CN100527454C - 光电子部件以及用于光电子部件的壳体 - Google Patents

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Abstract

光电子部件，包括：半导体芯片(1)，它适于发射初级电磁辐射；壳体基体(3)，它具有用于容纳半导体芯片(1)的凹进部分(31)和用于半导体芯片(1)的电连接的电连接线(32，33)，它们一方面分别与半导体芯片(1)的电接触部(11，12)导电连接，并且另一方面分别具有可从外部接触的连接面(34，35)；以及芯片封装元件(4)，它将在凹进部分中的半导体芯片(1)包围。所述壳体基体(3)至少对于初级电磁辐射的一部分是至少部分地可穿透的，并且半导体芯片(1)的光轴(13)延伸穿过所述壳体基体(3)，使得由半导体芯片(1)发出的初级电磁辐射的大部分被射入壳体基体(3)中。所述壳体基体(3)包含发光转换材料(5)，它适于将初级电磁辐射的至少一部分转换为具有相对于所述初级电磁辐射至少部分改变了的波长的次级辐射(6)，并且壳体基体(3)在部件的工作中发射混合辐射，该混合辐射包括穿过所述壳体基体(3)的初级电磁辐射和由发光转换材料(5)发射次级辐射(6)。

Description

光电子部件以及用于光电子部件的壳体
本发明涉及一种光电子部件以及用于光电子部件的壳体。
在引线框架-技术中可表面安装(SMD)的发光二极管-部件(LED)多次地被安装到在引线框架上预制的压铸的或者注塑的塑料壳体中，在那里与电连接导体相连接，并且为了防止外部的有害影响而被用透明的填料密封，在LED的工作中，光穿过该填料被耦合输出。
特别是在所谓的转换LED(Konversion-LED)中，在其中由半导体芯片所发出的辐射(以下称为初级电磁辐射)的至少一部分由在填料中的荧光物质转换为具有相对于初级电磁辐射至少部分地改变的波长的辐射，将所设定的量的荧光物质引入到所设定的位置上去在技术上通常是困难的。尤其名义上彼此类似的半导体芯片的波长分布以及亮度分布造成困难。此外的技术问题是，在将填料施加到芯片上之后经常会观察到发光物质的偏析效应(Segregationseffekte)。上述的方面会不可忽略地导致在传统的转换LED的辐射特性方面中的不均匀性并且影响在大量制造中的产量。
已知的转换LED例如在文献WO 97/50132 A1，WO 98/12757 A1和WO01/50540 A1中被描述。
本发明的任务尤其在于，提供一种光电子部件，其中可以以技术上尽可能简单的手段实现大量制造中可再现的辐射特性。
在按照本发明的光电子部件中，设置了半导体芯片和发光转换材料，该芯片或该材料适于，发射初级电磁辐射或者吸收初级电磁辐射的至少一部分并且发射具有相对于初级电磁辐射至少部分改变了的波长的次级辐射。
此外，还设置了壳体基体，它具有用于容纳半导体芯片的凹进部分和用于半导体芯片的外部电连接的电连接线，它们一侧分别与半导体芯片的电接触部导电连接并且另一侧分别具有可从外部接触的连接面。
半导体芯片被安装在凹进部分中并且以芯片封装元件包围，该芯片封装元件应该保护半导体芯片免受有害的环境影响。半导体芯片例如有利地借助硅树脂物质被安装在所述凹进部分中。芯片封装元件可以例如有利地包括硅树脂物质。但是同样可以想到的是，芯片封装元件包括基于环氧树脂和/或PMMA的材料，以便实现例如对于机械影响的改善的保护。芯片封装元件例如还可以包含基于环氧树脂-硅树脂-混合材料的材料，具有例如百分之五十的环氧树脂成分和百分之五十的硅树脂成分。
所述壳体基体至少对于初级电磁辐射的一部分是光学可穿透的并且半导体芯片的光轴延伸穿过壳体基体，使得由半导体芯片发出的初级电磁辐射的大部分被射入壳体基体中。该光轴在当前是由半导体芯片发出的辐射锥的中心轴。概念“光学可穿透”在宽泛意义上包括透明、半透明、具有分散剂的穿透性以及其它类型的光学穿透性。
发光转换材料被嵌入到壳体基体中，并且适于将初级电磁辐射的至少一部分转换为具有相对于初级电磁辐射至少部分改变了的波长的次级辐射。对于适合的发光转换材料例如在文献WO 97/50132 A1，WO 98/12757 A1和WO 01/08452 A1中被给出，它们的公开内容明确地通过参考被包含于此。
在部件的工作中，壳体基体发出电磁辐射，其包含穿过该壳体基体的初级电磁辐射和由发光转换材料发射的次级辐射。
在壳体基体的一种有利的实施形式中，它包括借助注塑或压铸方法预制的塑料造型体。
在一种另外的有利的实施形式中，壳体基体包括由玻璃和/或辐射能穿透的陶瓷构成的预制的造型体。
有利的，壳体基体包括射束成形的光学元件和/或本身被构造为射束成形的光学元件。
在所述部件的一种有利的改进方案中，壳体基体具有远离凹进部分的外部层和包括凹进部分的内部层，在它们之间存在一个转换层，其包含发光转换材料。
在此，转换层的厚度和/或形状可有利地相应于半导体芯片的在辐射立体角上不均匀的辐射特性来适配地被构造。
按照本发明的构型特别适于在其中初级电磁辐射包括紫外辐射和/或短波的蓝辐射的部件。
在部件的一种有利的扩展方案中，壳体基体在金属的电引线框架的电连接线上被模制，这些引线框架例如借助接合线与半导体芯片的电接触面相连接。
在按照本发明的部件和壳体中，预制的壳体基体用于光输出耦合，而不是像传统的那样使用预制的壳体基体的被透明浇铸的凹进部分。对此，预制的壳体基体由光学可穿透的物质制造。此外，发光转换材料可以以限定的量和形式被引入到所述物质中。
以这样的结构形式在壳体基体中辐射的半导体芯片被设置在壳体基体的凹进部分中并被固定在那里。在朝着壳体基体的一侧上具有电接触部的半导体芯片中，这有利地例如通过使用透明的导电胶来实现。在背离壳体基体的一侧上具有两个接触部的半导体芯片(例如基于氮化物-III/V化合物半导体材料的、具有透明衬底如蓝宝石衬底的半导体芯片)中，可例如借助硅树脂物质实现半导体芯片的固定。
硅树脂物质的优点尤其在于，其相对于UV辐射和/或短波长的蓝辐射的稳定性。在凹进部分中，半导体芯片从其背面地被一种物质包围，所述物质在对于有害的环境影响的抵抗性方面可被优化并且其光学特性是不重要的。
所述部件的一个特别的优点在于，壳体基体包括发光转换材料可以以技术上相较而言简单的方式与各给出的芯片特性相匹配。存在这样的可能性：在半导体芯片被安装入之前，将发光转换材料以限定的形状、数量和厚度事先集成在壳体基体中。在将半导体芯片引入之后，将来的部件的光学特性已经被确定了，这样半导体芯片仅仅还需要与电连接导体电连接。
以当前在大量制造中可用的安装技术，半导体芯片的放置精度根据建造速度而在40-70μm向下直至5μm的量级。该放置精度与预制的壳体基体的预制的光学系统组合有利地实现了LED部件的非常精确地限定的辐射特性。
另一个重要的优点在于，按照本发明的壳体方案开辟了这种可能性，即将抗辐射的材料(例如玻璃)与短波长发射器、即发射紫外辐射和/或短波长的蓝辐射的半导体芯片相结合。
本发明的其它的优点、有利的实施形式和改进方案由下面结合附图1至4所描述的实施例得到。
其中：
图1示出了第一实施例的示意性剖面图，
图2示出了第二实施例的示意性剖面图，
图3示出了第三实施例的示意性剖面图，
图4示出了第四实施例的示意性剖面图，
在这些实施例和所属的图中，相同的或起相同作用的组成部分分别被设置了相同的参考标号。图中所示的元件、特别是层厚，不能被看作是比例正确的。相反，为了更好的理解它们可部分夸大地被示出。
在按照图1的实施例中，是一个截球状成形的壳体基体3，带有在壳体基体3的背离所述截球状弯曲的表面的一侧上的凹进部分31。发光转换材料5以转换层51的形式被嵌入到壳体基体3中，该转换层51平行于截球状弯曲的表面而延伸。也就是说，转换层(51)例如具有与截球状弯曲的表面相同的或者基本相同的曲率。壳体基体3由于其截球状的形状而用作辐射束的输出耦合光学系统。
壳体基体3例如由被注塑或压铸地预制的造型体构成，该造型体由透明的塑料、由玻璃或者由透明陶瓷制成。
壳体基体3具有远离凹进部分31的外部层和包括凹进部分的内部层，在它们之间存在转换层51，其具有发光转换材料5。按照至少一个实施例，在此，所述内部和外部层不含发光转换材料。
对于适合的发光转换材料例如在WO 97/50132 A1，WO 98/12757 A1和WO 01/08452 A1中被给出，并且因此在该处不再详细阐述。
凹进部分31仅仅稍稍大于发射辐射的半导体芯片1地被确定尺寸。例如，凹进部分31比发射辐射的半导体芯片1最高大百分之10地被确定尺寸。优选的是，凹进部分31比发射辐射的半导体芯片1最高大百分之7地被确定尺寸。特别优选的是，凹进部分31比发射辐射的半导体芯片1最高大百分之2.5地被确定尺寸。发射辐射的半导体芯片1例如基于氮化物-III/V化合物半导体材料，并且在工作中主要发出紫外的和短波长的蓝辐射。例如在发射辐射的半导体芯片1中，在其背离壳体基体3的背面上例如设置p-侧的电连接面和n-侧的电连接面。这样的半导体芯片1对技术人员是已知的并且由此在此处不详细阐述。这样的半导体芯片例如在文献EP 599224 A1和EP 622 858 A2中被描述，其公开内容明确地通过参考被包含于此。
半导体芯片1借助由透明的硅树脂制成的连接层7这样地被固定在凹进部分31中，使得该半导体芯片首先将辐射发射到壳体基体3中。半导体芯片1的光轴13延伸穿过壳体基体3。
在壳体基体33的背面上，电连接线32、33从壳体基体3的外部向凹进部分31延伸，半导体芯片1的电接触部11、12与它们导电连接。例如如图1所示，这可借助由半导体材料制成的支承板8来实现，该支承板在半导体芯片1的p接触面和与其对应的连接线32之间具有p导电掺杂的区域81，并且在半导体芯片1的n接触面和与其对应的连接线33之间具有n导电掺杂的区域82。在半导体芯片1的接触面和对应的掺杂区域81、82之间的导电连接可以例如借助ITO层和/或导电的Zno层来制造。由其他的TCO(Transparent conductive oxide透明导电氧化物)材料制成的层也是可能的。
替代地，在半导体芯片1的接触面和连接线32、33之间的电连接例如可借助接合线2(参见图2)或者借助金属膜或者借助合适的另外的手段来实现。
用于半导体芯片1的电连接的电连接线32、33是自支承的(selbsttragende)金属的片条，它们一侧分别与半导体芯片1的电接触部11、12导电连接，并且另一侧分别具有可从外部接触的连接面34、35。它们在壳体基体的外部被这样地成形，例如翼状地成形，使得部件可表面安装。
在使用半导体芯片1时，在其中n-侧的和p-侧的电连接面位于半导体芯片1的彼此相对的主面上，例如在凹进部分中设置了电连接轨、例如金属的印制导线，以便将朝向壳体基体3的连接面与连接导体32、33相连接。
将包括支承板8的半导体芯片1密封的塑料物质4位于壳体基体3的背面上，其材料例如可基于环氧树脂或基于PMMA并且可被构造得吸收辐射和/或反射辐射。
按照图3的实施例与前面所描述的区别在于，发光转换材料5不是被嵌入壳体基体3中，而是被包含在凹进部分31中的在半导体芯片1和壳体基体3的造型体之间的转换层51中。该转换层例如可以包含基于硅树脂的基质，发光转换材料5被嵌入其中。但是，也可使用基于玻璃或者辐射可穿透的陶瓷的基质。
替代地，如图4所示，凹进部分31的内表面被以发光转换材料5涂层。在半导体芯片1和发光转换材料5之间保留的中空则有利地被以透明的填充物质例如硅树脂填满。
在所有的实施例中，可以以技术上相比而言简单的方式相应于半导体芯片1的在辐射立体角上不均匀的辐射特性来匹配地构造转换层51的厚度和/或形状。
本发明自然不限制于详细描述的实施例。相反，本发明也包括每个新的特征以及这些特征的任何组合，这尤其包含技术人员可推断的在不同的权利要求中的特征的任何组合，即使这些特征或这些组合没有明确地在权利要求中给出。
该专利申请请求德国专利申请102004047640.3-33的优先权，它的公开内容通过参考被包含于此。

Claims (16)

1.一种光电子部件，包括：
半导体芯片(1)，它适于发射初级电磁辐射，
壳体基体(3)，它具有用于容纳所述半导体芯片(1)的凹进部分(31)，并且所述壳体基体模制在用于电连接所述半导体芯片(1)的、金属的电引线框架的电连接线(32，33)上，其中所述连接线(32，33)一侧分别与所述半导体芯片(1)的电接触部(11，12)导电连接，并且另一侧分别具有能够从外部接触的连接面(34，35)，和
芯片封装元件(4)，它将在所述凹进部分中的所述半导体芯片(1)包围，
其中：
所述壳体基体(3)至少对于所述初级电磁辐射的一部分是至少部分地可穿透的，并且所述半导体芯片(1)的光轴(13)延伸穿过所述壳体基体(3)，使得由所述半导体芯片(1)发出的初级电磁辐射的大部分被射入所述壳体基体(3)中，
所述壳体基体(3)包含发光转换材料(5)，它适于将所述初级电磁辐射的至少一部分转换为具有相对于所述初级电磁辐射至少部分改变了的波长的次级辐射(6)，并且
所述壳体基体(3)在所述部件的工作中发射混合辐射，该混合辐射包括穿过所述壳体基体(3)的初级电磁辐射和由所述发光转换材料(5)发射的次级辐射(6)。
2.根据权利要求1所述的光电子部件，其中
所述壳体基体包括借助注塑或压铸方法预制的塑料造型体。
3.根据权利要求1所述的光电子部件，其中
所述壳体基体包括由玻璃或辐射能穿透的陶瓷制成的预制的造型体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子部件，其中
所述壳体基体包括射束成形的光学元件。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子部件，其中
所述壳体基体具有远离所述凹进部分的外部层和包括所述凹进部分的内部层，在它们之间存在转换层(51)，其具有所述发光转换材料(5)。
6.根据权利要求5所述的光电子部件，其中
所述外部层和内部层不含发光转换材料。
7.根据权利要求5所述的光电子部件，其中
所述转换层(51)的厚度和/或形状相应于所述半导体芯片的在辐射立体角上不均匀的辐射特性而匹配地被构造。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子部件，其中
所述初级电磁辐射包括紫外辐射和/或短波的蓝辐射。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子部件，其中
其中所述发光转换材料(5)被嵌入到所述壳体基体(3)中。
10.一种用于光电子半导体芯片的壳体，所述半导体芯片适于发射初级电磁辐射，所述壳体具有壳体基体，所述壳体基体具有用于容纳所述半导体芯片的凹进部分，并且所述壳体基体模制在用于电连接所述半导体芯片的、金属的电引线框架的电连接线上，其中所述壳体基体至少对于所述初级电磁辐射的一部分是至少部分地可穿透的，并且发光转换材料被嵌入到其中，所述发光转换材料适于将所述初级电磁辐射的至少一部分转换为具有相对于所述初级电磁辐射至少部分改变了的波长的次级辐射。
11.根据权利要求10所述的壳体，其中
所述壳体基体包括借助注塑或压铸方法预制的塑料造型体。
12.根据权利要求11所述的壳体，其中
所述塑料造型体被制模到金属的电引线框架上。
13.根据权利要求10所述的壳体，其中
所述壳体基体包括由玻璃或辐射能穿透的陶瓷制成的预制的造型体。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的壳体，其中
所述壳体基体包括射束成形的光学元件。
15.根据权利要求10至13中任一项所述的壳体，其中
所述壳体基体具有远离所述凹进部分的外部层和包括所述凹进部分的内部层，在它们之间存在转换层，其具有发光转换材料(5)。
16.根据权利要求15所述的壳体，其中
所述外部层和内部层不含发光转换材料(5)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004047640A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
CN101467270B (zh) 2006-06-14 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光装置
DE102007006349A1 (de) * 2007-01-25 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
DE102008005344A1 (de) * 2007-09-21 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
DE102007059548A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Auskoppellinse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN101952775B (zh) * 2008-01-31 2012-02-15 奥斯兰姆有限公司 灯外壳单元
US9059074B2 (en) * 2008-03-26 2015-06-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with planar interconnect
DE102008025756B4 (de) 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
DE102008045331A1 (de) * 2008-09-01 2010-03-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20120250320A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Xicato, Inc. Color conversion cavities for led-based illumination modules
CN104620380B (zh) 2012-09-11 2017-12-22 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电装置的方法以及光电装置
DE102013106688B4 (de) * 2013-06-26 2017-08-24 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
EP3022779B1 (en) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
DE102013107862A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102015214588A1 (de) * 2015-07-31 2017-02-02 Robert Bosch Gmbh Anordnung zum Messen einer Drehzahl, insbesondere eines Turboladers eines Kraftfahrzeugs

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
EP1450415A3 (en) 1993-04-28 2005-05-04 Nichia Corporation Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
EP2267801B1 (de) * 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3282176B2 (ja) * 1997-07-14 2002-05-13 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
US6429461B1 (en) * 1998-10-19 2002-08-06 Rohm Co., Ltd. Surface light emitting devices
JP3474118B2 (ja) 1998-11-26 2003-12-08 シャープ株式会社 発光ダイオードとその点灯方法
JP2000164939A (ja) * 1999-01-01 2000-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2000347601A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
JP2003505582A (ja) * 1999-07-23 2003-02-12 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光源用発光物質および発光物質を有する光源
EP1119058A4 (en) * 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
DE10065381B4 (de) * 2000-12-27 2010-08-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10101554A1 (de) * 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
JP3900848B2 (ja) * 2001-03-23 2007-04-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP3862980B2 (ja) * 2001-08-23 2006-12-27 Ｔｄｋ株式会社 整流回路及びこれを備えるスイッチング電源装置
US6812503B2 (en) * 2001-11-29 2004-11-02 Highlink Technology Corporation Light-emitting device with improved reliability
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4122791B2 (ja) 2002-02-14 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
DE10261428B8 (de) * 2002-12-30 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiter-Bauelement mit mehrfachen Lumineszenz-Konversionselementen
JP4254276B2 (ja) * 2003-03-03 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
EP1455398A3 (en) * 2003-03-03 2011-05-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
DE102004047640A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement

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