CN100509123C - 形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 - Google Patents
形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100509123C CN100509123C CNB2004100449765A CN200410044976A CN100509123C CN 100509123 C CN100509123 C CN 100509123C CN B2004100449765 A CNB2004100449765 A CN B2004100449765A CN 200410044976 A CN200410044976 A CN 200410044976A CN 100509123 C CN100509123 C CN 100509123C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- template
- hole
- minutes
- transferable
- ordered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 53
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 30
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 claims description 22
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 22
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 claims description 22
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 20
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 claims description 15
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 7
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 claims description 7
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 7
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 claims description 7
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011686 zinc sulphate Substances 0.000 claims description 7
- 235000009529 zinc sulphate Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052571 earthenware Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法。材料为薄膜由单层无机物球形通孔构成,球形通孔的直径为50~5000nm、孔壁厚度为20~100nm,薄膜的厚度为50~5000nm;方法包括将胶体球附于衬底表面而形成单层胶体晶体模板,特别是先选用直径为50~5000nm的聚苯乙烯球作为胶体球在作为衬底的ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将模板于100~120℃下加热3~40分钟,之后,将模板置于pH值为5~9的无机盐电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5~1.7伏的电压进行电沉积5~30分钟,然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3~6分钟,最后,将模板置于水中,制得形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料。制得的薄膜的孔形态可控、膜可转移;制备的工艺简单、成本低,无污染,适于工业化生产。
Description
技术领域 本发明涉及一种薄膜材料及制法,尤其是形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法。
背景技术 有序孔薄膜具有规则排列的孔结构和较高的比表面积,在催化、传感器、光子和光电子器件、细胞的培养等方面均有很好的用途。而通孔薄膜除了以上的性质和用途外,还可用作光过滤器件、分子滤过膜、合成点阵的模板、信息存储器件等等。在这些应用中,孔的形态对其具有非常重要的影响。目前,人们为了获得通孔薄膜,常使用光刻蚀、电子束刻蚀、X射线刻蚀、软刻蚀等刻蚀方法和聚合物的自组织方法。但是,这些方法均存在着不足之处,首先,刻蚀法除不能做出纳米或微米级的单层无机物球形通孔构成的薄膜,尤为不能做出纳米或微米级的单层金或铜或锌或氧化铕或硫化镉球形通孔构成的薄膜之外,还对设备的要求高,操作工序烦琐,制作出的薄膜只能固定于原衬底上,不能按照需求自由地转换到任意的衬底上,且制作的成本高、效率低,难于工业化生产;其次,聚合物自组织法只能局限于有限的聚合物薄膜材料的合成,且其孔的形态也不易控制。虽也有采用单层胶体晶体模板法来避免上述两种方法的缺陷,如将胶体球附于衬底表面而形成模板的旋涂法或垂直提拉法,但也一是未能获得纳米或微米级的单层无机物球形通孔构成的薄膜,二是不能对所获得的孔的形态进行有效地控制。
发明内容 本发明要解决的技术问题为克服上述各种方案的局限性,提供一种实用,制备简便的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法。
形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料为所说薄膜由单层无机物球形通孔构成,所说球形通孔的直径为50~5000nm、孔壁厚度为20~100nm,所说薄膜的厚度为50~5000nm。
作为形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的进一步改进,所述的无机物为金或铜或锌或氧化铕或硫化镉;所述的球形通孔呈紧密的六方排列,且通孔间相互连通。
形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法包括将胶体球附于衬底表面而形成单层胶体晶体模板,特别是先选用直径为50~5000nm的聚苯乙烯球作为胶体球在作为衬底的ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将模板于100~120℃下加热3~40分钟,之后,将模板置于PH值为5~9的无机盐电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5~1.7伏的电压进行电沉积5~30分钟,然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3~6分钟,最后,将模板置于水中,制得形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料。
作为形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法的进一步改进,所述的无机盐电解液为由氯金酸9~15g/L与乙二胺四乙酸二钠3~7g/L、亚硫酸钠150~180g/L、磷酸氢二钾25~35g/L组成的PH值为8~9的金电解液或由乙二胺四乙酸二钠40~45g/L与硫酸铜25~30g/L、亚硫酸钠3~7g/L、硫脲0.3~0.6g/L组成的PH值为4~6的铜电解液或由七水硫酸锌70~90g/L与磷酸氢二钾15~25g/L、硼酸35~45g/L组成的PH值为4~6的锌电解液或由氯化铕20~30g/L与柠檬酸三钠25~35g/L组成的PH值为4~6的氧化铕电解液或由氯化镉9~15g/L与乙二胺四乙酸二钠32~42g/L、硫代硫酸钠115~135g/L组成的PH值为4.4~6.4的硫化镉电解液;所述的将模板置于氧化铕电解液中进行电沉积时的温度为40~60℃;所述的将模板置于水中前,先将其在氢气氛下于300~500℃退火2~3小时;所述的将模板置于硫化镉电解液中进行电沉积时的温度为60~80℃;所述的水为去离子水或蒸馏水。
相对于现有技术的有益效果是,其一,对制得的薄膜材料分别使用场发射扫描电子显微镜和X-射线衍射仪进行观测与测试后,从得到的扫描电镜照片和X-射线衍射图谱可知,薄膜是由呈六方紧密排列的、孔间相互连通的、孔骨架(壁)致密的单层有序球形通孔构成,它的孔径和膜厚度均为纳米或微米级,孔壁是由无机物,即金或铜或锌或氧化铕或硫化镉构成;其二,选用不同直径的聚苯乙烯胶体球,在导电衬底—ITO玻璃上合成胶体晶体模板,并将其于聚苯乙烯胶体球玻璃转化点温度以上根据所需球形通孔的形态加热相应的时间,以将其固定于衬底上,既为获得不同孔直径的大面积(cm2级的)的单层有序无机物球形通孔薄膜,即金或铜或锌或氧化铕或硫化镉球形通孔薄膜打下了基础,又能有效地控制球形通孔的形态和其底部开口(与衬底的接触面)的形态和大小;其三,将模板置于无机盐电解液中,即置于金电解液或铜电解液或锌电解液或氧化铕电解液或硫化镉电解液中,以ITO玻璃为阴极进行电沉积,通过改变电沉积的时间控制了球形通孔顶部开口的形态和大小,其原由为薄膜是从衬底开始生长的,这样有序球形通孔薄膜的底部开口的形状和大小自然就由聚苯乙烯胶体球的受热时间决定,而其顶部开口的大小与薄膜的厚度有关,即与电沉积的时间有关;其四,通过选择无机盐电解液的组分和电沉积电压的大小,使得薄膜与ITO玻璃衬底间的结合力大大的降低了,为薄膜与衬底的剥离奠定了基础,从而提升了薄膜的可转移特性,使薄膜在经过一个转移的操作过程后,可转移至任意的衬底甚至是弯曲的衬底上,这就使薄膜可在不导电的衬底或是在弯曲的衬底上均能进行有效地应用;其五,将模板置于二氯甲烷中浸泡,溶去了聚苯乙烯胶体球,从而得到了相应形态的有序球形通孔薄膜;其六,将模板置于水中,仅依靠水的表面张力就实现了薄膜与ITO玻璃衬底间的剥离;其七,设定电沉积氧化铕和硫化镉球形通孔的温度,以及在剥离氧化铕球形通孔薄膜前,先将其在氢气氛下退火,可使其的成孔性和可转移性均得到大大的提高;其八,具有很好的普适性,孔壁材料的种类可遍及金属、氧化物和半导体所组成的无机物;其九,制备过程中所用的设备少、价廉,工艺简单、成本低,无污染,适于工业化生产。
附图说明 下面结合附图对本发明的优选方式作进一步详细的描述。
图1是对直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃衬底上合成的单层胶体晶体模板用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,其中,图1A为模板加热前的图象,图1B为将模板于110℃下加热40分钟后的图象;
图2是对薄膜材料用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,其中,图2A~E为以直径为1000nm的聚苯乙烯胶体球制作的胶体晶体模板、无机盐电解液为金电解液而合成的不同形态的单层有序球形通孔薄膜的孔形态图,电沉积前胶体晶体在110℃下进行了加热,加热的时间和随后的电沉积的时间在图2A~E中分别选用的为:3分钟、15分钟,5分钟、15分钟,16分钟、8分钟,40分钟、8分钟,16分钟、30分钟;图2C和图2E的右上角分别为该图在图中此点的局部放大图,从中可较为清楚地看到该点的单层有序球形通孔薄膜的孔形态;图2F为以直径为350nm的聚苯乙烯胶体球制作的胶体晶体模板、无机盐电解液为金电解液而合成的单层有序球形通孔薄膜的孔形态图,电沉积前胶体晶体在110℃下加热,加热的时间为3分钟,电沉积的时间为5分钟;
图3是对图2中的图1A~F所对应的单层有序球形通孔薄膜,用PhillipsX′Pert型X-射线衍射仪测试后得到的X-射线衍射图谱(XRD),其中,横坐标为衍射角,纵坐标为相对强度,由XRD各衍射峰的位置和相对强度可知,该单层有序球形通孔薄膜是由金构成;
图4是对薄膜材料用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,由图中可看到单层有序球形通孔薄膜的孔形态;
图5是对图4中的单层有序球形通孔薄膜用Phillips X′Pert型X-射线衍射仪测试后得到的X-射线衍射图谱(XRD),其中,横坐标为衍射角,纵坐标为相对强度,由XRD各衍射峰的位置和相对强度可知,该单层有序球形通孔薄膜是由锌构成;
图6是对薄膜材料用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,由图中可看到单层有序球形通孔薄膜的孔形态;
图7是对图6中的单层有序球形通孔薄膜用Phillips X′Pert型X-射线衍射仪测试后得到的X-射线衍射图谱(XRD),其中,横坐标为衍射角,纵坐标为相对强度,由XRD各衍射峰的位置和相对强度可知,该单层有序球形通孔薄膜是由氧化铕构成。
图8是对薄膜材料用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,由图中可看到单层有序球形通孔薄膜的孔形态;
图9是对图8中的单层有序球形通孔薄膜用Phillips X′Pert型X-射线衍射仪测试后得到的X-射线衍射图谱(XRD),其中,横坐标为衍射角,纵坐标为相对强度,由XRD各衍射峰的位置和相对强度可知,该单层有序球形通孔薄膜是由硫化镉构成。
图10是记载在不同的衬底上将金有序球形通孔薄膜进行转移操作的一组图(照)片,其中,图10A为将附有金有序球形通孔薄膜的样品慢慢地浸入水中,图10B为金有序球形通孔薄膜浮在水面上,图10C为用其他衬底材料慢慢地捡起金有序球形通孔薄膜,图10D为金有序球形通孔薄膜附在其他衬底材料上;
图11A、图11B和图11D为对转移到其他衬底材料上的金有序球形通孔薄膜用日本JEOL 6700型场发射扫描电子显微镜观测后摄得的照片,其中,图11A为将图2B所示的金有序球形通孔薄膜转移到了云母衬底上,并将其的正反面做了颠倒,图11B为将图2D所示的金有序球形通孔薄膜转移到了蓝宝石衬底上,并将其的正反面做了颠倒,图11C为将图2B所示的金有序球形通孔薄膜转移到了一种气敏陶瓷管衬底上的宏观照片;图11D为图11C中所标区域的高倍放大图象。
具体实施方式首先用常规方法制得或从市场购得商业化单分散的直径为50~5000nm的聚苯乙烯胶体球和ITO玻璃。
实施例1:将直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热3分钟;之后,将模板置于由氯金酸9g/L与乙二胺四乙酸二钠3g/L、亚硫酸钠150g/L、磷酸氢二钾25g/L组成的PH值为8的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.7伏的电压进行电沉积15分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图2A和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例2:将直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热5分钟;之后,将模板置于由氯金酸10g/L与乙二胺四乙酸二钠4g/L、亚硫酸钠155g/L、磷酸氢二钾28g/L组成的PH值为8.3的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.4伏的电压进行电沉积15分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡4分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图2B和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例3:将直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热16分钟;之后,将模板置于由氯金酸12g/L与乙二胺四乙酸二钠5g/L、亚硫酸钠160g/L、磷酸氢二钾30g/L组成的PH值为8.5的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.1伏的电压进行电沉积8分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得如图2C和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例4:将直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热40分钟;之后,将模板置于由氯金酸13g/L与乙二胺四乙酸二钠6g/L、亚硫酸钠170g/L、磷酸氢二钾33g/L组成的PH值为8.8的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.8伏的电压进行电沉积8分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5.5分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图2D和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例5:将直径1000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热16分钟;之后,将模板置于由氯金酸15g/L与乙二胺四乙酸二钠7g/L、亚硫酸钠180g/L、磷酸氢二钾35g/L组成的PH值为9的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5伏的电压进行电沉积30分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡6分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图2E和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例6:将直径350nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热3分钟;之后,将模板置于由氯金酸12g/L与乙二胺四乙酸二钠5g/L、亚硫酸钠160g/L、磷酸氢二钾30g/L组成的PH值为9的金电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.7伏的电压进行电沉积5分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得如图2D和图3所示的形态可控、可转移的金有序通孔薄膜材料。
实施例7:将直径50nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于100℃下加热3分钟;之后,将模板置于由乙二胺四乙酸二钠40g/L与硫酸铜25g/L、亚硫酸钠3g/L、硫脲0.3g/L组成的PH值为4的铜电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.7伏的电压进行电沉积5分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得球形通孔的直径为50nm,薄膜厚度为50nm的形态可控、可转移的铜有序通孔薄膜材料。
实施例8:将直径2000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于105℃下加热10分钟;之后,将模板置于由乙二胺四乙酸二钠41.5g/L与硫酸铜27g/L、亚硫酸钠4g/L、硫脲0.4g/L组成的PH值为4.5的铜电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.4伏的电压进行电沉积11分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡4分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得球形通孔的直径为2000nm,薄膜厚度为2000nm的形态可控、可转移的铜有序通孔薄膜材料。
实施例9:将直径3000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热20分钟;之后,将模板置于由乙二胺四乙酸二钠43g/L与硫酸铜28g/L、亚硫酸钠5g/L、硫脲0.5g/L组成的PH值为5的铜电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.1伏的电压进行电沉积17分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得球形通孔的直径为3000nm,薄膜厚度为3000nm的形态可控、可转移的铜有序通孔薄膜材料。
实施例10:将直径4000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于115℃下加热30分钟;之后,将模板置于由乙二胺四乙酸二钠44g/L与硫酸铜29g/L、亚硫酸钠6g/L、硫脲0.55g/L组成的PH值为5.5的铜电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.8伏的电压进行电沉积23分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5.5分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得球形通孔的直径为4000nm,薄膜厚度为4000nm的形态可控、可转移的铜有序通孔薄膜材料。
实施例11:将直径5000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于120℃下加热40分钟;之后,将模板置于由乙二胺四乙酸二钠45g/L与硫酸铜30g/L、亚硫酸钠7g/L、硫脲0.6g/L组成的PH值为6的铜电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5伏的电压进行电沉积30分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡6分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得球形通孔的直径为5000nm,薄膜厚度为5000nm的形态可控、可转移的铜有序通孔薄膜材料。
实施例12:将直径50nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于100℃下加热3分钟;之后,将模板置于由七水硫酸锌70g/L与磷酸氢二钾15g/L、硼酸35g/L组成的PH值为4的锌电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.7伏的电压进行电沉积5分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图4和图5所示的形态可控、可转移的锌有序通孔薄膜材料。
实施例13:将直径2000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于105℃下加热10分钟;之后,将模板置于由七水硫酸锌75g/L与磷酸氢二钾22g/L、硼酸38g/L组成的PH值为4.5的锌电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.4伏的电压进行电沉积11分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡4分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图4和图5所示的形态可控、可转移的锌有序通孔薄膜材料。
实施例14:将直径3000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热20分钟;之后,将模板置于由七水硫酸锌80g/L与磷酸氢二钾20g/L、硼酸40g/L组成的PH值为5的锌电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.1伏的电压进行电沉积17分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得如图4和图5所示的形态可控、可转移的锌有序通孔薄膜材料。
实施例15:将直径4000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于115℃下加热30分钟;之后,将模板置于由七水硫酸锌85g/L与磷酸氢二钾28g/L、硼酸43g/L组成的PH值为5.5的锌电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.8伏的电压进行电沉积23分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5.5分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图4和图5所示的形态可控、可转移的锌有序通孔薄膜材料。
实施例16:将直径5000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于120℃下加热40分钟;之后,将模板置于由七水硫酸锌90g/L与磷酸氢二钾25g/L、硼酸45g/L组成的PH值为6的锌电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5伏的电压进行电沉积30分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡6分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图4和图5所示的形态可控、可转移的锌有序通孔薄膜材料。
实施例17:将直径50nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于100℃下加热3分钟;之后,将模板置于由氯化铕20g/L与柠檬酸三钠25g/L组成的PH值为4的氧化铕电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.7伏的电压在40℃下进行电沉积5分钟;然后,先将模板在氢气氛下于300℃退火3小时,再将模板置于二氯甲烷中浸泡3分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图6和图7所示的形态可控、可转移的氧化铕有序通孔薄膜材料。
实施例18:将直径2000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于105℃下加热10分钟;之后,将模板置于由氯化铕23g/L与柠檬酸三钠28g/L组成的PH值为4.5的氧化铕电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.4伏的电压在45℃下进行电沉积11分钟;然后,先将模板在氢气氛下于350℃退火2.8小时,再将模板置于二氯甲烷中浸泡4分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图6和图7所示的形态可控、可转移的氧化铕有序通孔薄膜材料。
实施例19:将直径3000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热20分钟;之后,将模板置于由氯化铕25g/L与柠檬酸三钠30g/L组成的PH值为5的氧化铕电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.1伏的电压在50℃下进行电沉积17分钟;然后,先将模板在氢气氛下于400℃退火2.5小时,再将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得如图6和图7所示的形态可控、可转移的氧化铕有序通孔薄膜材料。
实施例20:将直径4000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于115℃下加热30分钟;之后,将模板置于由氯化铕28g/L与柠檬酸三钠32g/L组成的PH值为5.5的氧化铕电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.8伏的电压在55℃下进行电沉积23分钟;然后,先将模板在氢气氛下于450℃退火2.3小时,再将模板置于二氯甲烷中浸泡5.5分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图6和图7所示的形态可控、可转移的氧化铕有序通孔薄膜材料。
实施例21:将直径5000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于120℃下加热40分钟;之后,将模板置于由氯化铕30g/L与柠檬酸三钠35g/L组成的PH值为6的氧化铕电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5伏的电压在60℃下进行电沉积30分钟;然后,先将模板在氢气氛下于500℃退火2小时,再将模板置于二氯甲烷中浸泡6分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图6和图7所示的形态可控、可转移的氧化铕有序通孔薄膜材料。
实施例22:将直径50nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于100℃下加热3分钟;之后,将模板置于由氯化镉9g/L与乙二胺四乙酸二钠32g/L、硫代硫酸钠115g/L组成的PH值为4.4的硫化镉电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.7伏的电压在60℃下进行电沉积5分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图8和图9所示的形态可控、可转移的硫化镉有序通孔薄膜材料。
实施例23:将直径2000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于105℃下加热10分钟;之后,将模板置于由氯化镉10g/L与乙二胺四乙酸二钠35g/L、硫代硫酸钠120g/L组成的PH值为5的硫化镉电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.4伏的电压在65℃下进行电沉积11分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡4分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图8和图9所示的形态可控、可转移的硫化镉有序通孔薄膜材料。
实施例24:将直径3000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于110℃下加热20分钟;之后,将模板置于由氯化镉12g/L与乙二胺四乙酸二钠37g/L、硫代硫酸钠125g/L组成的PH值为5.4的硫化镉电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极1.1伏的电压在70℃下进行电沉积17分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5分钟;最后,将模板置于水中,制得如图8和图9所示的形态可控、可转移的硫化镉有序通孔薄膜材料。
实施例25:将直径4000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于115℃下加热30分钟;之后,将模板置于由氯化镉13g/L与乙二胺四乙酸二钠39g/L、硫代硫酸钠130g/L组成的PH值为5.9的硫化镉电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.8伏的电压在75℃下进行电沉积23分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡5.5分钟;最后,将模板置于去离子水中,制得如图8和图9所示的形态可控、可转移的硫化镉有序通孔薄膜材料。
实施例26:将直径5000nm的聚苯乙烯胶体球在ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将该模板于120℃下加热40分钟;之后,将模板置于由氯化镉15g/L与乙二胺四乙酸二钠42g/L、硫代硫酸钠135g/L组成的PH值为6.4的硫化镉电解液,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5伏的电压在80℃下进行电沉积30分钟;然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡6分钟;最后,将模板置于蒸馏水中,制得如图8和图9所示的形态可控、可转移的硫化镉有序通孔薄膜材料。
若需将薄膜材料转移至其他衬底上,如转移至玻璃棒上或云母上或蓝宝石上或陶瓷管上,则只需将薄膜材料浸入水中,待其浮起后,用所需的衬底在水中将浮起的薄膜材料托附于其上即可。其操作过程如图10所示。在转移薄膜材料时,也可将其的正反两面进行颠倒。转移并颠倒后的示例可参见图11A和图11B。
显然,本领域的技术人员可以对本发明的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1、一种形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料,其特征在于所说薄膜由单层的、呈紧密的六方排列并相互连通的球形孔状的金属或氧化铕或硫化镉构成,所说球形孔的直径为50~5000nm、孔壁厚度为20~100nm,所说薄膜的厚度为50~5000nm,所说金属为金属金或金属铜或金属锌。
2、根据权利要求1所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,包括将胶体球附于衬底表面而形成单层胶体晶体模板,其特征在于先选用直径为50~5000nm的聚苯乙烯球作为胶体球在作为衬底的ITO玻璃上合成单层胶体晶体模板,再将模板于100~120℃下加热3~40分钟,之后,将模板置于pH值为4~9的无机盐电解液中,以ITO玻璃为阴极,加上相对于参比电极0.5~1.7伏的电压进行电沉积5~30分钟,然后,将模板置于二氯甲烷中浸泡3~6分钟,最后,将模板置于水中,制得形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料。
3、根据权利要求2所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,其特征是无机盐电解液为由氯金酸9~15g/L与乙二胺四乙酸二钠3~7g/L、亚硫酸钠150~180g/L、磷酸氢二钾25~35g/L组成的pH值为8~9的金电解液或由乙二胺四乙酸二钠40~45g/L与硫酸铜25~30g/L、亚硫酸钠3~7g/L、硫脲0.3~0.6g/L组成的pH值为4~6的铜电解液或由七水硫酸锌70~90g/L与磷酸氢二钾15~25g/L、硼酸35~45g/L组成的pH值为4~6的锌电解液或由氯化铕20~30g/L与柠檬酸三钠25~35g/L组成的pH值为4~6的氧化铕电解液或由氯化镉9~15g/L与乙二胺四乙酸二钠32~42g/L、硫代硫酸钠115~135g/L组成的pH值为4.4~6.4的硫化镉电解液。
4、根据权利要求3所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,其特征是将模板置于氧化铕电解液中进行电沉积时的温度为40~60℃。
5、根据权利要求4所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,其特征是将模板置于水中前,先将其在氢气氛下于300~500℃退火2~3小时。
6、根据权利要求3所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,其特征是将模板置于硫化镉电解液中进行电沉积时的温度为60~80℃。
7、根据权利要求2所述的形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料的制备方法,其特征是水为去离子水或蒸馏水。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100449765A CN100509123C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100449765A CN100509123C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1704149A CN1704149A (zh) | 2005-12-07 |
CN100509123C true CN100509123C (zh) | 2009-07-08 |
Family
ID=35575931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100449765A Expired - Fee Related CN100509123C (zh) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | 形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100509123C (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102877094A (zh) * | 2011-07-15 | 2013-01-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 金纳米颗粒基微-纳复合结构有序孔阵列及其制备方法 |
US9737860B2 (en) * | 2014-02-28 | 2017-08-22 | Pall Corporation | Hollow fiber membrane having hexagonal voids |
EP3147965B1 (en) * | 2015-09-25 | 2018-11-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composite membrane, preparing method thereof, negative electrode structure including the composite membrane, and lithium secondary battery including the negative electrode structure |
CN108103534A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-01 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种金属网格膜的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1483661A (zh) * | 2003-07-05 | 2004-03-24 | 吉林大学 | 二维有序纳米环、纳米孔和纳米自组装单层膜的制备方法 |
-
2004
- 2004-06-02 CN CNB2004100449765A patent/CN100509123C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1483661A (zh) * | 2003-07-05 | 2004-03-24 | 吉林大学 | 二维有序纳米环、纳米孔和纳米自组装单层膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1704149A (zh) | 2005-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9741999B2 (en) | Lithium-ion battery | |
Segalman et al. | Graphoepitaxy of spherical domain block copolymer films | |
CN101698961B (zh) | 一种表面等离激元晶体的制备方法 | |
CN100389230C (zh) | 电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微/纳米晶体的方法 | |
US20180261394A1 (en) | Defect mitigation of thin-film hybrid perovskite and direct writing on a curved surface | |
CN102515564B (zh) | 一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法 | |
CN107658371B (zh) | 基于激光直写的Micro-LED的制造方法 | |
CN100509123C (zh) | 形态可控、可转移的有序通孔薄膜材料及制备方法 | |
CN104928746B (zh) | 一种制备微曲面三维互联纳米孔阳极氧化铝模板的方法 | |
CN107025954B (zh) | 一种柔性透明电极及其制备方法 | |
CN113113675B (zh) | 一种准固态柔性Zn-MnO2电池及制备方法 | |
CN110518130A (zh) | 一种电场调控钙钛矿晶粒二次生长的方法 | |
CN108091776A (zh) | 基于芯片控制的电化学沉积彩色薄膜制备方法及装置 | |
EP2045849A2 (en) | Conducting substrate structure with controlled nanorod density and method of fabricating the same | |
CN1704150A (zh) | 形态可控的有序多孔薄膜材料及制备方法 | |
CN1269738C (zh) | 氧化铟薄膜材料及制备方法 | |
Orlov et al. | Influence of process temperature on ZnO nanostructures formation | |
KR102300217B1 (ko) | 고전도성 2차원 폴리아닐린 나노시트 및 그 제조 방법 | |
CN107248450A (zh) | 基于钛网的柔性量子点敏化太阳能电池的制备方法 | |
CN109336195A (zh) | 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 | |
CN111423739B (zh) | 一种可拉伸的柔性相变复合材料及其制备方法与应用 | |
CN109713311A (zh) | 集流体及其制备方法、电池电极极片及制备方法和锂电池 | |
CN114657624B (zh) | 一种金属纳米线阵列的电化学制备方法 | |
CN108485645B (zh) | 二氧化钛骨架量子点、其制备方法、及其应用 | |
Guo et al. | Direct electroplating of Ag nanowires using superionic conductors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090708 Termination date: 20110602 |