CN100566509C - 膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置 - Google Patents

Abstract

具有在基板(P)上形成贮格围堰(B)的工序、在由贮格围堰(B)划分的区域中配置功能液(L)的工序、使基板(P)上配置的功能液(L)干燥形成膜图案(F)的工序。在基板(P)上形成由贮格围堰的形成材料构成的薄膜(B0)，对其表面进行疏液处理后，通过图案化形成贮格围堰(B)。据此，成为只有贮格围堰(B)的上表面疏液，贮格围堰(B)的侧面未疏液的状态(对功能液(L)湿润性良好的状态)，所以在配置功能液(L)时，能顺利湿润扩展到贮格围堰间。提供能以高精度稳定形成实现微细化或细线化的膜图案的薄膜图案的形成方法。

Description

膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置

技术领域

本发明涉及膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置以及电子仪器。

背景技术

在具有电子电路或集成电路等的配线的器件制造中，例如使用光刻法。光刻法在预先涂布导电膜的基板上涂布称作抗蚀剂的感光性材料，照射电路图案，显影，按照抗蚀图蚀刻导电膜，形成薄膜的配线图案。该光刻法需要真空装置等昂贵的设备或复杂的工序，此外材料使用效率也只有几％左右，必须废弃其大部分，制造成本高。

对此，提出从液滴喷出头将液体材料喷出为液滴状的液滴喷出法即所谓的喷墨法，在基板上形成配线图案的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在基板上直接涂布分散了金属微粒等导电性微粒的功能液即配线图案形成用油墨，然后进行热处理或激光照射，变换为薄膜的导电膜图案。根据该方法，光刻变为不要，具有工艺过程大幅度变得简单，并且原材料的使用量也少的优点。

[专利文献1]特开2002-72502号公报

当使用喷墨法在基板上形成膜图案时，通常为了防止油墨的扩散，形成称作贮格围堰(bank)的堤坝构造。为了防止油墨附着，对贮格围堰的表面进行疏液化处理，但是这时对贮格围堰全体进行疏液化处理，所以贮格围堰的侧面和油墨的湿润性变差，存在油墨不顺利地进入贮格围堰内的问题。另外，贮格围堰的侧面排斥油墨，所以取得的膜也变为不均匀的膜。

发明内容

本发明是鉴于这样的事实而做出的，其目的在于，提供能稳定形成微细并且高性能的膜图案的膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置以及电子仪器。

为了实现所述目的，本发明采用以下的构成。

本发明的膜图案的形成方法，通过在基板上配置功能液，形成膜图案，其特征在于：具有：在所述基板上形成贮格围堰的工序；在由所述贮格围堰划分的区域中配置所述功能液的工序；使配置在所述基板上的所述功能液干燥的工序；所述贮格围堰的形成工序包括：在所述基板上形成由所述贮格围堰的形成材料构成的薄膜的工序；对所述薄膜的表面进行疏液处理的工序；和将所述薄膜图案化为所述贮格围堰的形状的工序，所述贮格围堰的形成材料，含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种。

在本发明的膜图案的形成方法中，在由贮格围堰划分的区域中配置功能液，通过该功能液干燥，从而在基板上形成膜图案。这时，由贮格围堰规定膜图案的形状，所以使相邻的贮格围堰间的宽度变窄，恰当地形成贮格围堰，从而实现膜图案的微细化或细线化。另外，在本方法中，在将贮格围堰图案化之前进行疏液处理，能成为只将贮格围堰的上表面疏液化，贮格围堰的侧面未疏液化的状态。因此，即使在形成微细的图案时，功能液也能顺利进入贮格围堰内，膜的均匀性提高。

在本发明中，所述贮格围堰的形成工序能包括：在所述基板上形成由所述贮格围堰的形成材料构成的薄膜的工序；对所述薄膜进行曝光处理的工序；对所述薄膜的表面进行疏液处理的工序；和将所述薄膜图案化为所述贮格围堰的形状的工序。

根据该方法，当对贮格围堰的形成材料使用感光性的材料时，将由贮格围堰的形成材料构成的薄膜曝光，图案化，所以能省略光致抗蚀剂的涂布以及剥离的工序。因此，能生产性良好地制造膜图案。

在本发明中，所述贮格围堰的形成材料能含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种。

在本方法中，贮格围堰的形成材料含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种，所以贮格围堰的耐热性高，并且贮格围堰和基板之间的热膨胀系数的差小。因此，能抑制功能液干燥时的热等引起的贮格围堰的恶化，能以良好的形状形成膜图案。为了形成贮格围堰而烧成时，在烧成功能液干燥后的膜时，后工序中烧成基板上的其他部分时等，采用以高于使功能液干燥的温度之温度将基板烧成的工序，同样抑制贮格围堰的恶化，能稳定进行。即根据本方法，与基板之间的热膨胀系数的差小，能够精度好而稳定地形成谋求微细化或细线化的膜图案。

另外，通过使贮格围堰的形成材料包括含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种的无机质的材料，所以在烧成后，如果是成为由具有硅氧烷骨架的高分子的材料构成的贮格围堰。具有该硅氧烷骨架的高分子耐热性高，与基板之间的热膨胀系数的差小，所以在烧成后成为具有硅氧烷骨架的高分子的材料，则作为贮格围堰的的形成材料，能取得与聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷同等的效果。

在本发明中，所述贮格围堰的形成材料能采用由含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种的感光性材料构成的材料。

通过使用感光性材料，能使贮格围堰的图案化容易。

在本发明中，能使用液滴喷出法在所述区域中配置所述功能液。

根据该方法，通过使用液滴喷出法，与旋转涂布法等其他涂布技术相比，液体材料的消耗中浪费少，能容易进行在基板上配置的功能液的量或位置的控制。

在本发明中，能局部宽度宽地形成由所述贮格围堰划分的区域。具体而言，所述区域能成为具有比所述功能液的飞翔直径还大的宽度的大宽度区域和具有比该大宽度区域还窄的宽度的窄宽度区域连接配置的形状。

根据该方法，例如使相邻的贮格围堰间的宽度(窄宽度区域的宽度)窄，恰当地形成贮格围堰，能实现图案的微细化或细线化。这时，希望贮格围堰的侧面对于功能液是湿润性好的状态，但是在本方法中贮格围堰的侧面未进行疏液处理，所以即使贮格围堰间的宽度窄，功能液通过毛细管现象，也能顺利进入贮格围堰内。

另外，在本方法中，局部宽度宽地形成由所述贮格围堰划分的区域，所以在功能液的一部分到达该宽度大的部分，能防止在功能液的配置时来自贮格围堰的功能液的溢出。因此，能将图案正确地形成为所需的形状。

本发明的器件制造方法在基板上形成膜图案，其特征在于：通过所述膜图案的形成方法在所述基板上形成所述膜图案。

在本发明的器件制造方法中，能稳定实现器件上形成的膜图案的微细化或细线化。因此，能稳定地制造高精度的器件。

进而，当构成在所述基板上设置所述膜图案的TFT(膜晶体管)等开关元件的一部分时，能稳定地取得高集成度的开关元件。

在构成在所述基板上设置所述膜图案的TFT(膜晶体管)等开关元件的一部分即栅电极、连接在该栅电极上的栅配线的至少一方的至少一部分时，能稳定地取得高集成度元件的栅电极，并且能稳定地取得在元件和元件之间传递信号的栅配线。

本发明的器件的特征在于：使用所述器件制造方法制造。此外本发明的电光学装置的特征在于：具有所述器件。而且，本发明的电子仪器的特征在于：具有所述电光学装置。

据此，能提高高性能的器件、电光学装置、电子仪器。

另外，作为电光学装置，例如列举液晶显示装置、有机场致发光显示装置、等离子体显示装置。

附图说明

图1是概念上表示本发明的膜图案的形成方法的图。

图2是液滴喷出装置的概略立体图。

图3是用于说明基于压电方式的液体的喷出原理的图。

图4是说明实施方式1的膜图案的形成方法的工序流程图。

图5是表示膜图案的形成顺序的工序图。

图6是接着图5的工序图。

图7是接着图6的工序图。

图8是表示实施方式2的膜图案的形成工序的工序图。

图9是接着图8的工序图。

图10是说明实施方式3的膜图案的形成方法的工序流程图。

图11是说明实施方式4的膜图案的形成方法的工序流程图。

图12是说明实施方式4的膜图案的形成方法的其他形态的图。

图13是说明实施方式4的膜图案的形成方法的其他形态的图。

图14是说明实施方式4的膜图案的形成方法的其他形态的图。

图15是表示具有薄膜晶体管的基板的一例的模式图。

图16是用于说明制造薄膜晶体管的工序的图。

图17是从对置基板一侧观察液晶显示装置的平面图。

图18是沿着图17的H-H’线的剖面图。

图19是液晶显示装置的等价电路图。

图20是液晶显示装置的局部放大剖面图。

图21是有机EL装置的局部放大剖面图。

图22是表示液晶显示装置的其他形态的图。

图23是表示本发明的电子仪器的具体例的图。

图24是非接触型卡介质的分解立体图。

图25是说明变形例13的膜图案的形成方法的工序流程图。

图中：A-线状区域；As-宽幅部；B-贮格围堰；F-膜图案(导电性膜)；L-功能液；P-基板；30-TFT(开关元件)；31-薄膜；34-沟(由贮格围堰划分的区域)；100-液晶显示装置(电光学装置)；400-非接触型卡介质(电子仪器)。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明。

本发明的膜图案的形成方法具有：在基板P上形成由贮格围堰B的形成材料构成的薄膜B0的薄膜形成工序；对薄膜B0的表面进行疏液处理的疏液处理工序；将薄膜B0图案化为贮格围堰B的形状的图案化工序(包含以上，称作贮格围堰形成工序)；在由贮格围堰B划分的区域中配置功能液L的材料配置工序；使配置在基板P上的功能液L干燥的工序(烧成)。

在本发明的膜图案的形成方法中，在由贮格围堰B划分的区域中配置功能液L，并通过干燥该功能液L，从而在基板P上形成膜图案F。这时，由贮格围堰B规定膜图案F的形状，所以使相邻的贮格围堰B、B间的宽度变窄，适当地形成贮格围堰B，从而实现膜图案F的微细化或细线化。而且，形成膜图案F后，可以从基板P除去贮格围堰B，也可以原封不动地残留在基板P上。

另外，在本发明的膜图案的形成方法中，作为贮格围堰B的形成材料，可以使用有机类的材料(丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料)，但是从耐热性方面出发，希望使用无机类材料。贮格围堰B的形成材料通过包含无机材料，贮格围堰B的耐热性提高，而且贮格围堰B和基板P之间的热膨胀系数的差减小，所以能抑制功能液的干燥时或烧成时的热等引起的贮格围堰B的恶化，能以良好的形状形成膜图案F。例如，预先在贮格围堰B和功能液上涂布低熔点玻璃，在烧成功能液L时，或为了粒子的涂层材料的除去和烧成而进行烧成时，有时烧成温度变为300℃以上的高温，但是这时，贮格围堰B由无机材料形成，从而能取得充分的耐久性。

作为无机的贮格围堰材料，例如能列举聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷、硅氧烷类抗蚀剂、聚硅烷类抗蚀剂的骨架中包含硅的高分子无机材料、感光性无机材料、硅玻璃、包含烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半氧烷(alkylsilsesquioxane)聚合物、氢化烷基硅倍半氧烷(hydrogenatedalkylsilsesquioxane)聚合物、多芳基醚中的任意一个的旋涂在玻璃上(spinon glass)膜、金刚石膜、氟化无定形碳膜等。进而作为无机质的贮格围堰材料，例如也可以使用气凝胶、多孔质二氧化硅等。

所述无机的贮格围堰材料作为形成贮格围堰B的烧成前的起始材料使用，分散液的固体成分希望含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种。

在形成贮格围堰B时，首先使用各种涂布法或CVD法(化学气相沉积法)在基板P上形成由贮格围堰构成的层(薄膜B0)。然后，使用含氟玻璃等对薄膜B0的表面进行疏液处理后，通过蚀刻等图案化，取得所定形状的贮格围堰B。通过这样在显影处理前进行疏液处理，具有能防止时间经过变化引起的保管中的有机污染引起的接触角下降的优点。另外，作为其他方法，使用各种涂布法，在基板P上形成由感光性的贮格围堰形成材料构成的薄膜B0，对该薄膜B0的表面进行疏液处理后，通过曝光处理和显影处理，图案化为贮格围堰形状，也能取得同样的效果。这时，在进行曝光处理之前进行疏液处理，能以短时间处理从曝光处理到显影处理，具有能取得稳定的图案化性的优点。通过烧成这样图案化的贮格围堰，聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷成为具有硅氧烷骨架的高分子。

而且，在图1中表示单层的贮格围堰B，但是可以由下层为无机物、上层为有机物构成的2层以上形成贮格围堰。这时，对最上层的贮格围堰层进行疏液处理后，进行图案化。

如果这样进行疏液处理后进行图案化，就成为只对贮格围堰的上表面进行疏液处理(疏液面)，贮格围堰的侧面未疏液的状态(非疏液面)。因此，即使形成微细的图案时，功能液也能顺利进入贮格围堰内，在膜图案中难以产生断线。另外，因为贮格围堰B的侧面不排斥功能液L，所以膜的均匀性提高。

而且，在涂布贮格围堰材料前，作为表面改质处理，可以对基板P进行HMDS处理。HMDS处理是使六甲基二硅氮烷成为蒸汽状而进行涂布的方法。据此，在基板P的表面上能形成作为提高贮格围堰和基板P的密接性的密接层的HMDS层。

作为基板P，能列举玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。还包含在各种素材基板的表面形成作为基底层的半导体膜、金属膜、介质膜、有机膜等的材料。

这里，作为本发明的功能液(油墨)L，能使用各种油墨。功能液是指通过使液体中包含的膜成分膜化，能形成具有所定的功能的膜(功能膜)。作为有关的功能，有电和电子功能(导电性、绝缘性、压电性、热电性、介质性)、光学功能(光选择吸收、反射性、偏振性、光选择透过性、非线性光学性、荧光或磷光等的发光、光致变色性)、磁功能(硬磁性、软磁性、非磁性、透磁性)、化学功能(吸附性、解吸性、催化性、吸水性、离子传导性、氧化还原性、电化学特性、电致变色性)、机械的功能(耐磨耗性)、热性能(传热性、绝热性、红外线辐射性)、生物功能(生物适合性、抗血栓性)等各种功能。在本实施方式中，例如使用包含导电性微粒的配线图案用油墨。

作为在由贮格围堰B划分的区域中配置功能液L的方法，优选使用液滴喷出法、所谓的喷墨法。通过使用液滴喷出法，与旋转涂布等其他涂布技术相比，有在液体材料的消耗中浪费少，容易进行基板上配置的功能液的量和位置的控制的优点。

配线图案用油墨由在分散剂中分散导电性微粒的分散液构成。

作为导电性微粒，除了包含金、银、铜、钯、镍中的任一种的金属微粒，还使用它们的氧化物、导电性聚合物或超导体的微粒。

这些导电性微粒为了提高分散性，能在表面涂布有机物而使用。作为在导电性微粒的表面涂布的涂层材料，列举二甲苯、甲苯等有机溶剂或柠檬酸。

导电性微粒的粒径优选为1nm以上，0.1μm以下。如果大于0.1μm，则在后面描述的液体喷出头的喷嘴有可能发生堵塞，取得的膜中的有机物比例变得过多。

作为分散剂，能分散所述导电性微粒，所以如果是不发生凝聚的材料，就未特别限定。例如除了水，还能列举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类、正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、茚、二戊烯、四氢化萘、环己基苯等烃类化合物、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、二(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物、以及碳酸丙二酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二乙基甲酰胺、二乙基亚砜、环己酮等极性化合物。其中，在微粒的分散性和分散液的稳定性、对液滴喷出法(喷墨法)的应用的容易性上，优选是水、醇类、烃化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，能列举水、烃类化合物。

所述导电性微粒的分散液的表面张力优选在0.02N/m以上，0.07N/m以下的范围内。用液滴喷出法喷出液体时，如果表面张力低于0.02N/m，则油墨组合物对于喷嘴面的湿润性增大，所以容易产生飞行弯曲，如果超过0.07N/m，则喷嘴顶端的弯液面的形状不稳定，所以难以控制喷出量、喷出定时。为了调整表面张力，在不使与基板的接触角大幅度下降的范围中，可以在所述分散液中添加微量的氟类、硅类、非离子类的表面张力调节剂。非离子类的表面张力调节剂，使液体对基板的湿润性提高，改良膜的调平性，有利于防止膜的微细的凹凸的发生。所述表面张力调节剂根据需要可以包含醇、醚、酯、酮等有机化合物。

所述分散液的粘度优选为1mPa·s以上，50mPa·s以下。在使用液滴喷出法将液体材料作为液滴喷出时，当粘度小于1mPa·s时，喷嘴周边部由于油墨的流出，容易污染，当粘度大于50mPa·s时，喷嘴孔的堵塞频度提高，顺利的液滴喷出变得困难。

作为液滴喷出法的喷出技术，列举带电控制方式、加压振动方式、电机械变换方式、电热变换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是对材料用带电电极付与电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向，从喷嘴喷出。另外，加压振动方式是对材料施加30kg/cm²左右的超高压，在喷嘴顶端一侧喷出材料，在不作用控制电压时，材料直线前进，从喷嘴喷出。如果作用控制电压，就在材料间发生静电排斥，材料飞散，不从喷嘴喷出。另外，电机械变换方式利用压电元件接收脉冲的电信号而变形的性质，压电元件变形，从而通过可挠性物质对贮存材料的空间作用压力，从该空间压出材料，从喷嘴喷出。

另外，电热变换方式通过在贮存材料的空间内设置的加热器，使材料急剧气化，发生气泡(泡)，通过气泡的压力，使空间内的材料喷出。静电吸引方式是在贮存材料的空间内作用微小压力，在喷嘴中形成材料的弯液面，在该状态下作用静电引力，喷出材料。另外，还能应用利用基于电场的流体的粘性变化的方式、用放电火花飞翔的方式等技术。液滴喷出法在材料的使用上浪费少，并且能准确地在所需的位置配置所需量的材料。而且，由液滴喷出法喷出的液体材料(流体)的一滴的量为1～300毫微克。

在本发明的膜图案的形成方法中，通过使用上述的配线图案用油墨，能形成具有导电性的膜图案。该导电性的膜图案作为配线能应用于各种器件。

图2是作为本发明的膜图案的形成方法中使用的装置的一个例子，表示通过液滴喷出法在基板上配置液体材料的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的概略构成的立体图。

液滴喷出装置IJ备有：液滴喷出头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导向轴5、控制装置CONT、台7、清洗机构8、基台9、加热器15。

台7支撑由液滴喷出装置IJ设置油墨(液体材料)的基板P，备有将基板P固定在基准位置的未图示的固定机构。

液滴喷出头1是具备多个喷出嘴的多嘴类型的液滴喷出头，使长度方向与Y轴方向一致。多个喷出嘴在液滴喷出头1的下表面排列，以一定间隔设置。从液滴喷出头1的喷出嘴对于支撑在台7上的基板P喷出包含上述的导电性微粒的油墨。

在X轴方向驱动轴4上连接着X轴方向驱动电机2。X轴方向驱动电机2是步进电机，如果从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号，就使X轴方向驱动轴4旋转。如果X轴方向驱动轴4旋转，液滴喷出头1就在X轴方向移动。

Y轴方向导轴5对于基台9固定为不动。台7具有Y轴方向驱动电机3。Y轴方向驱动电机3是步进电机，如果从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，就使台7在Y轴方向移动。

控制装置CONT对液滴喷出头1供给用于控制液滴的喷出的电压。另外，对X轴方向驱动电机2供给控制液滴喷出头1的X轴方向移动的驱动脉冲信号，对Y轴方向驱动电机3供给控制台7供给Y轴方向移动的驱动脉冲信号。

清洗机构8清洗液滴喷出头1。在清洗机构8中设置未图示的Y轴方向的驱动电机。通过该Y轴方向的驱动电机的驱动，清洗机构8沿着Y轴导轴5移动。清洗机构8的移动也由控制装置CONT控制。

加热器15在这里是通过灯退火对基板P进行热处理的部件，进行涂布在基板P上的液体材料中包含的溶剂的蒸发和干燥。该加热器15的电源的接通和遮断由控制装置CONT控制。

液滴喷出装置IJ一边使液滴喷出头1和支撑基板P的台7相对扫描，一边对基板P喷出液滴。这里在以下的说明中，X轴方向为扫描方向，Y轴方向为非扫描方向。因此，液滴喷出头1的喷出嘴在非扫描方向即Y轴方向以一定间隔排列设置。而且，在图2中，液滴喷出头1对于基板P的前进方向配置为直角，但是也可以调整液滴喷出头1的角度，对于基板P的前进方向交叉。据此，通过调整液滴喷出头1的角度，能调节喷嘴间的间隔。另外，也可以任意调整基板P和喷嘴面的距离。

图3是用于说明基于压电方式的液体材料的喷出原理的图。

在图3中，与收藏液体材料(配线图案用油墨、功能液)的液体室21相邻设置压电元件22。对液体室21通过包含收藏液体材料的材料容器的液体材料供给系统23供给液体材料。

压电元件22连接在驱动电路24上，通过驱动电路24对压电元件22施加电压，使压电元件22变形，从而液体室21变形，从喷嘴25喷出液体材料。这时，通过使施加电压的值变化，能抑制压电元件22的变形量。另外，通过使施加电压的频率变化，能抑制压电元件22的变形速度。

因为基于压电方式的液滴喷出对材料不提供热，所以具有难以影响材料的组成的优点。

[实施方式1]

下面参照图4～图7说明作为本发明的膜图案的形成方法的实施方式1的配线图案的形成方法。图4是表示本实施方式的配线图案的形成方法的一例的程序流程图，图5～图7是表示形成工序的模式图。

如图4所示，本实施方式的配线图案的形成方法，在基板上配置上述的配线图案形成用油墨，在基板上形成导电膜配线图案，大致备有：将基板表面亲液化的亲液化处理工序S1；在亲液化的基板上形成与配线图案对应的贮格围堰的贮格围堰形成工序S2～S7；除去贮格围堰间的残渣的残渣处理工序S8；在除去残渣的贮格围堰间配置油墨的材料配置工序S9；将油墨中包含的膜成分膜化，将其烧成的材料膜烧成工序S10。

下面按各工序详细说明。在本实施方式中，作为基板P，使用玻璃基板。

<亲液处理工序>

首先，如图5(a)所示，在形成贮格围堰前预先对基板P的表面P0进行亲液处理(亲液处理工序S1)。

该亲液处理是用于使在材料配置工序S9中配线图案形成用油墨对基板P表现出良好的湿润性。例如通过在基板P的表面形成TiO₂等亲液性高的膜或将基板P的表面粗糙化，能进行该处理。

<贮格围堰形成工序>

接着在基板P上形成贮格围堰。

贮格围堰是在材料配置工序S9中作为分隔构件起作用的构件。贮格围堰的形成能用光刻法或印刷法等任意的方法进行。例如在使用光刻法时，首先用旋转涂布、喷涂、辊涂、模涂、浸渍涂等所定的方法，在基板P上按照贮格围堰的高度涂布贮格围堰的形成材料(贮格围堰材料形成工序S2)，对形成的薄膜31的表面进行疏液处理(疏液处理工序S4)。接着在薄膜31上涂布抗蚀剂层，与贮格围堰形状(配线图案)匹配(吻合)施以掩模，将抗蚀剂曝光·显影，在剩下与贮格围堰形状匹配的抗蚀剂后，蚀刻，除去掩模以外的部分的贮格围堰材料。另外，使用感光性材料作为贮格围堰材料时，不使用抗蚀剂，能直接对贮格围堰材料图案化。在本实施方式中，采用作为贮格围堰材料，使用以聚硅氮烷为主成分的无机材料构成的材料，特别是含有聚硅氮烷和光酸产生剂的感光性聚硅氮烷组合物那样的作为正片类型起作用的感光性聚硅氮烷，通过对其进行曝光处理和显影处理，直接图案化的方法。而且，疏液处理工序S4可以在第一曝光工序S3之前进行。

这里，首先如图5(b)所示，在基板P上与贮格围堰的高度吻合，形成贮格围堰材料即感光性聚硅氮烷的涂布膜(薄膜31)(贮格围堰材料形成工序S2)。接着如图5(c)所示，使用掩模将薄膜31曝光(第一曝光工序S3)，如图5(d)所示，将薄膜31加湿。通过加湿，能除去成为光透过率的下降要因的贮格围堰材料中的氮成分。而且，加湿处理的条件例如为温度：25℃，湿度：80％RH，加湿时间：4分钟。

<疏液处理工序>

接着如图5e所示，对薄膜31进行疏液处理，对其表面付与疏液性(疏液处理工序S4)。

作为疏液处理，在大气气氛中能采用以四氟甲烷为处理气体的等离子体处理法(CF₄等离子体处理法)。CF₄等离子体处理的条件例如为等离子体功率50～1000W，四氟甲烷气体流量50～100ml/分钟，对于等离子体放电电极的基体输送速度0.5～1020mm/秒，基体温镀70～90℃。而且，作为处理气体，并不局限于四氟甲烷(四氟化碳)，也能使用其它氟碳类的气体。

通过进行这样的疏液处理，在薄膜31中，在构成它的材料中导入氟，付与高的疏液性。

而且，通过对薄膜31的疏液处理，对于在前亲液处理的基板P表面稍微有影响，但是当基板P由玻璃等构成时，不发生疏液处理引起的氟基的导入，所以实质上不损害基板P的亲液性即湿润性。

另外，不根据所述等离子体处理法，作为疏液处理，可以使用减压等离子体处理法或基于FAS的气相处理法。

接着，如图6(a)所示，进行显影处理，将薄膜31图案化为贮格围堰的形状(显影工序S5)。如果这样进行疏液处理后图案化，就只将薄膜31的上表面31a疏液化，薄膜31的侧面31b变为未疏液的状态。因此，对于功能液L表现良好的湿润性，即使薄膜31的开口部(即贮格围堰B、B的间隔)窄，功能液L也能顺利进入其中。而且，显影处理的条件为显影液：TMAH2.38％，温度：25℃，显影时间1分钟。

接着如图6(b)所示，对基板P全体进行曝光处理(第二曝光工序S6)。然后如图6(c)所示，将薄膜31加湿后，进行烧成(贮格围堰烧成工序S7)。在烧成前进行曝光，从而能促进贮格围堰材料中的氢基的脱离反应。

根据以上，如图6(d)所示，以10～15μm宽度设置贮格围堰B、B，从而包围应该形成配线图案的沟部34的周边。

<残渣处理工序>

接着，如图6(e)所示，进行贮格围堰间的残渣处理(残渣处理工序S8)。

作为残渣处理，能选择通过照射紫外线进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理、在大气气氛中以氧气为处理气体的O₂等离子体处理、用氢氟酸溶液蚀刻残渣部的氢氟酸处理，但是这里实施氢氟酸处理。通过用0.2％氢氟酸水溶液进行蚀刻，进行氢氟酸处理。在氢氟酸处理中，贮格围堰B、B作为掩模起作用，除去形成在贮格围堰B、B间的沟部34的底部35中残留的贮格围堰材料。

<材料配置工序>

接着使用基于在前的图2所示的液滴喷出装置IJ的液滴喷出法，在基板P上的由贮格围堰B、B划分的区域，即贮格围堰B、B间配置配线图案形成材料L(材料配置工序S9)。

在本例子中，作为配线图案形成用材料L(功能液)，喷出使导电性微粒分散到溶剂(分散介质)中的分散液。这里使用的导电性微粒除了包含金、银、铜、钯、镍的任一种的金属微粒，还使用导电性聚合物和超导体的微粒。在材料配置工序中，如图7(a)所示，从液滴喷出头1，将包含配线图案形成用材料的油墨作为液滴喷出。喷出的液滴如图7(b)所示，配置在基板P上的贮格围堰B、B间的沟部34中。作为液滴喷出的条件，例如能以油墨重量4～7ng/dot、油墨速度(喷出速度)5～7m/秒进行。另外，喷出液滴的气氛优选设定在温度60℃以下，湿度80％以下。据此，液滴喷出头1的喷出嘴不堵塞，能进行稳定的液滴喷出。

这时，喷出液滴的配线图案形成预测区(即沟部34)由贮格围堰B、B包围，所以能阻止液滴扩散到所定位置以外。另外，对贮格围堰B、B付与疏液性，所以喷出的液滴的一部分即使到达贮格围堰B上，由于贮格围堰表面成为疏液性，从而从贮格围堰B弹开，流入贮格围堰间的沟部34中。对基板P露出的沟部34的底部35付与亲液性，贮格围堰B的侧面在在前的疏液处理工序S4中未被疏液化，所以喷出的液滴容易在底部35扩散，据此，油墨在所定的位置均匀配置。

<中间干燥工序>

对基板P喷出液滴后，为了除去分散剂和确保膜厚，根据需要进行干燥处理。除了基于加热基板P的通常的加热板、电炉等的处理，还能通过灯退火，进行干燥处理。作为灯退火中使用的光的光源，虽然未特别限定，但是能将红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光器作为光源使用。这些光源一般使用输出10W以上5000W以下范围的，但是在本实施方式中，在100W以上1000W以下的范围中就足够。而且，通过重复进行该中间干燥工序和所述材料配置工序，层叠多层液体材料的液滴，能形成膜厚大的配线图案(膜图案)(图7(c))。

<烧成工序>

接着将中间干燥工序中干燥的干燥膜烧成(材料膜烧成工序S10)。

喷出工序后的干燥膜，为了使微粒间的电接触良好，有必要完全除去分散剂。另外，为了使导电性微粒的表面提高分散性，在涂布有机物等涂料时，有必要除去该涂料。因此，对喷出工序后的基板P进行热处理和/或光处理。

热处理和/或光处理通常在大气中进行，但是根据需要，也能在氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行。考虑分散剂的沸点(蒸汽压力)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热的行为、涂料的有无、基体材料的耐热温度，适当决定热处理和/或光处理的处理温度。例如为了除去由有机物构成的涂料，有必要在约300℃进行烧成。这时，例如可以在贮格围堰B和液体材料的干燥膜上预先涂布低熔点玻璃等。在贮格围堰B的形成材料的主成分中选定聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷时，通过热处理，贮格围堰B的形成材料烧结，成为硅氧烷骨架的构造，成为与贮格围堰B的形成材料不同性质的材料。

例如，当贮格围堰材料的聚硅氮烷为聚甲基硅氮烷[-(SiCH₃(NH)_1.5)n-]时，聚甲基硅氮烷通过加湿处理，部分加水分解，成为[SiCH₃(NH)(OH)]的形态。接着通过烧成，缩合，成为聚甲基硅氧烷[-(SiCH₃O_1.5)的形态。这样形成的聚甲基硅氧烷中，成为主成分的骨架是无机质，所以成为对热处理具有高耐性的材料。

另外，当使用塑料等的基板时，优选在室温以上100℃以下进行。

通过以上的工序，喷出工序后的干燥膜能确保微粒间的电接触，如图7(d)所示，变换为导电性膜(膜图案F)。

在本实施方式中，由于在进行图案化前即薄膜31的阶段进行贮格围堰的疏液处理，成为只将贮格围堰B的上表面疏液化，贮格围堰B的侧面未疏液的状态。因此，即使在形成微细的膜图案F时，功能液L也能顺利流入贮格围堰B、B内，膜的均匀性提高。另外，使用无机材料形成贮格围堰B，所以贮格围堰B的耐热性高，而且贮格围堰B和基板P之间的热膨胀系数的差小。因此，即使在烧成时的高温处理中，也能抑制贮格围堰B的恶化，能以良好的形状形成膜图案F。

在后工序中存在烧成基板上的其他部分的烧成工序时，同样能抑制贮格围堰B的恶化。

[实施方式2]

下面参照图4的程序流程图和图8～9说明本发明的膜图案的形成方法的实施方式2。而且，在本实施方式中，关于与所述实施方式1同样的构件或部位，付与相同的符号，省略详细的说明。

在所述实施方式1中，作为贮格围堰材料，使用了包含以聚硅氮烷为主成分的材料和光酸产生剂的感光性聚硅氮烷，但是在本实施方式，对贮格围堰材料使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷。

在制造工序中，与所述实施方式1的不同点在于没有加湿处理，其他工序与所述实施方式1同样。其理由是因为当对贮格围堰材料的主成分使用聚硅氮烷时，通过加湿，具有除去氮成分的效果，但是当对贮格围堰材料的主成分使用聚硅氧烷时，不包含氮成分，所以没有加湿的必要。

经过亲液处理工序S1(图8(a))和贮格围堰材料形成工序S2(图8(b))后，如图8(c)所示，将薄膜31曝光(第一曝光工序S3)，接着不加湿，如图8(d)所示，对薄膜31进行疏液处理即等离子体处理(疏液处理工序S4)。如图9(a)所示那样显影后(显影工序S5)，如图9(b)所示，将薄膜31曝光(第二曝光工序6)，不加湿，如图9(c)所示，进行贮格围堰的烧成(贮格围堰烧成工序S7)。接着进行残渣处理工序S8(图9(d))、材料配置工序S9、材料膜烧成工序S10，形成导电性膜(膜图案)。

本发明并不局限于此，根据需要，可以变更或省略所述工序的一部分。例如省略工序S7的贮格围堰烧成工序，在工序S10中同时烧成贮格围堰和材料膜的双方的设计变更是自由的。

如上所述，根据实施方式2，除了所述实施方式的作用和效果，还具有以下的效果。

(1)根据实施方式2，能省略加湿工序，所以没有必要在加湿基板时等待基板，所以能提高生产性。

[实施方式3]

下面参照图10说明本发明的膜图案的形成方法的实施方式3。而且，在本实施方式中，关于与实施方式1以及2同样的构件或部位付与相同的符号，省略详细的说明。

本实施方式的图案形成方法具有：在基板P上形成贮格围堰B的贮格围堰形成工序；以及在由贮格围堰B划分的线状区域A中配置功能液L的材料配置工序。贮格围堰形成工序使用实施方式1的方法。

在本实施方式的图案形成方法中，在由贮格围堰B划分的线状区域A中配置功能液L，该功能液L例如通过干燥，在基板P上形成线状的膜图案F。这时，通过贮格围堰B规定膜图案F的形状，所以例如使相邻的贮格围堰B、B间的宽度变窄等，恰当地形成贮格围堰B，从而实现膜图案F的微细化或细线化。这时，贮格围堰B的侧面希望是对功能液L为湿润性良好的状态，但是在实施方式1的方法中，贮格围堰B的侧面未被疏液，所以即使贮格围堰B、B间的宽度窄，功能液L通过毛细管现象，也能顺利进入贮格围堰B、B内。

而且，在形成膜图案F后，可以从基板P除去贮格围堰B，也可以原封不动留在基板P上。

另外，在本实施方式的图案形成方法中，在基板P上形成贮格围堰B时，关于由贮格围堰B划分的线状区域A，扩大一部分的宽度。即在关于线状区域A的轴向的所定位置，与其它区域的宽度W相比，设置单个或多个由更宽的宽度Wp(Wp＞W)构成的部分(以后，根据需要称作宽幅部As)。

在本实施方式的图案形成方法中，通过局部(宽幅部As)宽阔地形成由贮格围堰B划分的线状区域A的宽度，在配置功能液L时，功能液L的一部分到达该宽幅部As，能防止来自贮格围堰B的功能液L的溢出。

一般在线状区域中配置液体时，由于液体的表面张力的作用，有时液体难以流入该区域，或在该区域中液体难以扩散。而在本实施方式的图案形成方法中，在线宽度上设置差距的部分的液体的移动成为诱因，促进功能液L向线状区域A的流入或线状区域A内的功能液L的扩散，能防止来自贮格围堰B的功能液L的溢出。而且，在配置功能液L时，当然适当设定对于线状区域A的功能液的配置量。

在本实施方式的图案形成方法中，能防止功能液L的配置时来自贮格围堰B的功能液L的溢出，所以能将膜图案F形成所需的形状。因此，能以高精度稳定地形成细的线状的膜图案F。

另外，在本实施方式中，用实施方式1中表示的方法进行贮格围堰B的形成，所以能成为只有贮格围堰B的上表面疏液，贮格围堰B的侧面未疏液的状态。因此，即使在形成微细的膜图案F时，功能液L也能流入贮格围堰B、B内，膜的均匀性提高。

这里，在由贮格围堰B划分的线状区域A中，宽幅部As的宽度Wp优选是其他部分的宽度W的110～500％。据此，能可靠地防止功能液L的配置时来自贮格围堰的功能液L的溢出。而且，如果所述比例低于110％，则功能液有可能不充分地进入宽度大的部分，所以不好。另外，如果超过500％，就在有效利用基板P上的空间上不好。

而且，线状区域A的形状并不局限于图10所示的形状。按照图案的材料和宽度、或要求的精度，适当设定线状区域A的宽幅部As的个数和尺寸、配置位置、配置间隔等。

[实施方式4]

下面参照图11和图12说明本发明的膜图案的形成方法的实施方式4。而且，在本实施方式中，关于与实施方式1～3同样的构件或部位付与相同的符号，省略详细的说明。

在图11中，在基板P上通过贮格围堰B形成具有第一宽度H1的第一沟部34A(宽度大区域)和与第一沟部34A连接并且具有第二宽度H2的第二沟部34B(宽度窄区域)。第一宽度H1比功能液的飞翔直径大。第二宽度H2比第一宽度H1窄。换言之，第二宽度H2在第一宽度H1以下。另外，第一沟部34A在图11中沿着X轴方向形成，第二沟部34B沿着与X轴方向不同的方向的Y轴方向形成。贮格围堰B由实施方式1的方法形成。

为了在上述的沟部34A、34B上形成膜图案F，首先如图12(a)所示，通过液滴喷出头1在第一沟部34A的所定位置配置包含用于形成膜图案F的配线图案之油墨的功能液L的液滴。当在第一沟部34A上配置功能液L的液滴时，从第一沟部34A的上方使用液滴喷出头1对第一沟部34A喷出液滴。在本实施方式中，如图12(a)所示，功能液L的液滴沿着第一沟部34A的长度方向(X轴方向)以所定间隔配置。这时，功能液L的液滴也配置在第一沟部34A中第一沟部34A和第二沟部34B连接的连接部37附近(交叉区)。

如图12(b)所示，配置在第一沟部34A的功能液L通过自己流动在第一沟部34A内湿润扩展。配置在第一沟部34A的功能液L通过自己流动也向第二沟部34B湿润扩展。据此，不从第二沟部34B上直接对第二沟部34B喷出液滴，就能在第二沟部34B中配置功能液L。这时，贮格围堰B的侧面希望是对于功能液L湿润性良好的状态，但是在实施方式1的方法中，贮格围堰B的侧面未进行疏液处理，所以即使贮格围堰B、B间的宽度窄，功能液L通过毛细管现象也能顺利进入贮格围堰B、B内。

通过这样在第一沟部34A中配置功能液L，通过配置在该第一沟部34A的功能液L的自己流动(毛细管现象)，能在第二沟部34B中配置功能液L。因此，对于第二宽度H2(窄的宽度)的第二沟部34B即使不从贮格围堰B上喷出功能液L的液滴，通过对第一宽度H1(大的宽度)的第一沟部34A喷出功能液L的液滴，也能顺利地在第二沟部34B中配置功能液L。特别是当第二沟部34B的宽度H2窄，从液滴喷出头1喷出的液滴直径(飞翔中的液滴直径)比宽度H2大时，通过功能液L的自己流动，能顺利地在第二沟部34B中配置功能液L。而且，第二沟部34B的宽度H2窄，所以功能液L通过毛细管现象顺利地在第二沟部34B中配置。因此，能形成具有所需形状的图案。而且，因为能顺利地在窄宽度的第二沟部34B中配置功能液L，所以能实现图案的细线化(微细化)。而第一沟部34A的宽度H1宽阔，所以即使对第一沟部34A从贮格围堰B上喷出功能液L的液滴，也能避免功能液L的一部分挂在贮格围堰B的上表面上，留下残渣的问题。因此，能稳定形成发挥所需的特性的膜图案F。

另外，根据本实施方式，在第一沟部34A中第一沟部34A和第二沟部34B连接的连接部37附近配置功能液L，所以在功能液L湿润扩展时，能容易流入第二沟部34B，能更顺利地在第二沟部34B中配置功能液L。

另外，在本实施方式中，用实施方式1所示的方法形成贮格围堰B，所以能成为只有贮格围堰B的上表面疏液化，贮格围堰B的侧面未疏液化的状态。因此，即使在形成微细的膜图案F时，功能液L也能流入贮格围堰B、B内，膜的均匀性提高。

在第一沟部34A和第二沟部34B中配置功能液L后，与上述的实施方式1同样经过中间干燥工序和烧成工序，能形成膜图案F。

而且，如图13所示，也可以对第二沟部34B喷出配置只由功能液的溶剂构成的功能液La后，按上述那样配置功能液L。通过这样对第二沟部34B预先喷出配置功能液La，功能液L容易流入第二沟部34B，能更顺利地在第二沟部34B中配置功能液L。而且，功能液La不包含导电性微粒，所以不具有导电性。因此，即使在贮格围堰B上残留功能液L的残渣时，也不改变膜图案F的所需的特性。

而且，在图11～图13中，具有第一宽度H1(大的宽度)的第一沟部34A的延伸方向和具有第二宽度H2(窄的宽度)的第二沟部34B的延伸方向彼此不同，但是如图14所示，具有大的宽度H1的第一沟部34A的延伸方向可以和具有窄的宽度的第二沟部34B的延伸方向相同。这时，如图14(a)所示，通过在第一沟部34A中配置功能液L，通过该功能液L的自己流动，如图14(b)所示，能在第二沟部34B中配置功能液L。此外这时，第一沟部34A和第二沟部34B的连接部37成为从第一沟部34A向第二沟部34B逐渐变窄的锥形，从而第一沟部34A中配置的功能液L能顺利流入第二沟部34B.

<薄膜晶体管>

本发明的膜图案的形成方法，在形成如图15所示的作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)和与它连接的配线时能应用。在图15中，在具有TFT的TFT基板P上备有：栅配线40、与该栅配线40电连接的栅电极41、源配线42、与该源配线42电连接的源极43、漏极44、与漏极44电连接的像素电极45。栅配线40在X轴方向延伸而形成，栅电极41在Y轴方向延伸而形成。另外，栅电极41的宽度H2比栅配线40的宽度H1更窄。能用本发明的配线图案的形成方法形成栅配线40和栅电极41。

另外，在上述的实施方式中，使用本发明的配线图案的形成方法形成TFT(薄膜晶体管)的栅配线，但是也能制造源极、漏极、像素电极等其他构成要素。下面参照图16说明制造TFT的方法。

如图16(a)所示，首先在洗净的玻璃基板610的上表面，根据光刻法形成用于设置1像素间距的1/20～1/10的沟611a的第一层贮格围堰611。作为贮格围堰611，适合使用包含以硅氮烷为主成分的无机质的材料。

贮格围堰611由实施方式1所示的方法形成。因此，贮格围堰611成为只有上表面疏液，侧面未疏液的状态。

作为贮格围堰611对喷出油墨的接触角，优选确保40°以上，而且作为玻璃面的接触角，确保10°以下。

在接着所述第一层贮格围堰的形成工序的栅扫描电极形成工序中，为了充满作为由贮格围堰611划分的描画区的所述沟611a内，用喷墨法喷出包含导电性材料的液滴，从而形成栅扫描电极612。

作为这时的导电性材料，适合采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物。这样形成的栅扫描电极612对贮格围堰611预先付与充分的疏液性，所以不从沟611a溢出，能形成微细的配线图案。

通过以上的工序，在基板610上能形成由贮格围堰611和栅扫描电极612构成的具有平坦的上表面的第一导电层A1。

另外，为了取得沟611a内的良好的喷出效果，如图16(a)所示，作为沟611a的形状，优选采用准锥形(向着喷出源开口的锥形)。据此，喷出的液滴能充分深入到内部。

接着如图16(b)所示，通过等离子体CVD法进行栅绝缘膜613、活性层621、接触层609的连续成膜。通过改变原料气体和等离子体条件，形成作为栅绝缘膜613的氮化硅膜、作为活性层621的非晶质硅膜、作为接触层609的n+类型硅膜。在用CVD法形成时，虽然300℃～350℃的热历史成为必要，但是通过对贮格围堰使用无机系的材料，能避免关于耐热性的问题。

在接着所述半导体层形成工序的第二层贮格围堰形成工序中，如图16(c)所示，在栅绝缘膜613的上表面，根据光刻法形成用于设置1像素间距的1/20～1/10栅绝缘膜613并且与所述沟611a交叉的沟614a的第二层贮格围堰614，作为贮格围堰614，在形成后有必要具有光透过性和疏液性，所以作为其材料，与在前的贮格围堰611同样，适合使用包含以硅氮烷为主成分的无机质的材料。该贮格围堰614也能由实施方式1所示的方法形成。

作为疏液的贮格围堰614对于喷出油墨的接触角，优选确保40°以上。

在接着所述第二层贮格围堰形成工序的源漏极形成工序中，为了充满作为由贮格围堰614划分的描画区的所述沟614a内，通过用喷墨法喷出包含导电性材料的液滴，如图16(d)所示，形成与所述栅扫描电极612交叉的源极615和漏极616。

作为这时的导电性材料，适合采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物。这样形成的源极615和漏极616预先对贮格围堰614付与充分的疏液性，所以不从沟614a伸出，能形成微细的配线图案。

另外，掩埋配置源极615和漏极616的沟614a的方式配置绝缘材料617。通过以上的工序，在基板610上形成由贮格围堰614和绝缘材料617构成的平坦的上表面620。

然后，在绝缘材料617上形成接触孔619，并且形成在上表面620上图案化的像素电极(ITO)618，通过接触孔619连接漏极616和像素电极618，从而形成TFT。

可以用所述实施方式的膜图案的形成方法形成全部开关元件的栅电极。可以用所述实施方式的膜图案的形成方法形成一部分栅电极，用光刻工序形成一部分栅电极。鉴于其他元件的形成方法，可以用生产性好的方法进行。

同样，可以用所述实施方式的膜图案的形成方法形成全部栅配线。可以用所述实施方式的膜图案的形成方法形成一部分栅配线，用光刻工序形成一部分栅配线。鉴于其他元件和配线的形成方法，可以用生产性好的方法进行。

<电光学装置>

下面说明本发明的电光学装置一例的液晶显示装置。

图17是关于本发明的液晶显示装置，从对置基板一侧观察的与各构成要素一起表示的平面图，图18是沿着图17的H-H’线的剖面图。图19是在液晶显示装置的图像显示区中形成矩阵状的多个像素的各种元件、配线的等效电路图，图20是液晶显示装置的局部放大剖面图。而且，在以下说明中使用的各图中，为了在图中使各层和各构件为能识别程度的尺寸，按照每各层和各构件使比例尺不同。

在图17和图18中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100，将成对的TFT阵列基板10和对置基板20通过光固化性的密封材料即密封材料52粘贴在一起，在由密封材料52划分的区域内封入液晶50并保持。密封材料52形成在基板面内的区域中封闭的框状内，不设置液晶注入口，成为没有由密封材料密封的痕迹的构成。

在密封材料52的形成区的内侧区域中形成有由遮光性材料构成的周边划分部53。在密封材料52的外侧的区域中沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与该一边相邻的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下的一边设置着用于连接像素显示区的两侧设置的扫描线驱动电路204之间的多个配线205。另外，在对置基板20的角部的至少1处设置着用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间取得电导通的基板间导通材料206。

而且，代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204，通过各向异性导电膜电膜和机械连接地安装驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和TFT阵列基板10的周边部形成的端子群。而且，按照在液晶显示装置100中使用的液晶50的种类即TN(Twisted Nematic)模式、STN(Super Twisted Nematic)模式等工作模式、常白模式/常黑模式的不同，在所定方向配置相位差板、偏振片，但是这里省略图示。

另外，为了彩色显示而构成液晶显示装置100时，在对置(对向)基板20中，在与TFT阵列基板10的后面描述的各像素电极相对向的区域中形成红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色器和保护膜。

在具有这样的构造的液晶显示装置100的图像显示区中，如图19所示，多个像素100a构成矩阵状，并且在这些像素100a中分别形成了用于像素开关的TFT(开关元件)30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a电连接在TFT30的源极上。写入数据线6a中的像素信号S1、S2、…、Sn按照该顺序，用线依次供给，也可以对相邻的多个数据线6a按各组共给。另外，构成为在TFT30的栅电极上电连接扫描线3a，在所定的定时对扫描线3a按照顺序，用线依次以脉冲施加扫描信号G1、G2、…、Gm。

像素电极19连接在TFT30的漏极上，通过使开关元件即TFT30只在一定期间中为导通状态，将从数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn在所定的定时对各像素写入。这样通过像素电极19写入液晶中的所定电平的像素信号S1、S2、…、Sn，在与图18所示的对置基板20的对置电极121之间保持一定期间。而且，为了防止保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与像素电极19和对置电极121之间形成的液晶电容并联附加存储电容60，与共公配线3b连接。例如由存储电容60在比施加的源电压的时间还长3位的时间中保持像素电极19的电压。据此，改善电荷的保持特性，能实现对比度比高的液晶显示装置100。

图20是具有底栅型TFT30的液晶显示装置100的局部放大剖面图，在构成TFT阵列基板10的玻璃基板P上，通过所述膜图案的形成方法形成作为导电性膜的栅配线61。

在栅配线61上隔着由SiNx构成的栅绝缘膜62层叠了由非晶质硅(a-Si)层构成的半导体层63。与该栅配线部分相对的半导体层63的部分成为沟道区。在半导体层63上层叠了用于取得欧姆接合的例如由n+型a-Si层构成的接合层64a和64b，在沟道区的中央部的半导体层63上形成有用于保护沟道的由SiNx构成的绝缘性的蚀刻停止膜65。而且，在蒸镀(CVD)后，通过施行抗蚀剂的涂布、感光、显影、光刻，对栅绝缘膜62、半导体层63、蚀刻停止膜65按图示那样图案化。

进而，将接合层64a、64b以及由ITO构成的像素电极19同样成膜，并且进行光刻，按图示那样图案化。然后，在像素电极19、栅绝缘膜62和蚀刻停止膜65上分别突出设置贮格围堰66…，使用上述的液滴喷出装置IJ对这些贮格围堰66…之间喷出银化合物的液滴，能形成源线、漏线。

本实施方式的液晶显示装置，通过所述膜图案的形成方法以高精度稳定地形成实现微细化或细线化的导电膜，所以能取得高的质量。

而且，在所述实施方式中，采用将TFT30作为用于驱动液晶显示装置100的开关元件使用的构成，但是在液晶显示装置以外，对有机EL(场致发光)显示器件也能应用。有机EL显示器件具有用阴极和阳极夹着包含荧光性的无机和有机化合物的薄膜的构成，通过对所述薄膜注入电子和空穴(孔)，再结合，生成激子(电子空穴对)，利用该电子空穴对失去活性时的发光(荧光和磷光)，发光的元件。而且，在具有所述TFT30的基板上，将有机EL显示元件中使用的荧光性材料中呈现红、绿、蓝色等各发光颜色的材料即发光层形成材料和形成空穴注入/电子输送层的材料作为油墨，分别图案化，从而能制造自发光彩色EL器件。在本发明中的器件(电光学装置)的范围中包含这样的有机EL器件。

图21是由所述液滴喷出装置IJ制造一部分构成要素的有机EL装置的侧剖面图。参照图21说明有机EL装置的概略结构。

在图21中，有机EL装置401是在由基板411、电路元件部421、像素电极431、贮格围堰部441、发光元件451、阴极461(对置电极)、密封用基板471构成的有机EL元件402上连接挠性电路板(省略图示)的配线和驱动IC的(省略图示)。贮格围堰部441由第一贮格围堰442和第二贮格围堰443构成。电路元件部421是在基板411上形成有源元件即TFT30，在电路元件部421上排列多个像素电极431的。而且，构成TFT30的栅配线61由上述实施方式的配线图案的形成方法形成。

在各像素电极431之间将贮格围堰部441形成为格子状，在由贮格围堰部441产生的凹部开口444中形成有发光元件451。而且，由进行红色发光的元件、进行绿色发光的元件、进行蓝色发光的元件构成，据此，有机EL装置401实现彩色显示。阴极461形成在贮格围堰部441和发光元件451的上部全面上，在阴极461上层叠有密封用基板471。

包含有机EL元件的有机EL装置401的制造工艺备有：形成贮格围堰部441的贮格围堰部形成工序；恰当地形成发光元件451的等离子体处理工序；形成发光元件451的发光元件形成工序；形成阴极461的对置电极形成工序；在阴极461上层叠密封用基板471后进行密封的密封工序。

发光元件形成工序，通过在凹部开口444，即像素电极431上形成空穴注入层452和发光层453，形成发光元件451，具备空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且，空穴注入层形成工序具有：将用于形成空穴注入层452的液体材料对各像素电极431上喷出的第一喷出工序；使喷出的液体材料干燥，形成空穴注入层452的第一干燥工序。另外，发光层形成工序具有对空穴注入层452上喷出用于形成发光层453的液体材料的第二喷出工序；使喷出的液体材料干燥，形成发光层453的第二干燥工序。而且，如上所述，发光层453通过与红、绿、蓝3色对应的材料形成3种，因此所述第二喷出工序为了分别喷出3中材料由3个工序构成。

在发光元件形成工序中，能在空穴注入层形成工序的第一喷出工序和发光层形成工序的第二喷出工序中使用所述液滴喷出装置IJ。

图22是表示液晶显示装置的其他实施方式的图。

图22所示的液晶显示装置(电光学装置)901，大致备有彩色液晶面板(电光学面板)902、连接在液晶面板902上的电路板903。另外，根据需要还在液晶面板902上设置背光等照明装置、其他附带仪器。

液晶面板902具有由密封材料904接合的一对基板905a和基板905b，在基板905a和基板905b之间形成的间隙即所谓的单元间隙中封入了液晶。基板905a和基板905b一般由透光性材料例如玻璃、合成树脂形成。在基板905a和基板905b的外侧表面粘贴偏振片906a和偏振片906b。而且，在图22中，省略偏振片906b的图示。

另外，在基板905a的内侧表面形成有电极907a，在基板905b的内侧表面形成有电极907b。这些电极907a、907b形成为条纹或文字、数字、其他适宜的图案。另外，电极907a、907b由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。基板905a具有对于基板905b伸出的伸出部，在该伸出部形成有多个端子908。

这些端子908，在基板905a上形成电极907a时，与电极907a同时形成。因此，这些端子908例如由ITO形成。这些端子908中包含从电极907a一体延伸的端子、以及通过导电材料(未图示)与电极907b连接的端子。

在电路板903上，在配线基板909上的所定位置安装了作为液晶驱动用IC的半导体元件900。而且，虽然省略图示，但是在安装半导体元件900的部位以外的部位的所定位置可以安装电容器、其他芯片零件。将聚酰亚胺等具有可挠性的基板911上形成的Cu等金属膜图案化，形成配线图案912，从而能制造配线基板909。

在本实施方式中，通过所述器件制造方法形成液晶面板902的电极907a、907b以及电路板903的配线图案912。

根据本实施方式的液晶显示装置，能取得消除了电特性的不均匀的高质量的液晶显示装置。

而且，所述的例子是无源型液晶面板，但是也可以是有源型液晶面板。即在一方基板上形成薄膜晶体管(TFT)，对于各TFT，形成像素电极。另外，如上所述，使用喷墨技术能形成与各TFT电连接的配线(栅配线、源配线)。而在相对的基板上形成对置电极。对这样的有源矩阵型液晶面板也能应用本发明。

另外，作为本发明的器件(电光学装置)，除了所述，也能在PDP(等离子体显示面板)、利用通过在基板上形成的小面积薄膜中使电流与膜面平行流过而产生电子发射的现象的表面传导型电子发射元件中应用。

<电子仪器>

下面说明本发明的电子仪器的具体例。

图23(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图23(a)中，600表示移动电话机主体，601表示具有所述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。

图23(b)是表示文字处理器、个人计算机等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图23(b)中，700是信息处理装置，701是键盘等输入部，703是信息处理主体，702是具有所述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。

图23(c)是表示手表型电子仪器的一例的立体图。在图23(c)中，800表示手表主体，801表示具有所述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。

图23(a)～(c)所示的电子仪器，由于是具备所述实施方式的液晶显示装置的，所以能取得高的质量和性能。

而且，本实施方式的电子仪器具备了液晶装置，但是也可以是具备有机场致发光显示装置、等离子体显示装置、其他电光学装置的电子仪器。

下面说明将由本发明的膜图案的形成方法形成的膜图案应用于天线电路中的例子。

图24表示本实施方式的非接触卡介质，非接触卡介质400在由卡基体413和卡盖418构成的框体中，内置半导体集成电路芯片408和天线电路412，通过使未图示的外部的收发机和电磁波或静电电容耦合的至少一方，进行电力供给或数据交换的至少一方。

在本实施方式中，根据本发明的膜图案的形成方法形成所述天线电路412。因此，能实现所述天线电路412的微细化或细线化，能取得高的质量和性能。

以上参照附图说明了本发明的实施方式，但是本发明当然并不局限于有关的例子。上述的例子中表示的各构成构件的诸形状或组合是一个例子，在不脱离本发明的主旨的范围中，根据设计要求能进行各种变更。

(变形例1)

在所述实施方式1中，作为贮格围堰形成材料，使用了含有聚硅氮烷和光酸产生剂的感光性聚硅氮烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以使用了含有聚硅氮烷和光碱产生剂的感光性聚硅氮烷。光碱产生剂是通过光的照射产生碱的化合物，产生的碱作为催化剂起作用，聚硅氮烷的Si-N结高效地与水分子反应，生成硅烷醇基(Si-OH)，溶解在显影液中。作为光碱产生剂的一个例子，列举NBC-1(Midori化学公司制造)。经过与所述实施方式1同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，与所述实施方式1以及2同样，形成无机质、耐热性高、正片型抗蚀剂形态的贮格围堰，所以能将膜图案F形成为良好的形状。

(变形例2)

在所述实施方式2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以使用了包含聚硅氧烷和光碱产生剂的感光性聚硅氧烷。光的照射产生的碱作为催化剂起作用，聚硅氧烷的氢基(-H)高效地生成硅烷醇基，溶解在显影液中。经过与所述实施方式2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，与所述实施方式1以及2同样，形成无机质、耐热性高、正片型抗蚀剂形态的贮格围堰，所以能将膜图案F形成为良好的形状。

(变形例3)

在所述实施方式2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以使用了包含聚硅烷和光酸产生剂的感光性聚硅烷。由光的照射产生的酸作为催化剂起作用，聚硅烷的氢基高效地生成硅烷醇基，溶解在显影液中。经过与所述实施方式2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，与所述实施方式1以及2同样，形成无机质、耐热性高、正片型抗蚀剂形态的贮格围堰，所以能将膜图案F形成为良好的形状。

(变形例4)

在所述实施方式2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以使用了包含聚硅烷和光碱产生剂的感光性聚硅烷。光的照射产生的碱作为催化剂起作用，聚硅烷的氢基高效地生成硅烷醇基，溶解在显影液中。经过与所述实施方式2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，与所述实施方式1以及2同样，形成无机质、耐热性高、正片型抗蚀剂形态的贮格围堰，所以能将膜图案F形成良好的形状。

(变形例5)

在所述实施方式2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以使用了包含聚硅烷并且不包含光酸产生剂的材料。通过光的照射，聚硅烷化合物吸收光，主链分解，溶解在显影液中。经过与所述实施方式2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

而且，在第一曝光工序S3中照射的光可以是电子射线、γ射线、X射线、紫外线等电磁波。

据此，与所述实施方式1以及2同样，形成无机质、耐热性高、正片型抗蚀剂形态的贮格围堰，所以能将膜图案F形成为良好的形状。另外，在贮格围堰形成材料中不要光酸产生剂，所以能削减消耗的资源。

(变形例6)

在所述实施方式1中，作为贮格围堰形成材料，使用了含有聚硅氮烷和光酸产生剂的感光性聚硅氮烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含与光反应，产生酸的基(以下称作光酸产生基)的聚硅氮烷即感光性聚硅氮烷。作为光酸产生基的一个例子，列举-Ar1-SO²-CH²CO-Ar2(Ar1、Ar2表示芳基或取代芳基)。经过与所述实施方式1同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述实施方式1的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光酸产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例7)

在所述实施方式2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光酸产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含光酸产生基的聚硅氧烷即感光性聚硅氧烷。经过与所述实施方式2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述实施方式2的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光酸产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例8)

在所述变形例1中，作为贮格围堰形成材料，使用了含有聚硅氮烷和光碱产生剂的感光性聚硅氮烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含与光反应，产生碱的基(以下称作光碱产生基)的聚硅氮烷即感光性聚硅氮烷。作为光碱产生基的一个例子，列举O-丙烯酰乙酰苯肟、O-丙烯酰萘乙酮肟等。经过与所述变形例1同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述变形例1的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光碱产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例9)

在所述变形例2中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅氧烷和光碱产生剂的感光性聚硅氧烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含光碱产生基的聚硅氧烷即感光性聚硅氧烷。经过与所述变形例2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述变形例2的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光碱产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例10)

在所述变形例3中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅烷和光酸产生剂的感光性聚硅烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含光酸产生基的聚硅烷即感光性聚硅烷。经过与所述变形例2同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述变形例3的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光酸产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例11)

在所述变形4中，作为贮格围堰形成材料，使用了包含聚硅烷和光碱产生剂的感光性聚硅烷，但是并不局限于此，作为贮格围堰形成材料，可以是包含光碱产生基的聚硅烷即感光性聚硅烷。经过与所述变形例4同样的工序，形成无机质的贮格围堰。

据此，除了所述变形例4的效果，因为在贮格围堰形成材料中不需要光碱产生剂，所以能简便地调和贮格围堰形成材料，提高生产性。

(变形例12)

在所述实施方式1中，重复材料配置工序和中间干燥工序，层叠多个液体材料的液滴后，在烧成工序中进行了烧结，但是并不局限于此，可以在材料配置工序后，在烧成工序中烧结。另外，也可以多次重复材料配置工序和烧成工序，层叠多个液体材料的液滴烧成的层而形成。

(变形例13)

在所述实施方式1中，在第二曝光工序S6后进行贮格围堰烧成工序S7，但是可以省略它。如图25所示，在第二曝光工序S6后，不进行贮格围堰烧成工序，在材料配置工序S28的材料膜烧成工序S29中，同时进行贮格围堰的烧成和材料膜的烧成。通过减少工序，能提高生产性。

Claims (10)

1.一种膜图案的形成方法，通过在基板上配置功能液，形成膜图案，其特征在于，具有：

在所述基板上形成贮格围堰的工序；

在由所述贮格围堰划分的区域中配置所述功能液的工序；

使配置在所述基板上的所述功能液干燥的工序；

所述贮格围堰的形成工序，包括：在所述基板上形成由所述贮格围堰的形成材料构成的薄膜的工序、对所述薄膜的表面进行疏液处理的工序、将所述薄膜图案化为所述贮格围堰的形状的工序，

所述贮格围堰的形成材料，含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种。

2.根据权利要求1所述的膜图案的形成方法，其特征在于：

所述贮格围堰的形成工序包括：

在所述基板上形成由所述贮格围堰的形成材料构成的薄膜的工序；对所述薄膜实施曝光处理的工序；对所述薄膜的表面进行疏液处理的工序；将所述薄膜图案化为所述贮格围堰的形状的工序。

3.根据权利要求1所述的膜图案的形成方法，其特征在于：

所述贮格围堰的形成材料，由含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中的任一种的感光性材料构成。

4.根据权利要求1或2所述的膜图案的形成方法，其特征在于：

使用液滴喷出法在所述区域中配置所述功能液。

5.一种器件制造方法，在基板上形成膜图案而成，其特征在于：

通过权利要求1或2所述的膜图案的形成方法，在所述基板上形成所述膜图案。

6.根据权利要求5所述的器件制造方法，其特征在于：

所述膜图案构成设置在所述基板上的开关元件的一部分。

7.根据权利要求5所述的器件制造方法，其特征在于：

所述膜图案构成设置在所述基板上的开关元件的栅电极、栅配线中的至少一方的至少一部分。

8.一种器件，其特征在于：用权利要求1或2所述的器件制造方法制造。

9.一种电光学装置，其特征在于：具备权利要求8所述的器件。

10.一种电子仪器，其特征在于：具备权利要求9所述的电光学装置。

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