CN100514558C - 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层；在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。

Description

一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法
技术领域
本发明涉及一种p型氮化镓(p-GaN)，尤其是涉及一种用p-A1GaN/p-InGaN超晶格作为顶层的p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。
背景技术
近年来，宽阱带半导体材料GaN基由于其在短波长发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率器件方面有广泛的应用前景而备受关注，发展十分迅速。而这些器件都涉及到P型欧姆接触，但良好的P型欧姆接触一直是制约其进一步发展的主要因素之一。GaN基材料的低阻P型欧姆接触主要受到以下两个方面的制约：缺乏合适的接触金属材料，p-GaN材料的功函数很大(7.5eV)，而功函数最大的金属Pt也只有5.65eV；很难获得高浓度P型掺杂GaN基材料(p型GaN浓度>1018cm-3)；除此之外，金属化工艺(包括表面处理，金属沉积和合金化处理)的条件也会影响p-GaN的接触电阻。
目前国内外工业化生长p型GaN基材料大都采用MOCVD中掺Mg，再置于N2气氛中在700～800℃下退火的方法，获得1017cm-3量级较低的空穴浓度，而且此方法由Nakamura等人提出来的(Nakamura S，Iwata N，Senoh M，et al.Hole compensation machanism of p-type GaNfilms[J].Jpn.J.Appl.Phys.，1992，31：1258)。国际国内都在尝试新的方法，如分子束外延(MBE)法、ECRMBE法、离子注入法、高压生长法、闭管扩散法和共掺法等。但这些方法因工艺或设备复杂、引入缺陷。
目前从网上查找到国内主要的厂家p-GaN的比接触电阻都仅在10-2Ωcm2数量级。这是因为缺乏功函数足够高的金属和p-GaN空穴浓度太低，只有p型GaN重掺杂时才可形成欧姆接触。国内外很多研究小组不断地探索用新方法：1999年Jin-Kuo Ho(Ho J K，Jong C S，Huang C N et al.Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Aufilms[J].Appl.Phys.Lett.，1999；86(8)：4491～4497)等人用Ni/Au作接触金属，在氧气氛下500℃退火，得到4×10-6Ωcm2的接触比电阻，但Au基接触的热稳定性通常较差；同年Suzuki(Suzuki M，Kawakami T，Arai T et al.Low-resistance Ta/Ti Ohmic contacts for p-typeGaN[J].Appl.Phys.Lett.，1999；74(2)：275～277)等采用Ta/Ti方案，经热退火后得到低阻3×10-5Ωcm2，然而这种接触在空气中会变质；2000年Jang等(Jang J S，Park S J，Seong T Y etal.Low resistance and thermally stable Pt/Ru Ohmic contacts to p-type GaN[J].Physica StatusSolidi(A)Applied Research，2000；180(1)：103～107)采用Pt/Ru与p-GaN接触，经热退火得到低阻2.2×10-6Ωcm2，这些是目前几个较好的结果。2003年北京大学宽禁带半导体研究中心的Z.Z.Chen(Z.Z.Chen，Z.X.Qin，Y.Z.Tong，，X.D.Hu，J.J.Yu，Z.J.Yang，X.M.Ding.Z.H.Li，[J]MaterialsScience and Engineering BIOO(2003)199-2003)等人做了相似的工作但没有得到上述水平。2003年台湾清华大学的S.H.Liu(Liu，S.H.Hwang，J.M.；Hwang，Z.H.；Hung，W.H.；Hwang，H.L.Source：Applied Surface Science，v 212-213，n SPEC.，May 15，2003，p 907-911)等人用Ni/Cu作为接触金属，N2保护下退火，得到接触比电阻的最佳值为1.31×10-4Ωcm2。还有研究小组采用其它方法获得了低阻的p-GaN欧姆接触，1988年Sand等(Sands T，MarshallE D，Wang LC.Solid-phase regrowth of compound semiconductors by reaction-driven decomposition ofintermediate phase[J].J.Mater.Res.1988；3(5)：914～921)提出掺入p型的杂质到半导体的表面层可能产生低阻的接触，Kumakura等(Kumakura K，Makimoto T，and KobayashiN.Kobayashi.Low-resistance nonalloyed ohmic contact to p-type GaN using strained InGaNcontact layer[J].Appl.Phys.Lett.2001；79(16)：2588～2590)在Pd/Au和p-GaN之间插入一层2nm的应变InGaN接触层，未经任何处理就得到了相当低的接触电阻率1.1×10-6Ωcm2。
采用p-AlGaN/p-GaN或者p-InGaN/p-GaN超晶格应变层作为p-GaN的接触层是一种获得低阻的方法，但已有研究表明：AlGaN与GaN晶格不匹配，在材料生长过程中存在张应变，使得生长出来器件质量不高，影响表面接触电阻的降低；同样InGaN与GaN晶格也不匹配，在材料生长过程中存在压应变，导致晶体质量降低，接触电阻也相应的降低。
发明内容
本发明的目的在于针对现有的p-GaN欧姆接触电阻大的问题，提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。
本发明的技术方案是利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格存在应变补偿效应(AlGaN的张应变和InGaN的压应变)，以提高材料表面质量；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中Mg的低激活能，以提高P型材料的空穴浓度；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中极化效应，导致Mg的掺杂效率提高，并且在p-GaN表面形成二维电子气，以提高p-GaN表面空穴浓度。所有样品在Thomas Swan MOCVD设备上生长，用N2和H2混合气作为载气，整个生长压力控制在50～300Torr之间，从三个方面降低p-GaN的接触电阻。
本发明的具体步骤为：
1)将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下，1000～1100℃高温下对衬底热处理5～15min，降温到500～1000℃对衬底氮化处理60～150s；
2)降至530～570℃生长厚度为15～30nm的GaN缓冲层，随后升温到1030～1050℃恒温5～15min，使GaN缓冲层重新结晶；
3)在1000～1100℃外延生长1.5～2μm GaN层；
4)将温度降到800～950℃生长掺镁GaN层，掺镁GaN层的厚度为500～900nm，生长时间为15～30min；
5)再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的厚度为20～35nm，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的p-InGaN层、p-AlGaN层的厚度分别为2～5nm、2～7nm；
6)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2～3nm。
本发明的Ga、In、Al、Mg、N、Si源分别为高纯的三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基铝(TMA1)、二茂镁(Cp2Mg)、NH3和硅烷(SiH4)。
生长GaN缓冲层的压力为200～650Torr，载气流量为10～30L/min，TMGa流量为20～120μmol/min，NH3流量为80～120mol/min。
生长GaN层及掺镁GaN层的压力为100～200Torr，载气流量为5～20L/min，TMGa流量为80～400μmol/min，NH3流量为120～500mol/min，Cp2Mg为140nmol/min。
生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的压力为300～400Torr，载气流量为5～20L/min，NH3流量为120～500mol/min，TMGa流量为5～8μmol/min，TMIn流量为100～200μmol/min，Cp2Mg为100nmol/min；p-AlGaN的TMGa流量为5～8μmol/min，TMA1流量为5～10μmol/min，Cp2Mg为260μmol/min。
与现有的p-GaN欧姆接触相比，本发明的突出优点：
通过对p-GaN顶层的设计，采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格层作p-GaN的顶层。利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格存在应变补偿效应(AlGaN的张应变和InGaN的压应变)，提高材料表面质量；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中Mg的低激活能，提高P型材料的空穴浓度；利用AlGaN/InGaN超晶格激化效应，通过在表面形成二维电子气，提高表面空穴浓度。从本质上降低接触电阻并改善了p-GaN薄膜的质量。
1)提高p-GaN材料空穴浓度。p-InGaN/p-AlGaN超晶格的极化效应导致能带弯曲使得Mg的掺杂效率提高。p-AlGaN与p-InGaN的导带差(ΔEC)比p-InGaN与p-GaN的导带差(ΔEC)更大，能更好地限制二维电子气，由此可以获得更高的空穴浓度。3种结构分别是p-GaN直接做接触层(样品A)；用p-InGaN/p-GaN超晶格层作p-GaN的接触层(样品B)；用p-InGaN/p-AlGaN超晶格层作p-GaN接触层(样品C)。3种结构与金属接触的能带图见图6，从图6可以看到样品B比样品A具有更低的肖特基势垒高度(SBH)和更高的表面空穴浓度，样品C比样品B具有更大的表面空穴浓度，因此样品C可以获得最小的接触电阻。由霍耳测试所得到的3种结构的面电荷密度与比接触电阻的比较见表1。
表1
 
名称 面电荷密度(cm<sup>-2</sup>) 比接触电阻(Ω.cm<sup>2</sup>)
p-GaN 1.32e+13 2.87e-2
p-InGaN/p-GaN 5.87e+13 7.04e-4
p-InGaN/p-AlGaN 7.96e+13 7.27e-5
由以下的比接触电阻公式也可证明表1所示的结果。
Figure C200710009955D00061
式中，C＝2ε/he-5/2(m*hh)1/2，A＝εe-5/2(m*hh)1/2，ε为介电常数，h为普朗克常数，m*为有效空穴质量，e为电子电荷量，eΦB是肖特基势垒高度(SBH)，NS2D是面电荷密度.eΦB(p-GaN)是2.3eV.eΦB(In0.14Ga0.86N)是2.16eV。通过上式可以知道面电荷密度越大，比接触电阻越小。
2)提高p-GaN基材料的器件性能，降低p-GaN基器件接触电阻。
附图说明
图1为本发明以p-GaN为顶层的样品(A)的结构图。
图2为本发明以p-InGaN/p-GaN为顶层的样品(B)的结构图。
图3为本发明以p-InGaN/p-AlGaN为顶层的样品(C)的结构图。
图4为光刻使用CTLM模型图(光刻版图)。
图5为测试p-GaN接触电阻的示意图。
图6为p-GaN，p-InGaN/p-GaN，p-InGaN/p-AlGaN三种结构作顶层时候与金属接触的能带图。
图7为测试电阻R1的I-V特性，在图7中，横坐标为电压voltage(v)，纵坐标为电流current(mA)。
具体实施方式
(一)采用Thomas Swan LP—MOCVD设备进行外延片生长，以下对样品C给出3种生长方案。
1)第一种生长方案
(a)将(0001)取向免清洗的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下加热至1080℃烘烤10min，反应室压力为500Torr；
(b)在550℃下生长厚度为25nm的GaN缓冲层，生长压力为500Torr，TMGa流量为40mol/min，NH3流量为110mol/min；
(c)在1060℃下生长2μm的GaN层，生长压力为200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为110mol/min；
(d)在GaN层上生长掺镁GaN层，生长温度800℃，生长厚度为500nm，生长压力为200Torr，TMGa流量为50mol/min，NH3流量为110mol/min；Cp2Mg为140nmol/min；
(e)在掺镁GaN层上降温生长5个周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，其中p-InGaN层生长温度为770℃，生长厚度为2nm，生长压力为300Torr，生长时间为10s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5mol/min，TMGa流量为3.7mol/min，而p-AlGaN层生长温度为760.4℃，生长压力为300Torr，生长时间为30s NH3流量为120mol/min，Cp2Mg为260nmol/min，TMAl流量为3μmol/min，TMGa流量为33μmol/min；
(f)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2nm，生长温度为730℃，生长压力为300Torr，生长时间为10s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5μmol/min，TMGa流量为3.7μmol/min。
2)第二种生长方案：
(a)将(0001)取向免清洗的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下加热至1080℃烘烤10min，反应室压力为500Torr；
(b)在530℃下生长厚度为30nm的GaN缓冲层，生长压力为500Torr，TMGa流量为40mol/min，NH3流量为110mol/min；
(c)在1040℃下生长2μm的GaN层，生长压力为200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为110mol/min；
(d)在GaN层上生长掺镁GaN层，生长温度为900℃，生长厚度为500nm，生长压力为200Torr，TMGa流量为50mol/min，NH3流量为110mol/min；Cp2Mg为140nmol/min；
(e)在掺镁GaN层上降温生长5个周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，其中p-InGaN层生长温度为730℃，生长厚度为5nm，生长压力为300Torr，生长时间为25s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5mol/min，TMGa流量为3.7mol/min，而p-AlGaN层生长温度为760.4℃，生长压力为300Torr，生长时间为30s，NH3流量为120mol/min，Cp2Mg为260nmol/min，TMAl流量为3mol/min，TMGa流量为33mol/min；
(f)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2nm，生长温度为730℃，生长压力为300Torr，生长时间为10s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5μmol/min，TMGa流量为3.7μmol/min。
3)第三种生长方案：
(a)将(0001)取向免清洗的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下加热至1080℃烘烤10min，反应室压力为500Torr；
(b)在530℃下生长厚度为30nm的GaN缓冲层，生长压力为500Torr，TMGa流量为40mol/min，NH3流量为110mol/min；
(c)在1000℃下生长2μm的GaN层，生长压力为200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为110mol/min；
(d)在GaN层上生长掺镁GaN层，生长温度为850℃，生长厚度为500nm，生长压力为200Torr，TMGa流量为50mol/min，NH3流量为110mol/min；Cp2Mg为140nmol/min；
(e)在掺镁GaN层上降温生长5个周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，其中p-InGaN层生长温度为730℃，生长厚度为3nm，生长压力为300Torr，生长时间为15s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5mol/min，TMGa流量为3.7mol/min，而p-AlGaN层生长温度为760.4℃，生长厚度为5nm，生长压力为300Torr，生长时间为50s，NH3流量为120mol/min，Cp2Mg为260nmol/min，TMA1流量为3μmol/min，TMGa流量为33μmol/min；
(f)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2nm，生长温度为730℃，，生长压力为300Torr，生长时间为10s，NH3流量为200mol/min，Cp2Mg为160nmol/min，TMIn流量为12.5μmol/min，TMGa流量为3.7μmol/min。
也可采用上述方法生长如图1和图2的样品。
对所有生长的样品在N2氛围下，800℃退火10min，激活镁获得P型材料。
(二)制备p-GaN欧姆接触工艺
(1)预处理：
①常规清洗：依次用甲苯、丙酮、乙醇超声清洗10min；
②用冷热去离子水各冲洗5min；
③把样品A，B，C放在40
Figure C200710009955D0009140930QIETU
KOH中3～5min，然后用冷热去离子水冲洗；
④在烘箱烘2h，为光刻作准备。
(2).光刻：
①匀胶：采用国产BP212正性胶；
②前烘：20min；
③曝光：120s；
④显影：显影液12.5ml，显影时间20～22s。
采用圆型传输线模型(CTLM)，光刻版图见图4(CTLM是由中心接触圆和两个同心圆构成，中心接触圆的半径为r0，内接触圆环的内外半径分别为r1’、r1，外接触圆环的内外半径分别为r2’、r2。其尺寸：r0＝80μm，r1’＝100μm，r1＝200μm，r2’＝250μm，r2＝320μm，即r1’＝1.25r0，r1＝2.5r0，r2’＝3.125r0，r2＝4r0)。
(3).电子束蒸发Ni/Au(5nm/5nm)；
(4).剥离；
(5).合金。
工艺完成之后所有样品与金属接触的图见图1～3。在图1～3中具体结构如下：1、蓝宝石衬底，2、GaN层，3、p-GaN层，4、Ni/Au(5nm/5nm)层，5、p-InGaN/p-GaN层，6、p-InGaN/p-AlGaN层。
(三).图5是测试电阻示意图，CTLM中的测试电阻分别为R1(中心接触圆和内环的电阻值)，R2(内环和外环的电阻值)和R3(中心接触圆和外环的电阻值)。用半导体测试仪器获得电阻R1的I-V特性能见图7。
目前已经做到样品A的比接触电阻为ρC＝2.87e-2，样品B的比接触电阻为ρC＝7.04e-4，样品C的比接触电阻为ρC＝7.27e-5。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层(相应于样品C)可以获得更低的比接触电阻。如经过进一步优化，预计样品C的比接触电阻值可以达到10-6Ωcm2。

Claims (5)

1.一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于其步骤为：
1)将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在载气H2气氛下，1000～1100℃高温下对衬底热处理5～15min，降温到500～1000℃对衬底氮化处理60～150s；
2)降至530～570℃生长厚度为15～30nm的GaN缓冲层，随后升温到1030～1050℃恒温5～15min，使GaN缓冲层重新结晶，生长GaN缓冲层的压力为200～650Torr，TMGa流量为20～120μmol/min，NH3流量为80～120mol/min；
3)在1000～1100℃外延生长1.5～2μmGaN层，生长GaN层的压力为100～200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为120～500mol/min，Cp2Mg为140nmol/min；
4)将温度降到800～950℃生长掺镁GaN层，掺镁GaN层的厚度为500～900nm，生长时间为15～30min，生长掺镁GaN层的压力为100～200Torr，TMGa流量为50μmol/min，NH3流量为120～500mol/min，Cp2Mg为140nmol/min；
5)再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的总厚度为20～35nm，5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的p-InGaN层、p-AlGaN层的厚度分别为2～5nm、2～7nm，生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的压力为300～400Torr，NH3流量为120～500mol/min，p-InGaN的TMGa流量为5～8μmol/min，TMIn流量为100～200μmol/min，Cp2Mg为100nmol/min；p-AlGaN的TMGa流量为5～8μmol/min，TMAl流量为5～10μmol/min，Cp2Mg为260μmol/min；
6)在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层，p-InGaN盖层的厚度为2～3nm。
2.如权利要求1所述的一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于Ga、In、Al、Mg、N、Si源分别为三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、二茂镁、NH3和硅烷。
3.如权利要求1所述的一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于生长GaN缓冲层的载气H2流量为10～30L/min。
4.如权利要求1所述的一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于生长GaN层及掺镁GaN层的载气H2流量为5～20L/min。
5.如权利要求1所述的一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，其特征在于生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层的载气H2流量为5～20L/min。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185054A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101831628B (zh) * 2010-04-21 2011-10-05 中国科学院半导体研究所 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
CN102468381A (zh) * 2010-11-23 2012-05-23 孙智江 一种形成p型重掺杂的方法
CN102185053A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102227008B (zh) * 2011-05-18 2013-01-16 湘能华磊光电股份有限公司 LED芯片的P型GaN层的制备方法
CN103077964A (zh) * 2013-01-18 2013-05-01 中国科学院半导体研究所 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法
CN103236477B (zh) * 2013-04-19 2015-08-12 安徽三安光电有限公司 一种led外延结构及其制备方法
CN105406358B (zh) * 2015-11-25 2018-11-02 武汉电信器件有限公司 一种GaN基激光器制备方法和结构
CN107248496B (zh) * 2017-06-07 2019-11-15 西安电子科技大学 欧姆接触区方块电阻的修正方法
CN107482095B (zh) * 2017-09-23 2019-02-15 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延生长方法
CN108878606A (zh) * 2018-06-22 2018-11-23 西安电子科技大学 基于超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及制备方法
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN112331752A (zh) * 2020-12-03 2021-02-05 至芯半导体(杭州)有限公司 一种具有低电阻率p型层的深紫外led外延制造方法
CN112701160B (zh) * 2020-12-09 2022-08-09 华灿光电（浙江）有限公司 氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法
CN113421917A (zh) * 2021-03-09 2021-09-21 广西飓芯科技有限责任公司 一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法
CN114944443B (zh) * 2022-07-26 2022-10-21 江西兆驰半导体有限公司 一种欧姆接触层、发光二极管外延片及其制备方法
CN115775853B (zh) * 2023-02-10 2023-05-16 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117700A (en) * 1998-09-09 2000-09-12 Matsushita Electronics Corporation Method for fabricating semiconductor device having group III nitride

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117700A (en) * 1998-09-09 2000-09-12 Matsushita Electronics Corporation Method for fabricating semiconductor device having group III nitride

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
低p－GaN欧姆接触电阻的研究. 尹以安，刘宝林.光电子激光，第18卷第2期. 2007
低p－GaN欧姆接触电阻的研究. 尹以安，刘宝林.光电子激光，第18卷第2期. 2007 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185054A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法

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