CN100529169C - 溅射靶 - Google Patents

Abstract

本申请提供在抽真空或开始溅射时及在溅射过程中不开裂的ITO溅射靶。尤其是没有上述开裂的、靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式ITO溅射靶或长度达宽度4倍以上的细长多段形ITO溅射靶。本发明的溅射靶实际上是在单块衬板上接合由铟、锡和氧构成的多块烧结体而形成的多段靶，其中，所述烧结体的威氏硬度为700以上至800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上至250兆帕以下，并且接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上至1毫米以下，所述多块烧结体中的两块烧结体通过预定间隙相邻接的分割部分的所述间隙的宽度为0.4毫米以上至0.8毫米以下。

Description

溅射靶

本申请是申请日为2002年10月11日、申请号为02143594.4、发明名称为“溅射靶”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在单块衬板上接合制造透明导电薄膜时所用的ITO溅射靶且尤其是多个靶材的多段靶，特别是，本发明涉及靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片型溅射靶以及靶长度是宽度4倍以上的细长多段式溅射靶。

背景技术

ITO(铟锡氧化物)薄膜具有导电性强、穿透性强的特征，由于更容易进行精细加工，所以它被用在液晶显示器(LCD)、PDP(等离子体显示器)等的平板显示器用显示电极中。ITO薄膜的制造方法能够被分为喷射热分解法、CVD法等化学成膜法和电子束蒸镀法、溅射法等物理成膜法。其中，采用ITO靶的溅射法因容易大面积化、所获得的膜的阻值和穿透性的历时变化小并且成膜条件控制容易而被用于许多生产线中。

作为用于ITO薄膜的溅射装置，它们被分成单片式(静止对立型)和串联式(基板直通型)两种。其中，单片式装置因出现异物少而崭露头脚。

随着近年来的平板显示器的大型化，制造显示器面板时所用的玻璃基板的尺寸也增大。因而，制造薄膜时所用的靶的尺寸也按照基板尺寸地逐渐增大。对静止对立型溅射装置来说，由于靶尺寸必须又比基板尺寸大一些，所以靶各边的尺寸可能超过800毫米。另外，在用于基板直通型溅射装置的靶的情况下，靶的纵横比增大，基板增大多少，靶就要纵向延伸多长。

在制造这样的ITO靶的场合下，成形和烧结所需的生产设备要比过去更大型化，因而需要新的设备投资，而且由于粉末成形性随着尺寸大型化而恶化，所以成品率很低，结果，靶制造成本和生产性恶化。因此，作为细长形靶，采用的是在衬板上接合多个靶材的多段式靶。

在衬板上接合ITO烧结体的接合过程是这样的进行的，即在把烧结体和衬板加热到焊剂熔点以上后，用焊剂进行接合，随后进行冷却。在冷却过程中，烧结体和衬板的热膨胀率是不同的，因此，出现了弯曲和开裂。

另外，在把制成的靶安装在溅射装置上以后，出现了在进行抽真空时发生的弯曲和由在溅射过程中发生的热应力引起的开裂的问题。由于靶开裂并且不能被用于溅射，所以存在着导致生产线停工的严重问题。

这样的靶开裂问题随着靶尺寸增大而越发显著。为了解决这样的靶开裂问题，曾提出了规定靶表面的磨削方向并且磨削后的表面粗糙度被进一步规定为5微米以下的方案(特开2001-26863号公报)。这个提案对其中靶长度不到宽度4倍的串联装置用细长靶有效。

但是，当象目前这样尺寸更大型化且长度达到宽度4倍以上时，在上述提案中，又频繁地出现了这样的问题，即在被装到靶装置上后，在抽真空后或在溅射过程中出现了靶开裂。而且，在靶形状近似于正方形的单片式溅射装置中，长轴与短轴之差小的任何方向上，也发生了弯曲，因此，上述提案不一定有效。因而，人们希望研究出一种能够有效地纺织大型的单片式溅射装置用靶以及靶长度达到宽度4倍以上的细长多段式靶开裂的对策。

发明内容

本发明的课题是提供这样的ITO溅射靶，它能够有效地抑制在把靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式ITO溅射靶或长度达到宽度的4倍以上的ITO溅射靶安装在装置上时、抽真空时和/或进行溅射时发生的靶开裂。

本发明人对防止短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式ITO溅射靶及细长多段形ITO溅射靶的靶开裂进行了研究。结果发现，通过(1)提高ITO烧结体温度(2)形成能够吸收由靶产生的应力的靶结构，能够抑制与上述问题有关的开裂发生。确切地说，鉴于在使用威氏硬度、3点抗弯强度具有在预定范围内的值的烧结体的同时能够通过适当取定接合烧结体和衬板的焊剂层的厚度来解决上述问题，由此完成本发明。

另外，本发明对靶全长达宽度4倍以上的细长靶进行了刻苦研究，结果发现了这样的开裂机理，(1)即便在烧结体与衬板接合时不发生弯曲，在随后的操作中(从输送罩中取出并装到装置中的作业中等)，细长靶也剧烈翘曲，(2)在这种操作中的翘曲位于两个方向上(靶面凹弯和靶面隆凸)，(3)所述翘曲为靶面凹弯的场合下，在分割部(两块烧结体以预定间隙邻接的部分)处，烧结体以图1所示截面形状相互接触，(4)如果这些烧结体强烈接触，由其冲击在该部分上产生略微的龟裂，(5)当装上发生所述龟裂的靶时，在抽真空时，靶在大气压下受压，从而靶表面在隆凸方向上弯曲，此时，由龟裂部分产生开裂。过去，由于靶长度不到宽度的4倍，所以操作时的弯曲小，即使相邻烧结体之间相互接触，也不会产生开裂，而当长度变为宽度的4倍以上时，弯曲增大，烧结体之间相互接触，结果产生开裂。

鉴于此，对克服开裂对策进行了研究，结果发现，(1)提高烧结体强度，(2)形成烧结体之间难于相互碰撞的靶结构，(3)形成能够吸收由靶引起的应力的的靶结构，由此能够抑制与上述问题有关的开裂发生。因此，进一步研究的结果是，发现了能够如此解决上述问题并由此完成了本发明，即烧结体的威氏硬度为700以上-800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上-250兆帕以下，两块烧结体以预定间隙邻接的分割部的间隙的宽度为0.4毫米以上-0.8毫米以下，同时，接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上-1毫米以下。

即，本发明涉及这样的溅射靶，它实际上是在单块衬板上接合由铟、锡和氧构成的多块烧结体而形成的多段靶，其特征在于，所述烧结体的威氏硬度为700以上-800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上-250兆帕以下，并且接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上-1毫米以下。

尤其是，本发明涉及靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式溅射靶，它实际上是在单块衬板上接合由铟、锡和氧构成的多块烧结体而形成的多段靶，其特征在于，所述烧结体的成氏硬度为700以上-800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上-250兆帕以下，并且接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上-1毫米以下。另外，本发明涉及靶全长是宽度的4倍以上的细长多段形溅射靶，其中两块烧结体以预定间隙邻接的分割部的所述间隙的宽度为0.4毫米以上-0.8毫米以下。

另外，磨削加工的磨削方向是磨削时的刀尖移动方向，具体地说，例如它是在烧结体表面上形成的筋状磨削痕迹的走向。另外，在3点抗弯强度测定中，与磨削方向平行地施加负荷来测定意味着使3点弯曲实验的力点与所述磨削方向平行，即连接3点弯曲实验的3个力点的直线与所述磨削方向平行。

成为本发明研究对象的单片式靶以及细长多段形靶一般成长方形或近似长方形的形状。近似长方形的形状包括长方形各角经过R倒角加工的情况。作为这样的单片式溅射靶，能够举出810毫米×910毫米的例子，例如如图2所示的270毫米×455毫米的烧结体被分割成每3片并成2列的形式。这样，在本发明的溅射靶中，也能够有效地防止靶长轴的长度在800毫米以上的大型单片式溅射靶开裂。另外，作为细长的多段靶，它通常具有在其长度方向两端上的烧结体厚的且如图3的侧视图所示的结构。尺寸例如可以是300毫米×1780毫米。这样，在本发明的溅射靶中，也能够有效地防止全长是宽度的4倍以上的细长多段形靶开裂，能轻松地获得全长达1200毫米以上的细长多段形靶。

根据本发明，能够有效地抑制在抽真空时或溅射时发生的开裂，因此，能够容易地得到在抽真空或溅射开始时及溅射过程中不开裂的ITO溅射靶。尤其是，能够容易地得到在抽真空时或开始溅射时及在溅射过程中不开裂的、靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式ITO溅射靶或长度达到宽度4倍以上的细长多段形ITO溅射靶，可以在大型基板上高速形成ITO膜。

附图说明

图1是表示过去的多段式靶的靶面成凹弯时的多段部周边的截面图。

图2表示单片式多段靶形式的一个例子。

图3表示本发明的细长形多段ITO靶的形状的一个例子，其中(a)是侧视图，(b)是平面图。

图4是表示对烧结体溅射面与构成分割部的烧结体侧面相交的端部进行倒角时的分割部周边的截面图。

图5是表示分割部空隙宽度增大时的分割部周边的截面图。

符号说明

1-烧结体；2-衬板；3-分割部空隙的宽度；4-磨削方向；5-进行倒角加工的烧结体端部；

具体实施方式

以下详细说明本发明。

本发明所用的ITO烧结体及其制造方法是威氏硬度为700以上-800以下的烧结体及获得这样的烧结体的制造方法，它们不特定于某种烧结体和方法，例如，能够用以下方法制成。

首先，在由氧化铟粉末和氧化锡粉末组成的混合粉末中加入粘合剂等，通过压制法或浇铸法等成形方法进行成形，从而制成ITO成形体。作为成形方法，可以使用压制法或浇铸法，但优选容易获得致密成形体的铸造法。此时，所用粉末的平均粒径最好为1.5微米以下并更好地是0.1微米-1.5微米。混合粉末中的氧化锡含量最好是在用溅射法制造薄膜时降低电阻率的5重量％-15重量％。

接着，如果需要，对所获得的成形体进行CIP等压实处理。此时，为获得足够好的压实效果，CIP压力最好为2吨/平方厘米以上并优选为2吨/平方厘米-3吨/平方厘米。在这里，如果最初的成形是通过浇铸法进行的，则为了除去残留于CIP后的成形体中的水分和粘合剂等有机物，可进行除粘合剂处理。而在最初成型通过压制法进行的场合下，在成形时使用粘合剂的情况下，也希望进行同样的除粘合剂处理。

把这样获得的成形体投入烧结炉中并进行烧结。作为烧结方法，只要是能获得所需物理性能的方法就可使用，但考虑到生产设备成本等，优选大气烧结方式。虽然能够适当选择烧结条件，但为了获得致密烧结体以及抑制氧化锡的蒸发，优选烧结温度为1450℃-1650℃。至于气氛，在从至少在升温时达到800℃的时刻起到结束保持烧结温度时间的期间内的烧结炉中，实质上存在纯氧气氛，而当在输入氧时的氧流量(升/分钟)与成形体成品重量(公斤)之比(成品重量/氧流量)为1.0以下时，使靶进一步变得致密。另外，为了获得充分的硬度提高效果，烧结时间最好为5小时并优选地为5小时-30小时。通过设定这样的条件，能够获得致密的ITO烧结体。如此获得的ITO烧结体的威氏硬度为700以上-800以下。

接着，把所获得的ITO烧结体加工成预定形状并制作出构成多段ITO靶的每个靶材。没有特殊限定各靶材的尺寸和形状。

接着，为了调节各靶材的厚度，进行平面磨削加工。当进行平面磨削时，被分割开的各靶材表面的磨削方向是这样的，即其与组装成靶的多段靶的长边或短边相差±10度以内，但最好是在±5度以内，最佳地是在±1度以内。在这里，磨削方向是指通过平面磨削轮在烧结体表面上形成磨削痕迹的磨削痕方向。这样一来，提高了抗裂强度。而且，溅射面的表面粗糙度Ra被调节到0.1微米以下。当对烧结体表面进行平面磨削加工时，烧结体的3点抗弯强度取决于磨削后的表面粗糙度。通过使威氏硬度达到700以上的的烧结体的加工后的表面粗糙度Ra达到0.1微米以下，可以使与磨削方向平行地施加负荷地测定的3点抗弯强度达到200兆帕以上-250兆帕以下。

另外，形成细长多段式靶的烧结体的溅射面与构成分割部的烧结体侧面相交的短部被倒交成R1-R2或C1-C2。由此一来，即便溅射面与图1一样地是凹形的并且靶剧烈弯曲，由于对易于首先接触的端部进行倒角加工(图4中带符号5的部分)，所以，烧结体端部的接触变难并由此能够防止靶开裂。此外，分割部是这些设置于衬板上的烧结体相互邻接的部分，是由邻接的烧结体的侧面和其间的空隙构成的部分。

在制作靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式溅射靶的场合下，所获得多个靶材被安放在一块由无氧铜等构成的衬板的预定位置上并用铟焊剂等进行接合。此时，焊剂层的厚度被调整到0.5毫米以上-1.0毫米以下。如果焊剂层厚度在0.5毫米以上，则由靶引起的应力可被焊剂层吸收，开裂率降低。但如果在1.0毫米以上，则不理想地过度增大了靶总厚度。焊剂层厚度被控制在0.5毫米以上-1.0毫米以下的方法例如可以是在焊剂层中插入有预定厚度的中间物的方法。就是说，例如为了把焊剂层厚度控制在0.5毫米，把厚为0.5毫米的中间物插入焊剂层中。金属线例如能被用作中间物。

在制作靶长度达到宽度4倍以上的细长靶的场合下，所获得的多个靶材被安放在一块由无氧铜等构成的衬板的预定位置上并且用铟焊剂等进行接合，但此时，分割部(两块烧结体通过预定空隙相邻的部分)的空隙的宽度(图中用符号3表示的部分)取0.4毫米以上-0.8毫米以下。通过取值为0.4毫米以上，即便溅射面是凹弯的并且靶剧烈弯曲，也因烧结体端部不接触而能够靶开裂(在图5中示出了截面图)。不过，如果超过0.8毫米，则在膜中恐怕会混入是衬板材料的铜等杂质。另外，与单片式溅射靶的理由一样地，被用于在衬板上接合烧结体的焊剂层的厚度被调整到0.5毫米以上-1.0毫米以下。另外，将焊剂层的厚度控制到0.5毫米以上-1.0毫米以下的方法也与单片式溅射靶时一样。

这样制成的靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式溅射靶及靶长度是宽度4倍以上的细长靶能够有效地抑制在被装到真空装置上后、抽真空时和/或溅射时所发生的靶开裂。

另外，本发明所说的威氏硬度的定义及测定方法与JIS-R1610-1991所述的一样，3点抗弯强度的定义及测定方法与JIS-R1601-1991所述的一样，表面粗糙度的定义和测定方法与JIS-B0601-1994所述的一样。

【实施例】

以下描述本发明的实施例，但本发明不局限于此。另外，在实施例和比较例中，从威氏硬度、3点抗弯强度被预先制造得略高的成形体中切出样片并进行测定。

首先，示出了与单片式ITO溅射靶相关的实施例和比较例。

实施例1

在加入铁心尼龙球的罐中，在平均粒径为1.3微米的90重量％的氧化铟粉末和平均粒径为0.7微米的10重量％的氧化锡粉末中加入分散剂、粘合剂及离子交换水并调整出浆液。在所获得的浆液充分脱泡后，进行采用树脂模的压力铸造成形并获得成形体。进行在3吨/平方厘米的压力下对该成形体进行CIP致密处理。接着，把该成形体安放在纯氧气氛的烧结炉中并在以下条件下进行烧结。

(烧结条件)

烧制温度：1500℃，升温速度：30℃/小时，烧结时间：15小时，气氛：在从升温时的800℃到降温时的400℃的时间里，炉内是纯氧气氛，(成品重量/氧流量)＝0.8地输入。

所获得的烧结体的威氏硬度经测定为720。所获得的烧结体被加工成如图2所示的455毫米×270毫米的矩形并制作出各靶材。此时，在图2下端的双箭头所示的方向上用800#磨石对各烧结体的溅射面上进行磨削加工。所获得的烧结体的表面粗糙度Ra经测定为0.07微米。比时的与磨削方向平行地施加负荷地测定的3点抗弯强度为210兆帕。

在如此获得的各靶材和衬板被加热到160℃后，在各自的接合面上涂上铟软焊剂。此时，在衬板上设置直径为0.5毫米的镍线，通过两侧夹持镍线地接合烧结体和衬板，把焊剂层厚度调整到0.5毫米。在就这样地依次把六块烧结体安放在衬板的如图2所示的预定位置上后，将其冷却到室温并获得靶。

把这样获得的两块靶分别设置在真空装置中，在抽真空后并在输入氩气和氧气的情况下进行溅射。在使用这两块靶中的任何一块的场合下，都没有发现靶开裂。

实施例2

除了烧制温度在1600℃以外，在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得的烧结体的威氏硬度经测定为760。用与实施例1一样的方法加工所获得的烧结体。Ra为0.06微米，同样测定的3点抗弯强度为230兆帕。

接着，按照与实施例1一样的方法，制造焊剂层厚度为0.5毫米的ITO靶。按照与实施例1一样的方法，分别对所获得的两块靶进行溅射，任何一块靶都没有出现开裂。

实施例3

除了焊剂层厚度为0.8毫米以外，通过与实施例2一样的方式制造ITO靶。通过与实施例1一样的方式，分别对所获得的两块靶进行溅射，任何一块靶都没有发生开裂。

比较例1

按照与实施例1一样的条件制作ITO烧结体。所获得的烧结体的威氏硬度经测定为760。在把所获得的烧结体加工成理想形状后，除了用400#磨石外，通过与实施例1一样的方法进行磨削。所获得的烧结体的Ra为0.6微米，与磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为190兆帕。

接着，通过与实施例1一样的方法，制作焊剂层厚度为0.5毫米的ITO靶。通过与实施例1一样的方法，分别溅射所获得的两块靶，溅射开始后1小时，两块靶都出现了开裂。

比较例2

在烧制时，除了输入炉内的氧量(成品重量/氧流量)＝1.2外，在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得的烧结体的成氏硬度经测定为690。通过与实施例1一样的方法加工所获得的烧结体。Ra为0.09微米，同样测定的3点抗弯强度为190兆帕。

接着，通过与实施例1一样的方法，制作出焊剂层厚度为0.5毫米的ITO靶。通过与实施例1一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，在溅射开始后1小时，两块靶都出现了开裂。

比较例3

在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得烧结体的成氏硬度经测定为760。通过与实施例1一样的方法加工所获得的烧结体。Ra为0.07微米，同样测定的3点抗弯强度为210兆帕。

接着，除了焊剂层厚度为0.3毫米以外，通过与实施例1一样的方法制造ITO靶。通过与实施例1一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，在溅射开始后1小时，两块靶都出现了开裂。

接着，说明与细长多段形ITO溅射靶有关的实施例和比较例。

实施例4

在与实施例1一样的条件下制作烧结体。所获得的烧结体的成氏硬度经测定为720。把所获得的烧结体加工成如图3所示的预定形状并由此制成各靶材。此时，在图3中用4表示的双箭头方向上，用800#磨石磨削各烧结体的溅射面。所获得的烧结体的表面粗糙度Ra经测定为0.07微米。此时与磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为210兆帕。

在如此获得各靶材和衬板被加热到160℃后，在各自的接合面上涂上铟软焊剂。此时，在衬板上布置0.5毫米粗细的镍线，通过两侧夹持该镍线地接合烧结体和衬板，把焊剂层的厚度调整到0.5毫米。在就这样依次把烧结体布置在衬板的预定位置上后，将其冷却到室温并获得靶。冷却后的烧结体之间的宽度(分割部间隙宽度)为0.4毫米。

如此获得的两块靶被依次安置在真空装置中，在抽真空后并在输入氩气和氧气的情况下进行溅射。没有发现靶开裂。

实施例5

除了烧制温度为1600℃外，在与实施例4一样的条件下制作ITO烧结体。所获得的烧结体的成氏硬度经测定为760。通过与实施例4一样的方法加工所获得的烧结体。Ra为0.06微米，3点抗弯强度为230兆帕。

接着，通过与实施例4一样的方法，制作出焊剂层厚度为0.5毫米的、冷却后的的烧结体间隙宽度为0.4毫米的ITO靶。通过与实施例4一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，而靶没有开裂。

实施例6

除了焊剂层厚度为0.8毫米、冷却后的烧结体间隙宽度为0.7毫米外，通过与实施例5一样的方法制造ITO靶。通过与实施例4一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，而在靶上没有出现裂纹。

比较例4

在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得的烧结体的威氏硬度经测定为760。在把所获得的烧结体加工加工成理想形状后，除了用400#磨石外，通过与实施例4一样的方法进行磨削加工。所获得的烧结体的Ra为0.6微米，3点抗弯强度为190兆帕。

接着，通过与实施例4一样的方法，焊剂层厚度为0.5毫米且冷却后的烧结体间隙宽度为0.4毫米地制造ITO靶。通过与实施例4一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，而在溅射开始后的1小时，两块靶出现开裂。

比较例5

除了在烧制时输入炉内的氧量(成品重量/氧流量)为1.2以外，在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得的烧结体的威氏硬度经测定为690。通过与实施例4一样的方法，加工所获得的烧结体。Ra为0.09微米，3点抗弯强度为190兆帕。

接着，通过与实施例4一样的方法，制造出焊剂层厚度为0.5毫米且冷却后烧结体间隙宽度为0.4毫米的ITO靶。在通过与实施例4一样的方法依次溅射所获得的两块靶的情况下，在开始溅射后1小时，两块靶出现开裂。

比较例6

在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得的烧结体的威氏硬度经测定为760。通过与实施例4一样的方法加工所获得的烧结体。Ra为0.07微米，3点抗弯强度为210兆帕。

接着，除了冷却后的烧结体间隙宽度为0.2毫米外，通过与实施例4一样的方法制造ITO靶。

通过与实施例4一样的方法，依次溅射所获得的两块靶，其中一块在抽真空的情况下开裂，另一块也在溅射开始后1小时开裂。

比较例7

在与实施例1一样的条件下制造ITO烧结体。所获得烧结体的威氏硬度经测定为760。通过与实施例4一样的方法，加工所获得的烧结体。Ra为0.07微米，3点抗弯强度为210兆帕。

接着，除了焊剂层厚度为0.3毫米以外，通过与实施例4一样的方法制造ITO靶。在通过与实施例4一样的方法溅射所获得的两块靶的情况下，在开始溅射后1小时，两块靶都出现裂纹。

Claims (4)

1、溅射靶，它实际上是在单块衬板上接合多块由铟、锡和氧构成的烧结体而形成的多段靶，其特征在于，所述烧结体的威氏硬度为700以上至800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上至250兆帕以下，并且接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上至1毫米以下，所述多块烧结体中的两块烧结体通过预定间隙相邻接的分割部分的所述间隙的宽度为0.4毫米以上至0.8毫米以下。

2、如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶是靶短轴是长轴的0.7倍至1.0倍的单片式溅射靶。

3、如权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，所述长轴的长度为800毫米以上。

4、如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶是靶全长是宽度的4倍以上的细长多段形溅射靶。

Images