CN101048692B - 特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备 - Google Patents

特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101048692B
CN101048692B CN2005800367700A CN200580036770A CN101048692B CN 101048692 B CN101048692 B CN 101048692B CN 2005800367700 A CN2005800367700 A CN 2005800367700A CN 200580036770 A CN200580036770 A CN 200580036770A CN 101048692 B CN101048692 B CN 101048692B
Authority
CN
China
Prior art keywords
deformable mirror
projection system
image
optical projection
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2005800367700A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101048692A (zh
Inventor
R·海尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Safran Electronics and Defense SAS
Original Assignee
Sagem Defense Securite SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sagem Defense Securite SA filed Critical Sagem Defense Securite SA
Publication of CN101048692A publication Critical patent/CN101048692A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101048692B publication Critical patent/CN101048692B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/06—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the phase of light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

成像或绝缘设备包括辐射源(1)；掩模原版(3)，它被安装在辐射源和光学成形设备之间，用于位于掩模原版下游的辐射；所述光学成形设备(4)，它包括一系列反射镜(7，8，10，11)，其中的至少两个反射镜(10，11)是包含连接至控制单元(14)的变形件(12，13)的可变形反射镜，该控制单元(14)与图像分析器(15)相关联，以确保对上述可变形反射镜的分别根据相对于图像质量调整点的差异以及根据相对于图像畸变调整点的差异的独立变形。

Description

特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备
本发明涉及成像或曝光设备，更具体但不排外地涉及用于制造电子微电路的设备。
发明背景
通过连续沉积导电的、半导体的或绝缘的材料层而在晶片上同时制造大批电子微电路是已知的，其中各层在经确定暴露哪些区域以便对这些区域进行化学蚀刻的掩模选择性曝光之后被化学蚀刻。
微电路中的每一部件都是通过在给定区域内叠加各相互接触的层来获得的。为了获得高部件密度以所制造的部件的恒定性能，就需要被连续使用的掩模图像呈现出高质量，即图像中的线路十分精密且畸变极小，从而能够将用于蚀刻每一层的连续图像十分精确地对准。
为制造电子微电路，已知使用包含发出辐射的辐射源、由要被复制的掩模形成的掩模原版(reticle)、安装在辐射源和光学投影系统之间用于对掩模原版下游的辐射成形的掩模的曝光设备，其中光学投影系统包含用于形成掩模原版图像的一系列反射镜和/或透镜。
若使用目前正在探寻的部件密度，则需要形成呈现出几十纳米的数量级的图像质量的图像，并且为了获得连续图像之间令人满意的对准，则畸变的数量级必需仅为几纳米。
若在光学器件中存在各种干扰因素，尤其是会在制造微电路的不同层时出现的温度变化，以及构成对光学系统的支承的材料的热膨胀系数，则只有在能够补偿光学投影系统的尺寸干扰的情况下才可能获得这一精确度。
美国专利文献US 2004/27632公开了一种成像或曝光设备，该设备包含发出辐射的辐射源；掩模原版，它被安装在辐射源和光学投影系统之间用于对掩模原版下游的辐射成形；光学投影系统，它含有用于形成掩模原版图像的一系列反射镜，其中光学投影系统的某些反射镜是包括连接至控制单元的变形件的可变形反射镜。
发明目的
本发明的目的是提出一种能够改善对各种干扰效应的补偿的成像或曝光设备。
发明概述
根据本发明，提出了属于以上指定的文献中所描述的类型的一种成像或曝光设备，其中控制单元与图像分析器相关联，用于主要根据相对于图像质量调整点的差异来变形所述可变形反射镜之一，并用于主要根据相对于图像畸变调整点的差异来变形另一可变形反射镜。
于是，对图像质量和图像畸变的独立分析和控制就使得在变形上述可变形反射镜以校正非分析差异时触发更精确的相应变形件控制信号成为可能。
根据本发明的优势方面，可变形反射镜之一被放置在所述光学投影系统的光瞳附近，而相应的变形件主要根据所述图像质量调整点来控制。较佳地，另一可变形反射镜是位于光学投影系统的光瞳与图像之间的中间反射镜，而其相应的变形件优选地主要根据所述图像畸变调整点来控制。
附图简述
本发明的其他特性和优点在阅读了以下参考唯一附图而对一具体、非限制性的本发明实施例的描述之后将变得显而易见，其中附图是本发明的曝光设备的图示。
发明的详细描述
参考附图，曝光设备按传统的方式包括辐射源1，该辐射源1发出聚焦在掩模原版3上的辐射2。在用于呈现所定义的种类的图像质量的电子微电路的实施例中，辐射1优选地是具有远紫外区波长(例如，13纳米(nm)波长)的辐射，而掩模原版则由定义要在暴露的各层上制造的微电路的掩模组成。
同样按传统方式，穿过掩模原版3或由其反射的辐射通过整体予以参考的光学投影系统4，该系统在此示例中包括在要被暴露的物品6(例如，硅晶片)上形成图像5的一系列反射镜。
在示出的本发明实施例中，光学投影系统4包括刚性结构的第一反射镜7，它将来自掩模原版3的辐射2朝着同样为刚性结构的第二反射镜8反射。按照传统的方式，反射镜7和8由镜片组成，它们都具有绕光学投影系统的光轴9旋转的曲面。
在反射镜8下游的辐射2的路径上，光学投影系统4包括放置在光学投影系统的光瞳附近的第一可变形反射镜10，(其中“光瞳”是本领域普通技术人员能够理解的术语)。在光学反射镜10的下游，光学投影系统4具有第二可变形反射镜11。
可变形反射镜10具有变形件12，而可变形反射镜11具有变形件13。变形件12和13连接至用于单独控制变形件12和13的每一个的控制单元14。控制单元14接收来自被放置以在图像5形成时或形成之后立即对该图像做出分析的图像分析器15的信息。
控制件14接收图像质量调整点和图像的畸变。在曝光期间，在扫描仪型光刻机内，在掩模原版3和辐射源1之间进行相对运动以扫描形成掩模原版3的掩模。并行地，移动晶片6以实现要在晶片6上形成的图像5的相应扫描。形成的实际图像5由图像分析器15分析。当控制件14观测到在应当获得的理想图像与分析器15观测到的图像之间的差异时，该控制件14就出于校正观测差异的目的，使用逆向优化算法来生成指令，这些指令传输至变形件12和13以使得可变形反射镜10和11变形。
优选地，在本发明中，置于光学投影系统4的光瞳处的可变形反射镜10主要根据图像质量调整点来控制，而中间的可变形反射镜11则主要根据图像畸变调整点来控制，这样就能够更容易地分开校正以便获取更佳的整体效果。
为了避免可变形反射镜中过快的波动，优选地用1赫兹(Hz)以下的速率来控制变形件。
自然地，本发明不限于示出的实施例，并且包含本领域普通技术人员显见的不同实施例而不背离由权利要求书定义的本发明的范围。
更具体地，虽然实施例中描述的光学投影系统4仅具有四面反射镜，但是光学投影系统可以具有数目更多的反射镜，例如六面反射镜，并且可以在某些反射镜之间插入透镜。
当光学投影系统在位于该系统的光瞳处的反射镜下游具有多个反射镜时，优选地将第二可变形反射镜放置在紧接图像5的上游。
虽然示出的优化设备仅包括可变形反射镜10和11的变形，但是也可使其他部件(反射镜或透镜)在六个可能自由度上平移和旋转。
虽然在示出的实施例中，图像分析器15被放置用于执行图像5的后验分析，但是当光学配置允许时，也可以使图像质量和图像畸变信息由置于图像5上游的辐射路径上恰当位置(即，当正生成图像时)处的传感器来拾取。
虽然参考了对电子微电路晶片的曝光更具体地描述了本发明，但是本发明能够应用于任何曝光或任何类型的成像。

Claims (4)

1.一种成像或曝光设备，包括发出辐射(2)的辐射源(1)；掩模原版(3)，它被安装在所述辐射源和光学投影系统(4)之间，用于对所述掩模原版(3)下游的辐射成形；所述光学投影系统(4)包括用于形成所述掩模原版(3)的图像(5)的一系列反射镜(7，8，10，11)，所述光学投影系统(4)的多个反射镜(10，11)是包括连接至控制单元(14)的变形件(12，13)的可变形反射镜，所述设备的特征在于所述可变形反射镜的数目被严格限制为两个，所述控制单元与图像分析器(15)相关联，用于主要根据相对于图像质量调整点的差异来变形所述可变形反射镜之一(10)，并用于主要根据相对于图像畸变调整点的差异来变形另一可变形反射镜。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可变形反射镜之一(10)位于所述光学投影系统(4)的光瞳处，并且相应的的变形件(12)主要根据所述图像质量调整点来控制，而另一可变形反射镜(10)是位于所述光学投影系统的光瞳与所述图像(5)之间的中间反射镜，并主要根据所述图像畸变调整点来控制。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述中间可变形反射镜(11)被紧接地放置在所述图像(5)的上游。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述变形件(12，13)以1Hz以下的速率来控制。
CN2005800367700A 2004-10-27 2005-10-25 特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备 Active CN101048692B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0411431 2004-10-27
FR0411431A FR2877104B1 (fr) 2004-10-27 2004-10-27 Dispositif d'imagerie ou d'insolation, notamment pour la realisation d'un micro-circuit electronique
PCT/FR2005/002654 WO2006045945A1 (fr) 2004-10-27 2005-10-25 Dispositif d'imagerie ou d'insolation, notamment pour la realisation d'un micro-circuit electronique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101048692A CN101048692A (zh) 2007-10-03
CN101048692B true CN101048692B (zh) 2010-11-03

Family

ID=34949985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800367700A Active CN101048692B (zh) 2004-10-27 2005-10-25 特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7593091B2 (zh)
EP (1) EP1805546B1 (zh)
JP (1) JP4773453B2 (zh)
CN (1) CN101048692B (zh)
FR (1) FR2877104B1 (zh)
WO (1) WO2006045945A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE102008027518B3 (de) * 2008-06-10 2010-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Spiegelobjektiv
EP2219077A1 (en) 2009-02-12 2010-08-18 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method, projection exposure system and projection objective
DE102010043498A1 (de) * 2010-11-05 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives
WO2015044182A2 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Asml Netherlands B.V. Beam delivery apparatus and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1376192A2 (en) * 2002-06-20 2004-01-02 Nikon Corporation Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US5986795A (en) * 1998-06-15 1999-11-16 Chapman; Henry N. Deformable mirror for short wavelength applications
TW575771B (en) * 2000-07-13 2004-02-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1321822A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2003234269A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Nikon Corp 反射ミラーの保持方法、反射ミラーの保持部材及び露光装置
JP2004056125A (ja) * 2002-06-20 2004-02-19 Nikon Corp 個別アクチュエータを有する反射投影光学系
US6989922B2 (en) * 2002-06-21 2006-01-24 Nikon Corporation Deformable mirror actuation system
US6897940B2 (en) * 2002-06-21 2005-05-24 Nikon Corporation System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography
US6840638B2 (en) * 2002-07-03 2005-01-11 Nikon Corporation Deformable mirror with passive and active actuators

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1376192A2 (en) * 2002-06-20 2004-01-02 Nikon Corporation Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EP 1376192 A2,说明书第14-17段，图1.

Also Published As

Publication number Publication date
EP1805546A1 (fr) 2007-07-11
US20080088811A1 (en) 2008-04-17
JP4773453B2 (ja) 2011-09-14
WO2006045945A1 (fr) 2006-05-04
FR2877104A1 (fr) 2006-04-28
CN101048692A (zh) 2007-10-03
EP1805546B1 (fr) 2014-10-08
US7593091B2 (en) 2009-09-22
FR2877104B1 (fr) 2006-12-29
JP2008518454A (ja) 2008-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8153336B2 (en) Photomask substrate, photomask substrate forming member, photomask substrate fabricating method, photomask, and exposing method that uses the photomask
US5805273A (en) Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method
US5593800A (en) Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus
JP4330577B2 (ja) 調整可能な投影系を有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7187432B2 (en) Holding system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7830493B2 (en) System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
EP1482375B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232866A1 (en) Optical unit and exposure apparatus having the same
CN101048692B (zh) 特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备
US20070231421A1 (en) Enhanced Multi Channel Alignment
WO2004114380A1 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
EP1182509B1 (en) Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method
JP2002202220A (ja) 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2002250677A (ja) 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス
TWI254841B (en) Lithographic apparatus
US7643150B2 (en) Optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2008112756A (ja) 光学素子駆動装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR102193387B1 (ko) 보유 지지 장치, 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법
JP2008292801A (ja) 露光装置および方法
US20010006422A1 (en) Stage system in projection exposure apparatus
JP2002198279A (ja) 位置検出方法、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101080144B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP2009217150A (ja) 光学素子保持装置
JP3037040B2 (ja) 露光装置
TWI280935B (en) Substrate carrier and method for making a substrate carrier

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant