CN101075529A - 花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层、碳纳米管以及花瓣型下栅控阴极结构；能够增强栅极结构的控制功能和控制效率，提高器件的显示图像质量，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管场致发射显示器技术将会在显示技术舞台上大放光彩，其原理是使用碳纳米管冷阴极发射的电子，不需要额外能量，电子束窄且具有较高亮度，对荧光粉层进行轰击而发出可见光。这种显示器非常薄、轻，且节省能源，其更高的显示亮度使得可在阳光下轻松阅读文字，高速的响应速度使得它能适应诸如游戏、电影等快速更新画面的场合，内置千万冗余电子源让其表面更加凸凹不平，视角更宽广，从而映射出它是一种比较理想的下一代平板显示器件。

为了降低总体器件成本，便于和常规的集成电路联系，制作三极结构的碳纳米管阴极场致发射显示器已经成为一种必然选择。而在目前所报道的三极显示器件中，普遍都存在着栅极电压居高不下，碳纳米管阴极的有效电子发射面积小，碳纳米管的电子发射效率低，器件显示亮度不高等不利之处，还需要进一步加以研究和解决。目前大多数的显示器件中都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的控制模式，而受到栅极结构的制约，碳纳米管阴极的发射面积不可能扩大，这也就限制了器件显示亮度的提高。碳纳米管阴极的宏观表面形状对于其所形成的电场强度具有一定的影响，这是不可忽视的重要方面。因此还需要对现有的器件结构加以改进，在增大碳纳米管阴极有效电子发射面积的同时，提高阴极电子发射效率，降低栅极工作电压，从而进行高质量的器件制作。而目前还没有一个比较好的解决办法，还需要仔细的思考和设计。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层、碳纳米管以及花瓣型下栅控阴极结构。

所述的花瓣型下栅控阴极结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升层；提升层中存在小圆孔，用作栅极延长线层的通道；提升层中小圆孔内印刷的银浆层形成栅极延长线层；提升层上面的刻蚀后的金属层形成调控栅极一层；调控栅极一层呈现圆盘面型形状，依附于提升层的上表面，且和栅极延长线层相互连通；调控栅极一层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现凹陷倒梯型形状，即凹陷倒梯型的短边位于调控栅极一层上面，两侧是从凹陷倒梯型上表面长边开始的倾斜面，直至到达下面的短边位置为止，凹陷倒梯型上表面呈现一个向内凹陷的倒三角型形状，这样由倒三角型的边和凹陷倒梯型的侧面边就构成了分别斜向上指向的尖角型形状；凹陷倒梯型形状上表面上印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现一个正立的尖角三角型形状，坐落于凹陷倒梯型形状的上表面中心位置，其尖角指向阳极方向；栅极升高一层和栅极升高二层的表面上刻蚀后的金属层形成调控栅极二层；调控栅极二层布满栅极升高一层和栅极升高二层的整个上表面，且和底部的调控栅极一层相互连通；调控栅极二层和调控栅极一层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层上表面呈现半球型形状，间隔层下表面完全覆盖住调控栅极一层和调控栅极二层；间隔层上面的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层布满间隔层的整个上表面；阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层分为三部分，一部分位于阴极过渡层的顶部，呈现覆盖于阴极过渡层表面的圆面型形状，在垂直方向上底部正对应着调控栅极二层的尖角型形状，另一部分位于阴极过渡层的侧面，呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，其底部正对应着调控栅极二层的侧向尖角型形状，剩余一部分位于阴极过渡层的侧面底部，也是呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，内部正对应着调控栅极一层；提升层上面刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层都是相互连通的；阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

所述的花瓣型下栅控阴极结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层可以为金属金、银、铝、钼、铬；调控栅极一层可以为金属金、银、铝、钼、铬、锡；调控栅极二层可以为金属金、银、钼、铬、铝、锡；阴极引线层的走向和栅极引线层的走向是相互垂直的；阴极引线层可以为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟；阴极过渡层可以为金属金、银、铝、钼、铬、锡、铅、铜；阴极导电层可以为金属铁、钴、镍。

一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀形成栅极引线层；

4)提升层的制作：在栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成提升层；

5)栅极延长线层的制作：在提升层小圆孔内印刷银浆层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极延长线层；

6)调控栅极一层的制作：在提升层上面制出一个金属层，刻蚀形成调控栅极一层；

7)栅极升高一层的制作：在调控栅极一层上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

8)栅极升高二层的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

9)调控栅极二层的制作：在栅极升高一层和栅极升高二层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成调控栅极二层；

10)间隔层的制作：在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

11)阴极过渡层的制作：在间隔层上面制出金属层，刻蚀形成阴极过渡层；

12)阴极导电层的制作：在阴极过渡层上面制备出金属层，刻蚀形成阴极导电层；

13)阴极引线层的制作：在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

14)阴极覆盖层的制作：在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

15)花瓣型下栅控阴极结构的表面清洁处理：对花瓣型下栅控阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

16)碳纳米管的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

17)阳极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃划割，制作出阳极玻璃面板；

18)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

19)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

20)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

21)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，将消气剂放入到空腔中，用低熔点玻璃粉固定；

22)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤19具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤20具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的花瓣型下栅控阴极结构中，将碳纳米管制备在了阴极导电层的上面，而阴极导电层又呈现圆环型形状，环绕在阴极过渡层的上面。充分利用了碳纳米管阴极中边缘位置能够发射大量电子的特有现象，使得碳纳米管阴极发射出更多的电子，提高了碳纳米管阴极的电子发射效率。将栅极结构和阴极结构高度集成到一起，有助于促进整体器件的高度集成化发展；

其次，在所述的花瓣型下栅控阴极结构中，将栅极结构制作在了碳纳米管阴极结构的下方。当在栅极上施加适当电压以后，就会在碳纳米管阴极表面顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量电子，体现了栅极结构的强有力调控功能。由于栅极结构位于碳纳米管阴极结构的下方，碳纳米管阴极所发射的电子束不会受到栅极结构的截留，减小了栅极结构的工作电流，增加了阳极结构的工作电流，有助于提高器件的显示亮度。将调控栅极层制作成了尖角型形状，使得电场更容易在碳纳米管阴极表面顶端集中，再加之缩减了栅极结构和碳纳米管阴极的距离，因此能够极大的降低了栅极结构的工作电压。

此外，在所述的花瓣型下栅控阴极结构中，并没采用特殊的结构制作材料，也没采用特殊的器件制作工艺，这进一步降低了整体平板显示器件的成本，简化了器件的制作过程，能进行大面积的器件制作，利于进行商业化大规模生产。

附图说明

图1给出了花瓣型下栅控阴极结构的纵向结构示意图；

图2给出了花瓣型下栅控阴极结构的横向结构示意图；

图3给出了带有花瓣型下栅控阴极结构的平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

如图1、2、3所示，本发明包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂[22]附属元件；在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层[3]、碳纳米管[15]以及花瓣型下栅控阴极结构。

所述的花瓣型下栅控阴极结构包括阴极玻璃面板[1]、绝缘层[2]、栅极引线层[3]、提升层[4]、栅极延长线层[5]、调控栅极一层[6]、栅极升高一层[7]、栅极升高二层[8]、调控栅极二层[9]、间隔层[10]、阴极过渡层[11]、阴极导电层[12]、阴极引线层[13]、阴极覆盖层[14]和碳纳米管[15]部分。

所述的花瓣型下栅控阴极结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升层；提升层中存在小圆孔，用作栅极延长线层的通道；提升层中小圆孔内印刷的银浆层形成栅极延长线层；提升层上面的刻蚀后的金属层形成调控栅极一层；调控栅极一层呈现圆盘面型形状，依附于提升层的上表面，且和栅极延长线层是相互连通的；调控栅极一层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现凹陷倒梯型形状，即凹陷倒梯型的短边位于调控栅极一层的上面，两侧是从凹陷倒梯型上表面长边开始的倾斜面，直至到达下面的短边位置为止，凹陷倒梯型的上表面呈现一个向内凹陷的倒三角型形状，这样由倒三角型的边和凹陷倒梯型的侧面边就构成了分别斜向上指向的尖角型形状；凹陷倒梯型形状的上表面上印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现一个正立的尖角三角型形状，坐落于凹陷倒梯型形状的上表面中心位置，其尖角指向阳极方向；栅极升高一层和栅极升高二层的表面上的刻蚀后的金属层形成调控栅极二层；调控栅极二层布满栅极升高一层和栅极升高二层的整个上表面，且和底部的调控栅极一层是相互连通的；调控栅极二层和调控栅极一层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层的上表面呈现半球型形状，间隔层的下表面要完全覆盖住调控栅极一层和调控栅极二层；间隔层上面的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层布满间隔层的整个上表面；阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层分为三部分，一部分位于阴极过渡层的顶部，呈现覆盖于阴极过渡层表面的圆面型形状，在垂直方向上底部正对应着调控栅极二层的尖角型形状，另一部分位于阴极过渡层的侧面，呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，其底部正对应着调控栅极二层的侧向尖角型形状，剩余一部分位于阴极过渡层的侧面底部，也是呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，内部正对应着调控栅极一层；提升层上面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层都是相互连通的；阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

所述的花瓣型下栅控阴极结构固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬；调控栅极一层为金属金、银、铝、钼、铬、锡；调控栅极二层为金属金、银、钼、铬、铝、锡；阴极引线层走向和栅极引线层走向相互垂直；阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟；阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡、铅、铜；阴极导电层为金属铁、钴、镍。

一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板钠钙玻璃划割作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层[2]的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层[3]的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极引线层；

4)提升层[4]的制作：在栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成提升层；

5)栅极延长线层[5]的制作：在提升层小圆孔内印刷银浆层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极延长线层；

6)调控栅极一层[6]的制作：在提升层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成调控栅极一层；

7)栅极升高一层[7]的制作：在调控栅极一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

8)栅极升高二层[8]的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

9)调控栅极二层[9]的制作：在栅极升高一层和栅极升高二层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成调控栅极二层；

10)间隔层[10]的制作：在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

11)阴极过渡层[11]的制作：在间隔层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极过渡层；

12)阴极导电层[12]的制作：在阴极过渡层的上面制备出一个金属镍层，刻蚀后形成阴极导电层；

13)阴极引线层[13]的制作：在提升层的上面制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极引线层；

14)阴极覆盖层[14]的制作：在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

15)花瓣型下栅控阴极结构的表面清洁处理：对花瓣型下栅控阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

16)碳纳米管[15]的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

17)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

18)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

19)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

20)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

21)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

22)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起，并将消气剂[22]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

23)成品制作：对己经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤20具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤21具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤23具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (7)

1、一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[21]构成的密封真空腔；设在阳极玻璃面板上的阳极导电层[17]以及制在阳极导电层上面的荧光粉层[19]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂附属元件[22]；其特征在于：在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层[3]、碳纳米管[15]以及花瓣型下栅控阴极结构。

2、根据权利要求1所述的花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器，其特征在于：所述的花瓣型下栅控阴极结构衬底材料为钠钙玻璃、硼硅玻璃，即阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面刻蚀后金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成提升层；提升层中存在小圆孔，作栅极延长线层的通道；提升层中小圆孔内印刷的银浆层形成栅极延长线层；提升层上面刻蚀后的金属层形成调控栅极一层；调控栅极一层呈现圆盘面型形状，依附于提升层上表面，且和栅极延长线层相互连通；调控栅极一层上面印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现凹陷倒梯型形状，即凹陷倒梯型的短边位于调控栅极一层的上面，两侧是从凹陷倒梯型上表面长边开始的倾斜面，直至下面的短边位置为止，凹陷倒梯型上表面呈现向内凹陷的倒三角型形状，由倒三角型的边和凹陷倒梯型的侧面边构成了分别斜向上指向的尖角型形状；凹陷倒梯型形状上表面上印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现一个正立的尖角三角型形状，坐于凹陷倒梯型形状上表面中心位置，其尖角指向阳极方向；栅极升高一层和栅极升高二层表面上刻蚀后的金属层形成调控栅极二层；调控栅极二层布满栅极升高一层和栅极升高二层的整个上表面，且和底部的调控栅极一层相互连通；调控栅极二层和调控栅极一层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层的上表面呈现半球型形状，间隔层下表面覆盖调控栅极一层和调控栅极二层；间隔层上面刻蚀后金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层布满间隔层的整个上表面；阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层分为三部分，一部分位于阴极过渡层顶部，呈现覆盖于阴极过渡层表面的圆面型形状，在垂直方向上底部正对调控栅极二层的尖角型形状，另一部分位于阴极过渡层的侧面，呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，其底部正对应着调控栅极二层的侧向尖角型形状，剩余一部分位于阴极过渡层侧面底部，呈现圆环型形状环绕在阴极过渡层的周围，内部正对调控栅极一层；提升层上面刻蚀后金属层形成阴极引线层；阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层相互连通；阴极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制在阴极导电层的上面。

3、根据权利要求2所述的花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器，其特征在于：所述的花瓣型下栅控阴极结构的固定位置为固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层为金、银、铝、钼、铬；调控栅极一层为金、银、铝、钼、铬、锡；调控栅极二层为金、银、钼、铬、铝、锡；阴极引线层走向和栅极引线层走向相互垂直；阴极引线层为金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟；阴极过渡层为金、银、铝、钼、铬、锡、铅、铜；阴极导电层为铁、钴、镍。

4、一种花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃划割，制出阴极玻璃面板；

2)绝缘层[2]的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层[3]的制作：在绝缘层的上面制出金属层，刻蚀形成栅极引线层；

4)提升层[4]的制作：在栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成提升层；

5)栅极延长线层[5]的制作：在提升层小圆孔内印刷银浆层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极延长线层；

6)调控栅极一层[6]的制作：在提升层上面制出金属层，刻蚀形成调控栅极一层；

7)栅极升高一层[7]的制作：在调控栅极一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

8)栅极升高二层[8]的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

9)调控栅极二层[9]的制作：在栅极升高一层和栅极升高二层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成调控栅极二层；

10)间隔层[10]的制作：在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

11)阴极过渡层[11]的制作：在间隔层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极过渡层；

12)阴极导电层[12]的制作：在阴极过渡层上面制出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

13)阴极引线层[13]的制作：在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

14)阴极覆盖层[14]的制作：在阴极引线层上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

15)花瓣型下栅控阴极结构的表面清洁处理：对花瓣型下栅控阴极结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

16)碳纳米管[15]的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

17)阳极玻璃面板[16]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

18)阳极导电层[17]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

19)绝缘浆料层[18]的制作：在阳极导电层非显示区域印刷绝缘浆料层；

20)荧光粉层[19]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

21)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装到一起，将消气剂[22]放到空腔中，用低熔点玻璃粉固定；

22)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

5、根据权利要求4所述的花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤19具体为在阳极导电层非显示区域印刷绝缘浆料层，经烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放在烧结炉中高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

6、根据权利要求4所述的花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤20具体为在阳极导电层上面显示区域印刷荧光粉层；在烘箱中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

7、根据权利要求4所述的一种带有花瓣型下栅控阴极结构的平板显示器，其特征在于：所述步骤22具体为对装配好的器件进行封装工艺：将样品器件放入烘箱中进行烘烤；放入烧结炉中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Images