CN100574030C - 泄漏电流防护电路 - Google Patents

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Abstract

一种泄漏电流防护电路，用于防护一系统电源免受泄漏电流的影响，所述防护电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，所述第二晶体管连接至所述系统电源；所述第一晶体管接收一控制信号并控制所述第二晶体管的通断，所述系统电源可于所述第二晶体管导通后输出一上拉电压至一外接电路。本发明泄漏电流防护电路的所述晶体管单向电压导通，故防止了所述外接电路产生的泄漏电流对整个系统的不利影响，从而确保了所述系统的正常稳定工作。

Description

泄漏电流防护电路
技术领域
本发明涉及一种泄漏电流防护电路。
背景技术
一般情况下，绝缘体是不导电的，但实际上几乎没有绝对不导电的绝缘材料。泄漏电流是指在没有故障和施加电压的情况下，相互绝缘的金属元件之间，或带电元件与接地元件之间，通过其周围介质或绝缘表面所形成的电流。泄漏电流是衡量电子设备绝缘性好坏的重要标志之一，也是产品安全性能的主要指标。
泄漏电流包括两部分，一部分是通过绝缘电阻的传导电流；另一部分是通过分布电容的位移电流。由于分布电容的位移电流随频率升高而增加，故通常情况下泄漏电流整体亦随频率升高而增加。
目前，一外接电路的输入信号驱动芯片工作时，为了保证所述输入信号成功驱动，一般会将所述输入信号通过一上拉电阻接至一系统电源，并通过所述系统电源提供上拉电压。然而，由于所述输入信号来自一外部设备，在插拔所述外部设备时，会产生泄漏电流，所述泄漏电流会回流至所述系统电源从而影响所述系统电源的稳定性。由于所述系统电源同时供电给其它电子元件，从而易导致整个系统运行不稳定。
发明内容
鉴于上述内容，有必要提供一种可防止泄漏电流影响系统电源的防护电路。
本发明提供一种泄漏电流防护电路，用于防护一系统电源免受泄漏电流的影响，所述防护电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，所述第一晶体管的一第一端接收一控制信号，所述第一晶体管的一第二端连接至所述第二晶体管的一第一端，所述第二晶体管的一第二端连接至所述系统电源；所述第一晶体管的一第三端接地，所述第二晶体管的一第三端连接至一外接电路；所述控制信号用于控制所述第一晶体管的通断并继而控制所述第二晶体管的通断，所述系统电源通过所述第二晶体管输出一上拉电压至所述外接电路。
相较现有技术，本发明泄漏电流防护电路的所述晶体管单向电压导通，故防止了所述外接电路产生的泄漏电流影响系统电源的稳定性，从而确保了系统的正常稳定工作。
附图说明
下面参照附图结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
图1为一外接电路及本发明泄漏电流防护电路的较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参照图1，本发明泄漏电流防护电路10的较佳实施方式包括一第一晶体管NQ1及一第二晶体管NQ2，所述第二晶体管NQ2连接至一系统电源VCC；所述第一晶体管NQ1接收一控制信号CL并控制所述第二晶体管NQ2的通断，所述控制信号CL是整个系统的电压时序信号，所述控制信号CL电平的高低可控制所述第一晶体管NQ1的通断；所述系统电源VCC可于所述第二晶体管NQ2导通后输出一上拉电压V_IFP至一外接电路20的上拉电压接入端以增强对所述外接电路20的信号驱动。
本发明泄漏电流防护电路10的较佳实施方式还包括一驱动电阻R和一滤波电感L。所述第一晶体管NQ1为一增强型N-MOS开关晶体管；所述第二晶体管NQ2为一增强型P-MOS开关晶体管。所述第一晶体管NQ1的栅极接至所述控制信号CL，所述第一晶体管NQ1的源极接地，所述第一晶体管NQ1的漏极接至所述第二晶体管NQ2的栅极。所述第二晶体管NQ2的栅极还经所述驱动电阻R接至所述第二晶体管NQ2的源极；所述第二晶体管NQ2的漏极直接接至所述系统电源VCC。所述第二晶体管NQ2的源极经所述滤波电感L后输出所述上拉电压V_IFP。驱动所述外接电路20工作的驱动信号(图未示)可通过上拉电阻接至所述上拉电压V_IFP以提升所述驱动信号的驱动能力。所述滤波电感L可抑制电流倒灌，从而达到更好的电路使用效果。
工作时，当外部设备接入后，所述外部设备即提供驱动信号至所述外接电路20，此时所述控制信号CL变为高电平，所述第一晶体管NQ1的栅源电压为正，由于所述第一晶体管NQ1为一N-MOS开关晶体管，故导通；则所述第二晶体管NQ2的栅源电压为负，由于所述第二晶体管NQ2为一P-MOS开关晶体管，故所述第二晶体管NQ2也导通。此时由所述系统电源VCC通过所述第二晶体管NQ2及所述滤波电感L输出电压V_IFP作为所述外接电路20驱动信号的上拉电压。当所述外部设备拔离所述外接电路20时，所述外接电路20即产生泄漏电流。然而，由于所述驱动信号一经消失，所述控制信号CL即变为低电平，从而所述第一晶体管NQ1及第二晶体管NQ2均截止，故所述外接电路20产生的泄漏电流不会回流至所述系统电源VCC，从而确保了整个系统的正常稳定工作。
需要说明的是，所述泄漏电流防护电路10的较佳实施方式中的第一晶体管NQ1及第二晶体管NQ2可以用相应的三极管甚至二极管等单向导通晶体管开关元件来替代。

Claims (5)

1.一种泄漏电流防护电路，用于防护一系统电源免受泄漏电流的影响，所述防护电路包括一第一晶体管及一第二晶体管，所述第一晶体管的一第一端接收一控制信号，所述第一晶体管的一第二端连接至所述第二晶体管的一第一端，所述第二晶体管的一第二端连接至所述系统电源；所述第一晶体管的一第三端接地，所述第二晶体管的一第三端连接至一外接电路；所述控制信号用于控制所述第一晶体管的通断并继而控制所述第二晶体管的通断，所述系统电源通过所述第二晶体管输出一上拉电压至所述外接电路。
2.如权利要求1所述的泄漏电流防护电路，其特征在于：所述第一晶体管为一增强型N-MOS开关晶体管，所述第二晶体管为一增强型P-MOS开关晶体管，所述第一、第二晶体管的第一、第二及第三端分别为栅极、漏极及源极。
3.如权利要求1所述的泄漏电流防护电路，其特征在于：所述泄漏电流防护电路还包括一驱动电阻及一滤波电感，所述第二晶体管的第一端经所述驱动电阻与所述第二晶体管的第三端相连，所述第二晶体管的第三端经所述滤波电感输出所述上拉电压。
4.如权利要求1所述的泄漏电流防护电路，其特征在于：所述上拉电压可提高所述外接电路工作所需的驱动信号的驱动能力。
5.如权利要求1所述的泄漏电流防护电路，其特征在于：所述第一、第二晶体管分别为一三极管，所述第一、第二晶体管的第一、第二及第三端分别为基极、集电极及发射极。
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