JP3838549B2 - 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MR素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスク(HDD)の高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗効果素子(以下MR素子と称する)を有する読み取り素子と、誘導型電磁変換素子を有する書き込み素子とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。MR素子は、第1のシールド膜及び第2のシールド膜の間に備えられた絶縁膜(シールド間絶縁膜)の内部に配置される。シールド間絶縁膜は、MR素子を、第1及び第2のシールド膜から電気的に絶縁し、センス電流の漏洩を防止するために備えられる。
【0003】
一方で、記録密度の増大に伴い、狭シールドギャップや狭トラック化への要求が強くなってきている。これらの要求に応えるMR素子として、電流を膜面垂直に流して動作させるCPP−GMR素子(Current Perpendicular to a Plane Giant Magnetoresistance)が提案されている。CPP−GMR素子によれば、トラック幅及び素子高さが0.1μmもしくはそれ以下のサイズのものも実現できるものとして期待される。
【0004】
CPP−GMR素子に関する先行技術文献としては、例えば、特開平9−288807号公報が知られている。この先行文献には、第1のシールド膜及び第2のシールド膜とMR素子を電気的に直列に接続し、シールド間絶縁層を不用とするヘッド構造が開示されている。この構造によれば、磁気低抗効果膜(MR膜)は非磁性金属層を介してシールド膜に接触するので、シールド間の絶縁破壊を気にすることなく、狭ギャップ化を達成することが可能となる。
【0005】
また、シールド膜とMR素子が金属を介して接続した構造においては、放熱効率が向上し、動作電流を大きくし得るという利点を有する。また、素子の断面積が小さい方が抵抗値が大きくなり、抵抗変化量も増大する。すなわち、トラック幅を狭くすることが適しているという長所がある。
【0006】
しかしながら、The 8th Joint MMM-Intermag ConferenceにおいてB.Dieny等が報告するように、素子の接合面の直径が0.2μm以下となると素子の端部における電子散乱の効果が顕著となり、△R/Rや△Rが劣化するという現象が存在する(講演番号FF-07, Effect of scattering at lateral edges on the CPP giant magnetoresistance of submicronic pillars)。このような劣化を防止するための工夫の一例として、特開平10−55512号公報や特開2000−30222号公報では、電流を生じさせる接点リード部材(電極層)のサイズをMR素子のサイズよりも小さくすることにより、端部の電子散乱の影響を回避する技術を開示している。
【0007】
また、CPP−GMR素子において、実効トラック幅を縮小するには、電流の拡がりを抑える必要がある。電流の拡がりを押さえる手段として、特開平10−55512号公報は、上下の接点リード部材の寸法を同じにした構造を開示している。
【0008】
しかしながら、上下の接点リード部材の寸法を同じにした場合、ウエハープロセスにおける上下接点リード部材形成時のアラインメントズレにより実効トラック幅が拡がってしまうという問題がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、センス電流をMR膜の膜面に対して垂直となる方向に流して動作させるCPP−GMR素子によるMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【0010】
本発明のもう一つの課題は、接合面の直径が、例えば、0.2μm以下となっても、端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得るMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【0011】
本発明の更にもう一つの課題は、電極層形成時のアラインメントズレにより実効トラック幅変動を抑制し得るMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るMR素子は、MR膜と、第1の電極層と、第2の電極層とを含む。前記磁気抵抗効果膜は、磁界を検知する一側端面を有する。前記第1の電極層は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の一面に隣接し、前記一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。
【0013】
前記第2の電極層は、前記磁気抵抗効果膜の前記一面と対向する他面に隣接し、前記一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。
【0014】
前記第1の電極層と、前記第2の電極層とは、前記磁気抵抗効果膜を介して互いに重なる部分を有し、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。
【0015】
上述したように、本発明に係るMR素子は、MR膜と、第1の電極層と、第2の電極層とを含む。第1の電極層は、MR膜の一面に隣接し、第2の電極層はMR膜の一面と対向する他面に隣接する。
【0016】
従って、本発明によれば、センス電流をMR膜の膜面に対して垂直となる方向に流して動作させるCPP−GMR素子を提供することができる。CPP−GMR素子によれば、トラック幅及び素子高さがO.lμm以下のサイズを実現できる。また、素子の断面積が小さくなるので、抵抗値が大きくなり、抵抗変化量が増大するとともに、放熱効率が向上し、動作電流を増大させ得る等のCPP−GMR素子に特有の作用効果を奏する。
【0017】
第1の電極層は磁界検知面となるMR膜の一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。第2の電極層も、一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。幅方向は、トラック幅方向に一致する。この構造によれば、電流を生じさせる第1及び第2の電極層のサイズが、MR膜のサイズよりも小さくなる。このため、接合面の直径が、例えば、0.2μm以下となっても、MR膜の端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0018】
更に、第1の電極層と、第2の電極層とは、前記磁気抵抗効果膜を介して互いに重なる部分を有し、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。この構造によれば、ウエハープロセスにおける第1及び第2の電極層の形成時のアラインメントズレが、第1の電極層の幅方向の両端縁と、第2の電極層の幅方向の両端縁との間に生じる間隔内にある限り、アラインメントズレによる第1及び第2の電極層の間の重なり面積に変動はない。このため、アラインメントズレによる実効トラック幅の拡大を回避し得る。
【0019】
MR膜は、巨大磁気抵抗効果(GMR効果)を示す多層膜構造を有する。その典型例は、スピンバルブ膜(以下SV膜と称する)である。SV膜の場合、磁区制御層を含み、磁区制御層によりスピンバルブ膜に含まれるフリー層の磁区を制御するのが普通である。これにより、フリー層に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制する。
【0020】
フリー層は、例えば、最外側層を構成する。この場合、磁区制御層は、反強磁性層で構成し、フリー層と交換結合させることができる。磁区制御層はハードマグネットによって構成してもよい。
【0021】
本発明に係るMR素子は、更に、第1及び第2の絶縁層を含むことができる。第1の絶縁層は、MR膜の一面側において、MR膜の1側端面を除き、その周辺にオーバラップし、第1の絶縁層のオーバラップしない領域に第1の電極層が隣接する。この構造によれば、MR膜のパターンをミリング等の適用によって画定する場合と異なって、第1の絶縁層によって画定されたパターン内に、スパッタ、メッキ等の手段によって、第1の電極層を形成できるので、MR膜の端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、高い抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0022】
第2の絶縁層は、MR膜の他面側において、MR膜の1側端面を除き、その周辺にオーバラップし、第2の絶縁層のオーバラップしない領域に第2の電極層が隣接する。この構造によれば、第1の電極層の場合と同様に、第2の絶縁層によって画定されたパターン内に、スパッタ、メッキ等の手段によって、第2の電極層を形成できるので、MR膜の端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0023】
本発明は、更に、上述したMR素子を用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を開示する。これらの薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置が、本発明に係るMR素子の利点を有することは明らかである。
【0024】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。図面は、単なる実施例を示すに過ぎない。
【0025】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係るMR素子の正面図、図2は図1に示したMR素子の平面投影を表す図である。図示されたMR素子は、MR膜300と、第1の電極層371と、第2の電極層372とを含んでいる。
【0026】
MR膜300は、磁界検知面となる一側端面100を有する。図示されたMR膜300はSV膜によって構成されている。SV膜は、フリー層(強磁性層)301、非磁性層302、ピンド層(強磁性層)303及び反強磁性層304を順次積層して構成される。上記構造により、反強磁性層304と接したピンド層303が一定方向に磁化された状態になる。
【0027】
上述したSV膜を有するMR膜300において、磁界検知面100に外部磁界F1が印加された場合、フリー層301の磁化方向が外部磁界F1の強さに応じて回転する。SV膜の抵抗値は、ピンド層303の磁化方向に対するフリー層301の磁化方向の角度によって定まる。SV膜の抵抗値は、フリー層301の磁化方向がピンド層303の磁化方向に対して、逆方向のときに最大となり、同一の方向のときに最小になる。それに対応して、MR膜300内を縦方向に流れるセンス電流Isの大きさが変化するので、このセンス電流Isから、外部磁界F1を検出することができる。
【0028】
反強磁性層41、42は、一面がMR膜300のフリー層301の一面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、交換結合により、MR膜300のフリー層301に縦方向バイアス磁界を加える。これにより、フリー層301のバルクハウゼンノイズが抑制される。図示実施例において、反強磁性層41、42は、MR膜300のフリー層301の一面の面内に備えられている。反強磁性層41、42は周知の材料、組成によって構成することができる。具体的には、FeMn、MnIr、NiMn、CrMnPt等を挙げることができる。反強磁性層41、42の代わりに、ハードマグネットを用いてもよい。
【0029】
第1の電極層371は、MR膜300の膜厚方向の一面に隣接し、一側端面100の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜300の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。図示実施例では、第1の電極層371は、MR膜300の下面(図1において)に、下面の面積S01よりも小さい面積S1で隣接し、隣接面の周縁が、一側端面100を除き、MR膜300の周縁に対して間隔△W21、W22を有する。第1の電極層371において、検知端面となる一側端面100の側の端面は、MR膜300の端面とほぼ同一の平面を構成する。MR膜300の一側端面とは反対側の端面の周縁と、第1の電極層371の周縁と間にも、間隔△W23がある。
【0030】
第2の電極層372は、MR膜300の一面と対向する他面に隣接し、一側端面100の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜300の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。図示実施例では、第2の電極層372は、MR膜300の下面と対向する上面(図1において)に、上面の面積S02よりも小さい面積S2で隣接し、隣接面の周縁が、一側端面100を除き、MR膜300の周縁に対して間隔△W31、△W32を有する。第2の電極層372において、検知端面となる一側端面100の側の端面は、MR膜300の端面とほぼ同一の平面を構成する。
【0031】
第1の電極層371と、第2の電極層372とは、互いに重なり、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。実施例の場合、MR膜300の下面に対する第1の電極層371の隣接面積S1と、MR膜300の上面に対する第2の電極層372の隣接面積S2とは、互いに異なる。S1>S2である。
【0032】
より詳しくは、MR膜300の下面に対する第1の電極層371の隣接面積S1と、MR膜300の上面に対する第2の電極層372の隣接面積S2とは、第1の電極層371の隣接面積S1の平面投影による周縁が、第2の電極層372の隣接面積S2の周縁に対して、間隔△W11、△W12、△W13を有する関係で、互いに重なる。
【0033】
上述したように、本発明に係るMR素子は、MR膜300と、第1の電極層371と、第2の電極層372とを含む。第1の電極層371は、MR膜300の下面に隣接し、第2の電極層372はMR膜300の下面と対向する上面に隣接する。
【0034】
従って、本発明によれば、センス電流IsをMR膜300の膜面に対して垂直となる方向に流して動作させるCPP−GMR素子が得られる。CPP−GMR素子によれば、トラック幅及び素子高さがO.lμmもしくはそれ以下のサイズを実現できる。また、素子の断面積が小さくなるので、抵抗値が大きくなり、抵抗変化量が増大するとともに、放熱効率が向上し、動作電流を増大させ得る等、CPP−GMR素子に特有の作用効果を奏する。
【0035】
第1の電極層371は磁界検知面となるMR膜300の一側端面100の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜300の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。第2の電極層372も、一側端面100の側から見た幅方向の両端縁が、MR膜300の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。
【0036】
より具体的には、第1の電極層371は、MR膜300の下面に、MR膜300の下面の面積S01よりも小さい面積S1で隣接し、周縁が磁界検知端面となる一側端面100を除き、MR膜300の周縁に対して間隔△W21、△W22を有する。第2の電極層372は、MR膜300の下面と対向する上面に、上面の面積S02よりも小さい面積S2で隣接し、MR膜300の周縁に対して間隔△W31、△W32を有する。即ち、電流を生じさせる第1及び第2の電極層372のサイズは、MR膜300のサイズよりも小さい。このため、接合面の径が、例えば0.2μm以下となっても、端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0037】
更に、第1の電極層371と、第2の電極層372とは、互いに重なり、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置している。より具体的には、MR膜300の下面に対する第1の電極層371の隣接面積S1と、MR膜300の上面に対する第2の電極層372の隣接面積S2とは、互いに異なり、一方の隣接面積S1の平面投影による周縁が他方の隣接面積S2の周縁に対して間隔△W11、△W12を有して、互いに重なる。
【0038】
この構造によれば、ウエハープロセスにおける第1及び第2の電極層371、372の形成時のアラインメントズレが、第1及び第2の電極層371、372のうち、一方の隣接面積S1の平面投影による周縁と、他方の隣接面積の周縁との間の間隔△W11、△W12の内にある限り、第1及び第2の電極層372の間の重なり面積に変動はない。このため、アラインメントズレによる実効トラック幅の拡大を回避し得る。
【0039】
図示されたMR素子は、更に、第1の絶縁層381、382、及び、第2の絶縁層391、392を含む。第1の絶縁層381、382、及び、第2の絶縁層391、392はAl2O3、SiO2等によって構成される。
【0040】
第1の絶縁層381、382は、MR膜300の下面側において、MR膜300の一側端面100を除き、その周辺にオーバラップし、第1の絶縁層381、382のオーバラップしない領域に第1の電極層371が隣接する。この構造によれば、第1の電極層371のパターンをミリング等の適用によって画定する場合と異なって、第1の絶縁層381、382によって画定された中央部のパターン内に、スパッタ、メッキ等の手段によって、第1の電極層371を形成できるので、MR膜300の端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)、及び、抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0041】
第2の絶縁層391、392は、MR膜300の上面側において、MR膜300の一側端面100を除き、その周辺にオーバラップし、第2の絶縁層391、392のオーバラップしない領域に第2の電極層372が隣接する。この構造によれば、第1の電極層371の場合と同様に、第2の絶縁層391、392によって画定された中央部のパターン内に、スパッタ、メッキ等の手段によって、第2の電極層372を形成できるので、MR膜300の端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得る。
【0042】
図3は本発明に係るMR素子の他の実施例を示す図である。図において、図1及び図2に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
【0043】
MR膜300の下面に対する第1の電極層371の隣接面積S1と、MR膜300の上面に対する第2の電極層372の隣接面積S2とは、S2>S1の関係にある。
【0044】
図示実施例では、補助層341、342を含んでいる。補助層341、342はMR膜300の両端部の側部に配置されている。第1の絶縁層381、382、及び、第2の絶縁層391、392は、補助層341、342の下面及び上面(図において)に隣接する。補助層341、342は、例えばNiFe等でなる軟磁性層、または、Al2O3等の絶縁層の何れかによって構成される。
【0045】
図4は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、図5は図4に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。図5において、寸法は部分的に誇張されており、実際の寸法とは異なる。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ1と、書き込み素子となる電磁変換素子2と、読み取り素子となるMR素子3とを含む。
【0046】
スライダ1は、媒体対向面側にレール11、12を有し、レールの表面が空気ベアリング面(以下ABSと称する)13、14として利用される。レール11、12は2本に限らない。1〜3本のレールを有することがあり、レールを持たない平面となることもある。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付されることもある。何れのタイプのスライダ1であっても、本発明の適用が可能である。また、スライダ1は、レールの表面に、例えば3〜8nm程度の層厚を有するDLC等の保護層を備えることもあり、このような場合は保護層の表面がABS13、14となる。スライダ1はAl2O3ーTiC等でなる基体15の表面にAl2O3、SiO2等の無機絶縁層16を設けたセラミック構造体である。
【0047】
電磁変換素子2は誘導型磁気変換素子である。電磁変換素子2及びMR素子3は、レール11、12の一方または両者の空気流出端(トレーリング.エッジ)TRの側に備えられている。電磁変換素子2及びMR素子3は、スライダ1に備えられ、電磁変換のための端部がABS13、14と近接した位置にある。空気流出端TRの側にある側面には、電磁変換素子2に接続された取り出し電極27、28及びMR素子3に接続された取り出し電極29、30がそれぞれ設けられている。
【0048】
電磁変換素子2は、MR素子3に対する第2のシールド層を兼ねている第1の磁性層21、第2の磁性層22、コイル層23、アルミナ等でなるギャップ層24、絶縁層25及び保護層26などを有している。第2のシールド層は、第1の磁性層21から独立して備えられていてもよい。
【0049】
第1の磁性層21及び第2の磁性層22の先端部は微小厚みのギャップ層24を隔てて対向するポール端となっており、ポール端において書き込みを行なう。第1及び第2の磁性層21、22は、2層以上の多層構造であってもよい。第1及び第2の磁性層21、22の複層化は、例えば、特性改善を目的として行われることがある。ポール端の構造に関しても、トラック幅の狭小化、記録能力の向上等の観点から、種々の改良、及び、提案がなされている。本発明においては、これまで提案された何れのポール構造も採用できる。ギャップ層24は非磁性金属層またはアルミナ等の無機絶縁層によって構成される。
【0050】
第2の磁性層22は、更に、第1の磁性層21との間にインナーギャップを保って、ABS13、14の後方に延び、後方結合部において第2の磁性層22に結合されている。これにより、第1の磁性層21、第2の磁性層22及びギャップ層24を巡る薄膜磁気回路が完結する。
【0051】
コイル層23は、第1及び第2の磁性層21、22の間に挟まれ、後方結合部の周りを渦巻き状に回る。コイル層23の両端は、取り出し電極27、28に導通されている(図4参照)。コイル層23の巻数および層数は任意である。
【0052】
絶縁層25は、有機絶縁樹脂層またはセラミック層で構成する。セラミック層の代表例は、Al2O3層またはSiO2層である。絶縁層25の内部にはコイル層23が埋設されている。絶縁層25は第1及び第2の磁性層21、22の間のインナーギャップの内部に充填されている。絶縁層25の表面には第2の磁性層22が備えられている。保護層26は、電磁変換素子2の全体を覆っている。保護層26はAl2O3またはSiO2等の無機絶縁材料で構成されている。
【0053】
図6はMR素子3の部分をABS側からみた拡大図である。このMR素子3は、図1及び図2に示したものと実質的に同じである。図1及び図2に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
【0054】
図6を参照すると、MR素子3の付近には、第1のシールド層31と、絶縁層32と、絶縁層33と、第1の磁性層21として兼用される第2のシールド層21とが備えられている。第1のシールド層31はパーマロイ等によって構成される。MR素子3は、第1のシールド層31及び第2のシールド層21の間に配置されている。MR素子3は、端面がABS13、14に臨んでおり、ABS13、14は、図1の磁界検知面100に一致する。
【0055】
図7は図3に示したMR素子を用いた薄膜磁気ヘッドについて、MR素子3の部分をABS側から見た拡大図である。先に示した図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
【0056】
図示は省略するが、本発明に係る薄膜磁気ヘッドには、図5及び図6に示したCPP−GMR素子によるMR素子を搭載したものも当然含まれる。
【0057】
図7は本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正面図、図8は図7に示した磁気ヘッド装置の底面図である。磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド4と、ヘッド支持装置5とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド4は図4〜図7を参照して説明にした本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。
【0058】
ヘッド支持装置5は、金属薄板でなる支持体53の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体51を取付け、この可撓体51の下面に薄膜磁気ヘッド4を取付けた構造となっている。
【0059】
可撓体51は、支持体53の長手方向軸線と略平行して伸びる2つの外側枠部55、56と、支持体53から離れた端において外側枠部55、56を連結する横枠54と、横枠54の略中央部から外側枠部55、56に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片52とを有する。
【0060】
舌状片52のほぼ中央部には、支持体53から隆起した、例えば半球状の荷重用突起57が設けられている。この荷重用突起57により、支持体53の自由端から舌状片52へ荷重力が伝えられる。
【0061】
舌状片52の下面に薄膜磁気ヘッド4を接着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド4は、空気流出側端側が横枠54の方向になるように、舌状片52に取付けられている。本発明に適用可能なヘッド支持装置5は、上記実施例に限らない。
【0062】
図9は本発明に係る磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置は、磁気ヘッド装置6と、磁気ディスク7とを含む。磁気ヘッド装置6は図7、10に図示したものである。磁気ヘッド装置6は、ヘッド支持装置5の一端が位置決め装置8によって支持され、かつ、駆動される。磁気ヘッド装置の薄膜磁気ヘッド4は、ヘッド支持装置5によって支持され、磁気ディスク7の磁気記録面と対向するように配置される。
【0063】
磁気ディスク7が、図示しない駆動装置により、矢印A1の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘッド4が、微小浮上量で、磁気ディスク7の面から浮上する。ヘッド支持装置5の先端部に取り付けられた薄膜磁気ヘッド4は、磁気ディスク7の径方向b1またはb2に駆動される。そして、ヘッド支持装置5を回転駆動する位置決め装置8により、薄膜磁気ヘッド4が、磁気ディスク7上の所定のトラック位置に位置決めされ、磁気記録の読み出し、書き込みが行われる。
【0064】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【0065】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
(a)センス電流をMR膜の膜面に対して垂直となる方向に流して動作させるCPP−GMR素子によるMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
(b)接合面の直径が、例えば、0.2μm以下となっても、端部における電子散乱を回避し、高い抵抗変化率(△R/R)及び、抵抗変化量△Rを確保し得るMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
(c)電極層形成時のアラインメントズレにより実効トラック幅変動を抑制し得るMR素子、これを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るMR素子の正面図である。
【図2】図1に示したMR素子の平面投影を表す図である。
【図3】本発明に係るMR素子の他の実施例を示す図である。
【図4】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図5】図4に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図6】図4及び図5に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、MR素子の部分をABS側からみた拡大図である。
【図7】本発明に係る磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。
【図8】図7に示した磁気ヘッド装置の底面図である。
【図9】本発明に係る磁気記録再生装置の平面図である。
【符号の説明】
300 MR膜
371 第1の電極層
372 第2の電極層
Claims (12)
- 磁気抵抗効果膜と、第1の電極層と、第2の電極層と、左右一対の補助層とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、磁界を検知する一側端面を有しており、
前記第1の電極層は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の一面に隣接し、前記一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置しており、
前記第2の電極層は、前記磁気抵抗効果膜の前記一面と対向する他面に隣接し、前記一側端面の側から見た幅方向の両端縁が、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両端縁よりも内側に位置しており、
前記第1の電極層と、前記第2の電極層とは、前記磁気抵抗効果膜を介して互いに重なる部分を有し、一方の幅方向の両端縁が、他方の幅方向の両端縁よりも内側に位置しており、
前記補助層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間において、前記磁気抵抗効果膜の両端部の側部に設けられており、且つ、軟磁性材料によって構成されている
磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記第1の電極層は、前記磁気抵抗効果膜よりも小面積で隣接しており、
前記第2の電極層は、前記他面よりも小面積で隣接しており、
前記第1の電極層の前記磁気抵抗効果膜に対する隣接面と、前記第2の電極層の前記磁気抵抗効果膜に対する隣接面とは、一方の平面投影が、他方の平面投影の面内にある
磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、巨大磁気抵抗効果を示す多層膜構造を有する磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜はスピンバルブ膜である磁気抵抗効果素子。
- 請求項4に記載された磁気抵抗効果素子であって、磁区制御層を含み、前記磁区制御層は、前記スピンバルブ膜に含まれるフリー層の磁区を制御する磁気抵抗効果素子。
- 請求項5に記載された磁気抵抗効果素子であって、前記フリー層は最外側層を構成し、前記磁区制御層は、反強磁性層であり、前記フリー層と交換結合する磁気抵抗効果素子。
- 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子であって、更に、第1及び第2の絶縁層を含み、
前記第1の絶縁層は、前記磁気抵抗効果膜の一面側において、前記磁気抵抗効果膜の前記1側端面を除き、その周辺にオーバラップし、前記第1の絶縁層のオーバラップしない領域に前記第1の電極層が隣接し、
前記第2の絶縁層は、前記磁気抵抗効果膜の他面側において、前記磁気抵抗効果膜の前記1側端面を除き、その周辺にオーバラップし、前記第2の絶縁層のオーバラップしない領域に前記第2の電極層が隣接する
磁気抵抗効果素子。 - 読み取り素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、前記読み取り素子は、請求項1乃至7の何れかに記載された磁気抵抗効果素子でなる薄膜磁気ヘッド。
- 請求項8に記載された薄膜磁気ヘッドであって、更にスライダを含み、前記スライダは、前記読み取り素子を支持している薄膜磁気ヘッド。
- 請求項8に記載された薄膜磁気ヘッドであって、更に誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子を有する薄膜磁気ヘッド。
- 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項1乃至10の何れか一項に記載の磁気抵抗効果素子を有しており、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。 - 磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項11に記載されたものであり、
前記磁気記録媒体は、前記磁気ヘッド装置と協働して磁気記録再生を行う
磁気記録再生装置。
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