CN100580784C

CN100580784C - 具有近场光产生层的薄膜磁头

Info

Publication number: CN100580784C
Application number: CN200610167767A
Authority: CN
Inventors: 岛沢幸司; 田上胜通
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-12-16
Filing date: 2006-12-18
Publication date: 2010-01-13
Anticipated expiration: 2026-12-18
Also published as: JP4254780B2; CN1983414A; JP2007164935A

Abstract

提供了一种具有这样一种结构的薄膜磁头，在该结构中，元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直，光源足够远离介质表面。该磁头包括至少一个近场光产生层，该至少一个近场光产生层用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质，具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分，该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面，该光接收表面相对于元件成形表面倾斜并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。

Description

具有近场光产生层的薄膜磁头

优先权要求

本申请要求以下申请的优先权：在2005年12月16日提交的日本专利申请No.2005-362940、在2005年12月16日提交的日本专利申请No.2005-362941、以及在2006年1月20日提交的日本专利申请No.2006-12323，上述申请在此通过引用的方式纳入本说明书中。

技术领域

本发明涉及一种读写数据信号的薄膜磁头、一种具有该薄膜磁头的磁头万向架组件(HGA)以及一种具有该HGA的磁盘驱动器装置。特别地，本发明涉及一种通过利用近场光的热辅助磁记录技术写数据信号的薄膜磁头、一种具有该薄膜磁头的HGA以及一种具有该HGA的磁盘驱动器装置。

背景技术

最近，在磁记录装置，诸如磁盘驱动器装置中，由于更大量的数据的广泛使用使得磁记录装置的记录密度变得更高，因此强烈要求薄膜磁头进一步提高其性能。作为所述的薄膜磁头，复合型薄膜磁头被广泛使用，该薄膜磁头具有一种磁阻(MR)效应元件和电磁线圈元件的叠层结构，该磁阻(MR)效应元件用来从磁记录介质，诸如磁盘，读数据信号，而该电磁线圈元件用来向该磁记录介质写数据信号。

该磁记录介质具有一个磁微粒在此聚集的磁性不连续层(magnetically discontinuous layer)。通常，每个磁微粒具有单磁畴结构，并且一个记录位由多个磁微粒组成。因此，为了提高记录密度，需要通过减小磁微粒的尺寸(体积)来减弱记录位边界的不规则性。然而，可能出现这样的问题，即尺寸减小引起记录位的磁化热稳定性降低。

该磁化热稳定性的指示(guide)由K_UV/K_BT给出，其中K_U是微粒中的磁各向异性能，V是单个微粒的体积，K_B是波耳兹曼常数，T是绝对温度。减小微粒的尺寸等价于减小体积V，因此，由于K_UV/K_BT值的减小，热稳定性降低。作为热稳定性问题的一种解决手段，有可能同时增大K_U。然而，K_U的增大使得磁记录介质的矫顽力增大。另一方面，磁头的用于抵抗矫顽力来写数据信号的写场强度受到该磁头的软磁极材料的饱和磁通量密度大小的限制。因此，当矫顽力超过写场极限时，该磁头不能将数据信号写到介质中。

作为用来解决热稳定性问题的第一种方法，可以采用垂直磁记录技术取代传统的纵向磁记录技术。与传统的相比，在垂直磁记录介质中的记录层的厚度可更为充分地被增加。因此，由于体积V随着厚度的变大而变大，可以提高热稳定性。

作为第二种方法，可将一种晶格介质(patterned media)作为侯选物。在上述的传统磁记录中一个记录位由N个磁微粒组成，而在该晶格介质中一个记录位是具有体积NV的单个图案区域。因此，热稳定性的指示值变成K_UNV/K_BT，这意味着热稳定性的极大提高。

作为用来解决热稳定性问题的第三种方法，提出一种热辅助磁记录技术，在此技术中磁头通过以下方式将数据信号写入到由具有大的K_U值的材料形成的磁介质中：在即将施加写场前利用提供给该介质的热减小其矫顽力。热辅助磁记录技术和磁光记录技术有一些相似性，然而，热辅助磁记录技术获得相应于所施加的磁场区域的空间分辨率，而磁光记录技术获得相应于发射光点的空间分辨率。

作为一种已提出的热辅助磁记录，日本专利公布No.2001-255254A描述了一种利用近场光探针的光记录技术，该探针具有形成于基底上的球果(strobilus)形状的金属散射体以及绕该金属散射体形成的介电材料膜。日本专利公布No.10-162444A描述了一种设有一个固态浸没式透镜的磁头利用微光点在磁光盘上写超细畴(ultrafine domain)的技术。此外，日本专利公布No.2000-173093A描述了一种具有针孔的金属膜形成于光纤的斜切面上的结构。另外，美国专利No.7,042,810描述了一种热辅助技术，在此技术中一个内部激光元件发射光到与介质相对的光学微孔径。还有，日本专利公布No.2004-158067A描述了一种作为近场光探针的散射体，该散射体与用于垂直磁记录的磁头的主磁极以这样一种方式相接触形成，使得该散射体的受照射表面垂直于介质表面。此外，IEEE Transactions onMagnetics，2005年第41卷第10期第2817-2821页，描述了一种技术，在此技术中通过利用从形成于石英晶体浮动块(slider)上的U形近场光探针产生的近场光和磁场，形成一种具有大约70nm的磁道宽度的记录图案。

在以上所述的技术中，通过利用从近场光探针或从用激光照射的散射体产生的近场光加热介质的方法被认为是一项有前途的技术，因为可以相对容易地获得具有所需强度的近场光。

然而，在这些技术中有一些严重的问题。例如，在日本专利公布No.2004-158067A中所描述的技术中，在非常接近头端表面，也就是非常接近记录介质，的位置提供光源，以便用光充分地照射散射体。这种结构具有一种可能性，即该光源可能与该记录介质表面接触，因此从装置可靠性的角度来说不是优选的。另一方面，该公布提出了一种结构，在该结构中通过利用一个将光方向改变90°(度)的镜子使光源与介质表面有一段距离。然而，在该结构中，存在一个问题，即由于在镜子处的反射和光程的实际延长，光强度损耗可能变得更大。此外，该具有结构化元件，诸如离头端表面非常近的镜子，的结构也具有与装置可靠性相关的问题。

此外，在IEEE Transactions on Magnetics，2005年第41卷第10期第2817-2821页描述的技术能够在不利用任何镜子而使光源与介质表面有一段距离的情况下提供光。然而，该技术以磁头体的探针成形表面平行于磁头体的面对介质的表面的结构为前提。该结构与通常使用的薄膜磁头相当不同，在通常使用的薄膜磁头中探针成形表面(元件成形表面)垂直于面对介质的表面。因此，将该技术应用到，例如，用于垂直磁记录的薄膜磁头非常困难。

另外，在以上所述的技术中，已经出现了问题，即在一些情况下，介质的记录层不能被近场光充分地加热。事实上，近场光只存在于离近场光探针、光学微孔径或散射体非常近的地方。于是，实际存在区域具有近似于探针、孔径或散射体的层厚度、尖端(tip)宽度或孔径直径的尺寸。也就是说，近场光的电场强度从该存在区域向着介质的方向快速衰减。因此，即使在目前的、磁头的飞行高度为10nm(纳米)或更小的极小值的情况下，近场光也不能充分地到达介质的记录层。结果，由于在写操作过程中记录层的矫顽力没有被充分地减小，因而可能发生写错误。

发明内容

因此，本发明的一个目的在于，提供一种具有这样的结构的薄膜磁头，在该结构中，元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直，光源足够远离介质表面以便实现高可靠性，并且来自光源的光可直接而有效地到达近场光产生装置；以及提供一种具有该薄膜磁头的HGA以及一种具有该HGA的磁盘驱动器装置。

本发明的另一个目的在于，提供这样一种薄膜磁头，在该薄膜磁头中，从近场光产生装置产生的近场光可充分地到达记录介质的记录层，以在写操作期间充分地减小该记录层的矫顽力；以及提供一种具有该薄膜磁头的HGA以及一种具有该HGA的磁盘驱动器装置。

在此，在解释本发明之前定义一些术语。在一个形成于浮动块基底的元件成形表面上的元件的分层结构中，比标准层更靠近元件成形表面的部件相对于该标准层被定义为“在......以下(below)”或“下(lower)”，而在该标准层的叠层方向侧的部件相对于该标准层被定义为“在.....以上(above)”或“上(upper)”。

根据本发明，提供一种薄膜磁头，该薄膜磁头包括：一个基底，具有一个面对介质的表面以及一个与面对介质的表面垂直的元件成形表面；一个用于写数据信号的电磁线圈元件，该电磁线圈元件形成于该元件成形表面上/以上，并具有一个主磁极层、一个辅磁极层和一个写线圈层；以及至少一个近场光产生(NFL产生)层，用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质，该至少一个NFL产生层具有一个向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的NFL产生部分，该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面，该光接收表面相对于元件成形表面以该光接收表面的上述头端表面一侧的部分被抬高的形式倾斜，并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。

在该具有元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直的结构的薄膜磁头中，穿过与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射激光可被直接而有效地施加于光接收表面。因此，等离激元被有效地激发，并且在非常靠近NFL产生层的尖端的地方产生具有异常高强度的电场的近场光。该近场光非常局部地充分加热磁盘的相面对部分，并且将加热部分的矫顽力减小到通过利用从该磁头产生的写场可以执行写操作的程度。从而，电磁线圈元件向具有大矫顽力的磁盘写数据信号以实现更大的记录密度成为可能。此外，因为光源可设置在薄膜磁头的外部，所以提高了装置可靠性。

在根据本发明的薄膜磁头中，至少一个NFL产生层中的至少一个优选地包括一个第一反射部分，该第一反射部分具有与元件成形表面平行的第一反射表面，并且优选地位于对于NFL产生部分来说与面对介质的表面相对的一侧。此外，还优选地，至少一个NFL产生层中的至少一个还包括第二反射部分，该第二反射部分具有至少一个第二反射表面，并且位于NFL产生部分和第一反射部分之间，该至少一个第二反射表面相对于元件成形表面的倾斜角小于光接收表面相对于元件成形表面的倾斜角。

该反射表面通过反射穿过头端表面传播的部分入射激光以及将所反射的光指向光接收表面，起到补充在光接收表面上所接收到的光的量的作用，这提高了近场光产生的效率。

此外，在根据本发明的薄膜磁头中，在主磁极层被设置在对于至少一个NFL产生层中的一个来说与光接收表面相对一侧的位置的情况下，NFL产生部分和主磁极层的面对介质的表面侧的一个端部分优选地通过一个介电层重叠或直接重叠。而且，在该情况下，还优选地，该NFL产生部分和主磁极层的该端部分相对于元件成形表面以该NFL产生部分和该端部分的面对介质的表面一侧的部分被抬高或降低的形式倾斜。

此外，在主磁极层被设置在至少一个NFL产生层中的一个的光接收表面侧的位置的情况下，优选地，该主磁极层和该NFL产生层仅在该主磁极层的面对介质的表面一侧的一端处和该NFL产生层的触及面对介质的表面一侧的头端表面的一尖端处彼此接触或靠近。

此外，在所述至少一个NFL产生层是两个NFL产生层的情况下，优选地，该两个NFL产生层的两个光接收表面相对于元件成形表面以该两个光接收表面的面对介质的表面一侧的部分分别被抬高和降低的形式倾斜，并且优选地，两个NFL产生层的触及面对介质的表面侧的头端表面的两尖端彼此接触或靠近。

此外，在根据本发明的薄膜磁头中，还优选地，还在元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖电磁线圈元件和至少一个NFL产生层，并且该保护层的包括从与面对介质的表面相对的头部端表面向光接收表面传播的入射光的所有光路的区域由二氧化硅(SiO₂)或主要由二氧化硅组成的氧化物形成。

此外，在根据本发明的薄膜磁头中，还优选地，还在元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖电磁线圈元件和至少一个NFL产生层，并且在靠近NFL产生部分的位置设置一个热突出层，该热突出层由具有比保护层的热膨胀系数大的热膨胀系数的材料制成。在此，制造该热突出层的材料优选是非磁性金属。

在设置热突出层的情况下，从NFL产生层产生的近场光的一部分加热邻近的热突出层。具有如上所述的更大的热膨胀系数的该热突出层通过该加热大量膨胀，尤其是头端表面侧的其端面向磁盘大量突出。然后，该NFL产生层的尖端和主磁极层的上述端通过被该膨胀的热突出层拖曳或通过其本身热膨胀也向着磁盘大量突出。该NFL产生层的尖端的大量突出使得近场光更充分地到达磁盘的记录层，这使记录层的矫顽力能够在写操作期间减小到所需要的程度。此外，主磁极层的上述端的大量突出使得磁间距，即上述端和盘表面之间的有效磁距离，变得更小。因此，写场能充分地到达记录层，从而可提高写效率。

此外，在设置热突出层，并且主磁极层被设置在对于至少一个NFL产生层中的一个来说与光接收表面相对一侧的位置的情况下，优选地，该热突出层位于NFL产生部分和主磁极层的面对介质的表面侧的端部分之间，并优选地，该热突出层与该端部分接触或靠近。

此外，在此情况下，还优选地，主磁极层被设置在至少一个NFL产生层中的一个的光接收表面侧的位置，该主磁极层和该NFL产生层仅在该主磁极层的面对介质的表面一侧的一端处和该NFL产生层的触及面对介质的表面一侧的头端表面的一个尖端处彼此接触或靠近，并且该热突出层位于对于NFL产生部分来说与主磁极层相对的一侧。

此外，在根据本发明的薄膜磁头中，优选地，还在元件成形表面上设置一个保护层以便覆盖电磁线圈元件和至少一个NFL产生层，以及于在该保护层的与面对介质的表面相对的一侧且延伸到与面对介质的表面相对的头端表面的区域中形成一个腔，用于向至少一个NFL产生层发射光的光纤的端部分可被插入该腔中，该腔具有一个用于从该光纤接收光并允许该光通过的光接收壁表面，该光接收壁表面从与面对介质的表面相对的头端表面向至少一个NFL产生层凹入。

在设置该腔的情况下，该腔的光接收壁表面从与面对介质的表面相对的头端表面向NFL产生层这侧凹入。也就是说，该光接收壁表面与该头端表面平行或几乎平行，并且与该头端表面相比更靠近NFL产生层设置。在此，当用于向NFL产生层发射激光的光纤的端部分被插入该腔中时，来自该光纤的激光穿过该光接收壁表面向NFL产生层传播。在此情况下，因为该光纤的端表面位于更靠近NFL产生层的位置，因此，与没有腔时光穿过该头端表面传播的情况相比，激光能以更低的传播损耗到达NFL产生层。因此，提高了近场光产生的效率。

此外，在设置腔并且还在元件成形表面和电磁线圈元件之间设置用于读数据信号的MR效应元件的情况下，该腔的一个与元件成形表面平行的底部表面优选地位于从面对介质的表面一侧观察时的该MR效应元件的后侧的一区域以上。

此外，在该情况下，还优选地，在至少一个NFL产生层的光接收表面侧还设置一个反射层，该反射层具有一个第三反射表面，该第三反射表面用于反射穿过光接收壁表面传播的一部分入射光并将该光指向光接收表面。在此情况下，该第三反射表面优选地相对于元件成形表面倾斜，以便反射斜穿过光接收壁表面传播的一部分入射光并将该光指向光接收表面。进一步地，优选地在光接收壁表面上形成一个具有单层结构或多层结构的抗反射膜。

根据本发明，还提供一种HGA，该HGA包括：上述的薄膜磁头；一个用于支撑该薄膜磁头的支撑机构；用于电磁线圈元件的迹线导体(trace conductor)；当该薄膜磁头包括MR效应元件时，用于该MR效应元件的迹线导体；以及一个用于发射光的光纤，该光穿过与面对介质的表面相对的头端表面传播。

根据本发明，还提供一种磁盘驱动器装置，该磁盘驱动器装置包括：上述的HGA；至少一个磁盘；一个用于向光纤提供光的光源；以及一个记录/再现和光发射控制装置，用于控制该薄膜磁头对该至少一个磁盘的读和写操作，并且用于控制该光源的发射操作。

通过对如附图所示的本发明的优选实施方案的下列描述，本发明的其它目的和优点将变得明显。某些元件在不同的附图中用相同的参考数字标示。

附图说明

图1示出示意性地图解根据本发明的磁盘驱动器装置的一个实施方案的主要部分的透视图；

图2a和2b示出图解根据本发明的HGA的一个实施方案的透视图；

图3a示出设置于HGA的端部分上的薄膜磁头的第一和第二实施方案的透视图；

图3b示出示意性地图解图3a中所示的磁头元件的平面图；

图4a示出沿着图3a中的A-A线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案的主要部分；

图4b示出示意性地图解彼此重叠的NFL产生层和主磁极层的透视图；

图5a示出用于定义倾斜角θ的示意图；

图5b示出说明倾斜角θ的效果的示意曲线图；

图6a至6d示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案中的NFL产生层的各种替代方案的横截面图和透视图；

图7a至7c2示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案中的NFL产生层的各种替代方案的横截面图和透视图；

图8a示出沿着图3a中的A-A线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案的主要部分；

图8b示出示意性地图解NFL产生层、热突出层和主磁极层的透视图；

图9a至9c示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案中的NFL产生层和热突出层的各种替代方案的横截面图；

图10a示出在图2a和2b中所示的HGA的端部分上设置的薄膜磁头的第三实施方案的透视图；

图10b示出示意性地图解图10a中所示的磁头元件的平面图；

图11示出沿着图10a中的B-B线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案的主要部分；

图12a至12c示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案中的NFL产生层、反射层和腔的各种替代方案的横截面图和透视图；

图13a至13c示出说明根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案中的主磁极层的端部分和NFL产生部分的制造过程的实施方案的横截面图；

图14a至14c示出说明根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案中的热突出层和NFL产生部分的制造过程的实施方案的横截面图；

图15a至15d示出说明根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案中的腔的制造过程的实施方案的横截面图；以及

图16示出图解图1中所示的磁盘驱动器装置的记录/再现和光发射控制电路的电路结构的方框图。

具体实施方式

图1示出示意性地图解根据本发明的磁盘驱动器装置的一个实施方案的主要部分的透视图。

在图1中，参考数字10表示用于垂直磁记录的多个磁盘(磁介质)，该磁盘绕着主轴马达11的旋转轴旋转，12表示用于将用于垂直磁记录的薄膜磁头(浮动块)21定位在磁道上的组装托架设备(assemblycarriage device)，13表示用于控制薄膜磁头的读/写操作和控制半导体激光振荡器18的记录/再现和光发射控制电路，该半导体激光振荡器18是一个用于产生供热辅助操作用的激光的光源。

该组装托架设备12设有多个驱动臂14。这些驱动臂14依靠音圈马达(VCM)15可绕枢轴支承轴(pivot bearing axis)16旋转，并在沿着该轴16的方向上叠置。在每个驱动臂14的端部分设置一个HGA17。在每个HGA 17上以这种方式安装一个浮动块21，使得该浮动块21面对磁盘10的表面。磁盘10、驱动臂14、HGA 17和薄膜磁头(浮动块)21各自的数量也可仅为一个。

半导体激光振荡器18向光纤26提供激光，出于该目的，该光纤26的横截面通过第一纤维夹架19与该半导体激光振荡器18的有源(active)层位置相连接。该激光的振荡波长为，例如，800nm(纳米)。

图2a和2b示出图解根据本发明的HGA的一个实施方案的透视图。在此，通过从HGA 17的面对磁盘的一侧观察来图解图2a，而通过从相反一侧观察来图解图2b。

如图2a中所示，通过将具有磁头元件的薄膜磁头(浮动块)21固定在悬架20的端部分上并通过将接线构件25的一端电连接到该薄膜磁头21的信号电极，构成该HGA 17。

该悬架20主要由负载梁22、被固定和承托在该负载梁22上的具有弹性的挠性件23、设置在该负载梁22的基托部分上的基板24、以及接线构件25构成，该接线构件25由迹线导体和电连接到迹线导体的两端的连接焊盘组成，并被设置在挠性件23上。

如图2b中所示，该HGA 17还具有用于向薄膜磁头21的一个头端表面中提供激光的光纤26，稍后会描述。光纤26的激光发射横截面由第二纤维夹架27以使激光能被施于头21的头端表面的方式固定在挠性件23上。光纤26的激光发射横截面的直径为，例如，约5μm(微米)到约500μm，并且所发射激光的光束直径也为，例如，约5μm(微米)到约500μm。

显而易见地，根据本发明的HGA中的悬架的结构不局限于上文所述的结构。尽管在图中并未示出，但在悬架20的某个中点连附一个头驱动IC芯片或一个半导体激光振荡器用来向光纤26提供激光也是可能的。

图3a示出设置于HGA的端部分上的薄膜磁头的第一和第二实施方案的透视图，而图3b 出示意性地图解图3a中所示的磁头元件的平面图。

如图3a中所示，薄膜磁头(浮动块)21设有一个具有空气支承表面(ABS)30和与ABS 30垂直的元件成形表面31的浮动块基底21、一个形成于元件成形表面31以上/上的磁头元件32、一个用来产生用于热辅助磁记录的近场光的近场光产生(NFL产生)层35、四个暴露在形成于元件成形表面31上的保护层40的表面上的信号电极37，其中ABS 30作为一个面对介质的表面用来获得合适的飞行高度。该磁头元件32具有用来读数据信号的MR效应元件33(图3b中所示)以及用来写数据信号的电磁线圈元件34(图3b中所示)。四个信号电极37中分别有两个与MR效应元件33和电磁线圈元件34连接。电极的数量和位置不局限于图3a中所示的实施方案。在该实施方案中，有四个电极，然而设置三个电极和一个连接到浮动块基底的接地也是可能的。

在此，来自光纤26的光穿过头端表面301向着NFL产生层35施加，该头端表面301与位于ABS 30侧且面对磁盘的头端表面300相对。

如图3b中所示，MR效应元件33的一端以及电磁线圈元件34的一端触及到头端表面300。在写和读操作期间，薄膜磁头21以预定飞行高度在旋转磁盘以上流体动力地(hydrodynamically)飞行，并且这些元件的所述一端变得与磁盘表面相面对，于是该磁头21通过从磁盘检测信号场执行读操作并通过向磁盘施加信号场执行写操作。

在本实施方案中，NFL产生层35被设置在电磁线圈元件34上，并且具有一个向着面对磁盘的头端表面300逐渐变细的形状。该NFL产生层35包括一个用来通过从光纤26接收激光产生近场光的NFL产生部分350、以及一个具有反射表面351a的反射部分351，该反射表面351a用来将来自光纤26的激光指向NFL产生部分350。

该NFL产生部分350包括一个触及到头端表面300的尖端，并具有例如一个等腰三角形形状，且设有一个光接收表面350a。当来自光纤26的激光施加到光接收表面350a时，从触及到头端表面300的尖端产生具有异常高强度的电场的近场光，稍后会描述。所产生的近场光使热辅助操作能够被执行。

图4a示出沿着图3a中的A-A线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案的主要部分，而图4b示出示意性地图解彼此重叠的NFL产生层和主磁极层的透视图。为了简化附图，图4a中所示的线圈的匝数可能小于实际的匝数。

如图4a中所示，MR效应元件33具有一个MR多层332、以及设置在将该MR多层332夹在中间的位置的一个下屏蔽层330和一个上屏蔽层334。该MR多层332包括一个其中隧道势垒层被自由层和被钉扎层夹紧的隧道磁阻(TMR)多层膜、一个电流垂直于平面的巨磁阻(CPP-GMR)多层膜、或一个电流在平面内的巨磁阻(CIP-GMR)多层膜，并且该MR多层332以极高的灵敏度从磁盘检测信号场。

当MR多层332包括CIP-GMR多层膜时，在MR多层332与上屏蔽层334和下屏蔽层330中的每个之间的位置分别设置上屏蔽间隙(gap)层和下屏蔽间隙层，此外，形成一个MR引线导电层用于施加检测电流以及引出再现输出。然而，当MR多层332包括CPP-GMR或TMR多层膜时，上屏蔽层334和下屏蔽层340还分别充当下电极和上电极。在此情况下，上屏蔽间隙层和下屏蔽间隙层以及MR引线导电层不是必要的而被省略。

下屏蔽层330叠置在由AlTiC(Al₂O₃-TiC)等制成的浮动块基底210的元件成形表面31以上/上，并由例如，NiFe、CoFeNi、CoFe、FeN、FeZrN或这些材料中的至少两种的多层形成，其厚度约为0.3μm到3μm。上屏蔽层334由例如，NiFe、CoFeNi、CoFe、FeN、FeZrN或这些材料中的至少两种的多层形成，其厚度约为0.3μm到4μm。一个读间隙长度，也就是上屏蔽层334和下屏蔽层330之间的距离为，例如，约0.02μm到1μm。

电磁线圈元件34用于垂直磁记录，包括一个辅磁极层340、一个写线圈层341、一个线圈绝缘层342、一个间隙层343和一个主磁极层344。主磁极层344是一条导引和会聚由流过写线圈层341的电流激发的磁通量的磁路。主磁极层344的头端表面300侧的端部分344a在叠层方向上的长度(厚度)变得小于其他部分的长度(厚度)。因此，主磁极层344可产生对应于更高密度记录的精细的(fine)写场。

辅磁极层340由，例如，选自Ni、Fe和Co的两种或三种元素的合金形成，或者该两种或三种元素的加入了至少一种合适元素的合金形成，该辅磁极层340的厚度约为0.5μm到5μm。写线圈层341由，例如Cu形成，其厚度约为0.5μm到3μm。线圈绝缘层342由，例如，热固化抗蚀剂形成，以便覆盖写线圈层341，其厚度约为0.1μm到5μm。间隙层343由，例如，Al₂O₃、SiO₂、AlN或DLC(类金刚石碳)形成，其厚度约为0.01μm到0.5μm。主磁极层344由，例如，选自Ni、Fe和Co的两种或三种元素的合金形成，或者该两种或三种元素的加入了至少一种合适元素的合金形成，该主磁极层344在ABS侧的端部分中的厚度约为0.01μm到0.5μm，在其它部分中的厚度约为0.5μm到3μm。

作为一种替代方案，尽管未在图中示出，在MR效应元件33和电磁线圈元件34之间可形成一个元件间屏蔽层和一个反接线圈元件。该反接线圈元件通过产生磁通量用来取消电磁线圈元件34所引起的、穿过MR效应元件33的上屏蔽层和下屏蔽层的磁回路，抑制宽范围邻近磁道擦除(wide area adjacent-track erase)(WATE)行为，此行为是对磁盘的多余写或擦除操作。在图4a中所示的实施方案中写线圈层341是一个单层，然而，该写线圈层可具有两层或更多层的分层结构或具有螺旋线圈形状。

同样如图4a中所示，NFL产生层35包括反射部分351和NFL产生部分350，该NFL产生部分350由Au、Pd、Pt、Rh或Ir形成，或由选自这些元素的至少两种元素的合金形成，或由添加了Al、Cu等的该合金形成。NFL产生部分350的光接收表面350a相对于元件成形表面31以其头端表面300侧的部分被抬高的形式倾斜，并且被设置在使来自光纤26的激光能够穿过头端表面301到达光接收表面350a的至少一部分的位置。在一个实际的热辅助操作中，首先，当一束来自光纤26的相干激光穿过头端表面301到达光接收表面350a时，该激光的电场促使NFL产生部分350的诸如Au之类的材料中的内部自由电子均匀振荡。然后，等离激元被激发，并向NFL产生部分350的头端表面300侧的尖端35a传播，并导致在非常靠近该尖端35a的地方产生具有异常高强度的电场的近场光。该近场光非常局部地加热磁盘的相面对部分，并且将加热部分的矫顽力减小到通过利用从磁头产生的写场可以执行写操作的程度。从而，电磁线圈元件34向具有大矫顽力的磁盘写数据信号以实现更大的记录密度成为可能。

实际上，以上所述的热辅助磁记录技术通过使用于垂直磁记录的薄膜磁头向具有高矫顽力的磁盘写数据信号来使记录位变小，有可能实现1Tbits/in²量级的高得多的记录密度。

反射部分351设置在对于NFL产生部分350来说与头端表面300相对的位置，并具有与元件成形表面31平行的反射表面351a。反射表面351a通过反射从光纤26穿过头端表面301传播的部分入射激光以及将所反射的光指向光接收表面350a，补充在光接收表面350a上所接收到的光的量，这提高了近场光产生的效率。

在此，NFL产生层35具有，例如，约为50nm(纳米)到500nm的厚度，而头端表面300和该NFL产生层35的与表面300相对的一端之间的距离为，例如，约10μm(微米)到500μm。反射部分351沿磁道宽度方向的宽度为，例如，约20μm(微米)到500μm。此外，尖端35a的宽度为，例如，约15nm到40nm。NFL产生层35的尖端35a产生具有大小可和上述厚度或该尖端宽度相比的光宽度的近场光。该近场光的电场在超出光宽度的区域中指数衰减，因此，该近场光可非常局部地加热记录层。此外，该近场光在从该尖端到磁盘的区域范围内，延伸大小为上述厚度或尖端宽度的距离。因此，由于飞行高度，即磁头和盘之间的间距，在目前的情形下为10nm或更小，所以该近场光能充分到达记录层。

在元件成形表面31上形成保护层40，以便覆盖MR效应元件33、电磁线圈元件34和NFL产生层35。保护层40具有一个沿叠层方向(垂直于表面31的方向)的第一保护层400、第二保护层401和第三保护层402的分层结构，该第一保护层400从元件成形表面31延伸到主磁极层344的除其端部分344a以外的上表面；该第二保护层401从该上表面延伸到NFL产生部分350的上侧的一区域；而第三保护层402占据上述区域以上的一区域。

第二保护层401包括从头端表面301到光接收表面350a的入射激光的所有光路，并由SiO₂(二氧化硅)或主要由SiO₂组成的氧化物形成，所述SiO₂或氧化物对从半导体激光振荡器18(图1)产生的激光具有足够高的透射率。第二保护层401使入射激光能够衰减很少的量，因此，由于在光接收表面350a上接收到的光的量增加，提高了近场光产生的效率。第一保护层400和第三保护层402可由，例如，通常用于保护涂层的Al₂O₃(氧化铝)形成。在第二保护层401包括光路的条件下，该第二保护层401可以是沿着磁道宽度方向具有预定宽度的层。在此情况下，通过沿着磁道宽度方向在第二保护层的两侧形成氧化铝层，保护层40的机械强度由于第一和第三保护层之间的粘附强度的增强而可被充分地保持。

主磁极层344设置在与光接收表面350a相对一侧的位置上，即在NFL产生层35的导引侧(leading side)。此外，主磁极层344的端部分344a和NFL产生部分350彼此直接重叠，如图4b的透视图中所示。该重叠结构使记录层(磁道)的待写部分一定能被加热。进一步地，具有和NFL产生部分350相接触的表面的端部分344a起到防止NFL产生部分350温度过度升高的散热器的作用。

此外，在本实施方案中，应该注意，为写场主要产生区域的主磁极层344的端部分344a被定位于作为近场光主要产生区域的NFL产生部分350的尖端35a的导引侧，因此，在实际写期间，热辅助操作和写操作几乎同时执行，或者在由热辅助操作加热的记录层部分通过进行至少一次环行回到头位置后执行写操作。

此外，主磁极层344的端部分344a和NFL产生部分350相对于元件成形表面31以这些部分344a和350的头端表面300侧的部分被抬高的形式倾斜。下面将说明该倾斜的作用。

图5a示出用于定义倾斜角θ(希腊语的第八个字母)的示意图，图5b示出说明倾斜角θ的效果的示意曲线图。

在图5a中，倾斜角θ被定义为端部分344a和NFL产生部分350的重叠部分与元件成形表面31形成的角。在此，如图5b中曲线A所示，随着倾斜角θ增大，从端部分344a产生的写场的强度减小，因为随着θ增大，写场的竖直分量减小。另一方面，如图5b中曲线B所示，随着倾斜角θ增大，磁盘的记录层的靠热辅助操作的温度升高量增大，因为随着θ增大，在光接收表面上所接收的光的量增大。因此，在记录层的矫顽力应该通过热辅助操作被充分地减小的条件下并且在写场的有效强度应该被保持的相对立的条件下，该θ值可从一个确定的范围中选择。此外，在该θ值的设计中，还优选地，该θ值可被设置为一个相当大的值，使得即使当来自光纤的光根据，例如弯曲振动(flexurevibration)，在可能范围内波动时，光接收表面也一定能够接收到所需量的光并有足够的余量。在图4a和4b中所示的实施方案中，该θ值为，例如，约40°(度)到50°。

图6a至6d和7a至7c2示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案中的NFL产生层的各种替代方案的横截面图和透视图。

如图6a中所示，NFL产生部分610的光接收表面610a相对于元件成形表面31以其头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜，并且被设置在使来自光纤26的激光能够穿过头端表面301到达该光接收表面610a的至少一部分的位置，如图4a中所示的第一实施方案的情形。主磁极层60被设置在与光接收表面610a相对一侧的位置上，即在NFL产生层61的导引侧。

然而，在该替代方案中，主磁极层60的端部分60a没有与NFL产生部分610重叠。因此，由于避免了倾斜所致的竖直分量的减少，从端部分60a产生的写场的强度可被充分地保持。在此，应该注意，头端表面300上产生写场的位置从产生近场光的位置向着导引侧移动一定的距离，因此，在实际写期间，在由热辅助操作加热的记录层部分通过进行至少一次环形回到头位置之后执行写操作。

如图6b中所示，彼此重叠的主磁极层62的端部分62a和NFL产生部分630相对于元件成形表面31以重叠部分62a和630的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜，如图4a中所示的第一实施方案的情形。然而，在本替代方案中，在主磁极层344和NFL产生层63之间插入由SiO₂或主要由SiO₂组成的氧化物形成的介电层68。因此，该NFL产生层63被电绝缘，并且该绝缘结构能便于设计用来激发大量局部等离激元的NFL产生部分630(尤其是尖端63a)。因此，由于可以增强非常靠近尖端63a的位置处的近场光的强度，可执行更加充分的热辅助操作。

如图6c中所述，彼此重叠的主磁极层64的端部分64a和NFL产生部分650相对于元件成形表面31以重叠部分64a和650的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜，如图4a中所示的第一实施方案的情形。然而，在本替代方案中，NFL产生层65还设有一个具有第二反射表面652a的第二反射部分652，该第二反射表面652a具有小于光接收表面650a的倾斜角的倾斜角θ，并且该第二反射部分652被定位于NFL产生部分650和(第一)反射部分651之间。该第二反射表面652a和第一反射表面651a通过反射穿过头端表面301传播的部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面650a，补充在光接收表面650a上所接收到的光的量。提供这两个反射表面使得光接收表面650a由于这两个反射表面的聚焦效应而能够更加充分地接收激光，这提高了近场光产生的效率。

此外，在NFL产生部分650和第一反射部分651之间可设置不止一个反射部分。在此情况下，优选地，各个反射部分的倾斜角θ从第一反射表面651a朝着光接收表面650a的方向逐次变大，以增强它们的聚焦效应。而且，作为具有非常大量的反射部分的极限情形，在一种结构中，反射部分具有曲反射表面，该曲反射表面的切线斜率向着光接收表面的方向增大，这样的结构在本发明的范围之内。

如图6d中所示，彼此重叠的主磁极层66的端部分66a和NFL产生部分670相对于元件成形表面31以重叠部分66a和670的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜，如图4a中所示的第一实施方案的情形。然而，在本替代方案中，重叠部分66a和670的头端表面300一侧的端部分被弯曲以变得平行于元件成形表面31。因此，由于避免了竖直分量的减少，靠近与元件成形表面31平行的端部分的写场的强度可被充分地保持。并且因为必定确保了光接收表面670a的所需面积，所以可产生所需要的近场光。

如图7a中所示，主磁极层711被设置于辅磁极层710的下侧(导引侧)，并且NFL产生层72被设置于主磁极层711的下侧(导引侧)。此外，彼此重叠的主磁极层71的端部分711a和NFL产生部分720相对于元件成形表面31以该重叠部分711a和720的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜。在本替代方案中，头端表面300上产生写场的位置在产生近场光的位置的拖尾侧(trailing side)并与其邻近，因此，在实际写期间，在对记录层部分执行热辅助操作后就一定执行对该记录层部分的写操作。

此外，在本替代方案中，来自光纤26的激光被指向位于MR效应元件70和电磁线圈元件71之间的光接收表面720a。在此情况下，MR效应元件70的上屏蔽层704的上表面和NFL产生层72的反射表面721a通过反射部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面720a，补充在光接收表面720a上所接收到的光的量。此外，由Au、Al、Cu或这些元素中的至少两种的合金形成的反射层可被独立地设置于上屏蔽层704的上表面上/以上。

如图7b1中所示，NFL产生部分750的光接收表面750a相对于元件成形表面31以其头端表面300一侧的部分被降低的形式倾斜，并且被设置在使穿过头端表面301传播的入射激光能够到达该光接收表面750a的至少一部分的位置。主磁极层74设置在光接收表面750a这侧，即在近场产生层75的导引侧。此外，主磁极层74和NFL产生层75仅在该主磁极层74的头端表面300一侧的端74b处和该NFL产生层75的头端表面300一侧的尖端75a处彼此接触或非常靠近。端74b和尖端75a彼此接触的结构在图7b2中示出。在此结构中，一定能对记录层的由从尖端75a产生的近场光进行热辅助的部分执行写操作，此外，由于避免了倾斜所致的竖直分量的减少，从端74b产生的写场的强度可被充分地保持。

此外，在此替代方案中，来自光纤26的激光被指向主磁极层74和NFL产生层75的反射部分751之间的区域。在此情况下，主磁极层74的上表面和反射表面751a通过反射部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面750a，补充在光接收表面750a上所接收到的光的量。此外，由Au、Al、Cu或这些元素中的至少两种的合金形成的反射层可被独立地设置于主磁极层74的上表面上/以上。

作为另一个替代方案，还优选地，主磁极层可被设置于辅磁极层的下侧(导引侧)，而NFL产生层被设置于主磁极层的下侧(导引侧)。明显地，该替代方案也产生上文所述的效果。

如图7c1中所示，彼此重叠的主磁极层77的端部分77a和第一NFL产生层78的NFL产生部分780相对于元件成形表面31以重叠部分77a和780的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜。此外，在本替代方案中，第二NFL产生层79被设置于第一NFL产生层78的上侧，而第二NFL产生层79的NFL产生部分790相对于元件成形表面31以该部分790的头端表面300一侧的部分被降低的形式倾斜。将第一NFL产生层78和第二NFL产生层79各自的触及到头端表面300的尖端78a和79a定位，以使得它们彼此接触或非常靠近。

在图7c2中，示出了尖端78a和主磁极层77的端77b彼此接触并且尖端78和79彼此接触的结构。在这样的一种结构中，通过结合第一NFL产生层78和第二NFL产生层79的作用，可获得更高强度的近场光，而且也可获得图4a中所示的第一实施方案的效果。因此，一定能执行更充分的热辅助操作。实际上，用于接收光的面积被增大为两个光接收表面之和，并且第一NFL产生层78和第二NFL产生层79中的至少一个可具有满足产生足够量的近场光的条件的面积，这便于旨在获得更高强度的近场光的设计。

特别地，第二NFL产生层79不与诸如主磁极层之类的任何电导体接触，而是被诸如保护层之类的介电材料包围，即被电绝缘。该绝缘结构可便于设计用于激发大量局部等离激元的NFL产生层79。

此外，在此替代方案中，来自光纤26的激光被指向第一NFL产生层78的反射表面781a与第二NFL产生层79的反射表面791a之间的区域。在此情况下，除了已衰减的量，几乎所有指向该区域的入射光都能到达光接收表面780a或光接收表面790a，这更大地提高了近场光产生的效率。

作为另一个替代方案，还优选地，主磁极层可被设置于辅磁极层的下侧(导引侧)，第一NFL产生层可被设置于主磁极层的下侧(导引侧)，并且第二NFL产生层被设置于第一NFL产生层的下侧(导引侧)。明显地，该替代方案也产生上文所述的效果。

图8a示出沿着图3a中的A-A线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案的主要部分。为了简化附图，图8a中所示的线圈的匝数可能小于实际的匝数。

在图8a中，MR效应元件33、电磁线圈元件34、NFL产生层35和保护层40的组成材料和结构和图4a中所示的第一实施方案的相应元件几乎相同，因此，下文中省略对这些元件的说明。

如图8a中所示，在NFL产生层35的NFL产生部分350和主磁极层344的端部分344a之间设置一个热突出层81，该热突出层81通过绝缘层82非常靠近NFL产生部分350，并与端部分344a直接接触，该绝缘层82由SiO₂、Al₂O₃等形成，其厚度约为3nm到20nm。此外，在此实施方案中，主磁极层344被定位于光接收表面350a的相对侧，即被定位于NFL产生层35的导引侧。此外，可在热突出层81和端部分344a之间设置一个绝缘层。该热突出层81由非磁性金属材料，诸如Al、Cu、Au、Ti、Ta、Mo、W、Ru，或选自这些元素的至少两种元素的合金形成，所述非磁性金属材料或合金与形成保护层40的绝缘材料，诸如SiO₂、Al₂O₃，相比具有更大的热膨胀系数。

图8b示出示意性地图解NFL产生层35、热突出层81和主磁极层344的透视图。

如图8b中所示，靠接收到的激光83从NFL产生层35产生的部分近场光加热邻近的热突出层81。具有如上所述的更大的热膨胀系数的热突出层81通过该加热大量膨胀，尤其是头端表面300一侧的其端面大量地向着磁盘突出。NFL产生层35的尖端和主磁极层344的端通过被该膨胀的热突出层81拖曳或通过其本身热膨胀也大量地向着磁盘突出。NFL产生层35的尖端的大量突出使得近场光更充分地到达磁盘的记录层，这使记录层的矫顽力能够在写操作期间减小到所需要的程度。而且，主磁极层344的所述端的大量突出使得磁间距，即所述端和盘表面之间的有效磁距离，变得更小。因此，写场能充分地到达记录层，从而可提高写效率。

此外，NFL产生层35、热突出层81和主磁极层344沿着磁道方向并排重叠，因此，记录层的待写部分(磁道)一定能被加热。另外，热突出层81和主磁极层344起到防止NFL产生部分350温度过度升高的散热器的作用。

此外，在本实施方案中，应该注意，主磁极层344的端部分344a被定位于NFL产生部分350的尖端35a的导引侧，因此，在实际写期间，热辅助操作和写操作几乎同时被执行，或者在通过热辅助操作加热的记录层部分通过进行至少一次环形回到头位置后执行写操作。

此外，NFL产生部分350相对于元件成形表面31以其头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜。当角θ’被定义为倾斜角时，将该倾斜角θ’设置为一个确定值产生与第一实施方案中如图5b所示的倾斜角θ相同性质的效果。因此，在记录层的矫顽力应该通过热辅助操作被充分地减小的条件下并且在头端表面300上的热辅助部分和写部分应该彼此靠近的相对立的条件下，该θ’值也可从一个确定的范围中选择。

图9a至9c示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案中的NFL产生层和热突出层的各种替代方案的横截面图。

如图9a中所示，热突出层92被设置于主磁极层90的端部分90a和NFL产生层91的NFL产生部分910之间，并通过绝缘层93与NFL产生部分910很靠近。此外，在此替代方案中，与图8a中所示的端部分344a相比，该端部分90a被设置得更靠近NFL产生部分910，并且该端部分90a的上表面与主磁极层90的上表面齐平。因此，由于头端表面300上的热辅助部分和写部分之间的距离变得更小，更显著地提高了写操作的稳定性和写效率。

如图9b中所示，热突出层96被设置于主磁极层94的端部分94a和NFL产生层95的NFL产生部分950之间，并通过绝缘层97非常靠近NFL产生部分950，正如图8a中所示的实施方案。然而，在此替代方案中，NFL产生部分950的头端表面300一侧的端部分被弯曲以变得平行于元件成形表面31。因此，由于一定确保了NFL产生部分950的光接收表面950a的所需面积，可产生所需要的近场光，而且因为头端表面300上的热辅助部分和写部分之间的距离变得更小，所以更为显著地提高了写操作的稳定性和写效率。

如图9c中所示，NFL产生部分990的光接收表面990a相对于元件成形表面31以其头端表面300一侧的部分被降低的形式倾斜，并且被设置在使穿过头端表面301传播的入射激光能够到达该光接收表面990a的至少一部分的位置。主磁极层98被设置于光接收表面990a这侧，即，在近场产生层99的导引侧。此外，主磁极层98和NFL产生层99仅在主磁极层98的头端表面300一侧的端98b处和NFL产生层99的头端表面300一侧的尖端99a处彼此接触或非常靠近。此外，热突出层101被设置于对于NFL产生部分990来说与主磁极层98相对一侧的位置，并通过绝缘层102与NFL产生部分990很靠近。在此结构中，通过利用从NFL产生部分990的尖端99a产生的近场光，一定能对磁盘的记录层执行热辅助操作。另外，由于热突出层101的突出中心变得与端部分98a和尖端99a两者都非常接近，所以端部分98a和尖端99a能充分地突出。因此，更为显著地提高了写操作的稳定性和写效率。

此外，在此替代方案中，来自光纤26的激光被指向主磁极层98和NFL产生层99的反射部分991之间的区域。在此情况下，主磁极层98的上表面和反射表面991a通过反射部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面990a，补充在光接收表面990a上所接收到的光的量。此外，由Au、Al、Cu或这些元素中的至少两种的合金形成的反射层可被独立地设置于主磁极层98的上表面上/以上。

此外，作为图9a至9c中所示方案的其他替代方案，还优选地，主磁极层可被设置于辅磁极层的下侧(导引侧)，而NFL产生层被设置于主磁极层的下侧(导引侧)。明显地，这些替代方案也产生上文所述的效果。应该注意，在这些情况下的写期间，在对记录层的部分执行热辅助操作之后，就可稳定而有效地对记录层的该部分执行写操作。

图10a示出在图2a和2b中所示的HGA的端部分上设置的薄膜磁头的第三实施方案的透视图，图10b示出示意性地图解图10a中所示的磁头元件的平面图。为了可视性，图10a中所示的反射层38在图10b中被省略。

如图10a中所示，薄膜磁头(浮动块)21’设有一个具有ABS 30和与ABS 30垂直的元件成形表面31的浮动块基底210；一个形成于元件成形表面31以上/上的磁头元件32；一个用来产生用于热辅助磁记录的近场光的NFL产生层35’；一个设置于NFL产生层35’以上的反射层38；一个形成于元件成形表面31上以便覆盖磁头元件32、NFL产生层35’和反射层38的保护层40’；一个形成于保护层40’的与ABS 30相对一侧中的区域中的腔36；以及四个暴露在保护层40’的表面上的信号电极37，其中ABS 30作为面对介质的表面用来获得合适的飞行高度。磁头元件32包括用来读数据信号的MR效应元件33(图10b中所示)以及用来写数据信号的电磁线圈元件34(图10b中所示)。四个信号电极37中分别有两个与MR效应元件33和电磁线圈元件34连接。电极的数量和位置不局限于图10a中所示的实施方案。在该实施方案中，有四个电极，然而设置三个电极和一个与浮动块基底连接的接地也是可能的。

腔36形成于保护层40’的与ABS 30相对的区域中，并延伸到与面对磁盘的头端表面300相对的头端表面301。该腔36具有一个从头端表面301向NFL产生层35’这侧(头端表面300侧)凹入的光接收壁表面36a。也就是说，光接收壁表面36a平行于头端表面301，并且与头端表面301相比被设置得更靠近NFL产生层35’(头端表面300)。

用于向NFL产生层35’发射激光的光纤26的端部分从头端表面301侧插入该腔36。光纤26被插入的端表面与光接收壁表面36a相面对或与之有面接触，并且来自光纤26的激光穿过光接收壁表面36a向NFL产生层35’传播。也就是说，光接收壁表面36a接收激光并允许激光通过。在本实施方案中，因为光纤26的端表面被定位得更靠近该NFL产生层35’，因此，与没有腔时光穿过头端表面301传播的情况相比，激光能以更低的传播损耗到达NFL产生层35’。

如图10b所示，MR效应元件33的一端以及电磁线圈元件34的一端触及ABS 30侧的头端表面300。在写和读操作期间，薄膜磁头21’以预定飞行高度在旋转磁盘上方流体动力地飞行，这些元件的所述一端变得与磁盘表面相面对，于是该磁头21’通过从磁盘检测信号场执行读操作并通过向磁盘施加信号场执行写操作。

在本实施方案中，NFL产生层35’被设置在电磁线圈元件34上，并且具有一个向着面对磁盘的头端表面300逐渐变细的形状。该NFL产生层35’包括一个用来通过从光纤26接收激光来产生近场光的NFL产生部分350’、以及一个反射部分351’，该反射部分351’具有一个用来将来自光纤26的激光指向NFL产生部分350’的反射表面351a’。

该NFL产生部分350’包括一个触及头端表面300的尖端，并具有，例如，一个等腰三角形形状，且设有一个光接收表面350a’。当来自光纤26的激光被施加于光接收表面350a’时，从触及头端表面300的尖端产生具有特别高强度的电场的近场光。所产生的近场光使热辅助操作能够被执行。

腔36的光接收壁表面36a被设置于从头端表面300一侧观察时的电磁线圈元件34的后侧，处于充分靠近电磁线圈元件34以及NFL产生部分350’的位置。在该光接收壁表面36a上，可形成一个抗反射膜39以减少由于来自光纤26的部分光在该光接收壁表面36a上反射而引起的损耗。抗反射膜39具有一个，例如，通过离子辅助蒸发方法由Ta₂O₃或SiO₂形成的单层结构，或具有一个，例如，通过离子辅助蒸发方法交替沉积Ta₂O₃膜和SiO₂膜而成的多层结构。这些结构根据入射激光的波长被光学设计。

在此，如稍后将描述的，腔36通过例如，湿蚀刻，被蚀刻形成，然后通过该蚀刻形成的底部表面成为稍后将描述的终止层41的暴露表面。

图11示出沿着图10a中的B-B线获得的横截面图，该横截面图示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案的主要部分。为了简化附图，图11中所示的线圈的匝数可能小于实际的匝数。

在图11中，MR效应元件33和电磁线圈元件34的构成材料和结构和图4a中所示的第一实施方案的相应元件几乎相同，因此，下文中省略对这些元件的说明。

如图11中所示，NFL产生层35’包括反射部分351’和NFL产生部分350’，该NFL产生部分350’由Au、Pd、Pt、Rh或Ir元素形成，或由选自这些元素的至少两种元素的合金形成，或由添加了Al、Cu等的该合金形成。NFL产生部分350’的光接收表面350a’相对于元件成形表面31以其头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜，并且被设置在使来自光纤26的激光能够穿过头端表面301到达该光接收表面350a’的至少一部分的位置。在此，通过利用NFL产生层35’的实际热辅助操作和通过利用图4a中所示的NFL产生层35的热辅助操作可以几乎一样，因此，不再进行说明。

反射部分351’设置在对于NFL产生部分350’来说与头端表面300相对的位置，并具有平行于元件成形表面31的反射表面351a’。反射表面351a’延伸到光接收壁表面36a，并沿磁道宽度方向具有例如约20μm到500μm的宽度。反射表面351a’通过反射从光纤26穿过光接收壁表面36a传播的部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面350a’，补充在光接收表面350a’上所接收到的光的量，这提高了近场光产生的效率。

NFL产生层35’尺寸的可能范围与图4a中所示的NFL产生层35尺寸的可能范围几乎一样，因此，不再进行描述。

反射层38被设置于NFL产生层35’的光接收表面350a’侧(上侧)，平行于元件成形表面31并延伸到光接收壁表面36a。反射层38具有一个反射表面38a，当反射表面351a’被定义为第一反射表面并且图6c中所示的反射表面652a被定义为第二反射表面时，反射表面38a对应于第三反射表面。反射表面38a通过反射从光纤26传播穿过光接收壁表面36a的部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面350a’，进一步补充在光接收表面350a’上所接收到的光的量，这更显著地提高近场光产生的效率。反射层38由，例如，Au、Al、Cu元素或选自这些元素的至少两种元素的合金形成，其厚度为，例如，约50nm到500nm，并且其沿着磁道宽度方向的宽度为，例如，约10μm到500μm。

终止层41是一个用来定义用于形成腔36的保护层40’的蚀刻终点的层，并由金属材料，诸如Ta、Ti，形成。终止层41从MR效应元件33和电磁线圈元件34之间的区域延伸到头端表面301，其沿磁道宽度方向的宽度，例如，为约5μm到800μm，比腔36沿磁道宽度方向的宽度(约5μm到600μm)大。终止层41的厚度为，例如，约5nm到200nm。

终止层41的部分上层通过用于制造腔36的蚀刻成为一暴露的底部表面36b。当从头端表面300侧观察时，底部表面36b被定位于MR效应元件33后侧的区域以上。因此，MR效应元件33的上屏蔽层334和下屏蔽层330的高度(垂直于头端表面300的方向上的长度)可在宽范围内设置。例如，上屏蔽层334和下屏蔽层330的与头端表面300相对的端可在底部表面36b以下的区域中。

在元件成形表面31上形成保护层40’，以覆盖MR效应元件33、电磁线圈元件34、NFL产生层35’和反射层38。保护层40’具有一个沿叠层方向(垂直于表面31的方向)的第一保护层400’、第二保护层401’、第三保护层402’和第四保护层403’的分层结构，第一保护层400’从元件成形表面31延伸到终止层41；第二保护层401’从终止层41延伸到主磁极层344的除其端部分344a之外的上表面；第三保护层402’从所述上表面延伸到反射层38；而第四保护层403’占据反射层38上的区域。

第三保护层402’包括从光接收壁表面36a到光接收表面350a’的入射激光的所有光路，并由SiO₂(二氧化硅)或主要由SiO₂组成的氧化物形成，所述SiO₂或氧化物对从半导体激光振荡器18(图1)产生的激光具有足够高的透射率。第三保护层402’使入射激光能够衰减很少的量，因此，由于在光接收表面350a’上接收到的光的量增加，提高了近场光产生的效率。第一保护层400’、第二保护层401’和第四保护层403’可由，例如，通常用于保护涂层的Al₂O₃形成。在包括光路的条件下，第三保护层402’可以是在磁道宽度方向上具有预定宽度的层。在此情况下，通过沿着磁道宽度方向在第三保护层的两侧形成氧化铝层，保护层40’的机械强度由于第二和第四保护层之间的粘附强度的增强而可被充分地保持。

主磁极层344被设置在与光接收表面350a’相对一侧的位置，即在NFL产生层35’的导引侧。此外，主磁极层344的端部分344a和NFL产生部分350’彼此直接重叠。该重叠结构和图4b中所示的第一实施方案的重叠结构可以几乎一样。

图12a至12c示出示意性地图解根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案中的NFL产生层、反射层和腔的各种替代方案的横截面图和透视图。

如图12a中所示，在电磁线圈元件121中，主磁极层1211被设置于辅磁极层1210的下侧(导引侧)，NFL产生层122被设置于主磁极层1211的下侧(导引侧)。彼此重叠的主磁极层1211的端部分1211a和NFL产生部分1220相对于元件成形表面31以该重叠部分1211a和1220的头端表面300一侧的部分被抬高的形式倾斜。此外，终止层124平行于元件成形表面31，并从MR效应元件120和NFL产生层122之间的区域延伸到头端表面301。在本替代方案中，头端表面300上产生写场的位置在产生近场光的位置的拖尾侧并与其邻近，因此，在实际写期间，在对记录层的部分执行热辅助操作后就一定执行对记录层的该部分的写操作。

此外，在本替代方案中，来自光纤26的激光被指向终止层124和电磁线圈元件121之间区域中的NFL产生层122的光接收表面1220a。在此情况下，终止层124的上表面124a和NFL产生层122的反射表面1221a通过反射部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面1220a，补充在光接收表面1220a上所接收到的光的量。为此，终止层124由，例如Ta、Ti等具有低的蚀刻速率且对激光具有足够高的反射率的元素形成。此外，由Au、Al、Cu或这些元素中的至少两种的合金形成的反射层可被独立地设置于终止层124的上表面上/以上。

如图12b中所示，MR效应元件125、电磁线圈元件126、NFL产生层127以及反射层128之间的位置关系和图11中所示的第三实施方案中相应元件的位置关系可以几乎一样。然而，在本替代方案中，电磁线圈元件126具有一个短磁路结构，即其高度(沿垂直于头端表面300的方向的长度)变得相当小，因此，光接收壁表面129a变得更靠近NFL产生层127的光接收表面1270a。因此，从光接收壁表面129a传播到光接收表面1270a的激光的传播损耗变得更小，从而近场光产生的效率得到更为显著的提高。

在此，电磁线圈元件的短磁路结构是这样一种结构：在该结构中，其高度被设置得大大小于常规高度，磁极层中的激发的磁通量的闭合磁路(looped magnetic path)变得更短，这对应于更小电感的电磁线圈元件。因此，短磁路结构可响应更高频率的写电流，而更高频率的写电流对于提高记录密度是不可避免的。实际上，这样的结构伴有诸如写线圈层的横截面的纵横比(aspect ratio)和写线圈层的数量等的调整。

如图12c中所示，MR效应元件125’、具有短磁路结构的电磁线圈元件126’和NFL产生层127’之间的位置关系和图12b中所示的替代方案中相应元件的位置关系可以几乎一样。然而，在本替代方案中，反射层128’相对于元件形成表面31’倾斜。倾斜的反射层128’的反射表面(第三反射表面)128a’通过反射自光纤26’传播并斜穿过光接收壁表面129a’的部分入射激光并将所反射的光指向光接收表面1270a’，补充在光接收表面1270a’上所接收到的光的量，这提高了近场光产生的效率。在此情况下，激光可主要以90°(度)的入射角或接近90°的入射角被施于光接收表面1270a’，这更为显著地提高了近场光产生的效率。此外，在该替代方案中，优选地，NFL产生层127’和倾斜的反射层128’之间的区域402”如第三保护层402”一样，由对激光具有足够高的透射率的SiO₂(二氧化硅)或主要由SiO₂组成的氧化物填满。

图13a至13c示出说明根据本发明的薄膜磁头的第一实施方案中的主磁极层的端部分和NFL产生部分的制造过程的实施方案的横截面图。具体而言，这些图顺序示出图4a中所示的主磁极层344的端部分344a和NFL产生部分350的制造步骤。

如图13a中所示，首先，沉积将要成为主磁极层的磁膜，并通过沉积诸如SiO₂之类的介电膜以及使用例如化学机械抛光(CMP)将所沉积的磁膜和所沉积的介电膜整平，形成上表面齐平的主磁极层的基础部分130和整平(planarized)层131。接下来，在主磁极层的基础部分130上形成一个用于剥离法的抗蚀图132，然后，通过利用例如溅射技术沉积一个由诸如SiO₂等制成的介电膜，以形成具有一个倾斜侧表面的绝缘层133。这之后，抗蚀图132以及在其上的介电膜被移除(被剥离)。

接着，如图13b中所示，在基础部分130和绝缘层133上形成将要成为主磁极层的端部分的磁层134和将要成为NFL产生层的层135。层135由，例如Au、Pd、Pt、Rh、Ir，或选自这些元素的至少两种元素的合金，或添加了Al、Cu等的该合金制成。此外，在其上沉积将要成为保护层的介电膜136。

在包括上述步骤的薄膜处理过程(process)完成后，作为浮动块基底的一个晶片(wafer)基底被切割成多个行条(row bar)，在这些行条中排列有多个磁头元件。然后，执行MR高度处理过程，以通过敲击(rap)行条获得期望的MR高度。这之后，经受MR高度处理过程的行条被切割，以分离成多个浮动块(薄膜磁头)，这样薄膜磁头的制造过程完成。

在此，如图13c中所示，主磁极层344、NFL产生层35和保护层40的形成过程通过在上述MR高度处理过程中抛光磁层134、层135和介电层136完成。而端部分344a和NFL产生部分350由于形成于绝缘层133的倾斜侧表面上，所以相对于元件成形表面倾斜。

图14a至14c示出说明根据本发明的薄膜磁头的第二实施方案中的热突出层和NFL产生部分的制造过程的实施方案的横截面图。具体而言，这些图顺序示出图8a中所示的热突出层52和NFL产生部分350的制造步骤。

如图14a中所示，首先形成主磁极中心膜140，然后形成主磁极辅助膜141。在此，主磁极中心膜140的端部分将成为主磁极层的头端表面一侧的端部分。接下来，在主磁极辅助膜141上形成一个用于剥离法的抗蚀图142，然后，通过例如溅射技术沉积一个由诸如Al、Cu、Au、Ti、Ta、Mo、W、Ru，或选自这些元素的至少两种元素的合金等制成的非磁性金属膜，以形成具有一个倾斜侧表面的热突出膜143。这之后，抗蚀图142以及在其上的非磁性金属膜被移除(被剥离)。

然后，如图14b中所示，在主磁极辅助膜141和热突出膜143上形成由例如SiO₂、Al₂O₃等制成的绝缘膜144和将要成为NFL产生层的NFL产生膜145。NFL产生膜145由，例如Au、Pd、Pt、Rh、Ir，或选自这些元素的至少两种元素的合金，或添加了Al、Cu等的该合金制成。此外，在其上沉积将要成为保护层的介电膜146。

在包括上述步骤的薄膜处理过程结束后，作为浮动块基底的一个晶片基底被切割成多个行条，在这些行条中排列有多个磁头元件。然后，执行MR高度处理过程，以通过敲击行条获得期望的MR高度。这之后，经受MR高度处理过程的行条被切割，以分离成多个浮动块(薄膜磁头)，这样薄膜磁头的制造过程完成。

在此，如图14c中所示，主磁极层344、热突出层81、绝缘层82、NFL产生层35和保护层40的形成过程通过在上述MR高度处理过程中抛光主磁极中心膜140、热突出膜143、绝缘膜144、NFL产生膜145和介电膜146完成。而NFL产生部分350由于形成于热突出膜143的倾斜侧表面上，所以相对于元件成形表面倾斜。

图15a至15d示出说明根据本发明的薄膜磁头的第三实施方案中的腔的制造过程的实施方案的横截面图。

如图15a中所示，首先，在浮动块基底210的元件成形表面31以上/上形成MR效应元件33。接着，在沉积由诸如Al₂O₃制成的介电膜后，通过使用例如CMP将介电膜整平形成第一保护层400’。然后，使用例如溅射技术在第一保护层400’的整平上表面上形成终止膜41。

然后，如图15b中所示，顺序形成电磁线圈元件34、第二保护层401’、NFL产生层35’、第三保护层402’、反射层38和第四保护层403’，接着，在第四保护层403’的整平上表面上形成抗蚀图150。

然后，如图15c中所示，使用例如湿蚀刻或反应性离子蚀刻(RIE)形成凹入部分151。在该蚀刻中，蚀刻的终点成为由具有非常低的蚀刻速率的材料形成的终止层之位置，而通过该蚀刻形成的底部表面成为终止层41的暴露表面。

在包括上述步骤的薄膜处理过程完成后，作为浮动块基底的一个晶片基底被切割成多个行条，在这些行条中排列有多个磁头元件。然后，执行MR高度处理过程，以通过敲击行条获得期望的MR高度。这之后，经受MR高度处理过程的行条被切割，以分离成多个独立的浮动块(薄膜磁头)，这样薄膜磁头的制造过程完成。

在此，如图15d中所示，具有从头端表面301向NFL产生层35’凹入的光接收壁表面36a的腔36在切割线被设置以穿过凹入部分151的条件下，通过上述切割成行条的步骤形成。此外，在形成腔36并将行条放进沉积系统后，可通过例如离子辅助蒸发技术在光接收壁表面36a上形成抗反射膜39。

此外，作为形成凹入部分151的替代方案，首先，在形成电磁线圈元件34和第二保护层401’之后形成一个预定的凹入，然后，在形成NFL产生层35’和第三保护层402’、以及形成反射层38和第四保护层403’的相应步骤中，将该凹入以上的区域留成空隙。

图16示出图解图1中所示的磁盘驱动器装置的记录/再现和光发射控制电路13的电路结构的方框图。

在图16中，分别地，参考数字160表示一个控制LSI，161表示一个从控制LSI 160接收记录数据的写门，162表示一个写电路，163表示一个存储用来控制给半导体激光振荡器18的电流值的控制表等的ROM，165表示一个向MR效应元件33提供检测电流的恒流电路，166表示一个将来自MR效应元件33的输出电压放大的放大器，167表示一个向控制LSI 160输出再现数据的解调器电路，168表示一个温度探测器，169表示一个用来控制半导体激光振荡器18的激光控制电路。

从控制LSI 160输出的记录数据被提供给写门161。只有当从控制LSI 160输出的记录控制信号指示写操作时，写门161才向写电路162提供记录数据。写电路162将相应于该记录数据的写电流传送通过写线圈层341，于是电磁线圈元件34在磁盘上写数据。

只有当从控制LSI 160输出的再现控制信号指示读操作时，恒定电流才从恒流电路165流入MR多层332。由该MR效应元件33再现的信号通过放大器166放大，通过解调器电路167解调，然后获得的再现数据被输出到控制LSI 160。

激光控制电路169接收从控制LSI 160输出的激光开(ON)/关(OFF)信号以及激光电流控制信号。当激光开/关信号是一个开操作指令时，大小等于激光阈值或高于激光阈值的电流流入半导体激光振荡器18。在此情况下，电流值被控制为一个对应于激光电流控制信号的值。

控制LSI 160通过根据写和读操作调节定时来产生激光开/关信号，并通过参考利用温度探测器168所测定的记录层或振荡器18的温度值以及依照ROM 163中的控制表来确定激光电流控制信号的值。控制表包括有关激光电流值和通过热辅助的在记录层中的温度升高量之间的关系的数据，和有关矫顽力对温度的独立性的数据，以及有关激光阈值和激光振荡器的输出-电流特性对温度的依赖性的数据。因此，不仅可以对激光振荡器实现与写和读操作相联系的电流应用(currentapplication)，而且还可能通过无关于记录/再现控制信号系统提供激光开/关信号和激光电流控制信号的系统来实现更为多样化的电流应用模式。

明显地，记录/再现以及光发射控制电路13的电路结构不局限于图16中所示的。利用一个不同于记录控制信号和再现控制信号的信号规定写和读操作也是可能的。此外，最好是至少在写操作期间或在即将进行写操作前为激光振荡器18提供电力(power)，但是在读和写操作持续的预定期间内，持续为激光振荡器18提供电力也是可能的。

以上所有的实施方案仅是本发明的示例，旨不在进行限制，在不背离本发明的实质和范围的情况下，可以构造本发明的许多大不相同的改型和变体。因此，本发明仅由下面的权利要求书所限定的以及其等同物限定。

Claims

1.一种薄膜磁头，包括：

一个基底，具有一个面对介质的表面以及一个与所述面对介质的表面垂直的元件成形表面；

一个用于写数据信号的电磁线圈元件，该电磁线圈元件形成于所述元件成形表面上/以上，并具有一个主磁极层、一个辅磁极层和一个写线圈层；以及

至少一个近场光产生层，用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质，

所述至少一个近场光产生层具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分，该尖端触及所述面对介质的表面侧的所述头端表面，

所述光接收表面相对于所述元件成形表面以所述光接收表面的所述头端表面一侧的部分被抬高的形式倾斜，并且被设置在使从与所述面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达所述光接收表面的至少一部分的位置，并且

所述至少一个近场光产生层中的至少一个还包括一个第一反射部分，该第一反射部分具有与所述元件成形表面平行的第一反射表面，并且位于对于所述近场光产生部分来说与所述面对介质的表面相对的一侧。

2.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述至少一个近场光产生层中的至少一个还包括一个第二反射部分，该第二反射部分具有至少一个第二反射表面，并且位于所述近场光产生部分和所述第一反射部分之间，所述至少一个第二反射表面相对于所述元件成形表面的倾斜角小于所述光接收表面相对于所述元件成形表面的倾斜角。

3.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面侧的端部分通过一个介电层重叠或直接重叠。

4.如权利要求3中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述端部分相对于所述元件成形表面以所述近场光产生部分和所述端部分的所述面对介质的表面一侧的部分被抬高或降低的形式倾斜。

5.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述主磁极层被设置于所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的一个尖端处彼此接触或靠近。

6.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述至少一个近场光产生层是两个近场光产生层，并且所述两个近场光产生层的两个光接收表面相对于所述元件成形表面以所述两个光接收表面的所述面对介质的表面一侧的部分分别被抬高和降低的形式倾斜，并且所述两个近场光产生层的触及所述面对介质的表面侧的所述头端表面的两尖端彼此接触或靠近。

7.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且所述保护层的、包括从与所述面对介质的表面相对的头端表面向所述光接收表面传播的入射光的所有光路的区域由二氧化硅或主要由二氧化硅组成的氧化物形成。

8.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且在靠近所述近场光产生部分的位置设置一个热突出层，该热突出层由具有比所述保护层的热膨胀系数大的热膨胀系数的材料制成。

9.如权利要求8中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述热突出层位于所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的端部分之间，并且所述热突出层与所述端部分接触或靠近。

10.如权利要求8中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述主磁极层被设置在所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的尖端处彼此接触或靠近，并且所述热突出层位于对于所述近场光产生部分来说与所述主磁极层相对的一侧。

11.如权利要求8中所述的薄膜磁头，其特征在于，制成所述热突出层的所述材料是非磁性金属。

12.如权利要求1中所述的薄膜磁头，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，

于在所述保护层的与所述面对介质的表面相对的一侧并延伸到与所述面对介质的表面相对的头端表面的区域中形成一个腔，用于向至少一个近场光产生层发射光的光纤的端部分可被插入该腔中，以及

所述腔具有一个用于从所述光纤接收光并允许该光通过的光接收壁表面，所述光接收壁表面从与所述面对介质的表面相对的头端表面向至少一个近场光产生层凹入。

13.如权利要求12中所述的薄膜磁头，其特征在于，还在所述元件成形表面和所述电磁线圈元件之间设置用于读数据信号的磁阻效应元件，并且所述腔的一个与所述元件成形表面平行的底部表面位于从所述面对介质的表面一侧观察时的所述磁阻效应元件的后侧的一区域以上。

14.如权利要求12中所述的薄膜磁头，其特征在于，还在所述至少一个近场光产生层的光接收表面侧设置一个反射层，所述反射层具有一个第三反射表面，该第三反射表面用于反射穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

15.如权利要求14中所述的薄膜磁头，其特征在于，所述第三反射表面相对于所述元件成形表面倾斜以便反射斜穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

16.如权利要求12中所述的薄膜磁头，其特征在于，在所述光接收壁表面上形成一个具有单层结构或多层结构的抗反射膜。

17.一种磁头万向架组件，包括：

一薄膜磁头，该薄膜磁头包括：

所述至少一个近场光产生层具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分，所述尖端触及所述面对介质的表面侧的所述头端表面，

所述至少一个近场光产生层中的至少一个还包括一个第一反射部分，该第一反射部分具有与所述元件成形表面平行的第一反射表面，并且位于对于所述近场光产生部分来说与所述面对介质的表面相对的一侧；

一个用于支撑所述薄膜磁头的支撑机构；

用于所述电磁线圈元件的迹线导体；

当所述薄膜磁头包括磁阻效应元件时，用于所述磁阻效应元件的迹线导体；以及

一个用于发射光的光纤，所述光穿过与所述面对介质的表面相对的头端表面传播。

18.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述至少一个近场光产生层中的至少一个还包括一个第二反射部分，该第二反射部分具有至少一个第二反射表面，并且位于所述近场光产生部分和所述第一反射部分之间，所述至少一个第二反射表面相对于所述元件成形表面的倾斜角小于所述光接收表面相对于所述元件成形表面的倾斜角。

19.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面侧的端部分通过一个介电层重叠或直接重叠。

20.如权利要求19中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述端部分相对于所述元件成形表面以所述近场光产生部分和所述端部分的所述面对介质的表面一侧的部分被抬高或降低的形式倾斜。

21.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述主磁极层被设置于所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的一个尖端处彼此接触或靠近。

22.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述至少一个近场光产生层是两个近场光产生层，并且所述两个近场光产生层的两个光接收表面相对于所述元件成形表面以所述两个光接收表面的所述面对介质的表面一侧的部分分别被抬高和降低的形式倾斜，并且所述两个近场光产生层的触及所述面对介质的表面侧的所述头端表面的两尖端彼此接触或靠近。

23.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且所述保护层的、包括从与所述面对介质的表面相对的头端表面向所述光接收表面传播的入射光的所有光路的区域由二氧化硅或主要由二氧化硅组成的氧化物形成。

24.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且在靠近所述近场光产生部分的位置设置一个热突出层，该热突出层由具有比所述保护层的热膨胀系数大的热膨胀系数的材料制成。

25.如权利要求24中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述热突出层位于所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的端部分之间，并且所述热突出层与所述端部分接触或靠近。

26.如权利要求24中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述主磁极层被设置在所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的尖端处彼此接触或靠近，并且所述热突出层位于对于所述近场光产生部分来说与所述主磁极层相对的一侧。

27.如权利要求24中所述的磁头万向架组件，其特征在于，制成所述热突出层的所述材料是非磁性金属。

28.如权利要求17中所述的磁头万向架组件，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，

29.如权利要求28中所述的磁头万向架组件，其特征在于，还在所述元件成形表面和所述电磁线圈元件之间设置用于读数据信号的磁阻效应元件，并且所述腔的一个与所述元件成形表面平行的底部表面位于从所述面对介质的表面一侧观察时的所述磁阻效应元件的后侧的一区域以上。

30.如权利要求28中所述的磁头万向架组件，其特征在于，还在所述至少一个近场光产生层的光接收表面侧设置一个反射层，所述反射层具有一个第三反射表面，该第三反射表面用于反射穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

31.如权利要求30中所述的磁头万向架组件，其特征在于，所述第三反射表面相对于所述元件成形表面倾斜以便反射斜穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

32.如权利要求28中所述的磁头万向架组件，其特征在于，在所述光接收壁表面上形成一个具有单层结构或多层结构的抗反射膜。

33.一种磁盘驱动器装置，包括：

至少一个磁头万向架组件，该至少一个磁头万向架组件包括：

一薄膜磁头，该薄膜磁头包括：

一个用于支撑所述薄膜磁头的支撑机构；

用于所述电磁线圈元件的迹线导体；

一个用于发射光的光纤，所述光穿过与所述面对介质的表面相对的头端表面传播；

至少一个磁盘；

一个用于向所述光纤提供光的光源；以及

一个记录/再现和光发射控制装置，用于控制所述薄膜磁头对所述至少一个磁盘的读和写操作，并且用于控制所述光源的发射操作。

34.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述至少一个近场光产生层中的至少一个还包括一个第二反射部分，该第二反射部分具有至少一个第二反射表面，并且位于所述近场光产生部分和所述第一反射部分之间，所述至少一个第二反射表面相对于所述元件成形表面的倾斜角小于所述光接收表面相对于所述元件成形表面的倾斜角。

35.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面侧的端部分通过一个介电层重叠或直接重叠。

36.如权利要求35中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述端部分相对于所述元件成形表面以所述近场光产生部分和所述端部分的所述面对介质的表面一侧的部分被抬高或降低的形式倾斜。

37.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述主磁极层被设置于所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的一个尖端处彼此接触或靠近。

38.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述至少一个近场光产生层是两个近场光产生层，并且所述两个近场光产生层的两个光接收表面相对于所述元件成形表面以所述两个光接收表面的所述面对介质的表面一侧的部分分别被抬高和降低的形式倾斜，并且所述两个近场光产生层的触及所述面对介质的表面侧的所述头端表面的两尖端彼此接触或靠近。

39.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于中，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且所述保护层的、包括从与所述面对介质的表面相对的头端表面向所述光接收表面传播的入射光的所有光路的区域由二氧化硅或主要由二氧化硅组成的氧化物形成。

40.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，并且在靠近所述近场光产生部分的位置设置一个热突出层，该热突出层由具有比所述保护层的热膨胀系数大的热膨胀系数的材料制成。

41.如权利要求40中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述主磁极层被设置在对于所述至少一个近场光产生层中的一个来说与所述光接收表面相对一侧的位置，并且所述热突出层位于所述近场光产生部分和所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的端部分之间，并且所述热突出层与所述端部分接触或靠近。

42.如权利要求40中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述主磁极层被设置在所述至少一个近场光产生层中的一个的光接收表面侧的位置，并且所述主磁极层和所述近场光产生层仅在所述主磁极层的所述面对介质的表面一侧的一端处和所述近场光产生层的触及所述面对介质的表面一侧的所述头端表面的尖端处彼此接触或靠近，并且所述热突出层位于对于所述近场光产生部分来说与所述主磁极层相对的一侧。

43.如权利要求40中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，制成所述热突出层的所述材料是非磁性金属。

44.如权利要求33中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，还在所述元件成形表面上设置一个保护层，以便覆盖所述电磁线圈元件和所述至少一个近场光产生层，

45.如权利要求44中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，还在所述元件成形表面和所述电磁线圈元件之间设置用于读数据信号的磁阻效应元件，并且所述腔的一个与所述元件成形表面平行的底部表面位于从所述面对介质的表面一侧观察时的所述磁阻效应元件的后侧的一区域以上。

46.如权利要求44中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，还在所述至少一个近场光产生层的光接收表面侧设置一个反射层，所述反射层具有一个第三反射表面，该第三反射表面用于反射穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

47.如权利要求46中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，所述第三反射表面相对于所述元件成形表面倾斜以便反射斜穿过所述光接收壁表面传播的部分入射光并将该光指向所述光接收表面。

48.如权利要求44中所述的磁盘驱动器装置，其特征在于，在所述光接收壁表面上形成一个具有单层结构或多层结构的抗反射膜。