CN101059963A - 薄膜磁头和制造过程 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及薄膜磁头和制造过程。要解决的技术问题在于防止在磁道部分或带高度部分的形成期间的短路故障和改进生产率。根据本发明的技术方案，首先形成带高度方向，并且然后形成磁道宽度方向。具有光滑成形壁表面的第三绝缘膜10在带高度形成期间形成在第一绝缘膜8上。在第三绝缘膜10的形成期间，优化剥离图案用来使边缘形状光滑。

Description

薄膜磁头和制造过程
技术领域
本发明涉及一种用于磁盘存储的薄膜磁头。更具体地说，本发明涉及一种用于读的薄膜磁头。
背景技术
按照HDD的高记录密度的趋势，较窄磁道宽度和窄间隙长度需要安装薄膜磁头，并且允许高灵敏度。通常，薄膜磁头使用写入头和读出头的组合。目前，读出头的主流是使用GMR效应的GMR头。GMR头是把电信号供给到与膜表面平行的传感器膜的CIP(电流在平面内)头。对于进一步改进记录密度的需要促进被认为有利于实现高输出以及窄磁道宽度和窄间隙长度的TMR(隧道磁阻效应)和CPP-GMR(电流垂直于平面-巨磁阻效应)头的发展。不像传统GMR头，TMR头和CPP-GMR头不是应用与膜表面平行的感应电流的CIP型头，而是应用与膜表面垂直的感应电流的CPP型头。
JP-A No.198000/2003描述了是CPP型头的CPP-GMR。根据这个公报，凸起下部引线与传感器膜进行接触。上部引线构造成使用比下部引线所需要的更小的用于与传感器膜相接触的宽度，从而改进对准边缘(alignment margin)并形成小接触部分。JP-A No.298144/2003描述了具有与在JP-A No.198000/2003中描述的相类似的凸起下部引线的头。该头使用平坦凸起部分，并且使得有可能制造均匀传感器膜，从而改进特性。
JP-A No.11449/2005提出变薄在传感器侧处布置的磁畴控制膜和减小屏蔽间隙。变窄在传感器的侧部处的屏蔽间隙的目标在于减小侧读出。JP-A No.178656/2004为了减小侧读出的类似目的公开了具有侧屏蔽的结构。JP-A No.332649/2003的目标在于传感器膜的磁稳定性和侧读出的减少。JP-A No.44490/2005考虑钉扎层的磁性稳定性并且提出形成钉扎层，从而其在带高度(stripe-height)方向上的尺寸变得比磁道宽度的尺寸大。
CPP型头使用上部和下部屏蔽作为磁性屏蔽，并且也使用它们作为电极。绝缘膜布置在传感器膜的壁表面上。电极布置在传感器膜表面的上方和下面。电流垂直于膜表面地施加。根据制造过程，首先形成磁道宽度，并且然后形成带高度(stripe-height)。这同样应用于JP-ANo.11449/2005和JP-A No.44490/2005。
参照图1和2，以下描述了传统CPP型头的制造过程的例子。
(1-1)首先，在下部屏蔽1上形成诸如TMR膜之类的传感器膜3。图(1-1a)是沿在平面图(1-1b)中的ABS线得到的横断面图。这同样适用于以后的图。
(1-2)然后形成磁道形成抗蚀剂掩模4以便形成磁道。磁道形成抗蚀剂掩模4具有用于磁道形成的蚀刻区域41的开口。
(1-3)使用磁道形成抗蚀剂掩模4作为蚀刻掩模，以蚀刻用于磁道形成的蚀刻区域41的传感器膜3。为了确保传感器壁表面的绝缘，形成起到磁畴控制膜作用的第二绝缘膜5和磁性膜6。然后，执行剥离过程，以除去第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6的多余部分。结果，只有用于磁道形成的蚀刻区域41包含第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6。第二绝缘膜5确保在磁道附近的绝缘。
(1-4)形成带高度(stripe-height)形成抗蚀剂掩模7，以规定传感器膜3的带高度(stripe-height)方向。
(2-1)使用带高度形成抗蚀剂掩模7作为蚀刻掩模，以蚀刻传感器膜3。也同时蚀刻第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6。在这时，对于第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6形成蚀刻边缘A。
(2-2)利用所提供的带高度形成抗蚀剂掩模7，形成和剥离第一绝缘膜8，以便仅在带高度形成抗蚀剂掩模7的蚀刻部分处留下第一绝缘膜8。
(2-3)形成上部屏蔽11。
在将来，不仅必须改进读出密度，而且也必须增大信号频率。最终较窄间隙长度可能减小在作为电极的上部和下部屏蔽之间的距离，以增大在作为电极的上部和下部屏蔽之间的静电容量。不仅距离、而且电极面积也影响静电容量。增大电极面积增加静电容量。增加静电容量可能降低高频特性。不像CIP头，CPP型头使用用于上部和下部屏蔽的电极。问题变得更严重。为了避免这个问题，JP-A No.178656/2004描述了在用于磁道形成部分的绝缘膜(等效于在图1中的第二绝缘膜5)上形成另一个绝缘膜(间隙层)的例子。
已知的是，用来形成绝缘膜的制造过程使用剥离过程和蚀刻过程。这样的制造过程大大地影响生产率，并且在多种情况下是只凭经验的。
例如，让我们考虑的形成用于CPP型头的如图4中所示的绝缘膜10的情形。图3显示使用用于用来形成绝缘膜10的制造过程的剥离过程的例子。类似于图1，图3显示平面图和剖视图。
(3-1)显示了在磁道宽度方向和带高度方向上处理磁头之后的图。
(3-2)为了形成第三绝缘膜10而形成抗蚀剂图案9。
(3-3)在其上形成第三绝缘膜10。
(3-4)执行剥离过程，以除去第三绝缘膜10和抗蚀剂图案9的多余部分。
(3-5)形成上部屏蔽11，以完成磁头。
剥离过程也用于公开的磁道形成抗蚀剂掩模图案形状。关于根据剥离过程的CPP型磁头结构的磁道形成，JP-A No.332649/2003公开了其剥离图案具有下切的屋檐形横截面。
[专利文件1]JP-A No.198000/2003
[专利文件2]JP-A No.298144/2003
[专利文件3]JP-A No.11449/2005
[专利文件4]JP-A No.44490/2005
[专利文件5]JP-A No.332649/2003
[专利文件6]JP-A No.178656/2004
发明内容
CPP型头使用上部和下部屏蔽作为磁性屏蔽，并且也使用它们作为电极。绝缘膜布置在传感器膜的壁表面上。电极布置在传感器膜表面的上方和下面。电流垂直于膜表面地施加。垂直地施加电流可能在上部和下部引线之间产生多余电流路径，即短路等。这是一种致命缺陷。降低在上部和下部引线之间的绝缘电压增加了短路故障发生的可能性。结果，这导致生产率降低。最终较窄间隙长度倾向于进一步减小在屏蔽之间的距离。预期进一步增加导致短路和降低绝缘电压的可能性。
当如参照图1和2提到的那样首先在磁道宽度方向上并且然后在带高度方向上制造磁头时，怀疑会有如下问题。在磁道宽度方向上处理磁头之后，形成绝缘膜和磁畴控制膜。然后，在带高度方向上处理磁头。在这种情况下，经常可以同时切削磁畴控制膜和绝缘膜。当来自下部屏蔽的再沉积沉积在绝缘膜上时，下部屏蔽和磁畴控制膜短路。结果，短路传播到在磁畴控制膜上的上部屏蔽。因此，下部屏蔽和上部屏蔽短路。
这将参照图1和2更详细地描述。在(1-3)中，只有用于磁道形成的蚀刻区域41设有第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6。通常，第二绝缘膜5在某些情况下非常薄，如10nm或更小，从而磁性膜(磁畴控制膜)6可有效地起作用。较薄的第二绝缘膜5确保磁道附近的绝缘。在(2-1)中，使用带高度形成抗蚀剂掩模7作为蚀刻掩模来蚀刻传感器膜3。第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6被同时蚀刻。在这时，对于第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6形成蚀刻边缘A。当来自下部屏蔽1的再沉积形成在第二绝缘膜5上时，下部屏蔽1和磁性膜(磁畴控制膜)6短路。短路的部分原因是与磁性膜(磁畴控制膜)6同时形成的第二绝缘膜5的非常小的厚度。当第二绝缘膜5变薄时，短路的可能性增加。膜的增厚可降低短路的可能性。然而，在这样的情况下，在传感器膜与磁畴控制膜之间的距离增大，从而降低磁畴控制膜的效果和引起特性故障。
因而，重要的是既防止短路又稳定使用磁畴控制膜的特性。难以找到让两者都满意的情形。当上部屏蔽11最后形成并且在(2-1)中描述的问题发生时，下部屏蔽1和上部屏蔽11短路，而导致诸如降低输出的致命特性故障。
当使用该制造工序来形成磁头时，在晶片上的在带高度方向上磁性膜(磁畴控制膜)6的宽度几乎等于传感器膜。在空气承载表面(ABS)的研磨之后，传感器膜3具有近似100至200nm的带高度。高度变得远远低于在晶片过程中的高度。就是说，也大大地减小磁性膜(磁畴控制膜)6。当诸如磁性膜(磁畴控制膜)6之类的磁性膜经受其立方体积的减少时，磁性稳定性变坏。制造工序致使磁性膜(磁畴控制膜)6不稳定，并且可能使磁头特性变坏。预期带高度会低得多，并且预期影响增加。
当使用侧屏蔽膜作为磁性膜6来代替磁畴控制膜时，预期有类似问题。侧屏蔽膜需要吸收在传感器膜侧处的多余磁场。然而，当如上所述形成磁头时，它成为水平较长，即在带高度方向上非常窄并且在磁道宽度方向上非常宽。在这样的情况下，预期会出现过多的形状各向异性。就是说，侧屏蔽膜磁化可能在磁道宽度方向上固定，而使侧屏蔽的完全功能性无效。结果，减少侧读出的效果变坏，从而减少了改进记录密度的效果。
另一方面，这种制造工序可能引起以上提到的另一个问题。这将参照图5描述。图5显示在磁道形成之后形成带高度形成抗蚀剂掩模7。图5(a)是平面图。图5(b)是在图5(a)中的线a-a上得到的横断面图。通常做法是，在磁道形成期间调节磁性膜(磁畴控制膜)6的厚度，从而稳定传感器膜特性。当磁性膜(磁畴控制膜)6的顶部表面变得高于传感器膜3时(图5(b))，对于以后形成在图5(a)的区域E中的带高度形成抗蚀剂掩模7出现形状缺陷。在图5(a)的区域E是凹入的，并因此由于在光刻期间施加的抗蚀剂膜的非均匀厚度或晕影，对于带高度形成抗蚀剂掩模7引起形状缺陷。
当带高度形成抗蚀剂掩模7如图中所示遭受形状缺陷时，形状缺陷在传感器膜3的带高度方向上发生，并且尺寸精度变坏。在传感器膜3的带高度方向上的边缘位置对于在ABS研磨之后的读出头成为ABS的基点(喉-高度零点)。这个基准位置的精度也变坏。基准位置精度的变坏也导致要组合使用的写入头的位置精度的变坏。这是因为构成写入头的磁极的位置精度主要取决于在传感器膜3的带高度方向上的边缘位置精度。当边缘位置精度在传感器膜3的带高度方向上变坏时，在对ABS进行研磨之后，写入头的磁极的带高度方向上的长度发生波动。结果，写入头性能也波动。
非常重要的是，准确地形成规定在带高度方向上的基准位置的读出头的带高度方向。
通过在在磁道宽度方向和带高度方向上的处理之后形成第三绝缘膜、并且把第三绝缘膜覆盖高到用于磁道形成部分的外部边缘(在2-1中的部分A)的内侧，可保护在图1或2中的结构免于短路。这将参照图3描述。在由(3-2)指示的区域B处，上部绝缘膜图案与带高度形成部分的外侧相交。晕影出现在该部分处而扰乱图案。这可能留下剥离剩余物，或对于以后要形成的上部屏蔽引起形状缺陷。
如图3中所示，磁性膜6在磁道宽度形成期间经第二绝缘膜5布置在传感器膜的侧部处。很多结构布置侧屏蔽膜或磁畴控制膜作为磁性膜6。根据在图3中所示的结构，第三绝缘膜10覆盖侧屏蔽膜或磁畴控制膜的外部边缘区域。因此，在磁性膜6与上部屏蔽之间的距离靠近和远离传感器而变化。这将参照图4描述。图4表示与图3(3-5)相同的状态。由于提供第三绝缘膜10，所以在磁性膜6(侧屏蔽膜或磁畴控制膜)与上部屏蔽之间的距离在区域C处较小。在区域D处的距离由于第三绝缘膜10的厚度而增大。结果，当磁性膜6是磁畴控制膜时，从磁畴控制膜产生的磁通吸收到屏蔽中而引起非均匀分布。可能有诸如在屏蔽和传感器膜上产生磁畴壁的不利效果。当磁性膜6是侧屏蔽时，可能出现类似问题。当在侧屏蔽膜与上部屏蔽之间的距离依据区域C和D而变化时，侧屏蔽相对于上部屏蔽引起非均匀磁性作用或场分布。这可能不利地影响侧屏蔽和上部屏蔽。
为了改进高频特性，以上提到的JP-A No.178656/2004提出在磁道形成部分中在绝缘膜(等效于在图1中的第二绝缘膜)上形成另一个绝缘膜(间隙层)的例子。就是说，增大在作为电极的上部和下部屏蔽之间的距离，以减小静电容量。然而，JP-A No.178656/2004仅强调ABS形状和侧屏蔽结构。在间隙层方面仅强调ABS形状。没有提到在带高度方向上的处理。当为磁头处理传感器膜时，只处理磁道宽度和带高度可首先提供起传感器作用的形状。非常重要的是，考虑到两者来建立结构和过程。在JP-A No.178656/2004中所公开的间隙层与上部屏蔽接触，并且优选地光滑地成形。在很多情况下，间隙层具有几百纳米的厚度以便保证隔离电压。为了稳定屏蔽特性和改进隔离电压生产率，稳定地形成具有这样的厚度和形状的上部绝缘膜是重要的。然而，JP-A No.178656/2004没有提到形成方法。稳定磁头的制造仍然不清楚。JP-A No.11449/2005和JP-A No.44490/2005自身没有提供关于这样的绝缘膜的描述。
形成绝缘膜的方法包括图3中所示的剥离过程。剥离过程可以依据抗蚀剂膜厚度或构成来改变形状、稳定性及制造的容易性。图3，(3-2)和(3-3)，表示具有竖直壁表面的图案，如用来形成第三绝缘膜10的抗蚀剂图案9。当实际上使用这种形状时，在形成第三绝缘膜10之后进行剥离过程，导致在抗蚀剂图案9与第三绝缘膜10之间的边界边缘处剥离剩余物。导致形状缺陷。
蚀刻过程可以是形成第三绝缘膜的另一种方法。然而，传感器膜3的上表面也经受蚀刻过程，并因而可能被损坏。如以上提到的那样，剥离过程可以用来形成第三绝缘膜。例如，让我们考虑，根据与用于磁道形成相同的抗蚀剂膜厚度和形状来使用图案。如果该图案用于形成第三绝缘膜的过程，则这样的图像建造使得剥离过程困难。图案不能用作抗蚀剂图案9。原因如下。磁道形成是最精细的磁头过程之一。抗蚀剂图案膜非常薄，并且下切宽度非常小。
本发明的目的是，防止在磁道部分和带高度部分的形成期间的短路故障和改进生产率。
根据本发明的一种磁头是CPP型磁头，并且包括：一对第二绝缘膜，在磁道宽度方向上与传感器膜的两侧邻近地形成；一对磁性膜，它们在磁道宽度方向上形成在传感器膜的两侧处，并且与第二绝缘膜相邻；第一绝缘膜，在传感器膜的磁道宽度方向上布置在第二绝缘膜外侧；及第三绝缘膜，布置在上部屏蔽与第一绝缘膜之间。就在ABS上的形状而论，第二绝缘膜也与该对磁性膜的两个壁表面邻近，并且第三绝缘膜布置在第二绝缘膜的外面。该对磁性膜可以是硬磁性膜或软磁性膜。第二绝缘膜的外侧边缘相对于在ABS上的下部屏蔽形成90°或更小的角度。第三绝缘膜在上部屏蔽侧处没有角部。
通过执行用来限定传感器膜的带高度以形成第一绝缘膜的过程、进行用来限定传感器膜的磁道宽度以形成一对第二绝缘膜和一对磁性膜的过程、及然后形成第三绝缘膜，来制造根据本发明的CPP型磁头。
本发明可防止CPP型磁头的形状缺陷和短路故障。
附图说明
图1是显示用于传统CPP型磁头的制造过程的说明图。
图2是显示用于传统CPP型磁头的制造过程的说明图。
图3是显示用于传统CPP型磁头的制造过程的说明图。
图4是显示传统CPP型磁头的图。
图5是显示在传统制造过程的问题的图。
图6是显示根据本发明的读出磁头的实施例的图。
图7是示例说明根据本发明的读出磁头的制造过程的图。
图8是示例说明根据本发明的读出磁头的制造过程的图。
图9是示例说明根据本发明的读出磁头的制造过程的图。
图10是显示在剥离未优化剥离图案之前的状态的示意图。
图11是显示在剥离未优化剥离图案之前的状态的示意图。
图12是显示在剥离优化剥离图案之前的状态的示意图。
图13是显示第三绝缘膜的形状的示意图。
图14是显示一种磁头的示意图。
图15是显示一种磁盘单元的示意图。
图16是显示根据本发明的读出磁头的修改的图。
图17是显示根据本发明的读出磁头的修改的图。
图18是显示根据本发明的读出磁头的修改的图。
具体实施方式
将描述本发明的实施例。基本上，根据本发明的薄膜磁头用作与写入头相组合的读出头。除非另有说明，省略写入头部分，并且将仅描述读出头部分。
图6显示根据本发明的读出头的实施例。图6示意性地示出根据本发明的CPP型薄膜磁头的传感器膜的附近。图6(a)表示在ABS上的形状。图6(b)是在图6(a)中的线B-B上得到的横断面图。
如图6(a)中所示，传感器膜3布置在也用作电极的下部屏蔽1上。一对第二绝缘膜5在磁道宽度方向上与传感器膜3的两侧邻近地布置。第二绝缘膜5确保传感器膜3的壁表面的绝缘。磁性膜6布置在第二绝缘膜5上。当磁性膜6形成为硬磁性膜时，磁性膜6起磁畴控制膜的作用。当磁性膜6形成为软磁性膜时，磁性膜6起侧屏蔽膜的作用。第一绝缘膜8布置在第二绝缘膜5的外侧。第三绝缘膜10布置在第一绝缘膜8上，即第二绝缘膜的外部。上部屏蔽11布置在其上。在图6(a)中，第三绝缘膜10提供1.5至15μm的左右间隔、和在带高度方向上的1至10μm的间隔。
根据本发明，在图6中的部分F处的第二绝缘膜5与在图2中的部分A的形状大大地不同。就是说，第二绝缘膜5向上部屏蔽11升起。换句话说，在第二绝缘膜5的外边缘处θ相对于与第一绝缘膜8相接触的下部屏蔽的角度处在从0°至90°的范围内。尽管边缘在图6中直线逐渐变细，但边缘可以以多个台阶变细，或者可以包含弯曲部分。
如将理解的那样，图6与图4的不同之处在于，第三绝缘膜10布置在第一绝缘膜8上，即在第二绝缘膜的外面。当使用磁畴控制膜作为磁性膜6时，在磁性膜6(磁畴控制膜)与上部屏蔽11之间的距离与在图4中的部分C和D处不同。磁性膜6(磁畴控制膜)与上部屏蔽11之间的距离在图6中的部分E和F处是不变的。这改进从磁畴控制膜产生的并且吸收到屏蔽中的磁通分布的均匀性。可能减少在屏蔽或传感器膜上的磁畴壁的发生。当使用侧屏蔽膜作为磁性膜6时，相同距离保持在磁性膜6(侧屏蔽膜)与上部屏蔽11之间。这改进了在磁性膜6(侧屏蔽膜)与上部屏蔽之间的磁作用、或磁场分布的均匀性。优选的是，磁性膜6(侧屏蔽膜)在部分F处逐渐变细，从而能够减小在磁性膜6(侧屏蔽膜)的边缘处的多余磁化状态。当磁性膜边缘接近矩形形状时，强磁极分量在边缘处产生。结果是减小起磁性屏蔽作用的磁性膜6(侧屏蔽膜)的效果。因此，逐渐变细的形状改进了侧屏蔽效果。
上部屏蔽11向着下部屏蔽1的形状主要取决于第三绝缘膜10。当第三绝缘膜10如图3和4中所示成形时，上部屏蔽11向着下部屏蔽1的形状具有有角垂直壁表面。当上部屏蔽11像这样成形时，磁畴壁出现在角部处而引起特性故障。这种效果对于CPP型磁头特别显著，因为上部和下部屏蔽是电极。在图6中的第三绝缘膜10与在图3和4中所示的第三绝缘膜10不同地成形。在图6中的第三绝缘膜10减少角部和垂直部分，并且没有垂直壁表面。更详细地说，更优选的是，逐渐变细第三绝缘膜10并且光滑地改变用来改变角度的角部。第三绝缘膜10，如以这种方式成形的那样，使上部屏蔽11向着下部屏蔽1逐渐变细，并且提供平滑的角度。结果，有可能防止上部屏蔽11产生磁畴壁并稳定特性。
由于第三绝缘膜10布置在第二绝缘膜5的外部，所以这种结构使得有可能有效地使用磁性膜6的功能，而不管它是磁畴控制膜还是侧屏蔽膜。由于第三绝缘膜10布置在第二绝缘膜5的外部，所以这种结构不覆盖与在图4中的部分D不同的、留下短路可能性的边缘。然而，本发明采用第二绝缘膜5形成在第一绝缘膜8上的结构。制造过程不蚀刻第二绝缘膜5。即使第三绝缘膜10不覆盖图6中的部分F，也有可能防止短路。
图7和8显示本发明的另一个实施例。该实施例示例说明根据本发明的读出头的制造过程。
(7-1)诸如TMR膜的传感器膜3形成在下部屏蔽1上。然后形成带高度形成抗蚀剂掩模7。图(7-1a)是沿在平面图(7-1b)中ABS线得到的横截面图。这同样适用于以后的图。
(7-2)使用带高度形成抗蚀剂掩模7作为蚀刻掩模，来蚀刻传感器膜3。在保留带高度形成抗蚀剂掩模7的同时，形成第一绝缘膜8。尽管未表示，然后进行剥离过程，以布置仅与针对带高度形成抗蚀剂掩模7的蚀刻部分相对应的第一绝缘膜8。
(7-3)形成磁道形成抗蚀剂掩模4。
(7-4)使用磁道形成抗蚀剂掩模4作为蚀刻掩模，以在用于磁道形成的蚀刻区域41中蚀刻传感器膜3。同时蚀刻第一绝缘膜8，以形成如图(7-4a)中所示的第一绝缘膜8的蚀刻边缘G。
(8-1)在保留磁道形成抗蚀剂掩模4的同时，形成第二绝缘膜5以确保传感器壁表面的绝缘，并且形成起磁畴控制膜作用的磁性膜6。
(8-2)执行剥离过程，以除去第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6的多余部分。结果，第二绝缘膜5和磁性膜(磁畴控制膜)6仅布置在用于磁道形成的蚀刻区域41中。
(8-3)在第一绝缘膜8上形成第三绝缘膜10。
(8-4)形成上部屏蔽11。
根据本发明的制造过程与在图1和2中表示的传统方法的不同之处在于，按不同顺序来制造磁道宽度方向和带高度方向。尽管传统例子首先形成磁道宽度，但本发明首先形成带高度方向。因此，带高度形成抗蚀剂掩模7可形成在平坦部分上。在图5中的形状缺陷(部分E)不会发生。有可能防止在传感器膜3的带高度方向上出现形状缺陷，并且确保在带高度方向上的尺寸精度和边缘位置的精度。即使在ABS的研磨之后，也可确保ABS的基点(喉-高度零点)的精度。确保基准位置精度可确保要组合使用的写入头的位置精度。结果，可稳定远程主机性能。当平面内写入头变到垂直写入头时，写入头的稳定性是特别重要的。
当来自下部屏蔽1的再沉积形成在第二绝缘膜5上时，根据现有技术的在图2(2-1a)中的部分A可能短路下部屏蔽1和磁性膜(磁畴控制膜)6。这部分是因为要蚀刻的第二绝缘膜5较薄。在根据本发明的图7(7-4a)或图8(8-1a)中的部分G处，要蚀刻的绝缘膜是第一绝缘膜8，并且比第二绝缘膜5厚，使得难以由于来自下部屏蔽1的再沉积而引起短路。如薄绝缘膜的第二绝缘膜5与图2不同地没有蚀刻，而没有损坏的可能性。
在图7(7-4)中的过程形成部分G并蚀刻磁道部分，并且是可能在传感器膜3的壁表面处引起短路的最关键过程之一。在传感器膜3的壁表面处不引起短路的情况下，在部分G处将不会出现短路。例如，通过以如图7(7-4a)中所示的逐渐变细形式来蚀刻该蚀刻壁表面，可防止再沉积等。尽管该图表示直线地逐渐变细，但它可以成形为包含光滑曲线。作为可选择方法，如果再沉积轻微地形成，则可以执行氧化过程以绝缘再沉积。
由于根据本发明的制造工序包括在带高度形成之后的磁道形成，所以可能有磁道宽度的尺寸精度变坏的可能性。然而，例如，第一绝缘膜8的上部表面可以与传感器膜3的上部表面对准。以这种方式，有可能保护磁道形成抗蚀剂掩模4免于形状缺陷，并且确保尺寸精度。由于本发明在带高度的完成之后形成磁道，所以磁性膜6可被设计成具有任何膜厚度。为了特性稳定，磁性膜6的厚度常常需要调节到某种程度。本发明在磁头设计方面提供广泛的余地。根据现有技术，将磁性膜6改变到任何厚度引起在传感器膜3和磁性膜6的上表面位置之间的差别，容易导致如图5中所示的问题。
如在图8(8-3a)中所示，布置具有光滑成形壁表面的第三绝缘膜10可增大在作为电极的下部屏蔽1与上部屏蔽11之间的距离。上部屏蔽11可光滑地成形。这类似于参照图6所描述的效果。
如参照图6所描述的那样，第三绝缘膜10布置在第二绝缘膜5的外部。这种结构使得有可能有效地使用磁性膜6的功能，而不管它是磁畴控制膜还是侧屏蔽膜。由于第三绝缘膜10布置在第二绝缘膜5的外部，所以这种结构不覆盖与在图4中的部分D不同的、留下短路可能性的边缘。然而，本发明采用第二绝缘膜5形成在第一绝缘膜8上的结构。制造过程不蚀刻第二绝缘膜5。即使第三绝缘膜10不覆盖图6中的部分F，也有可能防止短路。
图9显示形成第三绝缘膜的方法，作为根据本发明的读出头制造过程的另一个实施例。图(9-1a)是图(9-1b)的横截面图。这同样适用于以后的图。
(9-1)形成下部抗蚀剂12和上部抗蚀剂13做为抗蚀剂图案9，用于形成第三绝缘膜。在图中，在磁道宽度方向上，W1指示下部抗蚀剂的宽度，并且W2指示上部抗蚀剂的宽度。如从图中看到的那样，W2大于W1。部分H具有下切。
(9-2)形成第三绝缘膜10。由于抗蚀剂图案9在部分H处具有下切，所以在部分H处不连续地切削第三绝缘膜10。
(9-3)执行剥离过程以除去第三绝缘膜10的多余部分。该图类似于图8(8-3a)。尽管未表示，此后形成上部屏蔽。
抗蚀剂图案9(下部抗蚀剂12和上部抗蚀剂13)和第三绝缘膜10与用于传统磁道宽度形成的抗蚀剂构造和膜形成构造不同。这是因为磁道宽度形成产生比第三绝缘膜10薄的膜，并且常常允许特殊剥离过程。以上提到的第二绝缘膜5和磁性膜6通常指示总共30至100nm的厚度。通常，第三绝缘膜10优选地具有100nm或更大的厚度。然而，随着膜厚度增大，剥离过程变得困难。用于磁道形成的抗蚀剂结构引起相当多的量的剥离剩余物，导致故障。用于磁道形成的剥离方法常常使用具有相当高的除去性能的剥离设备。这样的剥离设备相当昂贵，并且要求很长处理时间，导致低生产能力。对于非关键的第三绝缘膜10的形成，期望一种更简单生产能力更高的过程。显然，考虑到对于传感器膜3的损坏，需要避免蚀刻过程。
我们检查代替用于磁道形成的抗蚀剂图案的用于第三绝缘膜10的形成的最佳抗蚀结构。而且，我们检查能够执行通常剥离过程的过程。表1至3表示结果。
[表1]
100nm的第三绝缘膜厚度
  1000   栅栏   栅栏   图案失去   图案失去   图案失去
  500   栅栏   栅栏   好   好   图案失去
  300   栅栏   栅栏   好   好   好
  200   栅栏   栅栏   好   好   好
  100   栅栏   栅栏   好   好   好或栅栏
  50   剥离剩余物   剥离剩余物   栅栏   栅栏   栅栏
  1   2   5   10   15
下切比率({(W2-W1)/2}/T)
[表2]
200nm的第三绝缘膜厚度
  1000   栅栏   栅栏   图案失去   图案失去   图案失去
  500   栅栏   栅栏   好   好   图案失去
  300   栅栏   栅栏   好   好   好
  200   栅栏   栅栏   好   好   好或栅栏
  100   剥离剩余物   剥离剩余物   栅栏   栅栏   栅栏
  50   剥离剩余物   剥离剩余物   栅栏   栅栏   栅栏
  1   2   5   10   15
下切比率({(W2-W1)/2}/T)
[表3]
500nm的第三绝缘膜厚度
  1000   栅栏   栅栏   图案失去   图案失去   图案失去
  500   栅栏   栅栏   好   好   图案失去
  300   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物或栅栏   剥离剩余物或栅栏   剥离剩余物或栅栏
  200   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物
  100   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物
  50   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物   剥离剩余物
  1   2   5   10   15
下切比率({(W2-W1)/2}/T)
将描述表1。构成抗蚀剂图案9的下部抗蚀剂12具有50至1000nm的厚度T。假定下部抗蚀剂12的宽度是W1并且上部抗蚀剂13的宽度是W2。形成下切，从而下切尺寸比率{(W2-W1)}/T在从1至15的范围内。下切形成在图9(9-1a)的部分H处。使用以这种方式形成的抗蚀剂图案9，第三绝缘膜10形成有100nm的厚度，并且执行剥离过程。对于基于浸在在利用超声波的剥离剂中的剥离过程，使用通常的设备。
当构成抗蚀剂图案9的下部抗蚀剂12具有50nm的厚度时，我们观察到其中第三绝缘膜10不被剥离并保留(剥离剩余物)或者第三绝缘膜10如果被剥离则以栅栏图案保留在图案外部(栅栏)。图10示意性地示出在这时的部分H。第三绝缘膜10完全堵塞下切部分，并且防止剥除溶液渗透，因而不能实现剥除。即使当为了剥除而施加超声波冲击时，第三绝缘膜也以栅栏图案保留。
当构成抗蚀剂图案9的下部抗蚀剂12具有100nm的厚度时，在1或2的较小下切纵横比下确认了栅栏的发生，但在5至10的下切纵横比下几乎观察不到。图12示意性地示出在这时的部分H。第三绝缘膜10在下切部分处被分离成为不连续的。剥除溶液在这里渗透以实现剥除。图13是示意图，示出在剥除之后的形状。我们成功地形成了具有光滑转换壁表面的第三绝缘膜10。
把下切比进一步增大到15引起一些栅栏的出现。图11表示在剥离过程之前的示意图。较大下切在下切尖端处呈现接触。可能原因是，太长的下切在过程期间由于热量引起扭曲，并且不能被支撑而允许上部抗蚀剂13落下。结果，我们在剥离过程之后观察到栅栏的出现。当构成抗蚀剂图案9的下部抗蚀剂12具有200至1000nm的厚度时，对于下部抗蚀剂12类似于100nm的膜厚度在1或2的下切纵横比下观察到栅栏。可能原因是不能在部分H处形成用来分离第三绝缘膜10的部分。
当下切纵横比的范围从5到10时，几乎观察不到栅栏或剥离剩余物，大部分结果为好，除了1000nm的下部抗蚀剂厚度之外。当下部抗蚀剂厚度是1000nm时，在5或更大的下切比率下失去图案。可能原因是，下部抗蚀剂12的剩余部分变得很小而减小图案的粘附强度。在15的下切比率下，当下部抗蚀剂12的厚度是500nm时，观察到类似的结果。
表2和3表示把第三绝缘膜厚度改变到200nm和500nm的结果。这些结果可以以与表1相同的方式来理解。
基于这些结果，我们发现，下部抗蚀剂12的厚度需要近似等于第三绝缘膜的厚度。我们也发现，最佳下切比的范围是从5到10。只需要满足5≤{(W2-W1)/2}/T≤10的条件，其中W2是上部抗蚀剂宽度、W1是下部抗蚀剂宽度、及T是下部抗蚀剂膜厚度。第三绝缘膜10的厚度优选地近似为100至500nm。原因是，膜厚度优选地大于用于磁道形成的厚度，并且太大厚度可能引起涉及过程稳定性或生产能力的不利效果。考虑到此，更优选的是，上述条件满足0.1μm≤T≤0.5μm和0.5μm≤(W2-W1)/2≤5μm。该条件与根据现有技术用于磁道形成的抗蚀剂结构大不相同。由于根据本发明的抗蚀剂结构不用于磁道形成，所以图案形成为，以至于在磁道宽度方向上的长度大于用来形成磁道宽度的图案宽度。没有对于图案尺寸的严格精度的需要。
图14是根据本发明的一种磁头的示意图。磁头200包括读出头60和写入头50。写入头50构造成适应垂直磁性记录，并且包括副极51、线圈52、线圈绝缘体53及主极54。用于平面内记录的写入头可用于写入头50。读出头60等效于在上述实施例中描述的薄膜磁头。该图仅示出下部屏蔽1、传感器膜3、及上部屏蔽11，并且省略其它部件。根据本发明的磁头提供上述效果，并且可防止形状缺陷和短路且改进生产率。由于采用侧屏蔽结构，所以可改进记录密度。由于减小在上部和下部屏蔽之间的静电容量，所以可改进频率特性。
图15是示意图，示出构造以使用如图14中所示的磁头200的磁盘单元。磁盘单元包括磁盘260、主轴电机261、音圈电机264、万向支架263、磁头200、布线266及信号处理电路265。根据本发明的薄膜磁头的使用与现有技术相比，可以改进记录密度和频率特性。
这里已经使用实施例明确地描述了本发明。基于本发明的上述基本技术概念，可以进行各种修改。例如，图6(a)示出了在磁头形成期间的传感器膜3的直线逐渐变细的蚀刻壁表面的例子。这里可以提供如图18中所示的多个锥形或光滑变化的弯曲壁表面。这种形状可改进第二绝缘膜5和磁性膜6的粘附。这种蚀刻形状也在带高度方向上有效。
尽管这里已经描述了在磁道宽度和带高度的形成期间进行蚀刻达到下部屏蔽的例子，但有可能组合在磁道宽度和带高度的形成期间不进行蚀刻达到下部屏蔽的方法。如图16中所示，例如，可能优选的是，在磁道形成期间，使用部分蚀刻传感器膜3而不把它蚀刻直到下部屏蔽1的技术。而且在这种情况下，有可能不仅提供根据本发明的效果，而且也减小元件电阻和改进传感器膜3的磁性稳定性。
图17示出在带高度方向上部分蚀刻传感器膜3而不执行直达到下部屏蔽1的蚀刻的例子。图17(a)示出ABS形状。图17(b)表示在图17(a)中的线B-B上得到的横断面图。在图17(b)中，传感器膜3的底部部分保留未蚀刻。在这种情况下，蚀刻传感器膜3的上部边缘限定实际带高度。尽管第一绝缘膜8变得比在图6中描述的更薄，但本发明可使用第三绝缘膜10以扩展在上部和下部屏蔽之间的距离。有可能减小由于第一绝缘膜8的变薄造成的静电容量的增大。而且在这种情况下，有可能不仅提供根据本发明的效果，而且还减小元件电阻和改进传感器膜3的磁性稳定性。
对于传感器膜3的构造没有给出详细描述。只要装置向传感器膜3供给在垂直方向上的检测电流，本发明的效果就不变。用于磁性膜6的磁畴控制膜或侧屏蔽膜可以设有帽形膜，作为用来改进特性的保护膜或下层。下层11可以为上部屏蔽11的底部提供，以便改进粘合或调节在屏蔽之间的间隔。
参考标号说明：
1…下部屏蔽
3…传感器膜
4…磁道形成抗蚀剂掩模
5…第二绝缘膜
6…磁性膜(磁畴控制膜或侧屏蔽膜)
7…带高度形成抗蚀剂掩模
8…第一绝缘膜
9…抗蚀剂图案
10…第三绝缘膜
11…上部屏蔽
12…下部抗蚀剂
13…上部抗蚀剂
41…用于磁道形成的蚀刻区域
50…写入头
51…副极
52…线圈
53…线圈绝缘体
54…主极
60…读出头
82…磁畴控制膜
200…磁头
260…磁盘
261…主轴电机
263…万向支架
264…音圈电机
265…信号处理电路

Claims (9)

1.一种薄膜磁头，包括：
传感器膜；
一对上部屏蔽和下部屏蔽，用来在传感器膜的膜厚度方向上施加电流；
一对第二绝缘膜，在磁道宽度方向上与传感器膜的两侧邻近地形成；
一对磁性膜，在磁道宽度方向上形成在传感器膜的两侧处，并且与第二绝缘膜邻近；
第一绝缘膜，在传感器膜的磁道宽度方向上布置在第二绝缘膜的外部；及
第三绝缘膜，布置在上部屏蔽与第一绝缘膜之间，
其中，在空气支承表面上，第二绝缘膜在该对磁性膜的磁道方向上与两个壁表面邻近，并且第三绝缘膜在磁道方向上布置在第二绝缘膜外部。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，该对磁性膜是硬磁性膜。
3.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，该对磁性膜是软磁性膜。
4.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，在第二绝缘膜的外边缘与在空气支承表面上的下部屏蔽的表面之间形成90°或更小的角度。
5.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，所述第三绝缘膜在上部屏蔽侧处没有角部。
6.一种薄膜磁头的制造过程，该薄膜磁头具有传感器膜、和用来在传感器膜的膜厚度方向上施加电流的一对上部屏蔽和下部屏蔽，该过程包括步骤：
在下部屏蔽上形成传感器膜；
在传感器膜上形成用来限定传感器膜的带高度的抗蚀剂，并且使用该抗蚀剂作为掩模进行蚀刻，以处理传感器膜的带高度；
形成第一绝缘膜，以至于在其中通过处理带高度而除去传感器膜的部分处包围传感器膜；
剥离抗蚀剂，以限定带高度；
在传感器膜上形成抗蚀剂，以限定传感器膜的磁道宽度和处理在磁道方向上的第一绝缘膜的边缘，并且使用抗蚀剂作为掩模来进行蚀刻，以处理传感器膜的磁道宽度和在磁道方向上的第一绝缘膜的边缘；
在其中通过处理磁道宽度和在磁道方向上的第一绝缘膜的边缘而除去传感器膜和第一绝缘膜的部分处，形成第二绝缘膜；
在第二绝缘膜上形成磁性膜；
剥离用来限定磁道宽度的抗蚀剂；
在第二绝缘膜外部的第一绝缘膜上形成第三绝缘膜；及
形成上部屏蔽，从而覆盖传感器膜、第一、第二及第三绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的薄膜磁头制造过程，其中，形成第三绝缘膜的步骤包括形成剥离图案的步骤、在形成剥离图案之后形成第三绝缘膜的步骤、及剥离该剥离图案和第三绝缘膜的多余部分的步骤；并且
其中，所述剥离图案包括上部抗蚀剂和下部抗蚀剂，并且满足5≤{(W2-W1)/2}/T≤10的条件，其中W2是上部抗蚀剂的磁道方向宽度、W1是下部抗蚀剂的磁道方向宽度、及T是下部抗蚀剂的厚度。
8.根据权利要求7所述的薄膜磁头制造过程，其中，上部抗蚀剂的磁道方向边缘位于第一绝缘膜上。
9.根据权利要求7所述的薄膜磁头制造过程，其中，过程满足条件：
0.1μm≤T≤0.5μm和
0.5μm≤(W2-W1)/2≤5μm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104240722A (zh) * 2013-06-21 2014-12-24 株式会社东芝 磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294059A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直記録磁気ヘッド
CN109030581B (zh) * 2018-07-04 2024-04-16 南京铁道职业技术学院 一种复合结构的受电弓碳滑板表面损伤检测用电荷变换器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002092829A (ja) 2000-09-21 2002-03-29 Fujitsu Ltd 磁気抵抗センサ及び磁気抵抗ヘッド
JP2002150513A (ja) 2000-11-09 2002-05-24 Hitachi Ltd リフトオフマスクパタン形成方法及びこれを使用した磁性体素子並びに薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6992870B2 (en) 2001-10-25 2006-01-31 Tdk Corporation Magneto-resistive device, and magnetic head and head suspension assembly using same
JP3838549B2 (ja) 2001-12-21 2006-10-25 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
JP3790183B2 (ja) 2002-03-29 2006-06-28 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
JP2003332649A (ja) 2002-05-14 2003-11-21 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子
JP4051271B2 (ja) 2002-11-26 2008-02-20 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置
JP2004319060A (ja) 2003-03-28 2004-11-11 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3961497B2 (ja) 2003-04-18 2007-08-22 アルプス電気株式会社 Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果ヘッド
JP3961496B2 (ja) 2003-04-18 2007-08-22 アルプス電気株式会社 Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果ヘッド
JP4112442B2 (ja) 2003-06-19 2008-07-02 Ｔｄｋ株式会社 磁気ヘッド、並びに、これを用いたヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
JP4408762B2 (ja) * 2004-07-15 2010-02-03 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104240722A (zh) * 2013-06-21 2014-12-24 株式会社东芝 磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070253105A1 (en) 2007-11-01
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JP2007280567A (ja) 2007-10-25

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