CN101098577A - Lcd基板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于LCD的基板，其包括：透明基板、像素电极、第一和第二存储线，以及存储复制线。该像素电极以单位像素区域的形式图案化在形成于基板上的薄膜晶体管层上。该像素电极包括：第一子电极，接收来自薄膜晶体管层的第一像素电压；以及第二子电极，与第一子电极电隔离并接收第二像素电压。第一和第二存储线形成在单位像素区域中并在图像帧期间分别维持第一和第二像素电压。存储复制线沿单位像素区域的边缘形成并电连接至第一和第二存储线。该基板减少像素缺陷并提高显示图像的质量。

Description

LCD基板

技术领域

本公开通常涉及液晶显示器(LCD)，且更具体地，涉及用于液晶显示面板的基板，其减少包括有该基板的面板中的像素缺陷。

背景技术

LCD显示面板包括：阵列基板，具有薄膜晶体管(TFT)和像素电极；滤色基板，具有滤色器和共用电极；以及液晶材料层，介于阵列基板和滤色基板之间。阵列基板进一步包括彼此交叉并限定多个单位像素的多条栅极线和多条源极线，其中每个单位像素中形成有一个TFT和一个像素电极。

每个TFT电连接于像素电极中相关的一个，并且可以将电荷耦合至像素电极上。在像素电极与共用电极之间形成电场，该电场控制液晶材料的分子排列，并从而控制通过像素发射的光的量。

耦合至像素电极上的电荷通过在相关的存储线与像素电极之间的单位像素区域中形成的存储电容器在图像帧期间维持所述两个电极之间的电场。当存储线被断开时，或者当存储线与邻近的数据线发生短路时，不能正常地形成单位像素区域内的存储电容器，使得单位像素不能正确控制液晶材料，从而产生有缺陷的像素。

近来，为提高LCD面板的侧视角，已经提出这样一种设计，其中像素电极被分为第一子电极和第二子电极。第一像素电压被施加于第一子电极，而第二像素电压(其大于第一像素电压)被施加于第二子电极。因此，单位像素区域中的液晶层的分子所朝向的方向更是多样的，从而有利地改进LCD面板的侧视角。

但是，当像素电极被分为第一和第二子电极时，用于仅使用一条存储线来维持第一像素电压和第二像素电压的相关存储电容器的缺陷数量增加。

发明内容

根据文中所述的示例性实施例，提供了用于LCD显示面板的基板，该基板减少或消除由存储线缺陷造成的像素缺陷，从而能够生产没有缺陷像素的显示面板。

在一个示例性实施例中，显示基板包括：基板、像素电极、第一和第二存储线、以及存储复制线(storage duplication wiring)。基板包括薄膜晶体管(TFT)层。像素电极以单位像素区域的形状被图案化(pattern)在TFT层上并且包括第一和第二子电极。第一子电极接收来自TFT层的第一像素电压，第二子电极与第一子电极电隔离并且接收来自TFT层的第二像素电压。第一和第二存储线形成在单位像素区域中并分别用于在图像帧期间维持第一和第二像素电压。存储复制线沿单位像素区域的边缘形成并电连接至每一条第一和第二存储线。

在一个示例性实施例中，TFT层可包括：第一和第二栅极线，分别沿第一和第二存储线的纵向设置；数据线，与第一和第二栅极线交叉；以及第一和第二TFT。第一TFT响应于通过第一栅极线施加的第一控制信号而向第一子电极施加来自数据线的第一像素电压，第二TFT响应于通过第二栅极线施加的第二控制信号而向第二子电极施加来自数据线的第二像素电压。单位像素区域以Z字形形成且沿着分别与第一和第二存储线交叉的方向形成。存储复制线沿单位像素区域的第一子电极和与该单位像素区域相邻的单位像素区域的第二子电极之间的空间延伸。

在另一示例性实施例中，TFT层可包括：栅极线，沿第一和第二存储线的纵向设置；第一和第二数据线，与栅极线交叉；以及第一和第二TFT。第一TFT响应于通过栅极线施加的控制信号而向第一子电极施加来自第一数据线的第一像素电压。第二TFT响应于通过栅极线施加的控制信号而向第二子电极施加来自第二数据线的第二像素电压。单位像素区域以矩形形状形成。单位像素区域包括：有效光传输(light-transmission)区域，第一和第二子电极设于其中；以及非有效光传输区域，围绕有效光传输区域并沿栅极线及第一和第二数据线设置。

在又一示例性实施例中，显示面板包括：第一基板、第二基板、以及设置在第一基板与第二基板之间的液晶材料层。第一基板包括下部基板、像素电极、多条存储线、以及存储复制线。像素电极以单位像素区域的形状被图案化在下部基板上，并且包括彼此电隔离且分别接收不同电平的电压的第一和第二子电极。多条存储线形成在单位像素区域中并用于维持电压。存储复制线沿单位像素区域的边缘形成并分别电连接至存储线，而存储线邻近于存储复制线设置。第二基板包括面对下部基板的上部基板、滤色器、阻光图案、以及共用电极。每个滤色器均以与一个相关单位像素区域对应的形状形成并设置在上部基板上。阻光图案形成在与单位像素区域之间的边界区域相对应的区域中。共用电极形成在滤色器和阻光图案上。

在再一示例性实施例中，阻光图案可覆盖与单位像素区域之间的边界区域相对应的存储复制线。边界区域以Z字形形状形成并沿与存储线交叉的方向延伸。域分割图案(domain divisional pattern)形成在共用电极处，并且域分割图案用于将第一和第二子电极分成多个域。

此处公开的新型显示基板能够使基板中产生的像素缺陷的数量减少，从而提高包括有该基板的显示面板的图像质量。

通过考虑下面本发明示例性实施例的详细描述(尤其如果这种描述是结合附图而作出的)，可以获得对本发明新型显示面板基板的上述以及许多其它特征及优点的更好理解，其中相同的参考标记用于表示其中一个或多个附图中所示的相同元件。

附图说明

图1是根据本发明的显示基板的第一示例性实施例的局部平面视图；

图2是沿图1的截面线I-I′截取的图1的显示基板的局部横截面视图；

图3是沿图1的截面线II-II′截取的图1的显示基板的局部横截面视图；

图4是沿图1的截面线III-III′截取的图1的显示基板的局部横截面视图；

图5是根据本发明的显示基板的第二示例性实施例的局部平面图；

图6是沿图5的截面线IV-IV′截取的图5的显示基板的局部横截面视图；

图7是沿图5的截面线V-V′截取的图5的显示基板的局部横截面视图；

图8是根据本发明的显示面板的第一示例性实施例的局部平面视图；

图9是沿图8的截面线VI-VI′截取的图8的显示面板的局部横截面视图；

图10是图8的显示面板的示例性第二基板的平面图；

图11是沿图8的截面线VII-VII′截取的图8的显示面板的局部横截面视图；以及

图12是根据本发明的显示面板的另一示例性实施例的局部横截面视图。

具体实施方式

在下文中，将参照示出本发明实施例的附图对本发明进行更全面的描述。然而，本发明可以以多种不同的形式来体现，而不应认为本发明局限于此处所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开更全面和完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸及相对尺寸可被放大。

可以理解，当指出一个元件或层“位于”、“连接至”或“耦合至”另一元件或层时，它可以直接位于、连接至或耦合至另一元件或层上，或者可以存在插入的元件或层。相反，当指出一个元件“直接位于”、“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件或层时，则不存在插入的元件或层。相同的标号通篇表示相同的元件。当用在本文中时，术语“和/或”包括一个或多个相关所列条目中的任一个以及所有组合。

可以理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此，在不背离本发明教导的前提下，下面所述的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。

为了易于描述，本文可以使用空间相对关系术语，例如“下面”、“下方”“下部”、“上方”、“上部”及类似词，以描述附图所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。可以理解，除了包括图中示出的方位外，空间相对关系术语还旨在包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将被定位在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括“上方”和“下方”两个方位。可以将装置以其它方式定位(旋转90°或处于其它方位)，并且相应地对此处使用的空间相对关系术语进行解释。

这里所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不用于限制本发明。除非文中清楚地指明是其它情况，否则这里所使用的单数形式“一个”(“a”“an”和“the”)也旨在包括复数形式。还可以理解，当术语“包含(comprises和/或comprising)”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合的存在或附加。

以下，将参照作为本发明理想化实施例(和中间结构)的示意图的横截面图，描述本发明的实施例。因此，可以预料到由于例如制造技术和/或公差而造成的与图示形状的偏离。因此，本发明的实施例不应该被理解为局限于这里所示区域的特定形状，而是应该包括例如由于制造而产生的形状上的偏差。例如，图示为矩形的注入区通常在其边缘具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区可能在掩埋区与通过其发生注入的表面之间的区域中产生一些注入。因此，图中所示的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在描述装置区域的实际形状，并且也不旨在限制本发明的范围。

除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。应该进一步理解，诸如通用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与它们在相关技术领域范围内的含义一致的含义，并且除非这里特别限定，否则其不应该解释为理想化的或过于正式的含义。

在下文中，将参照附图详细描述本发明。

显示基板实例

图1是根据本发明的液晶显示基板105的第一示例性实施例的局部平面视图，而图2是沿图1的截面线I-I′截取的图1的示例性显示基板的局部横截面视图。

参照图1和图2，显示基板100包括：基板105、像素电极PE、第一存储线SL1、第二存储线SL2、以及存储复制线STRL。

基板105包括底部基板110和形成在底部基板110上的薄膜晶体管(TFT)层115。

底部基板110包括光学各向同性玻璃(isotropic glass)。TFT层115响应于从外部装置提供的控制信号和图像信息信号而将像素电压施加于像素电极PE。

多个单位像素区域被限定在TFT层115上。单位像素区域以诸如矩阵形状、马赛克形状等规则排列被设置。

TFT层115包括：多条栅极线GL1和GL2、多条数据线DL、和多个TFT。栅极线GL1和GL2沿第一方向(如图1中的箭头坐标所示)在底部基板110上延伸。数据线DL与栅极线GL1和GL2电绝缘并设置在底部基板110的与栅极线Gl1和GL2相对应的区域上。数据线DL沿与第一方向交叉的第二方向(如图1的箭头坐标所示)延伸。第二方向可基本垂直于第一方向。TFT沿相应的栅极线GL1和GL2或者数据线DL设置，并且每个TFT都电连接至相关的栅极线GL1和GL2以及数据线DL。每个TFT响应于通过相关栅极线施加的控制信号而输出通过相关数据线DL施加的像素电压。

在图1和图2中，两条栅极线GL1和GL2与一条数据线DL限定一个单位像素区域。因此，参照如此限定的单位像素区域来描述TFT层115。单位像素区域的两条栅极线GL1和GL2分别被定义为第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。电连接于第一栅极线GL1的TFT被定义为第一薄膜晶体管TFT1，而电连接于第二栅极线GL2的TFT被定义为第二薄膜晶体管TFT2。第一和第二晶体管TFT1和TFT2的分层结构基本相同，从而参照图1和图2中所示的第一薄膜晶体管TFT1来描述TFT层115。

如图2所示，第一薄膜晶体管TFT1包括：第一栅极电极GE1、栅极绝缘层120、第一有源层AL1、第一欧姆接触层OL1、第一源电极SE1、和第一漏电极DE1。

第一栅极电极GE1包括第一栅极线GL1的一部分。栅极绝缘层120形成在底部基板110的与第一和第二栅极线GL1和GL2相对应的区域上。例如，第一有源层AL1可以包括半导体(诸如非晶硅)，并且可以形成在栅极绝缘层120的与第一栅极电极GE1相对应的区域上。第一源电极SE1包括数据线DL的与第一有源层AL1交叠的一部分。例如，第一源电极SE1可基本以U形来形成。第一漏电极DE1由与第一源电极SE1基本相同的层形成(即，由相同材料形成并且处于相同层)，并且与第一源电极SE1分离。例如，第一漏电极DE1可设置于U形第一源电极SE1的中部区域。从而，第一漏电极DE1部分地与第一有源层AL1交叠，并沿第二方向延伸。例如，第一欧姆接触层OL1可包括注入为n型的非晶硅，并且分别形成在第一有源层AL1与第一源电极SE1之间，以及第一有源层AL1与第一漏电极DE1之间。

TFT层115可以进一步包括钝化层130和有机绝缘层140。钝化层130形成在栅极绝缘层120的与第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2以及数据线DL相对应的区域上。有机绝缘层140形成在钝化层130上，并用以使TFT层115的表面平坦。可选择地，钝化层130和有机绝缘层140中之一可被省略。

像素电极PE形成在有机绝缘层140上的单位像素区域中，并且以单位像素区域的形状被图案化。在图1和图2中，单位像素区域以Z字形状形成并沿与第一和第二栅极线GL1和GL2交叉的方向形成，如图1所示。例如，单位像素区域可沿第二方向与栅极线交叉。在图1所示的具体示例性实施例中，单位像素区域沿第二方向包括三个弯曲部(bend)，并且因此基本呈W形。

像素电极包括彼此电隔离的第一子电极SPE1和第二子电极SPE2。第一子电极SPE1沿着单位像素区域的侧面沿第一方向形成并且基本呈W形。第二子电极SPE2沿单位像素区域的其余侧面沿第一方向形成并且沿第一子电极SPE1的中间区域形成。第二子电极SPE2可以基本呈∧形。第一子电极SPE1的沿第二方向延伸的端部分别沿相反的方向弯曲并面对第一子电极SPE1的端部。

像素电极PE包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、非晶氧化铟锡(a-ITO)等透明的导电材料。

图3是沿图1的截面线II-II′截取的图1的示例性显示基板的局部横截面视图。参照图1至图3，第一薄膜晶体管TFT1的第一漏电极DE1沿第二方向延伸(如上所述)，并且电连接至由与第一漏电极基本相同的层形成的第一连接电极CE1。第一连接电极CE1设置在第一子电极SPE1的弯曲部分中。第一连接电极CE1通过第一接触孔142电连接至第一子电极SPE1，从而第一薄膜晶体管TFT1电连接至第一子电极SPE1。第一控制信号通过第一栅极线GL1施加于第一栅极电极GE1，而第一像素电压通过数据线DL施加于第一源电极SE1。从而，第一薄膜晶体管TFT1响应于施加于其上的第一控制信号通过第一漏电极DE1将第一像素电压施加于第一子电极SPE1。

第二薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2沿第二方向延伸，并且电连接至由与第二漏电极DE2基本相同的层形成的第二连接电极CE2。第二连接电极CE2设置在第二子电极SPE2的中间部分中。第二连接电极CE2通过第二接触孔144电连接至第二子电极SPE2，从而，第二薄膜晶体管TFT2电连接至第二子电极SPE2。第二控制信号通过第二栅极线GL2施加于第二栅极电极，并且第二像素电压通过数据线DL施加于第二源电极。从而，第二薄膜晶体管TFT2响应于施加于其上的第二控制信号通过第二漏电极DE2将第二像素电压施加于第二子电极SPE2。

在图1至图3的实施例中，第二像素电压的电平大于第一像素电压的电平。因此，第一子电极SPE1可被指定为“低像素”，而第二子电极SPE2可被指定为“高像素”。

第一和第二存储线SL1和SL2都沿基本平行于第一和第二栅极线GL1和GL2的第一方向延伸。第一和第二存储线SL1和SL2由与第一和第二栅极线GL1和GL2基本相同的层形成，并且设置在第一栅极线GL1和第二栅极线GL2之间。在所示实施例中，第一和第二存储线SL1和SL2形成在单位像素区域中，并形成为具有双(double)存储线结构。

第二存储线SL2设置在与单位像素区域的弯曲部分的中部相对应的区域中，而第一存储线SL1设置在与单位像素区域的其余弯曲部分相对应的区域中。

第一存储线SL1包括第一存储电极ST1，该第一存储电极ST1在与第一连接电极CE1相对应的区域中具有较大的宽度。第二存储线SL2包括第二存储电极ST2，该第二存储电极ST2在与第二连接电极CE2相对应的区域中具有较大的宽度。

第一存储电极ST1、栅极绝缘层120和第一连接电极CE1一起形成第一电容器，该第一电容器用于在图像帧期间维持施加于第一子电极SPE1的第一像素电压。第二存储电极ST2、栅极绝缘层120和第二连接电极CE2一起形成第二电容器，该第二电容器用于在该图像帧期间维持施加于第二子电极SPE2的第二像素电压。外部装置(未示出)向第一和第二存储线SL1和SL2施加维持电压。

图4是沿图1的截面线III-III′截取的图1的示例性显示基板的局部横截面视图。参照图4，存储复制线STRL电连接至第一存储线SL1和第二存储线SL2两者。存储复制线STRL沿单位像素区域的边缘形成，并且由与第一和第二栅极线GL1和GL2基本相同的层形成。为防止单位像素区域的光传输区域的减少，存储复制线STRL形成在第一子电极SPE1与第二子电极SPE2之间的区域中。

存储复制线STRL设置在一个单位像素区域的第一子电极SPE1和与该单位像素区域相邻的单位像素区域的第二子电极SPE2之间。在图1至图4中，存储复制线STRL沿基本呈∧形的第二子电极SPE2的一个分支延伸。从而，显示基板100的双存储线通过单位像素区域的每个拐角中的存储复制线而彼此电连接。

如本领域技术人员应该理解的，即使第一存储线SL1的任意点被断开，维持电压将仍然通过第二存储线SL2和存储复制线STRL被施加于第一存储线SL1，并且即使第二存储线SL2的任意点被断开，维持电压将仍然以类似方式被施加于第二存储线SL2。通常，第一和第二存储线SL1和SL2的断开会中断维持电压的施加，因此第一和第二像素电压在帧期间将不被维持，从而导致像素缺陷。但是，上述示例性显示面板基板的双存储线结构防止在包括有该基板的显示面板中产生这种像素缺陷。

此外，如图1所示，第一和第二存储线SL1和SL2与数据线DL交叉，从而在第一和第二存储线SL与数据线DL之间可能发生短路。但是，当发生与数据线DL的这种短路时，通过仅仅切断设置在数据线DL两侧的第一存储线SL1或第二存储线SL2就能容易地修复该短路。并且，如上所述，尽管第一存储线SL1或第二存储线SL2的一部分被切断，维持电压将仍然通过存储复制线STRL被施加于第一存储线SL1和第二存储线SL2。

在图1至图4的示例性实施例中，与第一和第二存储线SL1和SL2一样，存储复制线STRL由与第一和第二栅极线GL1和GL2基本相同的层形成。但是，在另一可能的实施例中，与第一和第二存储线SL1和SL2不同，存储重复线STRL可改为形成在栅极绝缘层120的上部，例如，形成在栅极绝缘层120与钝化层130之间。当存储复制线STRL形成在栅极绝缘层120和钝化层130之间时，在第一子电极SPE1与第二子电极SPE2之间的第一和第二存储线SL1和SL2上的栅极绝缘层120的某区域中形成开口，然后存储复制线STRL可通过该开口电连接至第一和第二存储线SL1和SL2。

图5是根据本发明的显示基板300的第二示例性实施例的局部平面图，而图6是沿图5的截面线IV-IV′截取的图5的示例性显示基板的局部横截面视图。

参照图5和图6，显示基板300包括：基板305、像素电极PE、第一存储线SL1、第二存储线SL2，以及存储复制线STRL。

基板305包括底部基板310和形成在底部基板310上的TFT层315。除了TFT层315之外，基板305与图1至图4的基板105基本相同。除了连接于单位像素区域的栅极线和数据线的数量之外，TFT层315与图1至图4的TFT层115基本相同。

TFT层315包括：多条栅极线GL、多条数据线DL1和DL2、以及多个薄膜晶体管TFT1和TFT2。在图5和图6中，一条栅极线GL以及两条数据线DL1和DL2限定每个单位像素区域。因此，参照如此限定的单位像素区域来描述TFT层315。限定该单位像素区域的两条数据线DL1和DL2分别包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。电连接于第一数据线DL1的TFT包括第一薄膜晶体管TFT1，而电连接于第二数据线DL2的TFT被定义为第二薄膜晶体管TFT2。

第一和第二薄膜晶体管TFT1和TFT2的分层结构与图2的第一薄膜晶体管TFT1基本相同。因此，第二薄膜晶体管TFT2包括：第二栅极电极GE2、栅极绝缘层320、第二有源层AL2、第二欧姆接触层OL2、第二源电极SE2、以及第二漏电极DE2。第一薄膜晶体管TFT1包括与第二薄膜晶体管TFT2的那些元件相对应的基本相同或相似的元件。

像素电极PE形成于限定在有机绝缘层340上的单位像素区域上，并且沿着单位像素区域被图案化。在图5和图6所示的示例性实施例中，单位像素以矩形形状形成。

如图5所示，栅极线GL沿单位像素区域的一条短边形成，而第一和第二数据线DL1和DL2沿单位像素区域的对应长边形成。单位像素区域包括有效光传输区域和非有效光传输区域。有效光传输区域小于单位像素区域，且有效光传输区域的相应边与单位像素区域的短边和长边分离。非有效光传输区域分别被限定为栅极线GL与有效光传输区域之间的区域，以及第一和第二数据线DL1和DL2与有效光传输区域之间的区域。

像素电极包括第一子电极SPE1和第二子电极SPE2。第二子电极基本呈V形，并且设置在有效光传输区域的中部区域。第一子电极SPE1与第二子电极SPE2分离，并且设置在有效光传输区域的其余区域，以围绕第二子电极SPE2。

第一薄膜晶体管TFT1的第一漏电极DE1通过第一接触孔342电连接于第一子电极SPE1，从而第一薄膜晶体管TFT1响应于通过栅极线GL施加于TFT1的控制信号而将通过第一数据线DL1供应的第一像素电压施加给第一子电极SPE1。

第二薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2通过第二接触孔344电连接于第二子电极SPE2，从而第二薄膜晶体管TFT2响应于通过栅极线GL施加于TFT2的控制信号而将通过第二数据线DL2供应的第二像素电压施加于第二子电极SPE2。

第一和第二存储线SL1和SL2两者都沿第一方向延伸穿过一个像素区域并且基本上平行于栅极线GL。第一和第二存储线SL1和SL2由与栅极线GL基本相同的层形成。在图5和图6中，第一和第二存储线SL1和SL2形成于单位像素区域中，并且形成双存储线结构。在操作中，外部装置(未示出)向第一和第二存储线SL1和SL2施加选定电平的维持电压。

图7是沿图5的截面线V-V′截取的图5的显示基板的局部横截面视图。参照图5和图7，存储复制线STRL电连接于第一存储线SL1和第二存储线SL2两者。存储复制线STRL沿单位像素区域的边缘形成，并且由与栅极线GL基本相同的层形成。

存储复制线STRL包括第一修复(repairing)线STRL1和第二修复线STRL2。第一和第二修复线STRL1和STRL2设置在非有效光传输区域中，以防止通过单位像素区域传输的光量的减少。因此，第一修复线STRL1沿第一数据线DL1设置在非有效光传输区域中，而第二修复线STRL2沿第二数据线DL2设置在非有效光传输区域中。

因此，第一和第二修复线STRL1和STRL2用于在单位像素区域的每个拐角内使显示基板300的双存储线彼此电连接。

显示面板实例

图8是根据本发明的显示面板500的第一示例性实施例的局部平面视图，而图9是沿图8的截面线VI-VI′截取的图8的示例性显示面板的局部横截面视图。参照图8和图9，示例性显示面板500包括第一基板501、第二基板601和液晶层LC。

第一基板501与图1至图4的显示基板100基本相同。因此，第一基板501包括下部基板510、像素电极PE、多条存储线SL1和SL2、以及存储复制线STRL。下部基板510与图1至图4的基板110相对应。

TFT层515形成在下部基板510上。TFT层515与图1至图4的TFT层115基本相同。因此，TFT层515包括多条栅极线GL1和GL2、多条数据线DL、以及多个薄膜晶体管TFT1和TFT2。

如上述，下面参照单位像素区域描述图8和图9的实施例。第一栅极线GL1、第二栅极线GL2和数据线DL一起限定单位像素区域。单位像素区域以Z字形形成，并沿着与第一和第二栅极线GL1和GL2交叉的方向形成。

像素电极PE形成在单位像素区域中，并包括以单位像素区域的形状被图案化的第一子电极SPE1和第二子电极SPE2。电连接于第一栅极线GL1的第一薄膜晶体管TFT1向第一子电极SPE1施加第一像素电压。电连接于第二栅极线GL2的第二薄膜晶体管TFT2向第二子电极SPE2施加第二像素电压。

第一存储线SL1和第二存储线SL2设置在第一栅极线GL1与第二栅极线GL2之间，并且由与第一和第二栅极线GL1和GL2基本相同的层形成。第一和第二存储线SL1和SL2形成为穿过单位像素区域。存储复制线STRL形成在单位像素区域的拐角处。例如，存储复制线STRL可形成在形成于一个单位像素区域中的第一子电极SPE1与形成于与该单位像素区域相邻的另一单位像素区域中的第二子电极SPE2之间。存储复制线STRL由与第一和第二栅极线GL1和GL2以及第一和第二存储线SL1和SL2基本相同的层形成。存储复制线STRL电连接于第一存储线SL1和第二存储线SL2。

图10是图8的显示面板500的示例性第二基板601的平面图。参照图9和图10，第二基板601包括：面对下部基板510的上部基板610、滤色器620、阻光图案或“黑色矩阵”BM、以及共用电极640。

阻光图案BM形成在上部基板610的面对下部基板510的一个表面上。阻光图案BM形成在单位像素区域、第一和第二薄膜晶体管TFT1和TFT2、第一和第二栅极线GL1和GL2以及数据线DL之间的边界区域中。阻光图案BM可包括有机材料或无机材料，诸如铬或铬合金。

每个滤色器620形成在阻光图案BM的开口中以便与该阻光图案BM部分地交叠。滤色器620可包括例如红、绿和蓝(RGB)滤色器。滤色器以特定的元素排列(诸如相邻的条纹或马赛克形排列)而设置。

第二基板601可进一步包括保护涂层630。保护涂层630覆盖并保护滤色器620和阻光图案BM，并还用于使第二基板601的表面平坦。保护涂层630可包括透明的有机材料。

图11是沿图8的截面线VII-VII′截取的图8的显示面板500的局部横截面视图。参照图8至图11，共用电极640包括与像素电极PE基本相同的材料，并形成在保护涂层630上。共用电极640可进一步包括域分割图案DDP。单位像素区域通过域分割图案DDP被分成多个域。每个域被限定为通过这样的边界形成的区域，在该边界处，液晶以各种特定方向排列。

在图8至图11中，域分割图案DDP包括通过去除共用电极640的一部分而形成的开口图案。在可替换的实施例中，域分割图案DDP可包括形成在共用电极640上的凸起图案。

以与第一子电极SPE1和第二子电极SPE2相同的方式，域分割图案DDP以Z字形形成并沿基本垂直于第一方向的第二方向形成。域分割图案DDP沿第二方向可具有Z字形形状，并且域分割图案DDP的Z字形的弯曲点可分别对应于沿第一方向的第一子电极SPE1的中部以及对应于第二子电极SPE2。

存储复制线STRL形成在单位像素区域之间的边界区域，并且由与第一和第二存储线SL1和SL2基本相同的层形成。存储复制线STRL设置在形成于一个单位像素区域中的第一子电极SPE1和形成于与该单位像素区域相邻的另一单位像素区域中的第二子电极SPE2之间。存储复制线STRL电连接于第一存储线SL1和第二存储线SL2两者。

存储复制线STRL被第二基板601上形成的阻光图案BM覆盖，以防止显示面板500的开口比(opening ratio)下降。

液晶材料层LC设置在第一基板501与第二基板601之间，如图10和图11所示。液晶层的分子沿各种特定方向设置在相邻的域中，以便增加单位像素区域的视角。

图12是根据本发明的显示面板700的另一示例性实施例的局部横截面视图。参照图12，第二示例性面板700包括第一基板701、第二基板801和液晶层LC。

第一基板701与图5至图7中所示的第一基板501基本相同。因此，第一基板701包括：下部基板701，具有TFT层715；像素电极PE，设置在TFT层715上的单位像素区域中；多条存储线；以及多条存储复制线。

参照其中的单位像素区域，第一基板701的TFT层715包括：栅极线，沿第一方向延伸；第一和第二数据线DL1和DL2，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；第一TFT，电连接至第一数据线DL1；以及第二TFT，电连接至第二数据线DL2。

单位像素区域以矩形形状形成。像素电极PE包括彼此分离地形成在像素区域中的第一子电极SPE1和第二子电极SPE2。第二子电极SPE2基本呈V形，并设置在单位像素区域的中心，而第一子电极SPE1设置在单位像素区域的其余区域中，以便围绕第二子电极SPE2。

响应于通过栅极线分别施加于其上的控制信号，第一TFT向第一子电极SPE1施加第一像素电压，而第二TFT向第二子电极SPE2施加第二像素电压。

第一和第二存储线由与栅极线基本相同的层形成，并设置为穿过单位像素区域。存储复制线包括第一修复线STRL1和第二修复线。第一修复线STRL1设置在第一数据线DL1与第一子电极SPE1之间的区域中，并沿第一数据线DL1形成。第一修复线STRL1由与第一和第二存储线SL1和SL2基本相同的层形成。第二修复线设置在第二数据线与第一子电极SPE1之间的区域中，并沿第二数据线形成。

第二基板801包括：面对下部基板710的上部基板810、阻光图案BM、滤色器820、保护涂层830和共用电极840。

阻光图案BM形成在单位像素区域之间的边界区域中。因此，阻光图案BM与第一数据线DL1、第二数据线、第一TFT和第二TFT相对应。

阻光图案BM限定开口，每个开口对应于相应单位像素区域的形状。滤色器820设置在对应的BM开口中。保护涂层830覆盖阻光图案BM和滤色器820，而共用电极840形成在保护涂层830上。

如图12所示，第一修复线STRL1和第二修复线被阻光图案BM覆盖，从而第一修复线STRL1和第二修复线没有降低单位像素区域的开口比。

如上所述，每个单位像素区域中设置有两条存储线，并且该两条存储线通过沿单位像素区域的边缘设置的存储复制线而彼此电连接。作为这种设置的结果，即使任何存储线在其上的任意点处可能有中断，维持电压也仍然可通过存储复制线和剩余的存储线施加于具有该中断的存储线。在传统的显示面板中，当由于存储线的中断而未施加维持电压时，像素电极和共用电极像素电压之间的电压差值在图像帧期间就不能被维持，从而导致产生像素缺陷。但是，如上所述，在此处所述的示例性显示基板实施例中，新型基板的存储复制线防止这种像素缺陷的发生。

此外，当存储线和数据线意外地彼此短路时，该短路可通过切断部分存储线而容易地修复，并且即使部分存储线被切断，维持电压仍然可通过存储复制线而施加于两条存储线(如上所述的)，从而防止由于这种短路造成的像素缺陷。

如本领域技术人员至今所理解的，在不背离本发明的精神和范围的前提下，本发明的显示面板基板的材料、方法和结构可以有各种变换、替代和改变。据此，本发明的范围不应该被限制为此处所示及所述的特定实施例(因为它们仅为了示例的目的)的范围，相反，应该与下面所附权利要求及其功能性等同物的范围完全相当。

Claims (19)

1.一种显示基板，包括：

基板，包括TFT层；

像素电极，以单位像素区域的形状被图案化在所述TFT层上，所述像素电极包括：

第一子电极，接收来自所述TFT层的第一像素电压；

以及

第二子电极，与所述第一子电极电隔离，并接收来自所述TFT层的第二像素电压；

第一和第二存储线，形成在所述单位像素区域内，并用于维持所述第一像素电压和所述第二像素电压；以及

存储复制线，沿所述单位像素区域的边缘形成，并电连接至所述第一和第二存储线中的每一条。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中所述TFT层包括：

第一和第二栅极线，分别沿所述第一和第二存储线的纵向设置；

数据线，与所述第一和第二栅极线交叉；

第一TFT，响应于通过所述第一栅极线施加的第一控制信号而向所述第一子电极施加来自所述数据线的所述第一像素电压；以及

第二TFT，响应于通过所述第二栅极线施加的第二控制信号而向所述第二子电极施加来自所述数据线的所述第二像素电压。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述单位像素区域以Z字形形成，并且沿分别与所述第一和第二存储线交叉的方向形成。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述存储复制线沿所述单位像素区域的所述第一子电极和与所述单位像素区域相邻的另一单位像素区域的所述第二子电极之间的空间延伸。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一和第二栅极线、所述第一和第二存储线以及所述存储复制线由基本相同的层形成。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一和第二存储线设置在所述第一和第二栅极线之间。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中：

所述第一TFT的输出电极部分地与所述第一存储线交叠；以及

所述第二TFT的输出电极部分地与所述第二存储线交叠。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述TFT层进一步包括：

栅极线，沿所述第一和第二存储线的纵向设置；

第一和第二数据线，与所述栅极线交叉；

第一TFT，响应于通过所述栅极线施加的控制信号而向所述第一子电极施加来自所述第一数据线的所述第一像素电压；以及

第二TFT，响应于通过所述栅极线施加的所述控制信号而向所述第二子电极施加来自所述第二数据线的所述第二像素电压。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述单位像素区域具有矩形形状。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述单位像素区域包括：

有效光传输区域，其中设有所述第一和第二子电极；以及

非有效光传输区域，围绕所述有效光传输区域，并沿所述栅极线和所述第一和第二数据线设置。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述存储复制线由与所述栅极线基本相同的层形成，并包括：

第一修复线，设置在所述非有效光传输区域中，并沿所述第一数据线设置；以及

第二修复线，设置在所述非有效光传输区域中，并沿所述第二数据线设置。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第一TFT的输出电极部分地与所述第一和第二存储线之一交叠。

13.一种显示面板，包括：

第一基板，包括：

下部基板；

像素电极，以单位像素区域的形状被图案化在所述下部基板上，并具有第一和第二子电极，所述第一和第二子电极彼此电隔离并分别接收不同电平的电压；

多条存储线，形成在所述单位像素区域中，并维持所述电压；以及

存储复制线，沿所述单位像素区域的边缘形成，并分别电连接至所述存储线，所述存储线邻近所述存储复制线设置；

第二基板，包括：

上部基板，面对所述下部基板；

滤色器，其形状与所述单位像素区域对应地形成，并设置在所述上部基板上；

阻光图案，形成在与所述单位像素区域之间的边界区域相对应的区域中；以及

共用电极，形成在所述滤色器和所述阻光图案上；以及

液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述阻光图案覆盖与所述单位像素区域之间的所述边界区域相对应的所述存储复制线。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述边界区域以Z字形形成，并沿与所述存储线交叉的方向形成。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述边界区域沿矩形形状的边形成。

17.根据权利要求14所述的显示面板，其中，在所述共用电极处形成有域分割图案，并且其中所述域分割图案将所述第一和第二子电极分成多个域。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述域分割图案包括所述共用电极中的开口。

19.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述下部基板包括：

栅极线，沿所述存储线的纵向设置；

数据线，与所述栅极线交叉；

第一TFT，响应于通过所述栅极线施加的控制信号而向所述第一子电极施加来自所述数据线的第一像素电压；以及

第二TFT，响应于通过所述栅极线施加的所述控制信号而向所述第二子电极施加来自所述数据线的第二像素电压。

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