇醚、丙二醇乙酸酯、酮、丁基卡必醇醋酸酯(BCA)、二甲苯、萜品醇、texanol、水或它们的混合物。分散剂可以是丙烯、环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、醇酸树脂、聚酰胺聚合物、聚羧酸或它们的混合物。

接着，通过搅拌预定的时间(例如，一个小时)来混合溶剂、分散剂以及单晶氧化镁纳米粉末，并且使用超声分布器使得溶剂、分散剂以及单晶氧化镁纳米粉末经受超声分布，从而形成第二保护层液体。接着，第二保护层液体经受研磨处理(S420)。这里，通过研磨机来执行第二保护层液体的研磨。接着，通过从以下方法任选的一种方法来将研磨的第二保护层液体施加到第一保护层上(S430)，这些方法为丝网印刷法、散布法、光刻法以及油墨喷射法。

将施加到第一保护层上的第二保护层液体进行干燥和烧制(S440)，从而形成第二保护层(S450)。这里，基于溶剂的类型，在100到200摄氏度的温度下执行干燥，并且在400到600摄氏度的温度下执行烧制。从而，包括单晶金属氧化物纳米粉末的颗粒，以块的形式保留在第一保护层的预定位置上，从而形成第二保护层。

除了上述的保护层形成过程之外的其他过程与传统等离子显示面板制造方法中包括的相同。

首先，在通过处理玻璃来制备上基片之后，在上基片上形成两透明电极(ITO)，并且接着，在各个电极的特定位置上淀积作为辅助电极的总线电极，以形成放电单元维持电极。接着，在以上的电极上形成上介电层，以及接着，顺序地在介电层上形成第一保护层和第二保护层。

下基片的制造包括：在玻璃基片上形成寻址电极的操作；形成用于保护寻址电极的下介电层的操作；在下介电层的上表面上形成阻挡条从而将放电单元彼此分开的操作；以及在阻挡条之间形成用于发出图像显示所需可见光的荧光层的操作。

接着，将密封材料施加到形成有寻址电极的下基片上，以将下基片结合到上基片。以这样的方法，完成等离子显示面板的制造。

对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在本发明中进行多种修改和变化而不偏离本发明的精神和范围。因此，本发明意图覆盖落在所附权利要求和它们的等效物的范围之内的本发明的修改和变化。

Claims (29)

1.一种等离子显示面板，其包括彼此面对地布置的第一面板和第二面板同时在该两个面板之间插入阻挡条，其进一步包括：

第一保护层，其形成在所述第一面板的介电层上；以及

第二保护层，其形成在所述第一保护层上，并包含金属氧化物，该金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

2.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中通过对气相金属元素提供2到20sccm的氧气和0到18sccm的氩气，形成所述金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述金属氧化物是单晶氧化镁粉末。

4.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中放电延迟时间是1.2微秒或更小。

5.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中表面放电启动电压是305伏特或更小，而相对放电启动电压是250伏特或更小。

6.根据权利要求3所述的等离子显示面板，其中在所述第一保护层的一部分上形成所述单晶氧化镁粉末。

7.根据权利要求3所述的等离子显示面板，其中所述单晶氧化镁粉末具有分布在所述第一保护层上的块的形式。

8.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述金属氧化物是碱或碱土金属氧化物。

9.根据权利要求8所述的等离子显示面板，其中所述金属氧化物从由SrCaO、MgCaO、MgSrO和CsI组成的组中进行选择。

10.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述金属氧化物是具有50到1000纳米的颗粒尺寸的粉末。

11.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述第一保护层具有100到1000纳米的厚度。

12.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述第二保护层具有100到1500纳米的厚度。

13.根据权利要求1所述的等离子显示面板，其中所述金属氧化物具有比氧化镁更大的二次电子放电系数。

14.一种用于制造等离子显示面板的方法，其包括：

在第一面板的介电层上淀积第一保护层；以及

在所述第一保护层上淀积第二保护层，该第二保护层包含单晶金属氧化物，该单晶金属氧化物具有在300到500纳米的波长范围内的最大阴极射线发光值。

15.根据权利要求14所述的方法，其中通过汽相淀积来形成所述单晶金属氧化物。

16.根据权利要求15所述的方法，其中通过对汽相金属元素提供2到20sccm的氧气和0到18sccm的氩气来形成所述单晶金属氧化物。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二保护层的淀积包括：

对溶剂、分散剂和单晶碱或碱土金属氧化物粉末进行预混合，来制备第二保护层液体；

研磨该第二保护层液体；以及

将该研磨的第二保护层液体施加在所述第一保护层上，并对该第二保护层液体进行干燥和烧制。

18.根据权利要求17所述的方法，其中通过将1到10wt％的单晶碱或碱土金属氧化物粉末与90到99wt％的溶剂和分散剂进行混合，来制备所述第二保护层液体。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述溶剂是醇、多元醇或二醇、丙二醇醚、丙二醇乙酸酯、酮、丁基卡必醇醋酸酯(BCA)、二甲苯、萜品醇、texanol、水或它们的混合物。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述分散剂是丙烯、环氧树脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、醇酸树脂、聚酰胺聚合物、聚羧酸或它们的混合物。

21.根据权利要求17所述的方法，其中通过从以下方法中选择的任一种方法来执行所述第二保护层液体的施加，这些方法为喷涂方法、刮棒涂敷方法、丝网印刷方法以及绿片方法。

22.根据权利要求17所述的方法，其中在100到200摄氏度的温度下对所述第二保护层液体进行干燥，并且在400到600摄氏度的温度下对该第二保护层液体进行烧制。

23.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二保护层的淀积包括：

对溶剂、分散剂以及单晶氧化镁纳米粉末进行预混合，以制备第二保护层液体；

研磨该第二保护层液体；以及

将研磨的第二保护层液体施加在所述第一保护层上，并对该第二保护层液体进行干燥和烧制。

24.根据权利要求23所述的方法，其中通过将1到20wt％的单晶氧化镁纳米粉末与80到99wt％的溶剂和分散剂进行混合，来制备所述第二保护层液体。

25.根据权利要求23所述的方法，其中通过将混合物搅拌预定的时间或通过超声分布，来执行所述溶剂、分散剂和单晶氧化镁纳米粉末的混合。

26.根据权利要求23所述的方法，其中通过从下面方法中选择的任一方法来执行将所述第二保护层液体施加到所述第一保护层上，这些方法包括丝网印刷法、散布法、光刻法以及油墨喷射法。

27.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二保护层具有基于所述第一面板上的透明电极的图案而分布的金属氧化物块的形式。

28.一种制造氧化镁的方法，其包括：

制备镁气体；以及

对该镁气体提供氧气和氩气，以形成氧化镁单晶。

29.根据权利要求28所述的方法，其中以2到20sccm的流速提供氧气，以0到18sccm的流速来提供氩气。

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