CN101013261A - 用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、以及生产所述模具的工艺 - Google Patents

用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、以及生产所述模具的工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN101013261A
CN101013261A CNA2007100079723A CN200710007972A CN101013261A CN 101013261 A CN101013261 A CN 101013261A CN A2007100079723 A CNA2007100079723 A CN A2007100079723A CN 200710007972 A CN200710007972 A CN 200710007972A CN 101013261 A CN101013261 A CN 101013261A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
mould
area
projection
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100079723A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101013261B (zh
Inventor
中村高士
田透
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN101013261A publication Critical patent/CN101013261A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101013261B publication Critical patent/CN101013261B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

一种用于压印的模具，其能够在衬底表面形成具有比模具更大面积的接缝减少或无缝的图案，它包括：第一图案区域，包括多个第一凹陷；以及第二图案区域，包括多个第二凹陷，用于用作对准标记。第一图案区域和第二图案区域在其最外侧表面具有相等的高度。第一凹陷和第二凹陷具有不同的深度。第一图案区域和第二图案区域具有相等的循环间隔。

Description

用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、 以及生产所述模具的工艺
技术领域
本发明涉及用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的生产工艺以及模具的生产工艺。特别地，本发明涉及一种用于压印的模具，其能够在衬底表面形成具有比模具更大面积的结构，一种使用这种模具生产微细结构的生产工艺以及这种模具的生产工艺。
背景技术
作为微细结构制备工艺的一个典型实施例，已知一种照相平版印刷工艺。根据这种工艺，可以通过使用ArF受激准分子激光器作为光源来形成100nm或更小的精细(微细)图案。另外，近年来，作为形成更精细的图案的方法，已经研究了使用远紫外(EUV)射线、X射线、电子射线等等的曝光工艺。
然而，在这些制备工艺中，照相平版印刷工艺不仅包括又长又复杂的工艺，而且需要昂贵的设备来用于形成精细图案。因此，作为代替这些制备工艺的技术之一，如文献S.Y.Chou等，Science，Vol.272，PP.85-87，April 5(1996)所述，已经研究了纳米压印方法。
在纳米压印方法中，制备了一种具有与要制备的结构相对应的突起和凹陷的模具并将其压在衬底上以便在衬底的表面处形成突起和凹陷，并且基于由此形成的突起和凹陷制备所述结构。根据这种方法，可以使用便宜的设备通过单个工艺制备微细结构。
作为用于纳米压印方法中的模具，例如，已经报道了通过平版印刷工艺由SiC、SiO2、石英等等形成的模具。
作为纳米压印方法的一个应用的实施例，除了形成布线之外，还形成阳极氧化的起点。
已经知道，铝受到阳极氧化以形成垂直于衬底表面的小孔。在纳米压印方法的情况下，可以通过在衬底表面处有规律地形成凹陷图案作为起点之后进行阳极氧化而有规律地设置小孔。在这种情况下，可以通过将具有突起结构的模具压在衬底上而形成凹陷图案。
为了通过纳米压印方法进行高精度处理，需要高精度地进行模具与衬底的对准。
作为对准模具与衬底的一种方法，例如，日本特开专利申请(JP-A)No.2001-85501提出了一种方法，其中使用相对于模具和衬底两者形成的对准标记通过光学干涉量度法以光学方式检测相对位置，如图8所示。
更具体而言，参看图8，掩模(模具)121设置有用于转印图案的突起凹陷部分122、用于自对准的突起部分123、用于粗略地实施光学位置对准的标记124、以及位于掩模的中心部处的金属制造的STM(扫描隧道显微镜)探头125。另一方面，在衬底131上，设置了由聚甲基丙烯酸甲酯构成的涂膜132、用于自对准的突起凹陷部分133、三个与STM探头125相对应并用于容许在衬底中心部处进行纳米控制的金属制探头134，以及用于粗略地实施光学位置对准的标记135。
在这种构成中，首先，通过使用光学显微镜将掩模121和模具131对准使得标记124和标记135彼此对准。接着，掩模121和模具131被布置成使得用于自对准的突起/凹陷部分123和133互相接合。随后，通过利用STM探头125测量三个金属探头134的位置以便移动STM探头125面向三个金属探头134的中央探头而实现(位置)对准。
用于压印的模具需要很多的模具制备时间和成本，因为形成在模具的处理表面处的、要被转印在待处理的构件上的图案具有较大的尺寸。作为用于解决这种问题的方法之一，采用以下这种方法，其中在改变模具和作为待处理构件的衬底之间的相对位置时进行反复的压制。因此，可以在衬底表面处形成面积比模具的面积更大的图案。
然而，在JP-A 2001-85501的对准方法中，在模具(掩模)的两端部处，设置了用于自对准的突起部分123和用于位置对准的标记124。相应地，在这些部分处，不能形成作为要被转印到待处理构件上的图案的突起/凹陷部分，因此没有形成图案区域。
因为这个原因，在使用其中在改变模具和衬底之间的相对位置时进行反复压印的方法的情况下，难以在衬底表面处制备面积比模具更大的无缝图案。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的主要目的是设置一种用于压印的模具，其能够在衬底表面处形成具有比模具更大面积的图案。
本发明的另一个目的是提供一种使用所述模具生产微细结构的工艺和用于生产所述模具的工艺。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于压印的模具，它包括：
第一图案区域，包括多个第一凹陷；以及
第二图案区域，包括多个第二凹陷，用于用作对准标记，
其中第一图案区域和第二图案区域在其最外侧表面具有相等的高度，
其中第一凹陷和第二凹陷具有不同的深度，以及
其中第一图案区域和第二图案区域具有相等的周期间隔。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于压印的模具，它包括：
第一图案，具有用于转印在待处理构件上的突起和凹陷形状；以及
第二图案，具有用作对准标记的突起和凹陷形状，
其中第二图案的突起和凹陷形状的高度不同于第一图案的突起和凹陷形状的高度，并且具有与第一图案的突起和凹陷形状相等的周期间隔。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于压印的模具，它包括：
第一图案，其设置在模具表面处，具有用于转印在待处理构件上的突起和凹陷形状；以及
第二图案区域，其设置在模具表面处，用于用作对准标记，
其中第二图案形成在与形成第一图案的平面平行且高度不同的一个或多个平面中，以及
其中形成具有与第一图案相同的突起和凹陷形状的图案作为第二图案的至少一部分。
在一个优选实施例中，第一图案区域的至少一部分设置有恒定的周期间隔。另外，第一图案区域的至少一部分可优选地为突起。
在一个优选实施例中，第二图案区域在光学上可观察到。另外，第二图案区域可优选地形成在模具的角部处。另外，第二图案区域可优选地包括位于其一部分处的突起和凹陷图案，并且突起和凹陷图案可优选地具有小于第一图案区域的深度。另外，第二图案区域可优选地形成在与形成第一图案区域的平面平行并且比其更高和更低的两个平面中。
在一个优选实施例中，模具包括透光材料。
根据本发明的另一个方面，提供了一种用于生产微细结构的工艺，其用于通过从模具和待处理构件的至少一侧将形成在模具的第一图案的处理表面处的图案转印在待处理构件的表面上，这种工艺包括：
第一步骤，用于借助于用于压印的上述模具中的任一种通过将模具的第一图案和第二图案转印在待处理构件的表面上而在待处理构件的表面处形成在光学上可识别的第三图案；
第二步骤，用于在模具和待处理构件之间的相对位置改变以后，通过使用模具的第二图案和待处理构件的第三图案进行对准，再次将模具的第一图案和第二图案转印在待处理构件的表面上；以及
第三步骤，用于通过重复第二步骤形成无缝的连续图案。在这种生产工艺的一个优选实施例中，在第二步骤中，进行对准以便使得模具的与形成在待处理构件上的第三图案相同的图案与第三图案重叠。
在微细结构的这种生产工艺的一个优选实施例中，包括铝(Al)或铝合金作为其至少一部分的衬底用作第一步骤中的待处理构件，并且在第三步骤以后，通过阳极氧化在衬底的至少一部分处形成具有规律地设置的小孔的微细(精细)孔结构。
根据本发明的另一个方面，提供了用于生产上述任何一种用于压印的模具的工艺，包括：
通过干法蚀刻在用于模具的衬底上形成与模具的第一图案相对应的图案的步骤；
通过在其上形成了图案的衬底表面涂敷抗蚀层而形成与用作模具的对准标记的第二图案相对应的抗蚀层图案的步骤；以及
通过进行用于具有抗蚀层图案的模具的衬底的干法蚀刻而形成光学上可识别的图案的步骤，作为在形成模具的第一图案时用作模具的对准标记的第二图案，该图案具有比第一图案更小的深度。
根据本发明的另一个方面，提供了用于生产上述任何一种用于压印的模具的工艺，包括：
通过对形成在衬底上的铝(Al)或铝合金层进行阳极氧化而形成氧化铝纳米孔的步骤；
通过镀敷，在衬底表面涂敷抗蚀层，只在用作对准标记的部分处形成开口以及除去露出的一部分氧化铝而在氧化铝纳米孔中填充金属材料的步骤；以及
在氧化铝纳米孔中进行电镀或化学镀覆以便增加镀敷材料的厚度以及只分离所产生的镀敷部分以便制备具有用作对准标记的第二图案的用于压印的模具的步骤。
根据本发明的另外一个方面，提供了用于生产具有压印图案的构件的工艺，包括：
相对地设置具有待处理构件的衬底和模具，该模具具有用于形成将被转印在待处理构件上的压印图案的第一图案和将被用作对准标记的第二图案；
将模具的第一图案和第二图案同时转印在待处理构件上；以及
通过第一图案和第二图案利用形成在待处理构件上的突起和凹陷在衬底表面上形成压印图案。
在具有压印图案的构件的这种生产工艺的一个优选实施例中，第一图案具有与第二图案高度不同而周期间隔相同的突起和凹陷。另外，通过具有压印图案的构件的任一项生产工艺，根据模具的压印图案生产具有无缝压印图案的所形成构件。
根据本发明，通过在模具和衬底之间的相对位置改变时反复地进行压制，可以在衬底表面处形成具有大于模具的面积的图案，因为设置于模具的对准标记所产生的接缝面积减少或没有接缝。
在考虑了结合附图对本发明的具体实施方式进行的以下描述以后，本发明的这些和其它目标、特征和优点将变得更清楚。
附图说明
图1(a)和1(b)为示意图，图中示出了作为本发明的一个实施例的模具的构成，其中图1(a)为模具的俯视图而图1(b)为沿着图1(a)中所示的X-X’线的剖面图。
图2(a)和2(b)为示意图，示出了使用图1中所示的本发明的实施例的模具通过纳米压印方法形成在衬底表面处的图案。
图3(a)至3(f)为示意图，用于示例说明在本发明的一个实施例中模具与衬底的对准方法。
图4(a)至4(f)为示意图，用于示例说明在本发明的一个实施例中设置有对准标记的用于纳米压印的模具的生产工艺的一个实例。
图5(a)至5(c)为示意图，用于示例说明形成在一个或多个平面中的图案B的一个构成实例，所述平面与在本发明的一个实施例中形成图案A的平面平行但高度(深度)不同。
图6(a)至6(e)为示意图，用于示例说明在本发明的一个实施例中使用阳极氧化铝孔的用于纳米压印的模具的生产工艺。
图7(a)至7(d)为示意图，用于示例说明本发明的实施例2中的用于纳米压印的模具的生产工艺和使用这种模具的纳米结构的生产工艺。
图8包括的示意图用于示例说明常规型模具和使用这种模具的对准方法。
具体实施方式
在下文，将参考附图描述本发明的实施例。
图1(a)和1(b)示出了根据本发明的一个实施例的模具的构成，其中图1(a)为模具的俯视图而图1(b)为沿着图1(a)中所示的X-X’线的剖面图。
参看这些图，模具11设置有图案A形成区域12、图案A(13)和图案B(14)。
图案A(13)为用于通过纳米压印方法形成图案的突起/凹陷图案(压印图案)，且形成在模具11的最外侧表面的同一平面中。
图案B(14)为用作具有光学上可识别的构成的对准标记的图案。图案B(14)形成一图案中，该图案不同于图案A(13)在其中形成且靠近模具11的拐角的图案。
在图案B(14)的至少一部分处，与图案A(13)相同的突起/凹陷(压印图案)以不同于图案A(13)的深度形成。因此，模具11设置有高度(深度)不同的、由图案A(13)和B(14)构成的压印图案，以被转印于作为待处理构件的衬底的表面上。
顺便说一下，在图1(b)中，图案B(14)具有凹陷结构，该凹陷结构的深度小于不带图案B(14)的其它部分的深度，但是也可形成为使得其深度大于其它部分的深度。另外，在图1(b)中，图案B(14)形成在同一平面中，但是也可形成在多个平面中。
作为模具所用的材料，可以使用Si、SiO2、SiN、玻璃、石英、陶瓷、金属和氧化物。这些材料可以单独地使用或者以包含这些材料中至少一种的混合物使用。金属和氧化物的实例可包括Au、Pt、Ag、Pd、Cu、Ni、Co、这些金属的合金和这些金属的氧化物。
为了在对准之后使用模具进行压制，模具优选地可透明，特别是由石英形成。
图案形成通过相对于树脂涂敷的衬底进行压制而实现。作为其上涂敷着树脂材料的衬底所用的材料，优选的是使用Si、玻璃、塑料、碳或金属如铝。
在铝衬底的情况下，优选地可以利用NiP进行镀敷以便增强衬底的硬度。然而，可用于本发明中的衬底并不限于此，而是可为任何衬底，只要其具有使得其在压制过程中不会变形的强度和使得其高度或深度小于模具的压印(突起/凹陷)结构的高度或深度的光滑度即可。另外，在使用足够厚的树脂层的情况下，也可省略衬底。
待压制的树脂材料的实例可包括热塑性树脂如聚乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、对苯二甲酸盐、聚氯乙烯、聚苯乙烯和丙烯酸酯树脂；热固性树脂如环氧树脂、酚醛树脂和三聚氰胺甲醛树脂；以及各种抗蚀层。这些材料可以单独或以两种或多种的混合物使用。
图2(a)和2(b)示出了使用图1(a)和1(b)中所示的模具11通过纳米压印方法形成在衬底表面上的图案。
参看图2(a)和2(b)，衬底表面具有形成在模具11的图案B(14)被转印至的区域中的图案C(21)和形成在图案A(13)被转印至的区域中的图案D(22)。如这些图中所示，图案C(21)具有的压印图案高度低于图案D(22)，以便使得图案C(21)光学上可识别。
相应地，通过使用具有高倍放大的图像拾取系统，可以实现作为设置至模具的对准标记的图案B(14)与通过压制形成在衬底上的图案C(21)的(位置)对准。
在对准期间，如果模具和衬底中的至少一个具有光学透明性，就可以在利用照相机读取图案B(14)和图案C(21)时实现衬底和模具的对准，这时设置至衬底和模具两者的对准标记彼此重叠。然而，模具和衬底所用的材料也可都没有光学透明性。在这种情况下，在对准之前，模具和衬底的对准标记可以分别通过不同的照相机识别，然后可以实现对准。
在本发明中，压制用以下这种方式实现，即相对于衬底或衬底上的树脂材料执行第一次压制操作，然后在压制位置变动之后执行第二次压制操作。在第二次压制操作期间，使用通过第一次压制操作形成的突起和凹陷来在第二次压制操作中对准。
模具混合设置有用于图案形成(与有待最初形成在衬底上的压印图案相对应)的突起和凹陷以及用于对准标记的突起和凹陷。例如，可以采用一种构成，其中用于图案形成的突起和凹陷被设置成包围用于对准标记的突起和凹陷，反之亦然。
在本发明中，重要的是通过对准标记的突起和凹陷而转印在衬底或衬底上的树脂材料上的突起和凹陷还用于相对于衬底的图案形成。
另外，通过以如图3(a)至3(c)中所示的相同间隔设置用于图案形成的突起和凹陷以及用于对准标记的突起和凹陷，与象常规型模具中那样突起/凹陷图案并不形成在模具的外周部分处而是只有对准标记形成在该部分处的情况相比，可以实现基本上没有图案接缝的突起/凹陷形状或接缝面积减少的突起/凹陷形状，即使存在微小的接缝。在本实施例中，两次反复地执行压制的部分和并不执行反复的压制的部分混合存在。在某些情况中，由于压制操作数量的差别，所形成的形状可能略微改变。
顺便说一下，用于图案形成的和用于对准标记的突起和凹陷优选地可具有相同的间隔，但是根据需要也可具有不同的间隔。
接着，将描述本实施例中的模具与衬底的对准方法。
图3(a)至3(f)为示意图，用于示例说明在纳米压印期间使用上述模具11使模具与衬底对准的方法。
在执行纳米压印方法时，首先，通过在一个位置处利用模具11进行压制，形成如图3(a)中所示的突起/凹陷形状。在这种压制操作期间，利用衬底的外周边实现对准，但是也可不实现对准。
接着，改变模具和衬底之间的相对位置，然后使用形成在衬底31上的图案D(15)和模具11的图案B(14)实现对准，然后再次进行纳米压印(图3(b))。在这种情况下，在图案D(15)的一部分及其外周部分处，形成在模具和衬底上的图案也可彼此不同。
通过重复图3(a)和3(b)中所示的步骤，如图3(c)和3(d)中所示，通过多次执行的纳米压印在衬底表面上形成图案C(21)作为无缝的(连续的)图案。
按照这种方式，在衬底表面上形成突起/凹陷图案，然后进行蚀刻，随后除去抗蚀层以便在衬底表面获得图案(图3(e)和3(f))。
接着，将描述本实施例中的模具的生产工艺。
图4(a)至4(f)为示意图，用于示例说明在本实施例中设置有对准标记的用于纳米压印的模具的生产工艺的一个实例。
在这种生产工艺中，作为模具所用的材料，使用具有光滑表面的石英衬底43。
在通过喷镀将20nm厚的铝膜(层)42形成在以上制备的衬底表面之后，通过旋涂在铝膜42上形成电子束平印术所用的抗蚀层41(图4(a))。
接着，通过电子束平印术系统形成和显影理想的图案以便形成图案抗蚀层44(图4(b))。
接着，通过使铝膜42经受干法蚀刻而形成图案45(图4(c))。通过使用形成在石英衬底表面的所形成的结构作为蚀刻掩模，由干法蚀刻形成图案46(图4(d))。
随后，再次在衬底的带图案表面上涂敷抗蚀层，然后进行曝光和显影以便形成形状与对准标记相对应的抗蚀层图案47(图4(e))。
然后，使石英衬底再次经受干法蚀刻。在没有抗蚀层的部分处，形成高度(深度)大于通过初次干法蚀刻形成的图案46的高度(深度)的图案A(13)。另外，紧靠带有抗蚀层的掩模下方，图案具有更小的深度，以便形成光学上可识别的图案B(14)。然后，除去抗蚀层和铝膜(图4(f))。
通过上述方法，获得了设置有对准标记的用于纳米压印的模具。
在本实施例中，可以采用一种构成，其中形成在模具上的图案B在一个或多个与形成图案A的平面平行且高度(深度)不同的平面中形成
图5(a)至(c)示出了形成在一个或多个与其中形成图案A的平面平行且高度(深度)不同的平面中的图案B的一种构成的一个实例。例如，如图5(a)中所示，除了图案A(13)之外，图案B由两种形成在模具上的深度不同的图案构成。更具体而言，根据作为参考平面的为制备图案A(13)形成的凹陷结构的底部的平面，设置了形成在凹陷结构的底部的平面中的十字图案B1(51)，其具有比图案A所用的凹陷结构的深度更小的深度，以及形成在凹陷结构的底部的平面中的矩形图案B2(52)，其具有比图案A所用的凹陷结构的深度更大的深度。
当使用设置有图案B1和图案B2的模具11进行压制时，矩形图案B2(52)包括高度(深度)大于图案A(13)的高度(深度)因此并不转印的突起/凹陷图案。因此，只有十字图案B1(51)被转印在衬底上(图5(b))。
按照这种方式，通过使用转印在衬底上的十字图案B1(51)和形成在模具上的图案B2(52)，可以在改变衬底和模具之间的相对位置时实现对准。
顺便说一下，并不需要在相同区域中形成十字图案和矩形图案。例如，如图5(c)中所示，可以在不同区域中形成包括四个正方形的十字图案和矩形图案。
接着，将描述本实施例中设置有对准标记的用于纳米压印的另一模具的生产工艺。
图6(a)至6(f)为示意图，用于示例说明在本实施例中使用阳极氧化的氧化铝纳米孔的用于纳米压印的模具的生产工艺。
在本实施例中，通过使用有规律地设置的阳极氧化的氧化铝纳米孔制备设置有对准标记的用于纳米压印的模具，该所述对准标记具有带有相同节距的突起。
作为衬底61，优选的是使用Si、玻璃、塑料、碳或金属如铝。在铝衬底的情况下，优选地可以利用NiP进行镀敷以便增强硬度。
根据需要，在衬底61的表面处，通过喷镀、(真空)蒸汽沉积等手段形成用于改善粘合性和给予导电性的层。此处，这种层被称作底涂层62，该层设置在衬底61和铝或铝合金层63之间以便改善粘合性并给予导电性。
在底涂层62上，通过喷镀或蒸汽沉积形成铝或铝合金层63。顺便说一下，也可通过另一种方法形成底涂层62和铝或铝合金层63。
接着，按照以下方式形成作为阳极氧化起始点的凹陷结构。抗蚀层被涂敷在铝或铝合金层的表面以便通过照相平版印刷术或电子束平印术形成开口，然后进行干法蚀刻。可替代地，在涂敷了抗蚀层之后，使用通过在其表面形成恒定循环的间隔结构而制备的模具，在抗蚀层上通过纳米压印方法形成凹陷结构。在这些情况下，还可以采用聚焦离子束(FIB)方法。
随后，通过阳极氧化形成氧化铝纳米孔(图6(a))。
在纳米孔形成之后，通过镀敷将金属填充在纳米孔中，如图6(b)中所示。镀敷部分64所用的材料可包括例如Au、Pt、Ag、Pd、Cu、Ni或Co、这些金属的合金和这些金属的氧化物。然而，材料并未特别限制，只要其能够通过电镀或化学镀覆沉积即可。
在镀敷之后，进行抛光以便除去纳米孔外部的镀敷部分。
接着，将抗蚀层64涂敷在经过上述处理的衬底的表面上(图6(b))。然后，衬底经受曝光和显影以便只在用作对准标记的部分处形成开口，然后进行蚀刻以便除去露出的氧化铝的一部分(图6(c))。
在除去抗蚀层以后，衬底经受电镀或化学镀覆以便填充氧化铝纳米孔并增加镀敷部分的厚度(图6(d))。
通过只除去镀敷部分，可以获得设置有对准标记的用于纳米压印的模具66(图6(e))。
模具的生产工艺并不限于上述方法，而是也可为例如通过FIB方法处理硅等的衬底的方法。
在下文中，将根据实施例更具体地描述本发明，但本发明并不限于此。
(实施例1)
在实施例1中，将描述具有光学上可识别的子图案的用于纳米压印的石英型模具的生产工艺和使用根据本发明的模具的纳米结构的生产工艺。
在本实施例中，作为用于制备模具的衬底，使用具有10mm正方形区域的1.2mm厚石英衬底。
在石英衬底的表面处，通过喷镀形成20nm厚的铝层(膜)，并且通过旋涂而在其上形成用于电子束平印术的30nm厚抗蚀层。
在5mm正方形区域中，通过曝光和显影形成一种图案，该图案包括恒定节距的狭缝图案，节距为200nm而宽度为100nm。
随后，通过干法蚀刻，在铝层中形成节距为200nm而宽度为100nm的细线图案。
然后，通过使用铝层作为蚀刻掩模，在石英衬底表面的5mm正方形区域中形成节距为200nm、线宽度为100nm而深度为30nm的凹陷结构。
接着，再次在石英衬底表面上涂敷厚度为100nm的用于电子束平印术的抗蚀层。
然后，在5mm正方形区域(用于图案形成)的四个拐角部分中每一个处，通过曝光和显影形成500μm的正方形图案。
随后，在除了带有用于电子束平印术的抗蚀层的掩模部分以外的部分处，石英衬底再次经受干法蚀刻以便形成节距为200nm、宽度为100nm而深度为80nm的狭缝结构(图案A)。另外，在掩模部分处，形成节距为200nm、宽度为100nm而深度为30nm的狭缝结构(图案B)。
因此，制备了用于纳米压印的石英制模具，其包括200nm节距狭缝结构和光学上可识别的500微米正方形子图案。
通过使用如此制备的模具，按照以下方式在Si衬底的表面形成狭缝结构。
在4英寸Si晶片上，在通过喷镀连续地形成5nm厚Ti层和20nm铝层之后，通过旋涂形成用于电子束平印术的100nm厚抗蚀层。
随后，在150℃和1吨/cm2的条件下，通过使用带有对准标记的以上制备的模具相对于衬底实现纳米压印。
因此，在衬底表面处形成5mm正方形区域的精细图案。
接着，如图3(b)中所示，通过压制形成在衬底上的图案D(15)和作为模具侧对准标记的图案B(14)通过彼此重叠而相互对准，然后进行压印。
在重复上述压制操作以后，在9.5mm正方形区域中，进行干法蚀刻以便制备狭缝结构，其可用作用于纳米压印的模具，节距为200nm，宽度为100nm，深度为50nm。
(实施例2)
在实施例2中，将描述具有不同于实施例1的构成的用于纳米压印的石英型模具的生产工艺和使用根据本发明的模具的纳米结构的生产工艺。
在本实施例中，作为用于制备模具的衬底，使用具有10mm正方形的1.2mm厚石英衬底。
在石英衬底的表面处，通过喷镀形成20nm厚的铝层(膜)，并且通过旋涂在其上形成用于电子束平印术的30nm厚抗蚀层。
在5mm正方形区域中，通过曝光和显影形成一种图案，该图案包括恒定节距的圆形透明部分图案，该圆形透明部分图案的节距为160nm而直径为80nm。
随后，通过干法蚀刻，在铝层中形成节距为160nm而直径为80nm的圆形透明部分。
然后，通过使用铝层作为蚀刻掩模，在石英衬底表面的5mm正方形区域中通过干法蚀刻形成节距为160nm、直径为80nm而深度为20nm的凹陷结构。
接着，形成如图7(a)中所示的对准标记。
在图7(a)中，包括四个矩形(正方形)的模具侧对准标记51与如上所述的图案B2相对应，而用于形成对准标记的十字图案52与如上所述的图案B1相对应。
在经受图案形成的石英衬底的表面处，再次通过旋涂形成厚度为100nm的用于电子束平印术的抗蚀层。
接着，通过曝光和显影形成图案以便只在与图7(a)中所示的十字图案52相对应的部分处实现掩模作用。然后，使石英衬底经受干法蚀刻。
在本实施例中，十字图案包括一组矩形，每个矩形具有500μm的长边和200μm的短边。
然后，在石英衬底表面再次涂敷用于电子束平印术的抗蚀层，并使抗蚀层经受曝光和显影以便在除了与图7(a)中所示的模具侧对准标记51相对应的部分以外的部分处实现掩模作用，然后进行石英衬底的干法蚀刻。此处，模具侧对准标记51包括设置在500μm正方形区域中的四个角部分处的四个200μm2的矩形。
因此，在图案区域12中，形成了一种凹陷结构，其具有160nm的节距、80nm的直径和50nm的深度。另外，在图7(a)中所示的模具侧对准标记51的一部分处，形成了节距为160nm、直径为80nm且深度为80nm的凹陷结构。另外，在用于形成对准标记的十字图案52的一部分处，形成节距为160nm、直径为80nm且深度为20的凹陷结构。
通过使用如此制备的模具，按照以下方式在形成于Si衬底表面处的铝(薄膜)层中形成恒定节距的氧化铝孔。
在4英寸Si晶片上，在通过喷镀连续地形成5nm厚Ti层和200nm铝层之后，通过旋涂形成用于电子束平印术的100nm厚抗蚀层。
随后，在150℃和500kgf/cm2的条件下，通过使用带有对准标记的以上制备的模具相对于衬底实现纳米压印。
因此，在衬底表面处，形成5mm正方形区域的精细图案(图7(b))。
接着，如图7(b)中所示，通过压制形成在用于电子束平印术的抗蚀层表面上的十字图案53和模具侧对准标记51通过彼此重叠而相互对准，随后进行压印。在这种情况下，不管是否预先在衬底上形成十字图案53，在衬底表面形成与形成在模具表面的图案A相对应的图案，并且通过压制使得形成在衬底上的十字图案53消失。
通过重复进行如上所述的对准和压制(图7(d))，在5mm×9mm的区域中形成精细(微小)的图案。通过重复这种操作，在50mm正方形区域中形成精细图案。
然后，在BCl3和O2的混合气体中进行干法蚀刻，除去通过压制形成的凹陷部分中的铝层的一部分。
在通过抛光除去抗蚀层以后，通过在16℃下应用64V的电压，在草酸和磷酸的混合物(1∶1)的0.3摩尔水溶液中进行酸性氧化。
当通过场致发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察通过阳极氧化如此制备的膜时，就形成直径为35nm的纳米孔，其带有160nm的(恒定)节距，沿着垂直于衬底表面的方向为三角形栅格形状。
(实施例3)
在实施例3中，将描述具有不同于实施例1和2的构成的用于纳米压印的石英型模具的生产工艺和使用根据本发明的模具的纳米结构的生产工艺。
在本实施例中，作为用于制备模具的衬底，使用2英寸的晶片，并且在其表面上，通过喷镀形成5nm厚的Ti层和100nm厚的铝层，并且在其上通过旋涂形成用于电子束平印术的30nm厚的抗蚀层。
在5mm正方形区域中，通过曝光和显影形成一种图案，该图案包括恒定节距的圆形透明部分图案，该圆形透明部分图案节距为100nm而直径为30nm。
随后，通过干法蚀刻，在铝层中形成节距为100nm而直径为30nm的圆形透明部分。
然后，进行干法蚀刻以便形成节距为100nm的凹陷结构。
在通过抛光除去抗蚀层以后，通过在16℃下应用64V的电压，在0.3摩尔草酸的水溶液中进行酸性氧化，然后通过将衬底(晶片)浸渍在0.3M磷酸的水溶液中30分钟而进行孔隙放大处理。
当通过FE-SEM观察通过阳极氧化如此制备的膜时，就形成直径为35nm的纳米孔，其带有100nm的(恒定)节距，且沿着垂直于衬底表面的方向为三角形栅格形状。
然后，使用镍氨基磺酸盐浸洗(500g/l的氨基磺酸、30g/l的硼酸、1.5ml/l的表面活性剂，pH＝3.5，50℃)并通过AC镀敷将纳米孔充以镀敷材料，并且通过抛光除去镀敷材料的过量部分。
随后，在衬底的表面，通过旋涂形成用于电子束平印术的100nm厚的抗蚀层，然后曝光和显影以便在纳米孔形成区域的四个拐角部分中每一个处形成500μm的正方形开口图案。
然后，将衬底浸渍在硫酸中以便只在抗蚀层的开口图案部分处除去一部分阳极氧化膜。
然后，除去抗蚀层，在衬底表面进行上述镀镍，随后除去镀敷构件。
当通过FE-SEM观察如此制备的镀敷构件时，在5mm正方形区域中观察到节距为100nm、直径为35nm、高度为100nm的突起结构，在四个拐角部分中每一个处的500μm正方形区域中观察到节距为100nm、直径为35nm而高度为50nm的子图案。
通过使用如此制备的模具，当通过进行纳米压印同时进行对准而按照与实施例1相同的方式执行FE-SEM观察时，可以确认一图案形成在5mm正方形区域中。
如上所述，根据本发明，可以容易地产生可用作带有对准标记的用于纳米压印的模具的结构。
另外，通过使用模具反复地实现纳米压印，就可以在具有比模具更大面积的衬底上形成恒定节距的图案。因此，可以实现在成本和模具制备时间方面有利的精细图案形成方法。
尽管已经参考此处所公开的结构描述了本发明，但其并不限于所述的详情，并且本申请意欲包括可能属于改进目的或以下权利要求书的范围的这些改型或变动。

Claims (12)

1.一种用于压印的模具，包括：
第一图案区域，包括多个第一凹陷；以及
第二图案区域，包括多个第二凹陷，所述第二凹陷用作对准标记，
其中，所述第一图案区域和所述第二图案区域在其最外侧表面处具有相等的高度，
其中，第一凹陷和第二凹陷具有不同的深度，以及
其中，所述第一图案区域和所述第二图案区域具有相等的循环间隔。
2.一种用于压印的模具，包括：
第一图案，具有突起和凹陷形状，以转印在待处理构件上；以及
第二图案，具有突起和凹陷形状，以用作对准标记，
其中，所述第二图案的突起和凹陷形状高度不同于第一图案的突起和凹陷形状的高度，并且具有与所述第一图案的突起和凹陷形状循环间隔相等的循环间隔。
3.根据权利要求1所述的模具，其中，所述第一图案区域的至少一部分设置有恒定的循环间隔。
4.根据权利要求1所述的模具，其中，所述第一图案区域的至少一部分为突起。
5.根据权利要求1所述的模具，其中，所述第二图案区域光学上可观察到。
6.根据权利要求1所述的模具，其中，所述第二图案区域形成在模具的拐角部分处。
7.根据权利要求1所述的模具，其中，所述第二图案区域包括位于其部分处的突起和凹陷图案，并且其中，该突起和凹陷图案具有小于所述第一图案区域深度的深度。
8.根据权利要求2所述的模具，其中，所述第二图案区域形成在两个平面中，所述两个平面与其中形成有所述第一图案区域的平面平行并且比其更高和更低。
9.根据权利要求1所述的模具，其中，所述模具包括透光材料。
10.一种用于生产微细结构的工艺，用于通过从模具和待处理构件的至少一侧执行压制而将形成在模具的第一图案的处理表面处的图案转印在待处理构件的表面上，所述工艺包括：
第一步骤，用于利用根据权利要求1-9中任一项所述的用于压印的模具，通过将模具的第一图案和第二图案转印到待处理构件的表面上，从而在待处理构件的表面处形成光学上可识别的第三图案；
第二步骤，用于在模具和待处理构件之间的相对位置改变以后，通过使用模具的第二图案和待处理构件的第三图案进行对准，再次将模具的第一图案和第二图案转印在待处理构件的表面上；以及
第三步骤，用于通过重复第二步骤形成无缝的连续图案。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第二步骤中，进行对准以便使得模具的与形成在待处理构件上的第三图案相同的图案与该第三图案重叠。
12.一种用于生产具有压印图案的构件的工艺，包括：
相对地设置具有待处理构件的衬底和模具，该模具具有用于形成将被转印在待处理构件上的压印图案的第一图案和将被用作对准标记的第二图案；
将模具的第一图案和第二图案同时转印在待处理构件上；以及
通过第一图案和第二图案利用形成在待处理构件上的突起和凹陷而在衬底表面上形成压印图案。
CN2007100079723A 2006-02-01 2007-02-01 用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、以及生产所述模具的工艺 Expired - Fee Related CN101013261B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006024180 2006-02-01
JP2006024180 2006-02-01
JP2006-024180 2006-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101013261A true CN101013261A (zh) 2007-08-08
CN101013261B CN101013261B (zh) 2011-09-21

Family

ID=37945461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100079723A Expired - Fee Related CN101013261B (zh) 2006-02-01 2007-02-01 用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、以及生产所述模具的工艺

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7690910B2 (zh)
EP (1) EP1816518B1 (zh)
CN (1) CN101013261B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101718956A (zh) * 2009-08-31 2010-06-02 四川虹欧显示器件有限公司 用于基板制造的曝光方法及其对位装置
CN102162992A (zh) * 2010-02-24 2011-08-24 佳能株式会社 压印装置、用于压印装置中的模板、以及物品的制造方法
CN109016794A (zh) * 2017-11-16 2018-12-18 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
CN109073968A (zh) * 2016-03-31 2018-12-21 佳能株式会社 在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物
CN110494804A (zh) * 2019-07-11 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法
CN110908239A (zh) * 2019-12-12 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种压印模具、纳米压印膜层的制备方法及电子器件
CN112378934A (zh) * 2021-01-15 2021-02-19 同源微（北京）半导体技术有限公司 光学芯片、探测器以及制作方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4262267B2 (ja) * 2005-09-06 2009-05-13 キヤノン株式会社 モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法
US8850980B2 (en) * 2006-04-03 2014-10-07 Canon Nanotechnologies, Inc. Tessellated patterns in imprint lithography
JP4506987B2 (ja) * 2006-07-21 2010-07-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ エネルギ線硬化型樹脂の転写方法、転写装置及びディスクまたは半導体デバイス
JP5188192B2 (ja) * 2007-02-20 2013-04-24 キヤノン株式会社 モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
WO2008126313A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation インプリント用モールドおよびインプリント用モールドの製造方法
JP5004225B2 (ja) * 2007-09-19 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 インプリントリソグラフィ用モールド製作方法
JP2009298041A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Toshiba Corp テンプレート及びパターン形成方法
WO2009158631A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 President And Fellows Of Harvard College Versatile high aspect ratio actuatable nanostructured materials through replication
KR101486423B1 (ko) * 2008-07-04 2015-01-27 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN102119363B (zh) * 2008-08-05 2015-10-21 斯莫特克有限公司 用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用
JP2010049745A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体
JP2010076219A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc ナノインプリントによる基板の加工方法
JP5404140B2 (ja) * 2009-04-01 2014-01-29 株式会社東芝 テンプレート及び半導体装置の製造方法
NL2004265A (en) * 2009-04-01 2010-10-04 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP5561978B2 (ja) * 2009-09-18 2014-07-30 日本航空電子工業株式会社 成形用金型及びその金型表面の加工方法
KR101711646B1 (ko) * 2009-12-11 2017-03-03 엘지디스플레이 주식회사 임프린트용 몰드의 제조방법 및 임프린트용 몰드를 이용한 패턴 형성방법
NL2005434A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
NL2005975A (en) 2010-03-03 2011-09-06 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
US8771529B1 (en) * 2010-09-30 2014-07-08 Seagate Technology Llc Method for imprint lithography
EP2651656B1 (en) * 2010-12-14 2017-04-26 3M Innovative Properties Company Images and method of making the same
FR2974194B1 (fr) 2011-04-12 2013-11-15 Commissariat Energie Atomique Procede de lithographie
KR101470959B1 (ko) 2011-06-03 2014-12-10 파나소닉 주식회사 미세구조체의 제조방법 및 미세구조 금형
JP5651573B2 (ja) 2011-11-18 2015-01-14 株式会社東芝 テンプレート処理方法
WO2014104308A1 (ja) 2012-12-28 2014-07-03 三菱レイヨン株式会社 光学物品、光学物品の製造に用いられる型及び型の製造方法
US20140205702A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and position measuring method in the template
US20140209567A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and strain measuring method in the template
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6120678B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-26 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP6315904B2 (ja) 2013-06-28 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
KR102241025B1 (ko) * 2013-12-10 2021-04-16 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 임프린트 리소그래피 주형 및 제로-갭 임프린팅 방법
CN107405801A (zh) * 2014-12-10 2017-11-28 查尔斯斯塔克布料实验室公司 聚合物微小楔形物及其制造方法
CN105974731B (zh) * 2016-07-25 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种压印板、检测方法及检测装置
US10606170B2 (en) 2017-09-14 2020-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Template for imprint lithography and methods of making and using the same
JP2021150629A (ja) * 2020-03-24 2021-09-27 キオクシア株式会社 テンプレートの製造方法、テンプレート、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4091222B2 (ja) 1999-09-16 2008-05-28 株式会社東芝 加工装置
JP4511786B2 (ja) * 2000-07-16 2010-07-28 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 基板とこの基板から離れたテンプレートを整列させる方法
JP2004523906A (ja) * 2000-10-12 2004-08-05 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
US6890688B2 (en) * 2001-12-18 2005-05-10 Freescale Semiconductor, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6869557B1 (en) * 2002-03-29 2005-03-22 Seagate Technology Llc Multi-level stamper for improved thermal imprint lithography
US7037639B2 (en) * 2002-05-01 2006-05-02 Molecular Imprints, Inc. Methods of manufacturing a lithography template
JP3892460B2 (ja) * 2002-06-20 2007-03-14 オブデュキャット、アクチボラグ 成形工具を製造するための方法およびその成形工具を用いて形成された記憶媒体
AU2003251262A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-19 Obducat Ab Device for transferring a pattern to an object
US6916511B2 (en) * 2002-10-24 2005-07-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of hardening a nano-imprinting stamp
US7136150B2 (en) * 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
EP1526411A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-27 Obducat AB Apparatus and method for aligning surface
EP1600811A1 (en) * 2004-05-28 2005-11-30 Obducat AB Modified metal molds for use in imprinting processes
US7418902B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography including alignment
US7718326B2 (en) * 2005-06-17 2010-05-18 Vincent E Stenger Seamless stitching of patterns formed by interference lithography
JP4330168B2 (ja) * 2005-09-06 2009-09-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
US8011916B2 (en) * 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
JP4262267B2 (ja) * 2005-09-06 2009-05-13 キヤノン株式会社 モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101718956A (zh) * 2009-08-31 2010-06-02 四川虹欧显示器件有限公司 用于基板制造的曝光方法及其对位装置
CN102162992A (zh) * 2010-02-24 2011-08-24 佳能株式会社 压印装置、用于压印装置中的模板、以及物品的制造方法
CN109073968A (zh) * 2016-03-31 2018-12-21 佳能株式会社 在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物
CN109073968B (zh) * 2016-03-31 2021-09-17 佳能株式会社 在纳米压印光刻中除去基材预处理组合物
CN109016794A (zh) * 2017-11-16 2018-12-18 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
CN109016794B (zh) * 2017-11-16 2023-08-25 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
CN110494804A (zh) * 2019-07-11 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法
WO2021003734A1 (en) * 2019-07-11 2021-01-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Nanoimprint mold and manufacturing method thereof, and pattern transfer method using nanoimprint mold
CN110494804B (zh) * 2019-07-11 2024-03-26 京东方科技集团股份有限公司 纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法
CN110908239A (zh) * 2019-12-12 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 一种压印模具、纳米压印膜层的制备方法及电子器件
CN112378934A (zh) * 2021-01-15 2021-02-19 同源微（北京）半导体技术有限公司 光学芯片、探测器以及制作方法
CN112378934B (zh) * 2021-01-15 2021-09-10 同源微（北京）半导体技术有限公司 光学芯片、探测器以及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1816518B1 (en) 2013-12-25
US7690910B2 (en) 2010-04-06
CN101013261B (zh) 2011-09-21
EP1816518A3 (en) 2012-05-02
EP1816518A2 (en) 2007-08-08
US20070176320A1 (en) 2007-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101013261B (zh) 用于压印的模具、使用所述模具生产微细结构的工艺、以及生产所述模具的工艺
JP5213335B2 (ja) インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法
US20220205920A1 (en) Methods for creating large-area complex nanopatterns for nanoimprint molds
Zhou Nanoimprint lithography: an enabling process for nanofabrication
US20050159019A1 (en) Method for manufacturing large area stamp for nanoimprint lithography
Santos et al. Low-cost fabrication technologies for nanostructures: state-of-the-art and potential
TW200848956A (en) Devices and methods for pattern generation by ink lithography
JP2005008909A (ja) 構造体の製造方法
JP2012507882A (ja) エッジ・フィールドでのナノインプリントのためのアライメント
KR101235360B1 (ko) 미세 패턴을 가지는 세라믹 템플릿의 제조 방법
US20100266965A1 (en) Etch-Enhanced Technique for Lift-Off Patterning
Sharstniou et al. Roughness Suppression in electrochemical nanoimprinting of Si for applications in silicon photonics
US8192669B2 (en) Methods for fabricating large area nanoimprint molds
KR20140095102A (ko) 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
US8163656B2 (en) Process for adjusting the size and shape of nanostructures
KR100973522B1 (ko) 양극 산화 알루미늄과 원자층 증착 공정을 이용한 루테늄 나노 구조물의 제조방법
US20100081282A1 (en) Process for adjusting the size and shape of nanostructures
Longo et al. Deep submicron microcontact printing on planar and curved substrates utilizing focused ion beam fabricated printheads
US20130042779A1 (en) Stamp, method of manufacturing the same, and imprinting method using the stamp
KR101088011B1 (ko) 몰드 및 몰드 제조 방법, 패턴 전사 방법
JP5899931B2 (ja) ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法
Van Delft et al. Template masters for substrate conformal imprint lithography generated by charged particle nanopatterning techniques
JP2004319762A (ja) ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体
JP4125151B2 (ja) 構造体の製造方法
Tormen et al. Three-dimensional micro-and nanostructuring by combination of nanoimprint and x-ray lithography

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110921

Termination date: 20210201

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee