CN101084585A - 照明组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种照明组件(200),该照明组件包括:导热基板(212),位于所述导热基板的第一主表面(214)附近的反射层(240),设置在所述反射层与所述导热基板的第一主表面之间、并与所述导热基板电绝缘的图案化导电层(250),以及具有连接在所述导热基板上的柱(230)的至少一个LED(220)。所述至少一个LED可以通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。

Description

照明组件及其制造方法
技术领域
本发明总体涉及发光组件或者照明组件。更具体地说,本发明涉及使用发光二极管(LED)阵列的发光组件或者照明组件。
背景技术
照明组件用于各种各样的应用中。例如,传统的照明组件使用光源,例如,白炽光源或者荧光光源。近来,其它类型的发光元件,特别是发光二极管(LED),已经用于照明组件中。LED具有小尺寸、长寿命和低功耗的优点。LED的这些优点使它们可用于很多不同的应用中。
对于很多发光应用,希望具有一个或者多个LED,以提供所需的光强度和/或分布。例如,几个LED可以组装在小尺寸的阵列中,以在小的区域上提供高的照度,或者,LED可以分布在较大的区域上,以提供更广的、更均匀的照度。
通常,通过将LED安装在印刷电路板基底上,来使阵列中的LED相互连接,并且与其它电力系统连接。可以使用与其它电子制造领域公用的技术将LED组装在基底上,例如,将各部件定位在电路板迹线上,然后,使用已知的大量技术中的一种技术,将这些部件结合在该基底上,所述已知的技术包括波峰焊接、回流焊接以及使用导电粘合剂的连接技术。
用于保持LED管芯的常用的LED封装包括安装在陶瓷或者塑料封装内的一个或者多个LED,其中,通过引线或者焊接结合提供电连接,例如表面安装式封装或者T-1 3/4型“豆形软糖(jellybean)”封装等。然而,这些技术和设计提供的从LED封装至吸热器的导热率有时很差,所用的电路化基底可能是昂贵的,并且提供很差的光反光率。
对于提高LED的光输出和延长其工作寿命,高的导热率是重要的。此外,在LED照亮光腔并且由LED发出的大部分光被从电路基底反射在光腔内的应用中,基底的反射率也是重要的。
发明内容
本文所述的实施例尤其可用于制造和使用用于照明目的或者用于信息显示的LED阵列。
在一个方面,本发明提供一种照明组件,该照明组件包括:具有第一主表面的导热基板,以及位于所述导热基板的第一主表面附近的反射层。该组件还包括:图案化导电层,其设置在所述反射层与所述导热基板的第一主表面之间,并与所述导热基板电绝缘;以及至少一个LED,其具有连接在所述导热基板上的柱。所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。
在另一个方面,本发明提供一种制造照明组件的方法,该方法包括:提供具有第一主表面的导热基板;以及将图案化导电层设置在所述导热基板的第一主表面附近,使得所述图案化导电层与所述导热基板电绝缘。该方法还包括:设置反射层,使得所述图案化导电层位于所述反射层与所述第一主表面之间;提供至少一个具有柱的LED;以及将所述至少一个LED连接在所述导热基板上,使得所述至少一个LED与所述反射层相邻。所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。
在另一个方面,本发明提供一种包括照明组件的显示器。该照明组件包括:具有第一主表面的导热基板,以及位于所述导热基板的第一主表面附近的反射层。该组件还包括:图案化导电层,其设置在所述反射层与所述导热基板的第一主表面之间,并与所述导热基板电绝缘;以及至少一个LED,其具有连接在所述导热基板上的柱。所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。该显示器还包括与该照明组件光学耦合的空间光调制器,其中,所述空间光调制器包括多个可控制的元件,这些元件可操作以调制至少一部分来自所述照明组件的光。
本发明的以上概述并不意味着描述了本发明的每一个所披露的实施例或者每个实施方式。下面的附图和详细描述更具体地举例说明示例性实施例。
附图说明
图1是LED的一个实施例的示意性横截面视图。
图2是LED的另一个实施例的示意性横截面视图。
图3是照明组件的一个实施例的示意性横截面视图。
图4是照明组件的另一个实施例的示意性横截面视图。
图5是照明组件的另一个实施例的示意性横截面视图。
图6示意性示出了显示器的一个实施例。
具体实施方式
本发明适用于照明组件,更具体地说,适用于使用LED提供照明的照明组件。本文所披露的照明组件可以用于普通的照明目的(例如,照亮区域),或者与信息显示器中一样,通过选择照明组件的不同区域来向观看者提供信息。这种组件适用于背光显示器、标志和需要大量光的其它照明应用中。
本发明的照明组件包括LED,该LED设计成可使用很多合适的技术(例如超声波焊接、压入配合、刺穿、螺纹连接等)连接在基底(基板)上。该基底是导热的,从而可以将热从LED导出。在一些实施例中,该基底还是导电的,从而为LED提供电路通路。此外,在一些实施例中,该组件可以包括位于基底的主表面附近的反射层,以反射至少一部分由LED发出的光。此外,一些实施例包括具有柱的LED,该柱可以提供与基底的直接热连接。在示例性实施例中,该直接热连接可以允许由LED产生的一部分热从LED导出,并沿与基底的主表面基本上正交的方向导入基底中,从而减少从LED横向扩散的发热量。
图1是LED 20的一个实施例的示意性剖视图。LED 20包括安装在LED主体24中的管芯22,该LED主体24具有反射表面25。LED 20还包括第一电极26和第二电极28以及柱30,其中这两个电极都与管芯22电连接。
本文所用的术语“LED”和“发光二极管”通常是指具有向二极管供电的接触区域的发光半导体元件。不同形式的无机半导体发光二极管可以例如由一种或多种III族元素和一种或者多种V族元素的组合(III-V半导体)形成。可用于LED的III-V半导体材料的例子包括:氮化物,例如,氮化镓或者氮化铟镓;以及磷化物,例如,磷化铟镓。也可以使用其它类型的III-V材料,也可以使用周期表的其它族的无机材料。
LED可以呈封装或者非封装的形式,包括,例如,LED管芯、表面安装式LED、板上芯片式LED和其它结构的LED。板上芯片(COB)是指直接安装在电路基底上的LED管芯(即,未封装的LED)。术语LED还包括用荧光粉封装或者与荧光粉相关的LED,其中,荧光粉将由LED发出的光转变为不同波长的光。与LED的电连接可以通过引线接合、卷带式自动接合(TAB)或者芯片倒装接合来形成。LED示意性地示于图中,并且如本文所述,可以是非封装的LED管芯或者封装的LED。
LED可以是顶部发光的,例如,如美国专利No.5,998,935(Shimizu等人)中所述的那些。或者,LED可以是侧面发光的,例如,如美国专利公开No.2004/0,233,665 A1(West等人)中所述的那些。
LED可以选择为以任何所需波长发射,例如,在红色、绿色、蓝色、紫外或者远红外光谱区中发射。在LED阵列中,各LED可以都在同一光谱区中发射,或者可以在不同的光谱区中发射。不同的LED可以用来产生不同的颜色,其中,由发光元件发射的光的颜色是可选择的。对不同LED的单独控制导致能够控制发射的光的颜色。另外,如果需要白色光,则可以提供大量发射不同颜色光的LED,其组合的效果是发射观看者感觉成是白色的光。产生白色光的另一方法是使用一个或者多个发射相对较短波长的光的LED,并且使用荧光粉波长转换器将发射的光转换为白色光。白色光是刺激人眼的光感受器以产生普通观看者认为是“白色”的外观的光。这种白色光可以偏向红色(通常称为暖白色光)或者偏向蓝色(通常称为冷白色光)。这种光的彩色再现指数可以高达100。
图1是LED 20可以包括任何合适的LED管芯22。例如,LED管芯22可包括不同的p掺杂和n掺杂的半导体层、基底层、缓冲层和覆盖层。LED管芯22的主发光表面、底表面和侧表面以简单的矩形布置的形式示出,但是,也可使用其它已知的构造,例如,形成例如截顶棱锥形状的倾斜侧表面,所述截顶棱锥形状可以是竖直的或者倒置的。为了简单起见,与LED管芯的电触点也没有示出,但是,如已知的那样,可以在管芯的任何表面上设置电触点。
虽然LED 20示出为具有一个管芯22,但是LED 20可以包括两个或者更多个管芯22,例如,发红色光的管芯、发绿色光的管芯和发蓝色光的管芯。在一些实施例中,LED管芯22可以是芯片倒装式设计,从而两个电触点都在管芯22的底表面上。在这种实施例中,可以使用任何合适的技术,将管芯22电连接到LED 20的第一电极26和第二电极28上。
在另一可选的实施例中,LED 20可以包括接合引线的LED管芯22。例如,图2是包括一个接合引线的LED管芯122的LED 120的示意图剖视图。管芯122通过连接在管芯122的顶表面上的引线127电连接到第一电极126上。管芯122的底表面电连接到LED120的第二电极128上。在一些实施例中,LED管芯122也可以在管芯122的任何合适的表面或者多个表面上具有两个或者更多个接合引线,所述接合引线将管芯122与第一电极126和/或第二电极128和/或柱130电连接。可以使用任何合适的引线(一条或者多条)连接管芯122和第一电极126。此外,可以使用任何合适的技术将引线127连接在管芯122和第一电极126上。LED 120还包括LED主体124和柱130,该主体包括反射体125。在本文中关于图1所示实施例的LED管芯22、主体24、第一电极26、第二电极28和柱30所述的所有设计事项和可能性都同等地适用于图2所示实施例的LED管芯122、主体124、第一电极126、第二电极128和柱130。
返回到图1,LED主体24具有反射表面25,该反射表面从LED管芯22捕获边缘发射光,并且使该光向前偏转。可以用任何合适的材料(一种或者多种)形成LED主体24,例如,金属、聚合物等。反射表面25可以是镜面反射或者漫反射的。在一些实施例中,反射表面25可以包括多层聚合物反射膜,例如,可得自美国明尼苏达州St.Paul市3M公司的VikuitiTMESR膜。
LED 20还包括与LED管芯22热连接的柱30。柱30可以起到将热从管芯22引导出并离开LED 20的低热阻通路的作用。柱30可以与管芯22接触。或者,柱30可以通过导热粘合剂或者其它材料与管芯22热连接。
可以用任何合适的材料(一种或者多种)形成柱30。在一些实施例中,柱30包括导热材料,例如,铜、镍、金、铝、锡、铅、银、铟、氧化锌、氧化铍、氧化铝、蓝宝石、金刚石、氮化铝、碳化硅、石墨、镁、钨、钼、硅、聚合物粘结剂、无机粘结剂、玻璃粘结剂及其组合。柱30还可以包含具有较高的传热速率的工作流体。由此,柱30可以被认为是热管,其中,通过毛细流动或者两相液体/沸腾传热系统来输送流体。此外,在一些实施例中,柱30可以是导电的。可以用任何合适的导电材料(一种或者多种)形成导电柱30,例如,铜、镍、金、铝、锡、铅、银、铟及其组合。在示例性实施例中,柱30可以既是导热的又是导电的。
此外,导电柱30可以是分段的,以提供对柱30的各部分的电隔离。优选的是,以纵向的方式进行分段,使得每段具有良好的导热性。例如,圆柱形柱可以由两个半圆柱形的导热导电材料例如铝构成,这两段材料用置于其间的介电层或介电区层压在一起,以形成沿着长度方向高度导热的柱,但是在柱的径向方向具有相对有限的导热性,并且在柱的径向方向上没有导电性。柱也可具有两个以上的段。
柱30可以采用任何合适的尺寸或者形状。在一些实施例中,柱30可以采用圆柱形的形状。或者,柱30可以采用锥形的形状。此外,在一些实施例中,柱30可以包括一个或多个螺纹,如本文进一步所述。虽然柱30被示出为包括单个柱或者单一主体,但是柱30可以包括两个或者更多个柱,每一个柱与导热基底12接触。在一些实施例中,柱30可以包括一个或者多个突起,所述突起可以帮助将LED 20安装在基底上。
可以使用任何合适的技术,例如,粘附、结合、焊接等,将LED主体24永久性地连接在柱30上。在一些实施例中,柱30可以与LED主体24成一体。或者,LED主体24可以可拆卸地连接在柱30上。可以使用任何合适的技术将LED主体24可拆卸地连接在柱30上。例如,柱30可以包括一个或者多个螺纹,并且,LED主体24也可以包括一个或者多个螺纹,使得主体24可以通过螺纹拧在柱30上。或者,LED主体24可以通过摩擦装配在柱30上。
一般来说,LED可以使用常规电路板和膜连接到电源和基底上。虽然LED与大多数的其它电子部件共享很多相同的要求,但是存在不同之处。第一,LED可能是昂贵的,在使用LED构建照明系统的最成本高效的设计中,与吸热器的连接处的热阻可能很高,这会加速LED的热老化。第二,LED通常照明光腔,其中,光可能会经历电路板基底的几次反射。
为了帮助防止组件中的光吸收,可以通过用高度反射涂层(例如填充有二氧化钛的涂层或者反射膜)涂布电路板,来制造电路基底。然而,对于LED,这两种类型的涂层都必须被图案化,以通过涂层与电路板电接触和热接触。对反射涂层或膜的这种图案化可能是昂贵的,并且可能不会提供从LED到电路板基底的良好的导热性。
另一可选的电路板基底是这样一种基底,其中,将LED安装在电路上也能够实现与电路板的良好热接触,并且使反射体图案化。
一般来说,本发明的LED可以使用很多合适的技术(例如超声波焊接、RF焊接、热超声波焊接、压入配合、刺穿、螺纹连接等)连接在基底上。这种LED设计成快速容易地连接在各种基底上。
例如,图3是照明组件200的一个实施例的示意性剖视图。该组件200包括导热基底212、包括至少一个孔248的反射层240。所述反射层240位于导热基底212的第一主表面214附近。组件200还包括位于反射层240和第一主表面214之间的图案化导电层250、以及至少一个LED 220。组件200还包括具有至少一个孔249的支撑层242。
导热基底212具有第一主表面214和第二主表面215。基底212可以包含任何合适的导热材料(一种或者多种),例如,铜、镍、金、铝、锡、铅、银、铟、镓、氧化锌、氧化铍、氧化铝、蓝宝石、金刚石、氮化铝、碳化硅、石墨、镁、钨、钼、硅、聚合物粘结剂、无机粘结剂、玻璃粘结剂、装填有可导电或者不可导电的导热颗粒的聚合物、毛细流动热管、两相传热装置及其组合。在一些实施例中,基底212可以是与另一种材料(一种或者多种材料)可焊接的(例如,可超声焊接的),例如,与铝、铜、涂有金属的陶瓷或者聚合物、或者导热填充的聚合物可焊接。基底212可以具有任何合适的尺寸和形状。
在一些实施例中,导热基底212还可以是导电的。这种导电基底可以包含任何合适的导电材料(一种或者多种),例如,铜、镍、金、铝、锡、铅、银、铟、镓及其组合。
导热基底212可以起到任何组合的目的,包括,例如,与LED 220电连接、提供从LED 220的直接导热通路、提供从LED 220的横向散热、以及提供与其它系统的电连接。
在一些实施例中,导热基底212可以是柔性的。在这种实施例中,优选的是,反射层240和图案化导电层250也是柔性的。具有其上带有铜导电层的聚酰亚胺绝缘基底的合适的柔性材料是3MTM FlexibleCircuity,其可得自3M公司。
导热基板212可以是单一材料,或者作为选择,可以是作为整体提供导热基板的一层或多层材料。在一些实施例中,导热基板212可以包括通过基板212形成的突起物或鳍状物,从而通过增加表面面积而提供了增强的散热。在其他实施例中,导热基板212的第一主表面214和/或第二主表面215可以被蚀刻或者设置凹槽,同样也提供冷却用的更大的表面面积。突起物可以形成在基板212内,使得它们从导热基板212的第二主表面216延伸出来。这种突起物可以增加导热基板212的对流冷却效率,并且还可以减少LED之间的热传递。
反射层240位于导热基板212的第一主表面214附近。在图示的实施例中,反射层240位于支撑层242的第一主表面244上。一般来说,至少一部分由至少一个LED 220发射的光可以从反射层240反射,并且朝向离开基板212的方向。优选的是,反射层240反射至少80%的入射光。更优选的是,反射层240反射至少95%的入射光。甚至更优选的是,反射层240反射至少99%的入射光。反射层240可以是镜面反射,或者也可以是漫反射。
反射层240包括至少一个贯穿反射层240的孔248。如本文进一步所述,反射层240的至少一个孔248与支撑层242的至少一个孔249基本上对准,使得LED 220可以与导热基板212热连接,并且在一些实施例中与导热基板212电连接。
反射层240可以包括任何适当的一种或多种反射材料,例如金属、聚合物等。例如,反射层240可以包括铝、铜、银或者其组合。
在一些实施例中,反射层240可以包括包含金属和介电材料的组合,使得该组合是非导电的,例如,银或铝和聚合物或者无机氧化物的组合。其它这种合适的金属和介电材料的组合包含涂布在介电材料的层或者连续基体内的、由银、铜、铝、锡、铟和金制成一种或者多种导电颗粒、纤维、或其它主体,所述介电材料的层或者连续基体由玻璃、无机氧化物、缩合聚合物(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、饱和聚合物(例如,聚烯烃和含氟聚合物)和其它聚合物(包括环氧树脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚硅氧烷、聚乙烯基苯乙烯、聚丙烯酸酯等)制成。
此外,在一些实施例中,反射层240包括具有交替折射率的多层聚合物的膜,例如,美国专利No.5,882,774(Jonza等人)、美国专利No.6,080,467(Weber等人)和美国专利No.6,531,230 B1(Weber等人)中所述的那些膜。
对于漫反射来说,反射层240可以是白色漫反射器,例如,包含漫反射颗粒(例如二氧化钛颗粒)的基体。在一些实施例中,漫反射介电层240可以包含填充的聚合物。一般来说,填充的聚合物和涂料包含有机树脂或粘结剂,并且通常通过装填合适的无机颗粒(例如硫酸钛或者硫酸钡)而不透明。此外,漫反射层240可以包含涂料、釉、无机粉末、高度散射的白色粉末(例如二氧化钛)或者聚四氟乙烯(PTFE)。例如,釉可以作为浆或者粉末(例如,电泳)沉积涂布在支撑层242上。可得到与导热材料(例如铜或铝)相容的这种釉组合物。此外,例如,PTFE可以作为白色粉末沉积,或者形成为薄片并且层压在金属基底上。反射层240还可以包括在其上形成或者连接有漫反射涂层或者膜的镜面反射基底。
反射层240可以例如使用压敏粘合剂连接在支撑层242的第一主表面244上。或者,反射层240可以使用任何合适的技术,例如,化学气相沉积、等离子体气相沉积、溅射和气相涂布,形成在第一主表面244上。对于包含铝的反射层,可以使用物理气相涂布技术、箔层合技术或者电镀技术,将铝沉积在支撑层242上。可以用保护材料或者反射增强层或者二者(例如氟化镁)来涂布铝,或者,通过阳极氧化,并随后通过热处理和/或化学处理以密封在氧化铝层中的任何导电孔来涂布铝。
如本文所述,反射层240包括至少一个孔248,该孔穿过层240。在一些实施例中,反射层240的孔248和支撑层242的孔249与LED220基本上对准,使得LED 220可以与导热基底212热连接和/或电连接。根据在反射层240中包含的材料(一种或者多种)的类型,可以使用任何合适的技术形成孔248。例如,可以使用光刻技术在包含光敏粘结剂的介电层中形成孔248。无机粉末可以悬浮在光致抗蚀剂溶液(例如,包含聚乙烯醇和重铬酸铵或者重铬酸盐明胶)中。悬浮液涂布在支撑层242上,干燥,然后通过掩模曝光。用水冲洗,除去未曝光的区域,保留下图案化的涂层。可以用光刻法图案化粉末涂层,即,用可光增粘的涂料涂布支撑层242,通过掩模曝光涂料,然后涂布或者撒粉末。在粘结剂中溅涂一种或者多种粉末也是可行的。可以使用与待涂布的特征物对准的掩模来图案化粉末涂层。
对于包含膜或者层压涂层(例如可得自3M公司的VikuitiTMESR膜)的反射层240,在连接到支撑层242上之前,可以通过冲压、模切、激光钻孔或者火焰穿孔来形成孔。也可以在该膜连接在支撑层242上之后,通过穿过图案化抗蚀剂层进行蚀刻,来在这种膜中形成孔。在一些实施例中,如本文进一步所述,可以在连接过程期间通过LED 220形成孔248。在一些实施例中,反射层240的孔248和支撑层242的孔249可以同时形成。
尽管图3所示的照明组件200包括反射层240,但在一些实施例中,希望反射层240表现出低的反射性。例如,对于包含用于例如有源标志应用的可单独寻址的LED阵列的组件,低反射性层可以提供更大的对比度。对于用于强环境光条件中的这种有源标志,在特定波长的低反射性可以调整到LED光源的特定发射波长,使得反射层在这种波长是高度反射的,而在更广的光谱上是吸收的,从而在仍减少由该层反射的环境光的量的同时增加光输出。
用于这种低反射性层的合适材料包括填充有碳的聚合物,尤其是低折射率聚合物,包括填充有染料或者颜料或者二者的聚烯烃和含氟碳化物及聚合物。聚合物表面可以是抗反射的,以降低反射性。合适的抗反射方法包括本领域已知的降低反射性的干涉涂层,包括适当设计的高低折射率材料层、单层低折射率材料、通过水解薄铝涂层而制成的勃姆石、溶胶-凝胶涂层、蛾眼式微结构化涂层和渐变折射率涂层。此外,合适的是吸收材料的烧结涂层。
位于反射层240与导热基板212的第一主表面214之间的是图案化导电层250。图案化导电层250与导热基板212电绝缘。在图3所示的实施例中,图案化导电层250位于支撑层242的第二主表面246上。图案化导电层250包含导体252。可以在图案化导电层250内或者由该图案化导电层形成任何适当数量的导体252。图案化导电层250可以包括任何适当的一种或多种导电材料。这种适当的材料包括纯净物或者合金形式的金、铜、铝和银。图案化导电层250的导体252也可以是暴露的,或者是绝缘的电线或条状体。
电线或条状体可以布置成一维阵列,或者可以排列成正交阵列或3-引线控制系统。正交阵列或3-引线控制系统用于向单个LED提供逻辑信号。例如,LED可以与集成电路电连接,该集成电路从两或三个超前电路(lead circuit)中获得信号和电力,其中LED具有响应于控制信号的预定光输出。
可以利用任何适当的现有技术,例如化学蚀刻、光刻、化学气相沉积、喷墨印刷等,使图案化导电层250图案化。在组件200包含LED阵列的实施例中,可以使图案化导电层250图案化,以使阵列中的每一个LED都可单独寻址。
图3的照明组件200还包括至少一个连接在导热基板212上的LED 220。组件200可以具有任何适当数量的LED。在一些实施例中,组件200可以包括LED 220阵列。这种阵列可以以矩形图案或正方形图案布置在基板212上。这就使得在信息显示应用中易于显示垂直或水平线条。然而,矩形或正方形图案并非必要,LED 220可以以一些其他图案(例如,六角形图案)布置在导热基板212。作为选择的是,LED 220可以随机排列在导热基板212上。
该至少一个LED 220包括与第一电极226和第二电极228电连接的至少一个LED晶粒222。LED 220还包括具有反射面225的LED主体224。LED晶粒222与柱230热连接。在此描述的与图1所示实施例的LED晶粒22、LED主体24、第一电极26和第二电极28以及柱30有关的所有设计考虑和可能因素都同等地适用于图3所示实施例的LED晶粒222、LED主体224、第一电极226和第二电极228以及柱230。
该至少一个LED 220通过柱230与导热基板212热连接,柱230位于反射层240的孔248与支撑层242的孔249中。柱230可以与导热基板212直接接触。作为选择的是,柱230可以通过导热接合材料,例如可固化的聚合物前体,与基板212热连接,所述聚合物前体例如是丙烯酸酯,苯乙烯,乙烯基苯乙烯,硅烷和填充有氧化锌、蓝宝石、金刚石、碳化硅或者氮化铝的环氧树脂。
该至少一个LED 220通过其第一电极226和第二电极228与图案化导电层250电连接。可以使用任何适当技术将LED 220与图案化导电层250电连接。例如,在图示实施例中,LED 220的第一电极226和第二电极228通过接触件254与图案化导电层250电连接。这种接触件254可以是弹簧加压的,使得当LED 220连接在基板212上时,第一电极226和第二电极228与接触件254保持非结合的电连接。
该至少一个LED 220可以通过柱230与导热基板212热连接。可以使用任何适当技术,例如超声波焊接、RF焊接、热超声焊接、结合、钎焊、激光焊接等,将LED 220连接在导热基板212上。例如,LED 220可以超声波焊接到导热基板212上。超声波焊接通常利用转换为热量的振动将多个部件连接在一起。常用的超声波焊接是插入焊接和连续焊接,例如,扫描焊接和旋转焊接。在插入焊接中,超声变幅杆插入(朝部件方向移动)并将振动传递到顶部部件中。在连续焊接中,超声变幅杆通常静止或旋转,并且使部件移动到其下方。每种超声波焊接都包括变幅杆。
所有变幅杆都以所选波长、频率和振幅向将要焊接的部件传递能量。旋转变幅杆包括具有输入端和输出端的杆,和安装在输出端上并与输出端同轴的焊接部分。焊接部分的直径通常大于杆的直径。焊接部分具有圆柱形焊接面,该焊接面的直径随着施加的振动能量而膨胀和收缩。通常,旋转变幅杆呈圆柱形,并且围绕纵轴旋转。输入振动是沿轴向的,输出振动是沿径向的。变幅杆和砧座相互靠近,并且砧座可以沿与变幅杆的旋转方向相反的方向旋转。将要焊接的部件(或多个部件)以线速度经过圆柱形表面之间,该线速度等于圆柱形表面的切向速度。使变幅杆和砧座的切向速度与材料的线速度的匹配趋于使变幅杆与材料之间的阻力降至最小。
可以使用任何适当的超声波焊接设备和技术将LED 220连接在导热基板212上。一般来说,LED 220的柱230位于导热基板212附近。在LED 220上施加超声波能量,使得由超声波能量产生的热量将柱230连接在导热基板212上。
在照明组件设置在光腔内或者光腔附近的典型背光显示器中,由LED或者其它光源发射的光会经历电路板基底的若干次反射。这种电路板基底可以制造成在电路板上带有高度反射的涂层,例如,填充有二氧化钛的涂层或者反射膜。对于LED来说,这些类型的任意一种反射器都需要图案化,以与电路板电接触和热接触。该图案化通常是昂贵的,并且,由于电路板的性质,从LED结到该电路板的导热性仍可能很差。在本发明的组件中,介电层不必预先用孔图案化。
相反,例如将LED 220超声波焊接到基板212上的工序会使一部分反射层240被去掉,使得柱230与基板212接触并连接在基板上。这可以极大地降低因对另一种反射层进行图案化而产生的成本。可以在柱230和导热基板212之一上或者同时在二者上使用非氧化材料(例如金)的薄涂层,以增强电气接口的环境稳定性。
在可用于将LED 220连接在导热基板212上的技术中,优选的是导热导电粘合剂、焊料回流和金/锡共晶结合。通常焊料的热阻比粘合剂低,但是不是所有的LED都具有可焊接的基极金属化(solderable base metallization)。由于在处理过程中熔化焊料的表面张力使LED对准,所以焊料连接还具有LED自对准的优点。然而,一些LED可能对焊料回流温度敏感,从而更适合使用粘合剂进行连接。现有技术中已知的低温焊料适合用于需要良好导热率而又不能容许大于200℃的常规回流温度的组件。
在一些实施例中,该至少一个LED 220可以通过柱230与导热基底212既热连接又电连接。换句话说,LED管芯222的一个电极或者两个电极可以电连接到柱230。在这种实施例中,导热基底212变成连接在基底212上的一个或者多个LED 220的公用连接。因此,除了从LED 220导出热之外,导热基底212还是照明组件200的电路的有源元件。例如,导热基底212可以给组件200中的每个LED 220提供公用的电接地。此外,当导热基底212由具有良好的导电率的一种材料或者多种材料构成时,可以实现额外的益处,包括具有低电压降和EMI屏蔽的均匀的电流分布。可以使用任何合适的技术将LED管芯222的一个电极或者多个电极电连接到柱230,例如题目为“ILLUMINATIONASSEMNLY AND METHOD OF MAKING SAME”的共有且共同未决的美国专利申请(美国专利申请序列号No.11/018,605)中所述的那些技术。
如本文所述,可以使用任何合适的技术将本发明的LED连接在导热基底上。在一些实施例中,LED的柱可以在LED主体连接在柱上之前连接或者结合在该基底上。例如,柱230可以具有一条或多条用于将LED主体224拧到柱230上的螺纹。为了易于连接到柱230上,LED主体224还可以具有与柱230的螺纹相匹配的螺纹。
一般来说,可以通过利用比如超声波焊接等任何适当技术首先将柱230连接在导热基板212上,来将至少一个LED 220连接在导热基板212上。如果反射层240具有孔248并且支撑层242具有孔249,那么柱230穿过孔248和249与基板212热连接。在其它实施例中,可以在连接过程中穿过反射层240和支撑层242形成孔248和249。在柱230连接在基板212上之后,可以利用任何适当技术将LED主体224连接在柱230上。在一个实施例中,将LED主体224拧到柱230上,直到第一电极226和第二电极228通过接触件254与图案化导电层250电连接为止。作为选择的是,如果柱230没有螺纹,那么LED主体224可以摩擦配合到柱230上,或者LED主体224可具有保持突起或现有技术中已知的用于连接柱230的其他装置。
照明组件200的支撑层242可以包括为反射层240和图案化导电层250提供支撑结构的任何适当的一种或多种材料,例如金属、聚合物等材料。在一些实施例中,支撑层242可以包括介电材料,使得图案化导电层250不与导电的反射层240电连接。此外,在一些实施例中,支撑层242和导电层250可以包括印刷电路板(PCB),该印刷电路板具有位于与图案化导电层250相反的表面244上的反射层240。
支撑层242通过绝缘体252与导热基板212的第一主表面214分开。这种绝缘体252可以是任何适当的一种或多种材料,所述材料能够对支撑层242进行支撑,并且可以使图案化导电层250与导热基板212电绝缘。在一些实施例中,绝缘体216可以形成在导热基板212上并且从基板212的第一主表面214延伸出来。可以利用任何适当技术形成绝缘体252,例如,滚花、压花、蚀刻、抛光等。
一般来说,可以利用任何适当技术制造图3的照明组件200。例如,在将支撑层242安装在导热基板212的绝缘体216上之前,可以在支撑层242的第二主表面246上形成图案化导电层250,并且可以在支撑层242的第一主表面244上形成反射层240。此外,在安装支撑层242之前,还可以将至少一个LED 220与图案化导电层250电连接。支撑层242可以与绝缘体216非结合接触,或者可以利用比如粘合、焊接、钎焊等任何适当技术将支撑层242连接在绝缘体216上。在一些实施例中,支撑层242可以具有与绝缘体216对准的开口,使得一些或所有绝缘体216的一部分位于这种开口中。
作为选择的是,支撑层242和图案化导电层250可以设置在绝缘体252上,然后反射层240可以形成在支撑层242的第一主表面244上。此外,在支撑层242、图案化导电层250和反射层240已经设置在导热基板212的第一主表面214附近之后,至少一个LED 220可以连接在导热基板212上。
如本文所述,可以利用任何适当的技术将本发明的LED连接在导热基板上。例如,LED可以包括具有嵌入导热基板部分的柱。例如,图4是照明组件300的示意性横截面视图。组件300包括导热基板312、在导热基板312的第一主表面314附近的反射层340、位于反射层340与第一主表面314之间的图案化导电层350以及至少一个LED 320。组件300还包括具有第一主表面344和第二主表面346的支撑层342,其中该第二主表面通过绝缘体316与导热基板312的第一主表面314分开。反射层340设置在支撑层342的第一主表面344上。此外,图案化导电层350设置在支撑层342的第二主表面346上。在此描述的与图3所示实施例的导热基板212、反射层240、图案化导电层250、支撑层242以及至少一个LED 220有关的所有设计考虑和可能因素都同等地适用于图4所示实施例的导热基板312、反射层340、图案化导电层350、支撑层342以及至少一个LED 320。
该至少一个LED 320包括柱330、LED晶粒322、LED主体324以及反射面325。LED 320还包括第一电极326和第二电极328。至少一部分柱330嵌入导热基板312中。在一些实施例中,柱330嵌入,使得柱330的第一端332位于导热基板312之内。如图4的实施例所示,在其他实施例中,柱330嵌入,使得第一端332在导热基板312的第二主表面315之外。通过将至少一部分柱330嵌入到导热基板312中,使得柱330与导热基板312接触的表面面积将大于柱330仅与基板312的第一主表面314接触时的表面面积。这种增加的接触可以提高导热率。
此外,柱330的延伸超过导热基板312的第二主表面315的部分可以提供向周围空气、强迫通风、冷却液体或其他适当散热装置的额外散热。
该至少一个LED 320可以通过柱330与导热基板312热连接。可以利用任何适当技术将LED 320连接在导热基板312上。例如,可以在导热基板312上形成凹陷或开口,然后将LED 320的柱330压入配合到该凹陷中。LED 320通过柱330与基板312之间的摩擦力保持连接在导热基板312上。可以利用任何适当技术在基板312中形成凹陷或开口,例如,滚花、压花、蚀刻、去除、冲压等。
作为选择的是,可以通过用柱330刺穿基板312,而没有首先在基板312上形成凹陷或孔,来将至少一个LED 320连接在基板312上。柱330可以包括有尖的或锐利的第一端332,以便易于刺穿基板312。
如本文所述,可以利用任何适当技术将本发明的LED与导热基板连接。在一些实施例中,没有LED主体的柱可以连接在基板上,然后LED主体可以连接在该柱上。
一般来说,可以利用诸如压入配合、刺穿、螺旋连接等任何适当技术首先将柱330连接在导热基板312上,来将LED 320连接在导热基板312上。如果反射层340具有孔348并且支撑层342具有孔349,那么柱330安装在孔348和349中并且与基板312热连接。如在此进一步所述,在其他实施例中,可以在连接过程中穿过反射层340和支撑层342形成孔348和349。在柱330连接在基板312上之后,可以利用任何适当技术将LED主体324连接在柱330上。在一个实施例中,LED主体324和柱330包括螺纹,使得主体324可以拧到柱330上,直到第一电极326和第二电极328通过接触件354与图案化导电层350电连接为止。作为选择的是,LED主体324可以摩擦配合到柱330上,或者LED主体324具有保持突起或现有技术中已知的用于连接的其他装置。
可以利用任何适当的装置或技术防止LED 320与导热基板312分开。例如,柱330可以具有一个或多个用于帮助将LED 320固定连接在基板312上的突起。在其他实施例中,柱330可以具有一条或多条用于将LED 320拧到或者螺旋连接到导热基板312中的螺纹,例如题目为“ILLUMINATION AS SEMNLY AND METHOD OFMAKING SAME”的共有且共同未决的美国专利申请(美国专利申请序列号No.11/018,605)中所述。
在一些实施例中,可以不需要支撑层。例如,图5是照明组件400的另一个实施例的示意性横截面视图。组件400包括导热基板412、位于导热基板412的第一主表面414附近的反射层440、位于反射层440与第一主表面414之间的图案化导电层450以及至少一个LED 220。与图3所示实施例的导热层212、反射层240、图案化导电层250以及至少一个LED 220有关的所有设计考虑都同等地适用于图5所示实施例的导热层412、反射层440、图案化导电层450以及至少一个LED 420。
在图5中,组件400不包括支撑层(例如,图3的支撑层242)。相反地,反射层440位于设置在导热层412的第一主表面414与反射层440之间的绝缘体416上。反射层440可以设置在绝缘体416上,或者反射层440可以利用比如粘合剂连接在绝缘体上。在此所述的任何适当的反射层都可以用于图5的组件400。
此外,与图3的实施例不同,图案化导电层450位于导热基板412的第一主表面414上。本领域所属技术人员将会理解,为了防止图案化导电层450与导热基板412电接触,需要在图案化导电层450与导热基板412之间设置介电层。可以利用任何适当的介电层。此外,可以利用诸如化学气相沉积、溅射等任何适当技术在导热基板412的第一主表面414上形成这种介电层。
图案化导电层450可以是任何适当类型的导电层,例如图3的图案化导电层250。例如,图案化导电层450可以包括设置或者连接在导热基板412的第一主表面414上的金属网。
在一些实施例中,对于不导电的反射层(即,介电层)来说,可以不需要绝缘体416。相反地,反射介电层440可以直接位于图案化导电层450上。
在图5所示实施例中,该至少一个LED 420通过第一电极426和第二电极428与图案化导电层450电连接。这种电极426和428与图案化导电层450的导体452电连接。可以利用任何适当技术将LED 420与图案化导电层450电连接。例如,第一电极426和第二电极428可以超声波焊接到导体452上。作为选择的是,LED 420可以连接在导热基板412上,使得第一电极426和第二电极428与导体452保持非结合的电连接。在其他实施例中,第一电极426和第二电极428可以与导体452焊接。
图5的组件400可以使用任何适当的一个或多个LED。例如,组件400可以包括具有部分嵌入导热基板412的柱的LED(例如,图4的LED 320)。可以利用诸如压入配合、刺穿、螺旋连接等任何适当技术将这种LED连接在导热基板上。此外,类似于图4所示的实施例,这种柱可以具有延伸超过导热基板412的第二主表面415的第一端。
可以任何合适的方式使用本发明的照明组件提供照明。例如,可以用本文所述的一些或者全部照明组件为显示器提供照明。图6示意性地示出显示组件500,该显示组件500包括与显示装置520光学耦合的照明组件510。照明组件510可以包括本文所述的任何照明组件,例如,图3的照明组件200。照明组件510为显示装置520提供照明光。显示装置520可以是任何合适的显示装置,例如,电致变色装置或者电泳装置、空间光调制器、透射式标志等。
例如,显示装置520可以包括一个或者多个空间光调制器。在一些实施例中,所述一个或者多个空间光调制器可以包括可单独寻址的可控元件的阵列。这种空间光调制器可以包括合适类型的可控元件。例如,空间光调制器可以包括可变透射率式显示器。在一些实施例中,空间光调制器可以包括液晶显示器(LCD),液晶显示器是透射式光调制器的例子。在一些实施例中,空间光调制器可以包括可变形的反射镜装置(DMD),其是反射式光调制器的例子。
显示装置520可以包括用于提供显示图像的任何合适的光学和非光学元件,例如,透镜、扩散器、偏振器、滤光器、分束器、增亮膜等。可以使用本领域已知的任何合适的技术将照明组件510与显示装置520光耦合。
在一些实施例中,显示装置520可以被照明组件510直接照明。换句话说,显示装置520可以设置在照明组件510和观看位置之间,例如,美国专利公开No.2004/0228106(Stevenson等人)中所述的那些直接照明式显示器。在其它实施例中,显示装置520可以被照明组件510侧面照明,即,来自照明组件510的光被引导通过显示装置520的一个或者多个侧面,这些侧面与装置520的输出表面基本上正交。这种侧面照明式实施例可以包括美国专利公开No.2004/0228106(Stevenson等人)中所述的那些系统。
在此引用的所有参考资料和公开出版物的全部内容通过引用并入本发明。上面描述了本发明的示例性实施例,并且参考了本发明范围内的各种可行的变化。对本领域的那些技术人员来说,在不脱离本发明的范围的情况下,对本发明的这些和其它的变化和修改将显而易见,并且,应该这样理解,本发明不局限于本文所阐述的示例性实施例。因此,本发明仅仅由下面提供的权利要求限制。

Claims (25)

1.一种照明组件,包括:
导热基板,其具有第一主表面;
反射层,其位于所述导热基板的第一主表面附近;
图案化导电层,其设置在所述反射层与所述导热基板的第一主表面之间,并与所述导热基板电绝缘;以及
至少一个LED,其具有连接在所述导热基板上的柱,其中,所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的组件,其中,所述至少一个LED连接在所述导热基板的第一主表面上。
3.根据权利要求1所述的组件,其中,至少一部分所述柱嵌入所述导热基板中。
4.根据权利要求3所述的组件,其中,所述柱包括延伸超过所述导热基板的第二主表面的第一端。
5.根据权利要求1所述的组件,其中,所述反射层包括具有交替折射率的多个聚合物层。
6.根据权利要求1所述的组件,其中,所述组件还包括具有第一主表面、第二主表面以及至少一个孔的支撑层,所述反射层包括至少一个孔,所述反射层位于所述支撑层的第一主表面上,使得所述反射层的至少一个孔与所述支撑层的至少一个孔基本对准,而且所述图案化导电层位于所述支撑层的第二主表面上。
7.根据权利要求6所述的组件,其中,所述组件还包括位于所述导热基板的第一主表面与所述支撑层之间的多个绝缘体,其中所述支撑层和所述图案化导电层通过所述多个绝缘体与所述导热基板的第一主表面隔开。
8.根据权利要求7所述的组件,其中,所述多个绝缘体形成在所述导热基板内,并从所述导热基板的第一主表面延伸出来。
9.根据权利要求1所述的组件,其中,所述组件还包括在所述导热基板的第一主表面上形成的介电层,所述介电层布置在所述图案化导电层与所述导热基板之间。
10.根据权利要求1所述的组件,其中,所述导热基板也是导电的,而且所述至少一个LED通过所述柱与所述导热导电基板电连接。
11.根据权利要求1所述的组件,其中,所述组件包括LED阵列。
12.一种制造照明组件的方法,包括:
提供具有第一主表面的导热基板;
将图案化导电层设置在所述导热基板的第一主表面附近,使得所述图案化导电层与所述导热基板电绝缘;
设置反射层,使得所述图案化导电层位于所述反射层与所述第一主表面之间;
提供至少一个具有柱的LED;以及
将所述至少一个LED连接在所述导热基板上,使得所述至少一个LED与所述反射层相邻,其中,所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述连接至少一个LED的步骤包括将所述柱压入配合到所述导热基板内。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述连接至少一个LED的步骤包括用所述柱刺穿所述导热基板。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述连接至少一个LED的步骤包括将所述至少一个LED超声波焊接到所述导热基板的第一主表面上。
16.根据权利要求12所述的方法,其中,所述柱包括带螺纹的柱,所述连接至少一个LED的步骤包括将所述带螺纹的柱拧入所述导热基板。
17.根据权利要求12所述的方法,其中,所述连接至少一个LED的步骤还包括:
在所述反射层中形成至少一个孔;以及
将所述至少一个LED的所述柱设置在所述至少一个孔中。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,形成所述至少一个孔的步骤包括用所述柱去掉部分所述介电层。
19.根据权利要求12所述的方法,还包括提供具有第一主表面和第二主表面的支撑层,其中,所述支撑层的第二主表面设置在所述导热基板的第一主表面附近,所述反射层位于所述支撑层的第一主表面上,所述图案化导电层位于所述支撑层的第二主表面上。
20.根据权利要求19所述的方法,还包括提供位于所述导热基板的第一主表面与所述支撑层之间的多个绝缘体,其中,所述支撑层位于所述多个绝缘体上,使得所述支撑层与所述导热基板的第一主表面隔开。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述提供多个绝缘体的步骤包括在所述导热基板的第一主表面中通过压花形成所述多个绝缘体。
22.根据权利要求19所述的方法,其中,所述设置反射层的步骤包括将聚合物的多层光学薄膜连接在所述支撑层的第一主表面上。
23.根据权利要求12所述的方法,还包括在所述导热基板的第一主表面上形成介电层,其中,设置所述图案化导电层的步骤包括在所述介电层上形成所述图案化导电层,使得所述介电层位于所述导电层与所述导热基板的第一主表面之间。
24.一种显示器,包括:
照明组件,包括:
导热基板,其具有第一主表面;
反射层,其位于所述导热基板的第一主表面附近;
图案化导电层,其设置在所述反射层与所述导热基板的第一主表面之间,并与所述导热基板电绝缘;以及
至少一个LED,其具有连接在所述导热基板上的柱,其中所述至少一个LED通过所述柱与所述导热基板热连接,并与所述图案化导电层电连接;以及
空间光调制器,其与所述照明组件光学耦合,其中,所述空间光调制器包括多个可控元件,这些元件可操作以便调制至少一部分来自所述照明组件的光。
25.根据权利要求24所述的显示器,其中,所述空间光调制器的多个可控元件包括液晶显示元件。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8044570B2 (en) 2008-10-21 2011-10-25 Toshiba Lighting & Technology Corporation Lighting device comprising a color conversion unit
US8057072B2 (en) 2008-12-12 2011-11-15 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting module and illumination apparatus
CN102159885B (zh) * 2008-09-23 2013-02-06 泰科电子公司 发光二极管互连组件
US8408724B2 (en) 2008-12-26 2013-04-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light source module and lighting apparatus
CN103617969A (zh) * 2013-12-04 2014-03-05 广州先艺电子科技有限公司 一种焊接金锡合金薄膜的热沉及其制备方法
US8820950B2 (en) 2010-03-12 2014-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting device and illumination apparatus
CN104051594A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 格罗特工业有限公司 包括保护保形涂层的柔性照明器件
CN104303291A (zh) * 2012-05-23 2015-01-21 皇家飞利浦有限公司 可表面安装的半导体器件
CN104848067A (zh) * 2015-05-28 2015-08-19 成都斯科泰科技有限公司 用于led光源的多芯阵列集成结构
CN108954039A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置及其制备方法

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2862424B1 (fr) * 2003-11-18 2006-10-20 Valeo Electronique Sys Liaison Dispositif de refroidissement d'un composant electrique et procede de fabrication de ce dispositif
JP4176703B2 (ja) * 2004-11-25 2008-11-05 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、カメラ、及び製造方法
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US7633177B2 (en) * 2005-04-14 2009-12-15 Natural Forces, Llc Reduced friction wind turbine apparatus and method
US7537374B2 (en) * 2005-08-27 2009-05-26 3M Innovative Properties Company Edge-lit backlight having light recycling cavity with concave transflector
US7695180B2 (en) * 2005-08-27 2010-04-13 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and system
US20070047228A1 (en) * 2005-08-27 2007-03-01 3M Innovative Properties Company Methods of forming direct-lit backlights having light recycling cavity with concave transflector
US7815355B2 (en) * 2005-08-27 2010-10-19 3M Innovative Properties Company Direct-lit backlight having light recycling cavity with concave transflector
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
JP4798432B2 (ja) * 2005-11-21 2011-10-19 ミネベア株式会社 面状照明装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7488097B2 (en) * 2006-02-21 2009-02-10 Cml Innovative Technologies, Inc. LED lamp module
JP2008034622A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sharp Corp 半導体発光素子アセンブリ
WO2008144650A1 (en) 2007-05-20 2008-11-27 3M Innovative Properties Company Collimating light injectors for edge-lit backlights
TWI458918B (zh) 2007-05-20 2014-11-01 3M Innovative Properties Co 具有有利設計特性之薄形中空背光
EP2160645A2 (en) 2007-05-20 2010-03-10 3M Innovative Properties Company Light recycling hollow cavity type display backlight
JP5336474B2 (ja) 2007-05-20 2013-11-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半鏡面構成要素を備えたリサイクル型バックライト
CN101378613B (zh) * 2007-08-27 2012-07-04 佶益投资股份有限公司 发光二极管光源以及发光二极管灯体
JP2009088373A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプモジュール
CN102943966B (zh) * 2007-12-13 2015-02-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于安装到散热器的发光二极管
JP5702151B2 (ja) 2008-02-07 2015-04-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 構造化フィルムを有する中空のバックライト
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ledランプモジュール
US9541698B2 (en) 2008-02-22 2017-01-10 3M Innovative Properties Company Backlights having selected output light flux distributions and display systems using same
JP5185683B2 (ja) * 2008-04-24 2013-04-17 パナソニック株式会社 Ledモジュールの製造方法および照明器具の製造方法
KR20110019388A (ko) 2008-06-04 2011-02-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 경사형 광원을 갖는 중공 백라이트
US8220980B2 (en) * 2008-09-23 2012-07-17 Tyco Electronics Corporation Socket assembly for light-emitting devices
JP5245980B2 (ja) * 2008-09-30 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2010062485A1 (en) * 2008-10-27 2010-06-03 3M Innovative Properties Company Semispecular hollow backlight with gradient extraction
RU2011143927A (ru) * 2009-03-31 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Модуль коллимирующей оптики светодиодов, снабженный изолирующей соединительной деталью
US8192048B2 (en) * 2009-04-22 2012-06-05 3M Innovative Properties Company Lighting assemblies and systems
US20100302789A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 Qing Li LED Light Source Module and Method for Producing the Same
US9303861B2 (en) 2009-09-14 2016-04-05 Us Vaopto, Inc. Light emitting diode light source modules
IT1397380B1 (it) 2010-01-08 2013-01-10 Khatod Optoelectronic Srl Sistema di illuminazione e metodo di montaggio dello stesso.
US20130016494A1 (en) * 2010-01-11 2013-01-17 Ingo Speier Package for light emitting and receiving devices
JP2011238367A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Funai Electric Co Ltd 面発光装置の光源取付構造
WO2011142145A1 (ja) * 2010-05-10 2011-11-17 シャープ株式会社 光源および光源装置ならびに表示装置
US8556445B2 (en) * 2010-06-02 2013-10-15 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device and television device
JP5456077B2 (ja) 2011-03-11 2014-03-26 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Ledモジュール及びその製造方法と、ledモジュールを含むledチャンネルレター
US10074779B2 (en) 2011-03-11 2018-09-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED module, method for manufacturing the same, and LED channel letter including the same
TW201250159A (en) * 2011-06-01 2012-12-16 gui-fang Chen Light-emitting diode module
US9236547B2 (en) 2011-08-17 2016-01-12 3M Innovative Properties Company Two part flexible light emitting semiconductor device
US20120175667A1 (en) 2011-10-03 2012-07-12 Golle Aaron J Led light disposed on a flexible substrate and connected with a printed 3d conductor
US8632221B2 (en) * 2011-11-01 2014-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED module and method of bonding thereof
TWI536617B (zh) * 2012-02-17 2016-06-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體燈條及其製造方法
US10928321B2 (en) 2012-03-09 2021-02-23 Ubiquitome Limited Portable device for detecting molecule(s)
DE102012106982A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels
CN102833986B (zh) * 2012-08-16 2014-12-31 苏州金科信汇光电科技有限公司 自粘软性导热基板
US20160051982A1 (en) * 2013-03-08 2016-02-25 Otago Innovation Limited Reaction vessel holder and molecule detection device
WO2014180718A1 (en) * 2013-05-07 2014-11-13 Koninklijke Philips N.V. Optical system providing polarized light
CN106195924B (zh) * 2013-06-08 2019-05-03 深圳光峰科技股份有限公司 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置
US10718474B1 (en) 2014-11-20 2020-07-21 The Light Source, Inc. Lighting fixture with closely-packed LED components
US9659844B2 (en) * 2015-08-31 2017-05-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die substrate with integral heat sink
KR20210108124A (ko) * 2020-02-25 2021-09-02 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 이에 구비되는 디스플레이 패널
CN116146925A (zh) * 2021-11-22 2023-05-23 东莞市景茂电子科技有限公司 一种led仿真火焰装置及led仿真蜡烛

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
US4774434A (en) * 1986-08-13 1988-09-27 Innovative Products, Inc. Lighted display including led's mounted on a flexible circuit board
DE3803951A1 (de) 1988-02-10 1989-08-24 Mentor Gmbh & Co Reflektor-leuchte
US5727310A (en) * 1993-01-08 1998-03-17 Sheldahl, Inc. Method of manufacturing a multilayer electronic circuit
US5882774A (en) * 1993-12-21 1999-03-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical film
US6080467A (en) * 1995-06-26 2000-06-27 3M Innovative Properties Company High efficiency optical devices
US6164789A (en) * 1996-07-12 2000-12-26 Honeywell International Inc. Illumination sources and systems
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
US5998935A (en) * 1997-09-29 1999-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. AC plasma display with dual discharge sites and contrast enhancement bars
KR19990047842A (ko) * 1997-12-05 1999-07-05 윤종용 휴대용 단말기의 안테나 장치
US6531230B1 (en) * 1998-01-13 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Color shifting film
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
DE19922176C2 (de) 1999-05-12 2001-11-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
US6452217B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-17 General Electric Company High power LED lamp structure using phase change cooling enhancements for LED lighting products
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US7758222B2 (en) * 2001-01-18 2010-07-20 Ventra Greenwich Holdings Corp. Method for vacuum deposition of circuitry onto a thermoplastic material and a vehicular lamp housing incorporating the same
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
ATE551731T1 (de) * 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6714348B2 (en) * 2001-11-14 2004-03-30 Ken-A-Vision Manufacturing Co., Inc. Cordless microscope
US6784462B2 (en) 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
KR100991830B1 (ko) 2001-12-29 2010-11-04 항조우 후양 신잉 띠앤즈 리미티드 Led 및 led램프
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
US6945672B2 (en) * 2002-08-30 2005-09-20 Gelcore Llc LED planar light source and low-profile headlight constructed therewith
DE10245892A1 (de) * 2002-09-30 2004-05-13 Siemens Ag Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung einer Bildwiedergabevorrichtung
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
TW578280B (en) * 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US20040135162A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-15 Unity Opto Technology Co., Ltd. Light emitting diode
US7320531B2 (en) * 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
KR100852579B1 (ko) * 2003-03-31 2008-08-14 샤프 가부시키가이샤 면 조명 장치 및 그것을 이용한 액정 표시 장치
TWI321248B (en) * 2003-05-12 2010-03-01 Au Optronics Corp Led backlight module
US6846089B2 (en) * 2003-05-16 2005-01-25 3M Innovative Properties Company Method for stacking surface structured optical films
US6974229B2 (en) * 2003-05-21 2005-12-13 Lumileds Lighting U.S., Llc Devices for creating brightness profiles
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102159885B (zh) * 2008-09-23 2013-02-06 泰科电子公司 发光二极管互连组件
US8044570B2 (en) 2008-10-21 2011-10-25 Toshiba Lighting & Technology Corporation Lighting device comprising a color conversion unit
US8057072B2 (en) 2008-12-12 2011-11-15 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting module and illumination apparatus
US8408724B2 (en) 2008-12-26 2013-04-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light source module and lighting apparatus
US8820950B2 (en) 2010-03-12 2014-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting device and illumination apparatus
CN104303291A (zh) * 2012-05-23 2015-01-21 皇家飞利浦有限公司 可表面安装的半导体器件
CN104051594A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 格罗特工业有限公司 包括保护保形涂层的柔性照明器件
CN103617969A (zh) * 2013-12-04 2014-03-05 广州先艺电子科技有限公司 一种焊接金锡合金薄膜的热沉及其制备方法
CN104848067A (zh) * 2015-05-28 2015-08-19 成都斯科泰科技有限公司 用于led光源的多芯阵列集成结构
CN108954039A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置及其制备方法
CN108954039B (zh) * 2017-05-19 2020-07-03 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008524826A (ja) 2008-07-10
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