CN101022145A - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN101022145A
CN101022145A CNA2006100335960A CN200610033596A CN101022145A CN 101022145 A CN101022145 A CN 101022145A CN A2006100335960 A CNA2006100335960 A CN A2006100335960A CN 200610033596 A CN200610033596 A CN 200610033596A CN 101022145 A CN101022145 A CN 101022145A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
silica gel
phosphor powder
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100335960A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100470860C (zh
Inventor
刘镇
裴小明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHENZHEN QUANTUM PHOTOELECTRONIC CO Ltd
Original Assignee
SHENZHEN QUANTUM PHOTOELECTRONIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHENZHEN QUANTUM PHOTOELECTRONIC CO Ltd filed Critical SHENZHEN QUANTUM PHOTOELECTRONIC CO Ltd
Priority to CNB2006100335960A priority Critical patent/CN100470860C/zh
Publication of CN101022145A publication Critical patent/CN101022145A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100470860C publication Critical patent/CN100470860C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光二极管，包括热沉、正装或倒装于所述热沉上的至少一个发光二极管芯片、包覆在所述发光二极管芯片上的荧光粉层及设于所述荧光粉层上的环氧树脂层或透镜，其中，该发光二极管芯片与荧光粉层间还设有第一硅胶层，该第一硅胶层的折射率大于荧光粉层的折射率。由于本发明的发光二极管芯片与荧光粉层间设有第一硅胶层，将折射率相对较为接近的几种物质按一定的顺位进行分布，即在晶片表面涂覆硅胶、再涂覆一层荧光粉，然后用环氧树脂或透镜进行封装。通过这样的封装一方面可缩小两种相邻物质的折射率差异，相对于传统的制作工艺，其出光效率可提高30％以上；另一方面硅胶可以产生更多的漫射，使激发荧光粉的效果更佳，光色更均匀。

Description

发光二极管
【技术领域】
本发明涉及一种发光器件，尤其涉及一种发光二极管。
【背景技术】
LED的核心发光部分是由P型和N型半导体构成的PN结管芯，当注入PN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但PN结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料。传统白光LED的结构如图1所示，在晶片2表面涂覆一层荧光粉3，然后用环氧树脂4或透镜5进行封装，由于晶片出光层和荧光粉层3的折射率相差较大，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分经多次反射而被吸收，并易发生全反射导致过多光损失，致使发光二极管的发光效率较低。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是：提供一种发光二极管，具有发光效率高、工作寿命长等特点。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种发光二极管，包括热沉、正装或倒装于所述热沉上的至少一个发光二极管芯片、包覆在所述发光二极管芯片上的荧光粉层及设于所述荧光粉层上的环氧树脂层或透镜，其中，该发光二极管芯片与荧光粉层间还设有第一硅胶层，该第一硅胶层的折射率大于荧光粉层的折射率。
上述技术方案的进一步改进在于：该第一硅胶层的折射率为1.4～1.6，该荧光粉层的折射率为1.4～1.5。
上述技术方案的进一步改进在于：该透镜与荧光粉层间设有第二硅胶层。
上述技术方案的进一步改进在于：该环氧树脂层与荧光粉层间设有第二硅胶层。
上述技术方案的进一步改进在于：该第二硅胶层的折射率小于所述第一硅胶层的折射率。
上述技术方案的进一步改进在于：该第二硅胶层的折射率为1.2～1.4。
上述技术方案的进一步改进在于：该环氧树脂层上方设有透镜。
上述技术方案的进一步改进在于：该透镜的折射率为1.0～1.2。
上述技术方案的进一步改进在于：该荧光粉层为荧光粉与硅胶的混合物。
本发明的有益效果是：
1.由于本发明的发光二极管芯片与荧光粉层间设有第一硅胶层，将折射率相对较为接近的几种物质按一定的顺位进行分布，即在晶片表面涂覆硅胶、再涂覆一层荧光粉，然后用环氧树脂或透镜进行封装。通过这样的封装一方面可缩小两种相邻物质的折射率差异，相对于传统的制作工艺，其出光效率可提高30％以上；另一方面硅胶可以产生更多的漫射，使激发荧光粉的效果更佳，光色更均匀。
2.同时，硅胶涂覆于晶片表面，可以有效保护晶片电极的欧姆接触以及LED金线与晶片电极间的键合点，从而使LED在工作中，不会由于热应力的作用导致这两个键合点的剥离或失效。
【附图说明】
图1是习知发光二极管的封装结构示意图。
图2是本发明发光二极管第一实施例的结构示意图。
图3是本发明发光二极管第三实施例的结构示意图。
图4是本发明发光二极管第四实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图对本发明作进一步的描述。
如图2所示，本发明一种发光二极管，包括热沉1、正装于所述热沉1上的发光二极管芯片2、包覆在所述发光二极管芯片2上的荧光粉层3及设于所述荧光粉层3上的环氧树脂层4或透镜5，其中，该发光二极管芯片2与荧光粉层3间还设有第一硅胶层6，该第一硅胶层6的折射率大于荧光粉层2的折射率。
该第一硅胶层的折射率为1.4～1.6，该荧光粉层的折射率为1.4～1.5。
该透镜的折射率为1.0～1.2。
该荧光粉层为荧光粉与硅胶的混合物。
如图3所示，本发明第二实施例发光二极管，包括热沉1、正装于所述热沉1上的发光二极管芯片2、包覆在所述发光二极管芯片2上的第一硅胶层6、设于所述第一硅胶层6上的荧光粉层3、设于所述荧光粉层3上的透镜5，其中，该透镜5与荧光粉层3间设有第二硅胶层7。
如图4所示，本发明第三实施例发光二极管，包括热沉1、正装于所述热沉1上的发光二极管芯片2、包覆在所述发光二极管芯片2上的第一硅胶层6、设于所述第一硅胶层6上的荧光粉层3、设于所述荧光粉层3上的环氧树脂层4及设于所述环氧树脂层4上的透镜5，其中，该环氧树脂层4与荧光粉层3间设有第二硅胶层7。
该第二硅胶层的折射率小于所述第一硅胶层的折射率，该第二硅胶层的折射率为1.2～1.4。
同时，本发明中发光二极管也可包括多个发光二极管芯片，且该若干发光二极管芯片也可采用倒装方式贴装于热沉上。
由于本发明的发光二极管芯片与荧光粉层间设有第一硅胶层，将折射率相对较为接近的几种物质按一定的顺位进行分布，即在晶片表面涂覆硅胶、再涂覆一层荧光粉，然后用环氧树脂或透镜进行封装。通过这样的封装一方面可缩小两种相邻物质的折射率差异，相对于传统的制作工艺，其出光效率可提高30％以上；另一方面硅胶可以产生更多的漫射，使激发荧光粉的效果更佳，光色更均匀。
同时，硅胶涂覆于晶片表面，可以有效保护晶片电极的欧姆接触以及LED金线与晶片电极间的键合点，从而使LED在工作中，不会由于热应力的作用导致这两个键合点的剥离或失效。

Claims (9)

1、一种发光二极管，包括热沉、正装或倒装于所述热沉上的至少一个发光二极管芯片、包覆在所述发光二极管芯片上的荧光粉层及设于所述荧光粉层上的环氧树脂层或透镜，其特征在于：该发光二极管芯片与荧光粉层间设有第一硅胶层，该第一硅胶层的折射率大于荧光粉层的折射率。
2、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该第一硅胶层的折射率为1.4～1.6，该荧光粉层的折射率为1.4～1.5。
3、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该透镜与荧光粉层间设有第二硅胶层。
4、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该环氧树脂层与荧光粉层间设有第二硅胶层。
5、如权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：该第二硅胶层的折射率小于所述第一硅胶层的折射率。
6、如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：该第二硅胶层的折射率为1.2～1.4。
7、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该环氧树脂层上方设有透镜。
8、如权利要求1或7所述的发光二极管，其特征在于：该透镜的折射率为1.0～1.2。
9、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该荧光粉层为荧光粉与硅胶的混合物。
CNB2006100335960A 2006-02-15 2006-02-15 发光二极管 Expired - Fee Related CN100470860C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100335960A CN100470860C (zh) 2006-02-15 2006-02-15 发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100335960A CN100470860C (zh) 2006-02-15 2006-02-15 发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101022145A true CN101022145A (zh) 2007-08-22
CN100470860C CN100470860C (zh) 2009-03-18

Family

ID=38709837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100335960A Expired - Fee Related CN100470860C (zh) 2006-02-15 2006-02-15 发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100470860C (zh)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100411210C (zh) * 2006-03-03 2008-08-13 中山大学 一种白光led的封装方法
WO2009039680A1 (fr) * 2007-09-27 2009-04-02 Helio Optoelectronics Corporation Procédé de fabrication d'une del comportant des lentilles multicouches et structure de cette del
WO2009140829A1 (zh) * 2008-05-23 2009-11-26 Duan Yongcheng 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
CN101676620A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 奇美电子股份有限公司 液晶显示装置、背光模块及发光单元
CN101873780A (zh) * 2010-05-17 2010-10-27 重庆三祥汽车电控系统有限公司 Eps控制器的灌封方法
CN101887909A (zh) * 2010-06-24 2010-11-17 深圳市阳光富源科技有限公司 一种led模组及其制作方法
CN101900264A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 陕西科技大学 一种高散热型大功率led一体化封装灯具
WO2011032309A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-24 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd Light emitting device having remotely located light scattering material
CN102122698A (zh) * 2010-01-05 2011-07-13 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和照明系统
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
CN102339821A (zh) * 2011-10-10 2012-02-01 河南恒基光电有限公司 用于汽车前照灯的大功率草帽形集成封装led光源结构
CN102629649A (zh) * 2012-03-30 2012-08-08 广东科立盈光电技术有限公司 高亮度led灯中荧光粉的填充方法
CN102637810A (zh) * 2012-04-25 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 Led封装结构及封装成型方法
CN102956624A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管光引擎
CN102980065A (zh) * 2012-11-21 2013-03-20 惠州雷曼光电科技有限公司 Led光源、led显示模组及led照明装置
CN106229401A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 电子科技大学 荧光led封装阵列
CN107768508A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 四川新力光源股份有限公司 Led灯及其封装方法
CN108011016A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 一种led封装结构
CN108006491A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 Led隧道灯
CN108604765A (zh) * 2016-01-28 2018-09-28 索尼公司 半导体发光装置
CN104022216B (zh) * 2013-02-28 2019-07-12 日亚化学工业株式会社 发光装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102005522A (zh) * 2010-11-30 2011-04-06 杭州彩虹光电有限公司 Led封胶工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
CN100336234C (zh) * 2003-03-03 2007-09-05 诠兴开发科技股份有限公司 裸晶式发光二极管
TWI235503B (en) * 2003-03-05 2005-07-01 Chi Mei Optoelectronics Corp LED module
JP2007516601A (ja) * 2003-09-08 2007-06-21 ナノクリスタル・ライティング・コーポレーション 高屈折率のカプセル材料を用いたｌｅｄランプのための光の効率的なパッケージ構成
JP3921200B2 (ja) * 2003-12-19 2007-05-30 京セラ株式会社 発光装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100411210C (zh) * 2006-03-03 2008-08-13 中山大学 一种白光led的封装方法
WO2009039680A1 (fr) * 2007-09-27 2009-04-02 Helio Optoelectronics Corporation Procédé de fabrication d'une del comportant des lentilles multicouches et structure de cette del
WO2009140829A1 (zh) * 2008-05-23 2009-11-26 Duan Yongcheng 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
CN101676620A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 奇美电子股份有限公司 液晶显示装置、背光模块及发光单元
WO2011032309A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-24 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd Light emitting device having remotely located light scattering material
CN102122698A (zh) * 2010-01-05 2011-07-13 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和照明系统
US8791495B2 (en) 2010-01-05 2014-07-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system
CN101900264A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 陕西科技大学 一种高散热型大功率led一体化封装灯具
CN101873780A (zh) * 2010-05-17 2010-10-27 重庆三祥汽车电控系统有限公司 Eps控制器的灌封方法
CN101887909A (zh) * 2010-06-24 2010-11-17 深圳市阳光富源科技有限公司 一种led模组及其制作方法
CN102956624A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管光引擎
CN102339821A (zh) * 2011-10-10 2012-02-01 河南恒基光电有限公司 用于汽车前照灯的大功率草帽形集成封装led光源结构
CN102629649A (zh) * 2012-03-30 2012-08-08 广东科立盈光电技术有限公司 高亮度led灯中荧光粉的填充方法
CN102629649B (zh) * 2012-03-30 2014-11-26 广东科立盈光电技术有限公司 高亮度led灯中荧光粉的填充方法
CN102637810A (zh) * 2012-04-25 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 Led封装结构及封装成型方法
CN102980065A (zh) * 2012-11-21 2013-03-20 惠州雷曼光电科技有限公司 Led光源、led显示模组及led照明装置
CN102980065B (zh) * 2012-11-21 2015-07-01 惠州雷曼光电科技有限公司 Led光源、led显示模组及led照明装置
CN104022216B (zh) * 2013-02-28 2019-07-12 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN108604765A (zh) * 2016-01-28 2018-09-28 索尼公司 半导体发光装置
CN107768508A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 四川新力光源股份有限公司 Led灯及其封装方法
CN106229401A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 电子科技大学 荧光led封装阵列
CN108011016A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 一种led封装结构
CN108006491A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 西安科锐盛创新科技有限公司 Led隧道灯
CN108006491B (zh) * 2017-11-28 2020-10-30 吉安建伟纸塑制品包装有限公司 Led隧道灯

Also Published As

Publication number Publication date
CN100470860C (zh) 2009-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100470860C (zh) 发光二极管
CN201804913U (zh) 圆片级led封装结构
CN102903706B (zh) 发光器件封装件及使用其的照明系统
CN101320773B (zh) 提高led外量子效率的封装方法及led封装结构
KR100944008B1 (ko) 백색 발광소자 및 그 제조방법
US10541355B2 (en) Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
CN101452986A (zh) 白光发光二极管器件的封装结构和方法
KR20070033801A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2012504341A (ja) Ｌｅｄ蛍光体の堆積法
US20120091487A1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
US20120248473A1 (en) Light emitting semiconductor structure
CN104752592B (zh) 发光二极体封装结构及发光二极体模组
CN104465895A (zh) Led芯片及其制作方法
CN101887939A (zh) 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法
CN202564431U (zh) 白光led封装结构
CN202363515U (zh) 一种led器件及其led模组器件
CN208655680U (zh) 一种发光二极管芯片
CN101197415A (zh) 一种照明用led芯片的制造方法
CN101276832A (zh) 通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺
CN201966210U (zh) 一种白光led封装结构
CN102214652B (zh) 一种led封装结构及其制备方法
CN201838619U (zh) 一种提高led外量子效率的封装结构
CN107123713A (zh) 一种适合单色光led晶元级封装的器件结构
CN219998220U (zh) 一种集成封装器件
CN208889699U (zh) 一种量子点miniLED封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090318

Termination date: 20160215