CN100565715C - 导电球、电子部件电极的形成方法和电子部件以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

用由Cu层3与非共晶组分的Sn-5.5Ag合金层2构成的覆盖层覆盖由非金属材料构成的大致球状的核4来形成导电球部1。通过焊剂将导电球部1配置在电子部件的焊盘上，在峰值温度达到250～260℃的加热温度下进行回流。使非共晶组分的Sn-5.5Ag合金成为固相部分与液晶部分共存的状态，流动性比较少，使在Cu层3的表面上形成的SnCu层不露出地固定在焊盘上。能够不露出焊料粘润性比较差的SnCu层形成电极。在该电子部件与电路基板之间，能够形成具有良好的电传导性及机械强度的连接部。

Description

导电球、电子部件电极的形成方法和电子部件以及电子设备
技术领域
本发明涉及导电球、电子部件电极的形成方法和电子部件以及电子设备。
背景技术
近年来，随着以移动电话和便携式信息设备为代表的电子设备的小型化、轻量化的要求，谋求电子部件的小型化、高密度化。因此，提出了将LSI(大规模集成电路)芯片作为电子部件直接安装在电路基板上的裸芯片封装结构或将形状及尺寸极力接近LSI芯片的所谓的芯片尺寸封装(Chip Size Package；以下，称为CSP)的电子部件封装在电路基板上的封装结构。在这些封装结构中，为了使封装密度高密度化，其结构特征是将电极配置在电子部件的底面上。
在上述封装结构中，由于上述裸芯片或者CSP等电子部件与封装了该电子部件的电路基板之间的热膨胀系数的不一致，在上述电子部件与电路基板的连接部中，发生由热应力引起的热应变。由于该应变，在形成上述连接部的金属中产生疲劳并发生龟裂，最终将发生连接部断裂，招致安装该电子部件的电子设备发生工作不良的问题。为了防止这些问题，需要缓和连接部中的热应力的热应力缓和结构，但是，随着电子部件的轻薄短小化和多管脚化的进展，存在这样的热应力缓和结构难于设计的问题。
图6是表示现有的电子部件与电路基板之间的连接部的剖面图(例如，参照特开2000-315707号公报(第2图))。在图6中，5是电子部件、6是电子部件的焊盘(land)、11是电路基板、12是电路基板的焊盘、14是由焊料形成的连接部。在图6所示的结构中，当反复进行温度的上升与下降的热循环作用时，由于上述电子部件5与电路基板11的热膨胀系数的不同，在连接部14上产生金属疲劳。该金属疲劳引起龟裂，连接部14断裂，有时甚至引起断线。即使在封装时得到良好的焊料连接的情况下，在上述电子部件5与电路基板11的膨胀系数的差大的情况下，例如，在上述电子部件5是几乎全部用Si(硅)芯片形成的晶片级CSP(wafer level CSP)，并且，上述电路基板11是由有机材料构成的印制电路板等的情况下，在上述连接部14上发生上述断线问题。
为了防止这样的问题，最近，提出了图7所示的导电球的方案(例如，参照特开2001-93329号公报)。该导电球1具备：由高分子构成的大致球状的核4、覆盖该核4的表面的Cu(铜)层3、覆盖该Cu层3的表面并且由SnPb(锡、铅)构成的焊料层16。如图8所示，使用该导电球1，在电子部件5与电路基板11之间形成连接部14。图8的连接部14通过上述核4比图6中更广地保持上述电子部件5与电路基板11之间的间隙，此外，通过缓和因上述电子部件5与电路基板11之间的热膨胀系数的不一致引起的热应力，来防止该连接部14的龟裂、断裂。
图9A、B、C是表示使用图7的导电球1形成图8的连接部14的方法的工序图。首先，如图9A所示，通过焊剂7的粘性将导电球1暂时固定在电子部件5的焊盘6上。在该导电球1上给与焊料层16的熔点或以上的温度，通过该焊料层16的回流，形成图9B所示的外部电极8。该外部电极8是具有非金属的上述核4的复合电板。
上述电子部件，与形成了与图9B相同的外部电极的其他许多电子部件一起安装在上述电路基板11上。在该安装工序中，在电路基板11的焊盘12上供给焊膏，在该焊盘上的焊膏上配置上述电子部件的外部电极8的顶端。图9C表示这时的状态。在图9C中，13是在电路基板上供给的焊膏。
在图9C所示的状态中，将上述电路基板及电子部件加热到上述焊膏13及焊料部10的熔点或以上的温度，典型的是加热到230℃～250℃左右的温度，形成图8所示的焊料连接部14。
但是，在使用上述现有的导电球1的情况下，在电子部件5与电路基板11之间，存在产生图10所示的连接不良的问题。在图10中，上述电子部件的外部电极的焊料层10未与上述电路基板的焊盘12上的焊料混合，形成界面17。由于该界面17，在上述电子部件5与电路基板11之间的连接部上，存在不能得到充分的导电性的问题。此外，由于上述界面17，还存在连接部的机械强度非常弱的问题。即使在能够得到充分的导电性的情况下，由于形成了上述界面17的连接部机械强度非常弱，所以存在容易发生断线、可靠性差的问题。
因此，本发明的目的在于：提供在电子部件与电路基板之间能够形成具有良好导电性及机械强度的连接部的导电球及外部电极的形成方法。
发明内容
本发明者发现：对电子部件与电路基板的连接部分，在使用具有由非金属材料构成的核的导电球的情况下所产生的连接不良，在上述电子部件上形成外部电极的时刻，其原因是内在的。
例如，在现有的技术中，在形成外部电极的情况下，如图9A所示，加热电子部件5的焊盘6上的导电球1，当回流该导电球的焊料层16时，如图11的模式图所示，在Cu层3的表面上形成SnCu化合物层9。该SnCu化合物是以上述Cu层3的Cu与包含在焊料层16中的Sn生成的化合物，焊料沾润性比较差。因此，如图11所示，上述焊料层10熔融后的熔融焊料流入焊盘6侧，由此，在上述焊盘6的相反侧的外部电极8的顶端上，上述SnCu层9露出。SnCu因氧化焊料沾润性大幅度恶化。因此，这是由于在上述外部电极8的顶端上露出的SnCu层9几乎不与电路基板5侧的焊料混合，产生图10那样的界面17，在电子部件5与电路基板11之间的连接部产生不良。基于这样的连接部的不良的原因的发现，构思了本发明。
本发明的导电球形成为大致球状，并且，具备由非金属材料构成的核和覆盖上述核的表面并且由2个或以上的金属层形成的覆盖层，形成上述覆盖层的第1金属层由包含Sn并且具有非共晶组分的第1合金构成，形成上述覆盖层的第2金属层由包含Cu或者Ni的至少一方的第2合金构成。
根据上述结构，形成上述覆盖层的第1金属层由第1合金构成，该第1合金具有非共晶组分。因此，该第1合金具有固相线与液相线的2个熔点，在与上述固相线与液相线之间相当的温度下，成为固相部分与液相部分共存的状态。该状态的上述第1合金流动性比完全熔融状态小。因此，通过包含焊剂的物质将本发明的导电球配置在例如电子部件的焊盘上，通过在与上述固相线与液相线之间相当的温度下加热，上述第1合金保持覆盖了上述核及第2合金层的状态流动，与上述电子部件的焊盘上的焊料混合。其结果是，在由该导电球例如形成电子部件的电极的情况下，能够避免象现有技术中那样的因第2金属层等的露出引起的连接不良，此外，能够以足够的强度将上述电极固定在电子部件的焊盘上。
此外，由于形成上述第2金属层的第2合金包含Cu或者Ni的至少一方，因此，在形成第1金属层的第1合金的至少一部分熔融时，与该第1合金良好地适应，能够使上述核与覆盖层良好地保持一体。
此外，由于由上述非金属材料构成的核例如用树脂等形成，能够得到预定的弹性，由该导电球形成例如电子部件与电路基板的连接部的情况下，能够通过上述核有效地缓和在该连接部产生的应力，能够有效地防止该连接部的龟裂和断线。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金具有在组分中的Sn的比例减小的情况下液相线温度(liquidus temperature)上升的组分。
根据上述实施方式，上述导电球在加热到与上述第1合金的固相线与液相线之间相当的预定温度的情况下，通过包含在该第1合金中的Sn与包含在第2金属层中的金属的反应等，减小组分中的Sn的比例。但是，由于该第1合金通过上述Sn的组分比例的减小其液相线温度上升，能够稳定地保持固相部分与液相部分共存的状态。其结果是，上述第1合金稳定地保持比较小的流动性，能够可靠地防止上述第2金属层等产生露出。
一个实施方式的导电球其构成元素具有比形成金属间化合物的组分更接近共晶组分的组分。
在合金是从共晶组分稍微偏离的组分的情况下，任何一个优势元素的固溶体作为初晶(primary crystal)很快结晶出来，该初晶以外的部分成为具有与共晶组分的情况相同的微细的结晶颗粒的组织。该合金组织机械特性优秀，是有望提供实用的合金。
在合金是由生成金属间化合物的结构元素构成的情况下，在金属间化合物的熔点或以下的温度下，在合金组织中生成其金属间化合物。金属间化合物本身一般具有硬而脆的特性，不适于作为连接构件使用。
在这里，根据上述实施方式，由于上述第1合金具有比金属间化合物更靠近共晶点侧的组分，所以与金属间化合物一起显现与共晶组分相同的合金组织，因而在机械强度上优秀，具有高可靠性。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金具有液相线温度是240℃或以上的组分。
例如，通过回流，将上述导电球固定在例如使用电子部件的Cu和Ni形成的焊盘上的情况下，首先，需要确保良好的连接的加热温度条件。特别是，在进行焊盘上的Ni与焊料材料的连接的情况下，需要240℃或以上的温度。
根据上述实施方式，由于上述第1合金具有液相线温度是240℃或以上的组分，所以对于240℃或以上的回流连接，能够实现固相部分与液相部分共存的流动性比较小的状态。其结果是，使用该导电球在上述电子部件上形成电极，当将该电子部件安装到电路基板上时，能够有效地防止上述电极与电路基板电极之间的连接不良等。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金具有液相线温度是260℃或以上的组分。
例如，通过回流将上述导电球固定在例如使用Cu及N i在电子部件上形成的焊盘上的情况下，其加热温度需要是上述电子部件自身能够耐受，又不致因金属间化合物的过度生成产生连接强度降低的温度。该温度依赖于电子部件的种类和接合金属的种类，但是，一般最好是260℃或以下的温度。
根据上述实施方式，由于上述第1合金具有液相线温度是260℃或以上的组分，所以对260℃或以下的回流连接，决不能超过液相线温度。因此，能够有效地保持固相部分与液相部分共存的流动性比较低的状态。其结果是，在使用该导电球在上述电子部件上形成电极的情况下，能够防止该电子部件的破损和上述第1合金与上述焊盘的连接强度降低。进而，当将该电子部件安装在电路基板上时，能够有效而且可靠地防止上述电极与电路基板电极之间的连接不良。
一个实施方式的导电球的特征在于：上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例大于3.5重量％。
根据上述实施方式，使用上述导电球例如形成电极，将该电极例如与电路基板等连接的情况下，该连接部能够具有良好的强度与耐热性。
此外，由于上述第1合金组分中的上述Ag的比例大于3.5重量％，所以，在该第1合金中包含的Sn的组分比例减小的情况下，因为液相线温度上升，所以，例如在回流时能够有效地保持固相部分与液相部分共存的状态，使用该导电球形成的例如电极能够有效地防止不良。
此外，由于包含上述Ag的第1合金相对现有焊料中大多使用的SnPb合金比较接近共晶组分中的熔点，所以，能够容易地由本实施方式的导电球代替使用了上述SnPb合金的导电球。
一个实施方式的导电球的特征在于：上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例是4重量％或以上。
根据上述实施方式，使用上述导电球例如形成电极，将该电极与例如电路基板等连接的情况下，该连接部能够具有良好的强度与耐热性。
此外，由于上述第1合金组分中的上述Ag的比例是4重量％或以上，所以合金的液相温度线是240℃或以上。当将该导电球作为例如电子部件的外部电极材料使用的情况下，在用于确保对在电子部件的焊盘中大多使用的例如Ni良好的连接的回流温度或以上的温度，存在固相部分与液相部分共存的状态，能够有效地保持该状态。因此，使用该导电球形成的例如电极能够有效地防止不良。
一个实施方式的导电球的特征在于：上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例是5.5重量％或以上。
根据上述实施方式，使用上述导电球例如形成电极，将该电极与例如电路基板等连接的情况下，该连接部能够具有良好的强度与耐热性。
此外，由于上述第1合金组分中的上述Ag的比例是5.5重量％或以上，所以合金的液相温度线是260℃或以上。当将该导电球例如作为电子部件的外部电极材料使用的情况下，在典型的回流温度或以上的温度，存在固相部分与液相部分共存的状态，能够有效地保持该状态。并且，所谓的上述典型的回流温度是考虑了电子部件的耐热上限温度或与电子部件的焊盘连接中的过度的金属间化合物的生成引起的连接强度恶化的温度。因此，使用该导电球形成的例如电极，在回流时对上述电子部件不给与因热引起的恶劣影响，此外，没有招致连接强度恶化，能够有效而且可靠地防止不良。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金组分中的上述Ag的比例小于75重量％。
根据上述实施方式，上述第1合金在组分中具有Sn及Ag，由于上述Ag的比例小于75重量％，所以，是非共晶组分，而且，是在组分中的Sn的比例减小的情况下液相线温度上升的组分，进而，是比作为Sn与Ag的金属间化合物的Ag3Sn的组分更接近共晶组分的组分。因此，由于在合金中具有共晶组织，所以能够得到良好的强度。
特别是，在上述Ag的比例大于3.5重量％，小于75重量％的情况下，能够确保回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于4重量％，小于75重量％的情况下，在对N i能够确保良好的连接的回流温度下，能够保持固相部分与液相部分共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于5.5重量％，小于75重量％的情况下，在使回流温度为电子部件的耐热上限温度的情况或为能够避免因生成金属间化合物引起的连接强度恶化的温度的情况下，能够保持回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金组分中的上述Ag的比例是37重量％或以下。
根据上述实施方式，上述第1合金组分中具有Sn及Ag，由于上述Ag的比例是37％重量或以下，所以，是非共晶组分，而且，是在组分中的Sn的比例减小的情况下液相线温度上升的组分，进而，是比作为Sn与Ag的金属间化合物的Ag3Sn的组分更接近共晶组分的组分。此外，上述第1合金对作为连接构件具有适度的延展性的Sn基体，较硬因而不适于连接构件的Ag3Sn组织为50％或以下。因此，作为连接构件能够得到优秀的强度及可靠性。
特别是，在上述Ag的比例大于3.5重量％，小于37重量％的情况下，能够可靠地保持回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于4重量％，小于37重量％的情况下，在对Ni能够确保良好的连接的回流温度下，能够保持固相部分与液相部分共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于5.5重量％，小于37重量％的情况下，在使回流温度为电子部件的耐热上限温度的情况或为能够避免因生成金属间化合物引起的连接强度恶化的温度的情况下，能够保持回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
一个实施方式的导电球中，上述第1合金组分中的上述Ag的比例是6.5重量％或以下。
根据上述实施方式，上述第1合金组分中具有Sn及Ag，由于上述Ag的比例是6.5重量％或以下，所以，是非共晶组分，而且，是在组分中的Sn的比例减小的情况下液相线温度上升的组分。进而，是比作为Sn与Ag的金属间化合物的Ag3Sn的组分更接近共晶组分的组分，十分接近Ag的比例为3.5重量％的共晶组分。因此，能够得到与共晶组分的情况下大致相同的机械特性。
特别是，在上述Ag的比例大于3.5重量％，小于6.5重量％的情况下，能够可靠地保持回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于4重量％，小于6.5重量％的情况下，在对Ni能够确保良好的连接的回流温度下，能够保持固相部分与液相部分共存这一点是理想的。
此外，在上述Ag的比例大于5.5重量％，小于6.5重量％的情况下，在使回流温度为电子部件的耐热上限温度的情况或为能够避免因生成金属间化合物引起的连接强度恶化的温度的情况下，能够保持回流时的固相部分与液相部分的共存这一点是理想的。
本发明的电子部件的电极形成方法的特征在于，包含将上述导电球配置在电子部件的焊盘上的工序与加热配置在上述电子部件的焊盘上的导电球的工序，加热上述导电球的最大温度是上述第1合金的液相线温度或更低。
根据上述结构，将上述导电球配置在电子部件的焊盘上，加热配置在该电子部件的焊盘中的导电球。由于加热上述导电球的最大温度是上述第1合金的液相线温度或更低，所以上述第1合金成为固相部分与液相部分共存的状态。由于该状态的上述第1合金比完全熔融状态的流动性小，所以，该第1合金保持覆盖上述核及第2金属层的状态流动，形成良好的强度固定在上述电子部件的焊盘上，形成电极。其结果是，上述电极能够有效地防止现有技术中那样的因第2金属层等的露出引起的连接不良，而且，能够以足够的强度固定在上述电子部件的焊盘上。
此外，由于由上述非金属材料构成的核例如用树脂等形成，能够得到预定的弹性，所以，在上述电子部件上形成的电极，例如在与电路基板连接的情况下，通过上述核能够有效地缓和在上述电子部件与电路基板之间的连接部中产生的应力，能够有效地防止该连接部的龟裂和断线。
本发明的电子部件的电极的形成方法，包含：在上述导电球或者电子部件的焊盘的至少一方上，配置包含第3合金的连接构件的工序；将上述导电球配置在上述电子部件的焊盘上的工序；以及加热上述导电球及上述连接构件的工序，加热上述导电球及上述连接构件的最大温度，是上述导电球的第1合金的液相线温度或更低，而且，是上述连接构件的第3合金的液相线温度或更高。
根据上述结构，在上述导电球或者电子部件的焊盘的至少一方上，配置包含第3合金的连接构件。将上述导电球配置在上述电子部件的焊盘上。接着，加热上述导电球及上述连接构件。由于加热上述导电球及上述连接构件的最大温度是上述导电球的第1合金的液相线温度或更低，所以，该第1合金保持固相部分与液相部分共存的状态，流动性变得比较小。因此，上述第1合金能够保持覆盖上述核及第2金属层的状态流动，能够有效地防止例如因在上述第2金属层表面形成的金属化合物的露出等引起的连接不良。进而，由于加热上述导电球及上述连接构件的最大温度是上述第3合金的液相线温度或更高，所以包含该第3合金的连接构件充分熔融，以足够的强度与上述电子部件的焊盘及导电性微粒子的第1金属层连接。其结果是，能够形成没有连接不良而且具有良好的连接强度的电极。
此外，由于加热上述导电球及上述连接构件的最大温度，是上述导电球的第1合金的液相线温度或更低，而且，是上述连接构件的第3合金的液相线温度或更高即可，例如，在进行加热的回流工序中，即使加热温度在每个电子部件上产生离散的情况下，也能够稳定地形成具有良好特性的电极。
本发明的电子部件的电极形成方法的特征在于，包含：在上述导电球或者电子部件的焊盘的至少一方上，附着焊剂的工序；将上述导电球配置在上述电子部件的焊盘上的工序；以及加热上述导电球的工序，上述焊剂包含0.2重量％或以上的卤素元素。
根据上述结构，在导电球或者电子部件的焊盘的至少一方上附着焊剂。将附着了该焊剂的导电球配置在电子部件的焊盘上，加热配置在该电子部件的焊盘上的导电球。上述导电球作成大致球状，并且具备由非金属材料构成的核和覆盖上述核的表面并且用2个或以上的金属层形成的覆盖层，形成上述覆盖层的第1金属层由包含Sn的第1合金构成，形成上述覆盖层的第2金属层由包含Cu或者Ni的至少一方的第2合金构成。此外，上述焊剂包含0.2重量％或以上的卤素元素。因此，在加热上述导电球，上述第1合金熔融时，有效地降低该熔融了的第1合金的表面张力。其结果是，上述第1合金流入到上述电子部件的焊盘侧，能够有效地防止上述第2金属层等露出。其结果是，在上述电极与被连接部连接时，能够防止连接不良和强度不足的发生。
此外，由于由上述非金属材料构成的核例如用树脂等形成能够得到预定的弹性，所以上述电极例如在与电路基板连接的情况下，通过上述核能够有效地缓和在上述电子部件与电路基板之间的连接部上产生的应力，能够有效地防止该连接部的龟裂和断线。
本发明的电子部件的特征在于：具有使用了上述导电球的电极。
根据上述结构，使用上述导电球形成的电极在与电路基板和不同的电子部件的焊盘等被连接部连接时，能够防止连接不良和强度不足等的发生。因此，能够得到没有连接部的不良、并具有稳定的性能的电子部件。
本发明的电子部件的特征在于：具有使用上述电极的形成方法形成的电极。
根据上述结构，使用上述电极形成方法、使用上述导电球形成的电极在与电路基板和不同的电子部件的焊盘等连接时，能够防止连接不良等的发生。因此，能够得到具有稳定性能的电子部件。进而，由于能够通过与现有的电子部件同样的回流温度条件形成电板，所以以现有的装置使用相同的回流条件能够制造比现有技术连接不良等不良情况少的电子部件。
本发明的电子设备的特征在于：包含上述电子部件而形成。
根据上述结构，通过上述导电球的核能够有效地缓和因外部环境温度的变化或电路基板的发热等在上述电子部件与电路基板之间的连接部中产生的热应力，能够有效地防止该连接部的龟裂和断线。此外，由于在电子部件的电极形成时金属间化合物不露出在电极表面上，所以能够防止电子部件与电路基板的连接部中的连接不良等的发生。此外，由于上述电子部件能够以与现有的电子部件相同条件安装到电路基板上，能够将上述电子部件与现有的电子部件根据部位分别使用，将二者混装。
附图说明
图1是表示本发明的导电球的结构的剖面图。
图2A、B是表示在电子部件上形成外部电极的工序的图，图2A表示将导电球构件配置在电子部件的焊盘上的状态，图2B是表示回流工序后的状态的图。
图3A、B是表示在电路基板与电子部件之间形成连接部的工序的图，图3A表示在电路基板的焊盘上安装电子部件的状态，图3B是表示回流工序后的状态图。
图4是表示针对Ag含有比例的变化的SnAg系合金的熔融温度的变化的图。
图5A是表示测量凸块的共用强度(share strength of bumps)的结果的图，图5B是表示测量凸块拉伸强度的结果的图。
图6是表示现有的电子部件与电路基板之间的连接部的剖面图。
图7是表示现有的导电球的图。
图8是表示使用现有的导电球，形成了电子部件与电路基板之间的连接部的状态的图。
图9A、B、C是表示使用现有的导电球形成连接部的状态的工序图。
图10是表示使用了现有的导电球的情况下的连接部的不良的图。
图11是表示回流了现有的导电球时的状态的模式性剖面图。
具体实施方式
以下，根据图示的实施方式详细地说明本发明。
图1是表示作为本发明的导电球的导电球构件1的结构的剖面图。在该导电球构件1的内部具有由非金属材料构成的大致球状的核4。在上述核4的表面配置作为第2金属层的Cu层3，在该Cu层的表面球构件的最外面形成作为第1金属层的焊料合金层2。用上述Cu层3与焊料合金层2的2层形成覆盖层，用该覆盖层覆盖上述核4。
上述焊料合金层2由作为第1合金的SnAg系合金形成。该SnAg系合金是非共晶组分，具有组分中的Sn的比例减小情况下液相线温度上升的组分。
上述SnAg系合金中Ag的比例最好大于3.5重量％，小于75重量％。在该范围内，在将导电球作为连接构件使用的情况下，由于除了能够发挥防止连接不良的效果，而且，在焊料合金层中出现具有与共晶组分同等的适度延展性的Sn基体相，所以能够得到优秀的机械强度。特别是，如果Ag的比例是37重量％或以下，由于Sn基体相成为作为金属间化合物生成的Ag3Sn化合物相的一半或以上，所以能够进一步增大机械强度。
选而，在将上述导电球构件1作为电子部件的外部电极材料使用的情况下，为了良好地保持对电子部件的焊盘的连接，需要良好地进行焊料合金层2的成分与上述焊盘的材料的扩散。特别是在考虑Sn与Ni的扩散的情况下，需要240℃或以上的回流温度。这里，对于上述SnAg系合金，当Ag的比例为4重量％或以上时，由于液相线温度超过240℃，在回流时能够实现固相部分与液相部分的共存状态，由此，由于能够防止电子部件安装时的焊料粘润不良，因而是理想的。
进而，在将上述导电球构件1作为电子部件的外部电极材料使用的情况下，当考虑电子部件的耐热温度等时，回流温度大多是260℃或以下。在这里，对于上述SnAg系合金，Ag的比例最好是5.5重量％或以上。当Ag的比例是5.5重量％或以上时，由于液相线温度超过260℃，在回流时能够可靠地实现固相部分与液相部分的共存状态，由此，能够防止电子部件安装时的焊料粘润不良。此外，特别是在使上述Ag的比例为6.5重量％或以下的情况下，由于是十分接近共晶组分的组分，能够得到毫不逊色于共晶组分合金程度的强度，作为连接构件能够得到足够的强度。
上述覆盖层也可以用3层或更多层形成，特别是，也可以在上述焊料合金层2与核4之间配置其他的层。但是，与作为上述第1合金层的焊料合金层2邻接的层，最好是用与包含Sn组分的焊料合金良好地适应性质的金属形成的层。典型的最好是Cu、Ni、或者在组分中包含这些的合金。在本实施方式中，与焊料合金层2邻接配置Cu层3。由于Cu是与Sn良好地适应的金属，在得到与非金属材料构成的核4的一体性方面最理想。此外，为了防止通过Cu向上述焊料合金层2的扩散及来自上述焊料合金层2的Sn的扩散引起该Cu层3消失，上述Cu层3最好具有3μm或以上的厚度。
在焊料合金层2熔融的期间中，上述核4不产生溶解和分解是必要条件。作为该核4的材料，可以举出有机系的聚合物、共聚物。例如，虽然最好是用环氧树脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸酯等或使用了这些材料的共聚物形成，但只要是在约260℃的温度不变质的材料，没有特别的限制。用这样的有机系材料形成的核4的弹性率比形成焊料合金层2的合金的弹性低。因此，在将使用该导电球构件1形成了电极的电子部件安装到电路基板上的情况下，通过上述核4负担在上述电子部件与电路基板之间的连接部产生的热应力，能够缓和焊料合金接受的应力。其结果是，能够长期有效地防止连接部中的破断等。
此外，作为形成上述核4的非金属材料，也可以使用陶瓷等高熔点的无机材料。这种情况下，在将电子部件安装到电路基板上时，由于在回流中核4不熔融维持其形状，所以能够将电子部件与电路基板之间的间隙保持在上述核4的直径或更长的距离。其结果是，降低在焊料连接部产生的热应变的集中，能够长期有效地防止连接部的断线等。
在本实施方式中，作为上述核4，使用了通过悬浮聚合法生成的二乙烯基苯共聚物。将催化剂附着在该核4的表面，实施薄的置换型Ni电镀(没有图示)后，通过滚镀法(barrel plating method)形成约3μm左右厚度的Cu层3。进而，用同样的方法，进行SnAg电镀，形成15～20μm厚度的SnAg层2，形成图1那样的导电球构件1。该导电球构件1形成为直径约300μm的大致球状。
在本实施方式中，使用该导电球构件1形成电子部件的外部电极，形成树脂核复合电极，将该电子部件安装在电路基板上。
第1实施例
在本实施例中，使用Sn-5.5Ag组分的合金作为上述导电球构件1的焊料合金层2，在电子部件的焊盘上形成外部电极。在上述焊盘上使用依次实施在Cu上N i电镀与闪速Au电镀而成的合金层。
图2A、B是表示在电子部件上形成外部电极的工序图。在图2A中，通过焊剂7将上述导电球构件1配置在上述电子部件的焊盘6上。为了除去上述焊料合金层2的表面或焊盘6的表面的氧化覆盖膜，保持两者适当的粘润性，上述焊剂7需要适当的活性度。但是，由于它成为回流工序后的残渣、成为金属的腐蚀等的原因，因而又需要具有适当的除去性。在本实施例中，使用了含有0.04％作为卤素元素的Cl(氯)的RMA型的Deltalux523H(千住金属工业制造)。
将焊剂7涂覆在焊盘6表面上的方法有：使用针转印的方法、网印法、转印到球构件的下部后直接装上等方法。安装到上述导电球1的焊盘6上的方法有使用配备了真空系统的装配器，与焊盘6的图形对应使用开口的夹具，真空吸附导电球构件1，通过在预定的位置解除真空进行安装的方法等。
如图2A所示，在将导电球1配置到上述电子部件的焊盘6上后，送入回流炉，通过焊料回流形成外部电极8。形成该外部电极8的电子部件是晶片级CSP，在图2A所示的工序中，晶片级CSP是成为单个化前的晶片状态。
在进行该回流的工序中，第1，是否能够充分地进行导电球构件1的焊料合金与上述焊盘6的连接成为问题。上述焊料合金与焊盘6的连接通过焊料合金中的Sn与焊盘6中的Ni的固液扩散来进行。有人指出由于扩散现象在温度高的一方迅速地进行，太低温度引起的Sn/Ni连接存在形成脆弱的焊料连接部的危险(例如，M.Sumikawaet al.，“Reliability of Soldered Joints in CSPs of VariousDesigns and Mounting Conditions，”IEEE Trans comp.and Packag.Technol.vol.24，No.2，pp.293-299，June 2001)。因此，回流时的温度变化形态(回流轮廓图)的最大温度(峰值温度)的设定推荐240℃或以上，峰值温度的上限由电子部件自身的耐热温度规定。在本实施例中，在回流工序中，采用了考虑温度裕度一般大多采用的条件。即，对于一批电子部件表面，将峰值温度的范围设定为250～260℃。
图2B是表示将上述导电球构件1在上述条件下进行回流得到的外部电极8的剖面图。在图2B中，在Cu层3与焊料合金层2熔融后形成的焊料合金部10之间形成SnCu化合物层9。该SnCu层是通过回流工序的加热进行Sn与Cu的固液扩散形成的，形成的厚度约1～2μm左右。虽然该现象是不可避免的现象，但由于使用本实施例的导电球构件1在上述条件下进行回流，所以焊料合金层2的焊料合金没有完全流入焊盘6侧。即，由于上述导电球构件的焊料合金层2使用了非共晶组分的Sn-5.5Ag组分的合金，所以在峰值温度的范围250～260℃的回流时，上述焊料合金层2固相部分与液相部分共存。其结果是，上述焊料合金层2的流动性被抑制，能够防止上述SnCu层9的露出。因此，能够可靠地防止起因于该SnCu层9的如在现有技术中那样的电子部件与电路基板的连接部产生的不良。
然后，说明将形成了上述外部电极8的电子部件5安装到电路基板11上的工序。首先，如图3A所示，在电路基板11的焊盘12上涂覆作为连接构件的焊料膏13，在其上安装电子部件5。该电子部件5是在形成外部电极8后切割晶片单个化了的晶片级CSP。上述焊料膏13通过成批网印法供给配置在电路基板11上的几乎全部的焊盘12上。作为形成该焊料膏12的第3合金，能够使用SnPb系、SnAg系、以及SnAgCu系的焊料。在本实施例中，使用了包含Sn-3Ag-0.5Cu组分的焊料粒子的焊料膏。
然后，将上述电子部件5及电路基板11送入回流炉，进行回流。该回流炉中的加热温度设定为在上述外部电极8与电路基板焊盘12中能够形成适当的焊料连接的峰值温度。即，在应该安装到电路基板11上的全部电子部件中，由耐热性最低的部件的耐热温度决定上限温度。在本实施例中，使用了具有240～250℃的峰值温度的回流轮廓图。
在进行了上述回流后，用洗净溶剂进行焊剂的残渣清洗。而且，如图3B所示，在电子部件5与电路基板11之间形成焊料连接部14。在该焊料连接部14中，在上述核4、Cu层3及SnCu层9的外侧，在外部电极的焊料合金部10与供给电路基板11的焊盘12的焊料膏13各自熔融良好地混合，形成焊料部15。在图2B的外部电极8中，由于用SnAg合金部10不露出地覆盖SnCu层9，所以能够避免产生在现有技术中那样的界面17的问题。
实际上，在上述外部电极8的形成条件与电子部件5向电路基板11安装条件相同的条件下，对于作为电子部件的所有的50封装的晶片级CSP，进行总数7490管脚的连接，确认能够得到良好的连接。
这样，在本实施例的外部电极8中，确认没有发生SnCu层的露出。另一方面，该外部电极8是否与电子部件的焊盘6完全的焊料连接，存在与SnCu层的露出问题折衷的关系。在极端的例子中，如果焊料合金层2以未熔融状态回流工序就结束时，虽然SnCu层没有露出，但也不能进行对焊盘6的焊料连接。
为了确认上述外部电极8对电子部件5的焊料连接，进行该外部电极8的剪切强度(shear strength)测量。即，在上述外部电极8上作用剪断方向的负载的情况下，测量达到破断时的负载。对5个电极测量剪切强度的结果，负载的最大值是4.857N，最小值是3.789N，平均值是4.152N。
为了进行比较，使用了将SnAg合金的共晶组分的Sn-3.5Ag合金作为焊料合金层设置在最外面的导电球构件，以与第1实施例同样的条件形成外部电极，对该外部电极测量剪切强度。其结果是，负载的最大值为3.97N，最小值为2.443N，平均值为3.125N。作为本实施例的电极形成时的回流轮廓图的峰值温度的250～260℃的温度，相对共晶组分的Sn-3.5Ag焊料合金的熔点221℃是十分高的温度。即，Sn-3.5Ag焊料合金妥当地焊料连接到焊盘6上。在这里，使用了本实施例的Sn-5.5Ag的焊料合金的外部电极与使用了共晶组分的Sn-3.5Ag焊料合金的外部电极相比较，具有充分的凸块剪切强度。因此，本实施例的外部电极8，对电子部件的焊盘6的连接强度可以说没有问题。
一般情况下，在合金成为共晶组分的情况下，能够得到最大的强度。即使在SnAg系的合金中，在从熔融状态凝固的情况下，形成Ag3Sn的初晶，由于该微细且坚硬的初晶分散到共晶组织中，显示良好的强度(例如，菅沼克昭监修《无铅焊接技术实践手册》リアライズ社，东京(2000))。在这里，在合金的组分中增加Ag的情况下，随着组分从共晶组分偏离，Ag3Sn组织粗大化，合金的强度恶化。
SnAg系的情况下，针对Ag的含有比例的熔融温度，如图4所示(参照M.Hansen：“Constitution of Binary Alloys”，Mc Graw-HillBook Co.，Inc，New York(1958))，对于共晶组分的Sn-3.5Ag合金，Sn-5.5Ag合金有很大不同。为了对该共晶组分的Sn-3.5Ag合金与非共晶组分的Sn-5.5Ag合金进行是否适合于焊料连接部的判断，使用具有那些焊料组分的球构件(没有非金属的核的球构件)形成凸块，进行测量该凸块的强度的实验。
在该实验中，对于使用比Sn-5.5Ag合金进一步对偏离共晶组分的组分的Sn-6Ag合金形成的凸块与由Sn-3.5Ag合金形成的凸块进行强度测量。用于形成凸块的球，使用具有0.3mmφ直径的球。形成凸块的焊盘使用了具有0.28mmφ直径的焊盘。此外，使用了在第1实施例中使用过的焊剂，通过250℃的回流，形成凸块。
图5是对上述各凸块测量强度的结果。图5A是剪切试验的结果，表示凸块的剪切强度。从图5A可知，由Sn-6Ag合金形成的凸块能够得到与由Sn-3.5Ag合金形成的凸块同等的强度。此外，图5B是凸块拉伸试验的结果，凸块拉伸试验是用工具夹持用焊料合金形成的凸块，测量拉伸情况下的破坏强度的实验。由图5B的结果可知，由Sn-6Ag合金形成的凸块具有与由Sn-3.5Ag合金形成的凸块同等的强度。
由于第1实施例的Sn-5.5Ag合金在组分这一点上比Sn-6Ag合金更接近作为共晶组分的Sn-3.5Ag合金，所以可以说能够得到比Sn-6Ag合金更充分的强度。由此，非共晶组分的SnAg合金，特别是，根据使用Sn-5.5Ag合金作为表面层的导电球构件，在与历来使用的生产条件大致相同的生产条件下，能够避免电路基板安装时的粘润不良等问题，能够得到足够强度的焊料连接。
比较例1
对第1实施例的导电球构件，调查了能够形成适当的外部连接电极的第1合金的组分及回流温度的范围。在这里，使用用许多种类组分的SnAg合金形成了第1金属层的多个导电球构件，在多个回流温度下，在焊盘上形成与第1实施例同样的电极。而且，观察在上述电极表面上是否发生SnCu层的露出。焊剂与第1实施例相同使用Deltalux523H(千住金属工业制造)。回流通过设定在各温度的加热板进行，在经过加热后30秒的时刻，观察在电极的表面上是否有SnCu层露出。表1表示观察结果，有SnCu层露出的用×表示，没有露出的用○表示。此外，在表1中，表示了从图4读出的各SnAg组分中的固相线温度与液相线温度。
(表1)
Figure C20048002092000221
如表1所示，当在比液相线温度高的温度下进行回流时，产生SnCu层的露出。该结果是由于超过液相线温度SnAg合金流动性变得比较高，由于流入焊盘侧，焊料粘润性比较差的SnCu层露出的缘故。
即，在导电球构件中，通过回流时的加热，推进第1金属层的焊料合金中的Sn与位于其内侧的Cu层的固液扩散现象。一方面，超过固相线温度熔融了的焊料在焊料的流动性、作用于焊料的重力及与焊料连接的面的粘润力等的影响下，流向焊盘侧。如果焊料的状态是完全的熔融状态，由于粘性低，全部的焊料流入焊盘侧，SnCu层就露出电极表面。另一方面，如果在固相线温度或以上、液相线温度或以下进行回流，由于焊料的一部分成为熔融的固液共存状态，所以焊料没有全部流入焊盘侧。即使是固液共存状态的回流连接，如在第1实施例中说明过的那样，能够得到足够强度的焊料连接。
从表1的结果可知，可以说液相线温度或以下的回流是形成在基板安装时不引起粘润不良的电极的条件。此外，根据表1，在一般情况下使用的电极形成时的回流温度250～260℃左右的条件下，不产生成为粘润不良的原因的SnCu层的露出的组分，是比Sb-5.5Ag中Ag含有比例更多的组分。但是，由于从共晶组分的过度的偏离，将招致焊料组织的脆弱化，所以，可以说使用Sn-6Ag左右±0.5％的Ag组分的焊料合金是合适的。
比较例2
在比较例1中，在设定于各温度的加热板上30秒的时间内放置导电球构件，判断焊料的流入，这是比在实际的回流工序进行的条件更严格的加热条件。在实际的回流工序中，由于使用带式回流炉，所以导电球构件瞬间到达峰值温度。此外，暴露在比上述峰值温度低5℃左右的温度或以上的温度中的时间是5～10秒左右。因此，为了调查回流时的加热时间的影响，仅使用Sn-4.6Ag组分的焊料合金，在240～260℃的加热温度下，改变加热时间用导电球构件形成电极，调查其表面的状态。焊剂材料等其他的条件与比较例1相同。表2是表示其结果的表。与表1相同，SnCu层露出的情况标注×，不露出的情况标注○。●表示在同一条件下进行多次实验的情况下，一部分产生SnCu层露出的情况。
(表2)
Figure C20048002092000241
从表2可知，在240℃的回流条件中，全部得到良好的结果。在本比较例中的Sn-4.6Ag的液相线温度是244℃，表示通过液相线温度或以下的回流，不引起SnCu层的露出。
但是，当考虑合金的液相线温度时，在表2中，如果是250℃或以上的回流温度，则应该全部成为×。但是，在表2的结果中，即使在260℃中，如果是到10秒左右为止的短时间的回流，也不能说SnCu层总是露出。因此，可以说SnCu层的露出不仅由回流温度，也因回流时间及后述的焊剂材料等多种因素产生。
在一般的制造过程中使用的回流工序中，即使在同一批次的工件之间也发生加热温度的偏离。因此，作为回流条件，即使在将峰值温度设定在预定温度的情况下，在回流工序中，在工件上的多个导电球构件每个中，存在峰值温度的离散。此外，在将加热的峰值温度保持30秒左右的情况下，也产生各导电球构件保持在峰值温度的时间的离散。当考虑这样的各种因素引起的离散时，由表1、2可以说通过将回流温度设定在液相线温度或以下，能够有效地防止焊料连接的不良。
比较例3
在本比较例中，使用将Sn-3.5Ag合金作为第1合金的导电球构件，进行与比较例2同样的探讨。回流温度固定在230℃，调查在多个回流时间下使用RMA(松香弱激活)型焊剂形成电极情况下的SnCu层的露出。焊剂使用Deltalux523H(RMA型焊剂)。在表3中，与比较例2相同，将SnCu层露出的情况表示为×，没有露出的情况表示为○，将多次回流中一部分产生露出的情况表示为●。
(表3)
Figure C20048002092000251
从表3可知，在使用RMA型焊剂的情况下，当将Sn-3.5Ag合金作为第1合金使用的导电球构件在230℃下加热5秒或以上时，SnCu层开始露出。该温度条件作为在一般的制造工序中使用的回流温度是相当低的温度。在该温度中，在5秒左右引起SnCu层的露出这是一个问题。因此，在导电球构件中使用Sn-3.5Ag的合金的情况下，可以说RMA型焊剂是不理想的。
第2实施例
在本实施例中，使用Sn-3.5Ag组分的焊料合金，使用与第1实施例不同的焊剂形成电极。由于形成电极的工序与实施例1相同，故省略其详细的说明。与第1实施例的不同点是用高卤素含有型(RA型)的焊剂Deltalux533(千住金属工业制造)这一点。该焊剂包含0.22％的Cl。并且，回流温度条件采用240℃峰值。
本实施例的电极没有看到SnCu层的露出。这是由于焊剂中含有的Cl元素的含有量从第1实施例中的0.04％增大到0.2％，提高了焊剂的活性度的缘故。通过该焊剂活性度的提高，即使是Sn-3.5Ag组分的焊料合金，也能够避免作为粘润不良的SnCu层的露出。因此，即使在使用非共晶组分的SnAg合金的情况下，对于不产生在第1实施例中发现的SnCu层的露出的回流条件，能够扩大裕度，同时，能够更可靠地防止SnCu层的露出。
在本实施例中实现的防止SnCu层的露出，能够进行如下说明。即，在电极形成的回流时，导电球构件的第1金属层熔融。这时，焊剂覆盖熔融的第1金属层的表面，降低该第1金属层的表面张力。作用在该熔融的第1金属层即焊料合金上的表面张力是使熔融焊料保持球形的作用力。因此，该表面张力过大时，作为从熔融的焊料将核排出到外侧的力发挥作用。即，作为使在上述核的外面形成的SnCu层露出的力发挥作用。对此，通过使焊剂成为高活性，增大降低焊料的表面张力的效果，抑制将核从熔融的焊料排出的力，能够避免SnCu层的露出。
另一方面，上述SnCu层与由第1合金形成的金属层之间的粘润力也通过焊剂的高活性化而增大。
通过使上述焊剂中含有的卤素量为0.2％或以上，通过与上述表面张力相关的作用和与上述粘润力相关的作用这二者的作用，能够有效地防止SnCu层向电极表面的露出。但是，从环境保护的观点考虑，由于使用包含多量卤素元素的焊剂，所以存在焊剂残渣的洗净或废液处理的问题，因而需要限于必要的最小限度内。
如上所述，对使用SnAg系合金的实施例进行了说明，但是，由于焊料粘润性比较差的金属化合物层露出导致电极等的连接不良的问题，并不限于SnAg系合金。除SnAg系合金之外，在SnPb系、SnZn系、SnBi系等各合金中也同样产生该问题。即使在任何系统的合金中，通过在回流等引起的熔融时在熔融合金中产生的表面张力和作用在熔融合金上的重力，该熔融合金向电子部件的焊盘流动，产生上述金属化合物层的露出。
因此，在SnPb系合金中，组分中的Pb的比例最好是38.1％～80.8％的范围。此外，在SnBi系合金中，组分中的Bi的比例最好是在57％～99.9％的范围。此外，在SnZn系合金中，组分中的Zn的比例最好是在8.8％～99.9％的范围。上述SnPb系、SnBi系及SnZn系的合金各自具有183℃、138℃、198.5℃的固相线温度，在备金属的组分比例是上述各范围的情况下，当减少Sn的含有比例时液相线温度就上升。因此，即使在任何系统的合金中，通过在回流中在第1合金层与第2合金层产生的金属的扩散现象，由于在上述第1合金的Sn组分减小的情况下液相线温度上升，能够稳定地保持固相部分与液相部分共存的状态。其结果是能够有效地防止焊料粘润性差的金属化合物层向电极的表面露出，能够有效地防止向电路基板安装时的不良。
在上述实施方式中，作为本发明的电子部件用晶片工艺CSP为例进行了说明，也可以是裸芯片。在将电子部件安装到印刷基板等上的情况下，电子部件的焊盘形成部的材料与玻璃环氧树脂等的印刷基板材料的热膨胀系数的差相应的热应力取决于焊料连接部。裸芯片和晶片工艺CSP在由Si构成的半导体基板上形成聚酰亚胺等的绝缘树脂的薄膜，形成焊盘。现有的CSP的情况下，在模制树脂上形成焊盘，但与模制树脂相比，由于Si与玻璃环氧树脂的热膨胀系数的差较大，所以在焊料连接部产生的热应力增大。因此，通过使用本发明的导电球，通过在该导电球中内置的核，保持焊料连接部的高度，通过缓和热应变的集中，能够提高电子部件的可靠性。
安装了本发明的电子部件的电子设备有服务器或移动电话等。服务器由于来自内部的电路基板的发热量大，机器内的温度变化大，因而需要提高焊料连接部对温度变化的可靠性。此外，在移动电话的情况下，由于大量生产而且商品周期短，每年废弃量多，对环境的影响比其他的电子设备大。进而，由于是移动设备，所以伴随着所有者的移动，外部环境温度变化大，要求焊料连接部对温度变化的高可靠性。因此，根据本发明的电极的形成方法，由于能够使用非卤素系焊剂形成不包含Pb的外部连接电极及焊料连接部，能够减小生产或者废弃移动电话时的环境负荷。进而，由于焊料连接部对温度变化的可靠性高，所以能够提高电子设备自身的可靠性。

Claims (22)

1.一种导电球，其特征在于，
具备：
形成为大致球状，并且由非金属材料构成的核(4)；
覆盖上述核的表面，并且至少包含第1金属层(2)与第2金属层(3)的覆盖层，
上述第1金属层(2)由包含Sn并且具有非共晶组分的第1合金构成，
上述第2金属层(3)由包含Cu或者Ni的至少一方的第2合金构成。
2.如权利要求1所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金具有在组分中的Sn的比例减小的情况下液相线温度上升的组分。
3.如权利要求2所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金的构成元素具有比形成金属间化合物的组分更接近共晶组分的组分。
4.如权利要求2所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金具有液相线温度是240℃以上的组分。
5.如权利要求2所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金具有液相线温度是260℃以上的组分。
6.如权利要求1所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例大于3.5重量％。
7.如权利要求1所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例是4重量％以上。
8.如权利要求1所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金包含Ag，组分中的上述Ag的比例是5.5重量％以上。
9.如权利要求5所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金组分中的Ag的比例小于75重量％。
10.如权利要求5所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金组分中的Ag的比例是37重量％以下。
11.如权利要求5所述的导电球，其特征在于，
上述第1合金组分中的Ag的比例是6.5重量％以下。
12.一种电子部件的电极的形成方法，其特征在于，
包含：
将权利要求1所述的导电球(1)配置在电子部件(5)的焊盘(6)上的工序；以及
加热配置在上述电子部件(5)的焊盘(6)上的导电球(1)的工序，
加热上述导电球(1)的最大温度是上述第1合金的液相线温度或更低。
13.一种电子部件的电极的形成方法，其特征在于，
包含：
在电子部件(5)的焊盘(6)或权利要求1所述的导电球(1)的至少一方上配置包含第3合金的连接构件(13)的工序；
将上述导电球(1)配置在上述电子部件(5)的焊盘(6)上的工序；以及
加热上述导电球(1)及上述连接构件(13)的工序，
加热上述导电球(1)及上述连接构件(13)的最大温度，是上述导电球(1)的第1合金的液相线温度或更低，而且，是上述连接构件(13)的第3合金的液相线温度或更高。
14.一种电子部件的电极的形成方法，其特征在于，
包含：
在电子部件(5)的焊盘(6)或权利要求1所述的导电球(1)的至少一方上附着焊剂(7)的工序；
将上述导电球(1)配置在上述电子部件(5)的焊盘(6)上的工序；以及
加热上述导电球(1)的工序，
上述焊剂(7)包含0.2重量％以上的卤素元素。
15.一种电子部件，其特征在于，
具有使用了权利要求1所述的导电球(1)的电极(8)。
16.一种电子部件，其特征在于，
具有使用权利要求12所述的电极的形成方法形成的电极(8)。
17.一种电子部件，其特征在于，
具有使用权利要求13所述的电极的形成方法形成的电极(8)。
18.一种电子部件，其特征在于，
具有使用权利要求14所述的电极的形成方法形成的电极(8)。
19.一种电子设备，其特征在于，
包含权利要求15所述的电子部件而形成。
20.一种电子设备，其特征在于，
包含权利要求16所述的电子部件而形成。
21.一种电子设备，其特征在于，
包含权利要求17所述的电子部件而形成。
22.一种电子设备，其特征在于，
包含权利要求18所述的电子部件而形成。
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