CN101320773B - 提高led外量子效率的封装方法及led封装结构 - Google Patents
提高led外量子效率的封装方法及led封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101320773B CN101320773B CN2008100684477A CN200810068447A CN101320773B CN 101320773 B CN101320773 B CN 101320773B CN 2008100684477 A CN2008100684477 A CN 2008100684477A CN 200810068447 A CN200810068447 A CN 200810068447A CN 101320773 B CN101320773 B CN 101320773B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- fluorescent colloid
- exiting
- colloid
- packaging
- Prior art date
Links
- 239000000084 colloidal systems Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 13
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixtures Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particles Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing Effects 0.000 abstract 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagrams Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 methods Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reactions Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
提高LED外量子效率的封装方法及LED封装结构
技术领域
[0001] 本发明属于发光二极管封装领域,尤其涉及一种提高LED外量子效率的封装方法 及LED封装结构。
背景技术
[0002] 随着LED (light-emitting diode,发光二极管)应用的不断拓展,对LED封装的发 光效率要求也越来越高,而发光效率是决定LED封装的最重要的参数。LED的发光效率包 括两部分:内量子效率和外量子效率。内量子效率是指LED芯片的电子空穴对在LED芯片 PN结区复合产生光子发出芯片表面的效率;外量子效率指将LED芯片发出的光子引出LED 封装体后的总效率。发光二极管芯片的内量子效率不断提升,目前LED的内量子效率可达 到90%以上,而LED的外量子效率仅40%。因此,影响LED发光效率的主要因素是外量子 效率。
[0003] 高效的LED通常采用支架反射杯封装结构,在支架反射杯底部安装发光芯片,在 支架反射杯中灌封荧光胶,因此,支架反射杯中出光面为平面出光,由于平面全反射作用, 光能损失很大。可见,由于受到目前LED封装技术的限制,LED产生的大部份光能在全反射 过程中被损耗。因此,如何提高LED封装的外量子效率从而提高LED封装的出光效率成为 业界急待解决的关键问题。本发明将成为提高LED封装出光效率的突破性技术。
发明内容
[0004] 本发明所要解决的技术问题在于提供一种提高LED外量子效率的封装方法,旨在 解决现有的LED封装出光效率低的问题。
[0005] 本发明所要解决的另一个技术问题在于提供一种采用上述方法制成的LED封装 结构,其外量子效率较高。
[0006] 对于本发明的提高LED外量子效率的封装方法来说,上述技术问题是这样加以实 现的:将发光芯片安装在支架反射杯的底部,并将发光芯片电极引接到支架电极上;将荧 光胶体灌装在支架反射杯内,对发光芯片进行封装固化;再用透明胶混合微型球粒在所述 荧光胶体出光面上形成若干微型结构。
[0007] 对于本发明的LED封装结构来说,上述技术问题是这样加以实现的:该LED封装结 构包括支架反射杯、封装在支架反射杯底部的发光芯片、以及灌装在支架反射杯内的荧光 胶体,所述荧光胶体的出光面上形成若干微型结构。
[0008] 与现有技术相比较,由于上述LED封装在荧光胶体的出光面上设有若干微型结 构,有利于减少荧光胶体出光面的平面全反射作用,减少光能损失,提高LED封装的出光效 率,即提高LED封装的外量子效率。
附图说明
[0009] 附图是本发明提供的LED封装结构一较佳实施例的示意图。
3具体实施方式
[0010] 为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结 合附图及实施例,对本发明进行详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解 释本发明实例,并不用于限定本发明实例。
[0011] 请参看附图,是本发明的一较佳实施例,该LED封装结构包括支架反射杯10、封装 在支架反射杯10底部的发光芯片30和灌装在支架反射杯10内的荧光胶体20。支架反射 杯10中央向内凹陷形成一呈内小外大的喇叭状,荧光胶体20的出光面上形成若干微型结 构40。
[0012] 制造上述LED封装结构的方法如下:
[0013] 首先,将发光芯片30安装在支架反射杯10的底部并焊金线将发光芯片30电极引 接到支架电极(图中未示出)上;
[0014] 将荧光胶体20灌装在支架反射杯10内,从而对发光芯片30进行封装固化;
[0015] 再用透明胶混合微型球粒在其荧光胶体20出光面上形成若干微型结构40,所述 微型结构40密集地分布在荧光胶体20的出光面上。
[0016] 上述方法中,所述微型结构40为突出于荧光胶体20出光面密布的凸透镜,且这些 凸透镜为半球状。
[0017] 上述LED封装中,荧光胶体20的出光面上设置微型凸透镜,有利于减少荧光胶体 出光面的平面全反射作用,减少光能损失,提高LED的外量子效率,从而提高LED封装的出 光效率。
[0018] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明实例,凡在本发明 的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之 内。
Claims (5)
- 一种提高LED外量子效率的封装方法,将发光芯片安装在支架反射杯的底部,并将发光芯片电极引接到支架电极上;将荧光胶体灌装在支架反射杯内,对发光芯片进行封装固化;再用透明胶混合微型球粒在所述荧光胶体出光面上形成若干微型结构,所述微型结构密集地分布在胶体出光面上。
- 2. —种LED封装结构,包括支架反射杯、封装在所述支架反射杯底部的发光芯片、以及 灌装在所述支架反射杯内的荧光胶体,其特征在于,所述荧光胶体的出光面上通过透明胶 混合微型球粒形成若干微型结构,所述微型结构密集地分布在胶体的出光面上。
- 3.如权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述支架反射杯中央向内凹陷地呈 一内小外大的喇叭状。
- 4.如权利要求2或3所述的LED封装结构,其特征在于,所述微型结构为突出于荧光胶 体出光面的微型凸透镜。
- 5.如权利要求4所述的LED封装结构,其特征在于,所述微型凸透镜为半球状。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100684477A CN101320773B (zh) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 提高led外量子效率的封装方法及led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100684477A CN101320773B (zh) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 提高led外量子效率的封装方法及led封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101320773A CN101320773A (zh) | 2008-12-10 |
CN101320773B true CN101320773B (zh) | 2011-02-09 |
Family
ID=40180708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100684477A CN101320773B (zh) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | 提高led外量子效率的封装方法及led封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101320773B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI426206B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 發光二極體裝置 |
CN101514784B (zh) * | 2009-03-19 | 2013-09-18 | 中国计量学院 | 一种含有部分增光结构的大功率发光二极管 |
CN101546801B (zh) * | 2009-03-24 | 2011-03-16 | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 | 大功率led封装方法 |
CN101667620B (zh) * | 2009-09-16 | 2011-07-27 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种白光发光二极管 |
CN101887939A (zh) * | 2010-05-24 | 2010-11-17 | 晶科电子(广州)有限公司 | 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法 |
CN102623607A (zh) * | 2011-01-28 | 2012-08-01 | 联胜(中国)科技有限公司 | 发光模块 |
CN103633220B (zh) * | 2013-03-31 | 2016-08-03 | 深圳市三创客科技有限公司 | 一种led荧光粉涂装技术 |
CN103199184B (zh) * | 2013-04-08 | 2016-04-20 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构 |
CN103872207A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-06-18 | 东莞美盛电器制品有限公司 | 一种强光led光源模块及其生产工艺 |
CN105845814B (zh) * | 2016-05-04 | 2019-03-05 | 华中科技大学 | 一种紫外led封装结构及其制作方法 |
CN106601891A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 合肥市华达半导体有限公司 | 一种发光二极管的封装结构及其封装方法 |
CN108281092B (zh) * | 2018-01-24 | 2019-12-17 | 福州大学 | 一种微米级led显示光效提取的微结构及其制造方法 |
-
2008
- 2008-07-11 CN CN2008100684477A patent/CN101320773B/zh active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101320773A (zh) | 2008-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201307605Y (zh) | Led封装结构 | |
CN107314258A (zh) | Led灯丝及其制造方法及应用所述灯丝的led球泡灯 | |
CN105006508B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
CN103489986B (zh) | 提升发光角度的小尺寸发光二极管封装改良结构 | |
TW200843130A (en) | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same | |
CN101436637B (zh) | 一种高效散热发光的大功率led封装结构 | |
CN103199183B (zh) | 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构 | |
CN104253194A (zh) | 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法 | |
CN102751274A (zh) | 一种立体包覆封装的led芯片 | |
KR20090065045A (ko) | 백색 발광소자 및 그 제조방법 | |
CN201112411Y (zh) | 提高发光二极管发光效率的封装结构 | |
CN202067790U (zh) | 圆片级玻璃型腔的硅通孔led封装结构 | |
CN102214651A (zh) | 一种led像素单元器件结构及其制备方法 | |
EP1794817A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und gehäuse für ein optoelektronisches bauelement | |
CN204204899U (zh) | 一种高显色性白光免封装led | |
CN101834263A (zh) | 广角度发射的集成光源结构 | |
CN102694102B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法、以及光源装置 | |
CN102254903B (zh) | 发光二极管封装、发光二极管模块及发光二极管灯 | |
TW200905925A (en) | Side-view light-emitting diode package and fabrication method thereof | |
TW201104165A (en) | A light source element and a method for manufacturing | |
CN101551068A (zh) | 一种发光二极管装置及其封装方法 | |
TW201114070A (en) | Light-emitting device | |
CN102655141B (zh) | 发光晶体的多晶封装结构 | |
CN101392885A (zh) | 一种大功率白光led | |
CN201435408Y (zh) | 一种非对称的led封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Liu Yanling Document name: Notification of Passing Examination on Formalities |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160812 Address after: Xinyuan building, No. 37 Wuhu Lake Economic and Technological Development Zone, 241000 North Road, Anhui city of Wuhu province 1008 Patentee after: Wuhu Jufei Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: 518109 Shenzhen city Baoan District Dalang Street Community creative Peak Road No. 65 building 1-4 layer Patentee before: Shenzhen City Jufei Optoelectronic Co., Ltd. |