CN100492497C - 用于垂直记录介质的中间三层结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于垂直记录介质的构造的改进结构。该结构包括位于软磁衬层CoTaZr膜和CoPtCr-SiO2磁介质之间的三层IML。在一个实施例中，该三层包括Ni-Fe和Ni-Fe-Cr的双成核层之上的RuxCr1-x层。该三层替代现有技术常见的Ru和Ni-Fe中间层，获得了含Ru中间层与CoPtCr-SiO2磁介质之间晶格匹配的显著改善，还获得了改善的磁介质性能。
Description
技术领域
本发明涉及磁记录介质的结构。更特别地，本发明涉及垂直记录介质(PMR)的结构。
背景技术
磁介质被广泛用于各种应用，特别是在计算机和数据存储工业，在诸如硬盘驱动器和其它记录装置的装置中。一直在为了增加面记录密度即磁介质的位密度而努力。为了实现超过200Gb/in2的存储密度，将需要新的记录介质结构。在这方面，已经发现垂直记录介质结构(PMR)在实现非常高的位密度方面优于更传统的纵向介质。垂直磁记录介质中，剩余磁化沿垂直于磁介质表面的方向形成。
美国专利申请公开US 2002/0058160公开了一种垂直磁记录介质，其包括层叠结构的衬层和Co基磁层的组合，该层叠结构包括至少两层。具体组合选自i)含铁层/Ru/磁层、ii)含Co层/Ru/磁层、iii)Ru/含Co层/磁层、iv)含Ti层/Ru/磁层、v)软磁层/V或Cr/磁层构成的组。磁层/Ru/磁层的多层结构用作包括在上面给出的组合i)至v)中的磁层。所述特别构造的垂直磁记录介质允许改善Co基磁层的垂直取向且表现出高矫顽力和高重现输出(reproducingoutput)。
美国专利申请公开US 2003/0203189公开了一种适于高记录磁密度的改进的垂直磁记录介质。在包括经由软磁底层(backlayer)设置在非磁衬底上的垂直磁层和保护层的垂直磁记录介质中，多晶MgO膜置于软磁底层与垂直磁层之间。
美国专利申请公开US 2004/0000374公开了一种具有磁记录层的垂直磁记录介质，该磁记录层具有铁磁晶粒以及围绕晶粒的非磁非金属晶粒边界区域。在形成磁记录层之前，其衬层(under layer)表面暴露于O2或N2气氛或者稀有气体和O2或N2的气氛，从而附着O2或N2作为用于促进非磁非金属区域的生长的成核点(nucleation site)。之后通过形成磁记录层，铁磁晶粒和非磁非金属晶粒边界区域从磁记录层生长的初始阶段形成。因此，可以形成具有优异分离(segregation)结构的磁记录层。
美国专利申请公开US 2004/0001975公开了一种双层垂直记录介质，在软磁层和垂直磁记录层之间具有包含非晶部分的取向(alignment)控制层、晶体尺寸控制层、以及具有六角密堆积结构和面心立方结构之一的衬层。
美国专利申请公开US 2004/0072031公开了一种包括磁记录层和支承该磁记录层的衬底的磁记录介质。包括非金属衬层的至少两个衬层置于磁记录层和衬底之间。垂直磁记录介质使用双层或三层衬层。因此，垂直磁记录层由于第三衬层而可以具有高垂直磁各向异性能常数Ku且由于第三衬层下面的第二衬层而可以具有小晶粒和小交换耦合。因此，垂直磁记录层可以具有良好的热稳定性、高密度记录特性、以及优异的SNR特性。
美国专利申请公开US 2004/0247945公开了一种垂直磁记录介质，包括：(a)具有表面的非磁衬底；以及(b)形成在该衬底表面之上的层堆叠，按照从衬底表面的叠置顺序包括：(i)软磁衬层；(ii)用于晶体学地定向形成在其上的垂直磁记录材料层的层间结构(interlayer structure)；以及(iii)至少一个晶体学地取向的硬磁垂直记录层；其中该软磁衬层以足够大的靶至衬底间距且以足够低的气体压力被溅射沉积，该气体压力被选择来为衬层提供光滑表面，通过原子力显微镜(AFM)测量时，该光滑表面具有低于约0.3nm的低平均表面粗糙度Ra。
美国专利6858320公开了垂直磁记录介质通过在该垂直磁记录介质中提供磁记录层的良好取向以及通过减少在该磁记录层中初始生长层的量而改善的性能，诸如输出增大或噪声下降。该垂直磁记录介质包括衬层、磁记录层、保护膜、以及液体润滑层，其顺序设置在非磁衬底上。衬层包含非磁的NiFeCr或坡莫合金基软磁材料。
美国专利6699600公开了一种磁记录介质，在非磁衬底上包括：包含软磁材料的至少软磁底涂层(undercoat)膜；用于控制直接上方的膜的取向的取向控制膜；其中易磁化轴相对于衬底主要垂直地取向的垂直磁膜；以及保护膜，其中垂直磁膜具有这样的结构，即其中大量磁晶粒通过晶粒边界层分隔开，且磁晶粒之间沿连接彼此相邻的磁晶粒的重心的直线的平均分隔距离为1nm或更大。
美国专利6670056公开了一种垂直磁记录介质，具有这样的磁特性，即各向异性磁场Hk和饱和磁化Ms满足要求2<Hk/4πMs<5，设定α为当垂直施加磁场时MH回线的斜度，各向异性磁场Hk、饱和磁化Ms、以及矫顽力Hc满足要求0.01<{(α-1)Hc+4πMs}/Hk<0.2，且纵向剩余磁化Mr小于饱和磁化Ms的0.2倍。
Matsunuma等人的标题为“Very High Densityand Low Cost PerpendicularMagnetic Recording Media Including new Layer Structure‘U-Mag’”的文章(IEEE Trans on Magnetics，Vol 41，No.2，Feb 2005)公开了一种用于垂直记录介质的新的分层结构，称为“U-Mag”。所述堆叠膜包括非常薄的铁磁Co层(2nm)和晶格间距(lattice spacing)控制层。具有高矫顽力的与100nm软磁衬层一起形成的该结构比使用常规Ru衬层的介质显示出更高的信噪比。
一种现有技术垂直记录介质(PMR)的制造采用Ru hcp(六角密堆积)衬层来控制Co基磁记录层的c轴取向。Ru生长及其结构特性对于实现记录介质的所需磁和微结构属性是关键的。Ru hcp衬层生长在诸如Ni80Fe20的籽层上，且优化Ru生长参数(溅射压强、生长速率等)来改善其晶体学属性及改善与Co合金层的晶格匹配。图1(现有技术)示出现有技术垂直介质架构100，其中采用在不同溅射压强生长并具有不同厚度的Ru的双hcp衬层114a、114b来控制PMR CoPtCr-SiO2磁记录层118的微结构属性。使用这样的Ru hcp双衬层来改善记录介质性能与Hikosaka(美国专利6670056)的教导是一致的。通常，层114a是5nm厚且在5毫托的溅射压强下生长，层114b是12nm厚且在55毫托的溅射压强下生长。供选地，层114a和114b可以组合为单层，在单一溅射压强下生长。图1所示的结构包括Ni80Fe20的2nm厚的层112从而使后续生长的Ru hcp衬层114的所需生长取向成核。层112生长在通过0.7nm的Ru层108分隔开的一对75nm的CoTaZr软磁衬层(SUL)106和110之上。SUL层106和110沉积在衬底102和AlTi层104之上。保护层120沉积在记录层118顶上，并包括保护性和润滑性成分。置于SUL 110的顶部和CoPtCr-SiO2合金磁记录层118之间的层可以简称为中间层或IML。
已经实现了该结构的变型从而适应介质制造限制(例如可用溅射靶的数量)并包括用在优化的高溅射压强下生长的单个Ru hcp衬层代替双hcp衬层。另外，本领域的其它工作者已经用不同的Ni合金例如NiCr、NiV、NiW来替代Ni20Fe80成核层。此外，不同的合金例如NiAl、CrTa和CuNb已经被研究用作Ru成核层从而改善其微结构属性。
Ru被选作现有技术IML中的成分有很多原因。第一，由于其基面主要与Ni20Fe80成核层112的膜平面平行地取向，Ru hcp衬层114被制造为具有强晶体学织构(texture)。第二，选择Ru从而实现其六角平面与磁记录层118中的CoPtCr-SiO2合金之间的晶格匹配。图3(现有技术)是示意图，示出一般hcp结构和晶格常数a和c。第三，采用Ru hcp衬层114的晶粒尺寸和晶粒尺寸分布的控制来控制磁记录层118中CoPtCr-SiO2合金的晶粒尺寸。尽管现有技术IML中采用Ru获得了垂直介质性能的显著改善，但是该解决方案存在固有限制。Ru hcp衬层114的晶格参数通过改变生长条件只能修改到一定程度。缺陷、层错和应力驰豫的产生对晶格参数改变提出了严格限制。另外，当采用现有技术的处理技术时，形成所需晶体学取向所需的晶粒尺寸、晶粒尺寸分布和成核动力学受到限制。
所需的是IML结构，与采用相同磁记录层的现有技术PMR介质相比时，其提供磁记录层的微结构改善以及磁记录性能的大的改善。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种垂直记录介质，其包括磁记录层、软磁衬层、以及设置在该磁记录层和该软磁衬层之间的中间层结构。该中间层还包括形成在该软磁衬层之上的包括Ni合金的第一成核层、形成在该第一成核层之上的包括具有至少另外两种元素的Ni合金的第二成核层、以及形成在该第二成核层之上的包括Ru合金的hcp衬层。
本发明的另一目的是提供一种垂直记录介质，其包括磁记录层、软磁衬层和设置在该磁记录层和该软磁衬层之间的中间层结构。该中间层还包括形成在该软磁衬层之上的包括Ni-Fe合金的第一成核层、形成在该第一成核层之上的包括Ni-Fe-Cr合金的第二成核层、以及形成在该第二成核层之上的包括Ru-Cr二元合金的hcp衬层。
附图说明
当考虑下面的详细说明时，本发明将被更好理解。这些说明参照了附图，附图中：
图1(现有技术)是垂直记录介质的分层结构的部分横截面示意图；
图2是根据本发明一实施例的垂直记录介质的分层结构的部分横截面示意图；
图3(现有技术)是六角密堆积晶体结构的示意图，示出了晶格常数a和c；
图4是离面XRD图，示出了根据本发明一实施例的改善了的晶格匹配；
图5是面内XRD图，示出了现有技术PMR结构与根据本发明一实施例的示例三层IML结构的晶格匹配比较；
图6是表格，示出根据本发明一实施例用于图5的比较数据的各种膜厚度和沉积压强；
图7是表格，示出根据本发明一实施例用于图5的比较数据的各种膜属性；
图8是曲线图，示出根据本发明一实施例的信噪比与磁通密度的关系；
图9是曲线图，示出根据本发明一实施例的归一化介质噪声功率(NmNP)与磁通密度的关系；
图10是曲线图，示出根据本发明一实施例的饱和性能与写电流的关系；
图11是曲线图，示出根据本发明一实施例的字节错误率(BER)的对数与位密度的关系；
图12是柱形图，比较现有技术介质和本发明一示例性实施例的字节错误率的对数。
具体实施方式
本发明寻求提供改善的IML成分和结构从而克服现有技术IML制造和材料选择的固有限制。
第一，用于hcp衬层生长的Ni80Fe20成核层112被双成核层取代。采用这样的双层结构实现了相对于现有技术方法的诸多改善。通过选择双成核层的厚度比率，本发明与单成核层相比提供了更宽范围的晶格参数。这导致更宽范围的薄膜应变值。另外，改变本发明的双成核层的厚度可以得到具有新颖特性的新的单相材料，特别是如果层厚度约为在生长温度的扩散长度。双成核层结构中的每个层可以具有不同的表面能、化学属性、多孔性和其它微结构特征，其可以被组合并优化从而满足不同材料功能。这些包括但不限于到软磁衬层(SUL)110的良好粘合性、以及用于在后续沉积的hcp衬层上生长的膜的热动力学受阻碍的晶体相的形成的增大的浸润性(wet-ability)。
第二，Ru衬层114a、b被其晶格常数更匹配磁合金层118的晶格常数的Ru二元合金hcp衬层代替。
本发明的对IML结构的前述修改导致了PRM性能的显著改善，这将在下面的后续示例中得到证实。
图2是根据本发明一实施例的垂直记录介质的分层结构的部分横截面示意图200。层202、204和206构成本发明的新颖三层IML结构。层202和204构成双成核层，层206构成Ru二元合金hcp衬层。一起地，层202-206替代图1所示的现有技术结构的层114a、114b和112。
层202可以由Ni的NixM1-x形式的二元合金构成，其中为本公开的目的，x代表原子百分比(at.％)的Ni成分。例如，Ni80Fe20合金将包含80at.％的Ni和20at.％的Fe。优选地，M是Fe。然而，M也可以从包括Mn、Co、V、W和Cu的组中选择。对于NixFe1-x合金，x可以在72-92at.％的范围内，但优选为约80at.％。层202的厚度在0.1至6nm的范围内，优选约2.0nm。层202优选在1和10毫托(mTorr)之间的压强范围通过溅射来沉积，优选在约5.6毫托。层202也可以由包括两种或更多其它元素的Ni合金构成。一种这样的合金是NixFeyCr(1-x-y)，其中x+y可以在72-92at.％的范围内，但优选为约80at.％。
层204可以由Ni的NixAyB(1-x-y)形式的三元合金构成，其中A和B从包括Fe、Cr、Mn、Co、V、W和Cu的组中选择。优选地，A为Fe且B为Cr。对于Ni-Fe-Cr合金，x可以在40-80at.％的范围内，y可以在8-30at.％的范围内，Cr浓度可以在15-40at.％的范围内。优选地，x在64-50at.％的范围内，y在16-12at.％的范围内，Cr浓度在20-38at.％的范围内。层204的厚度在0.1至6nm的范围内，优选约1.8nm。层204优选在1和10毫托(mTorr)之间的压强范围内通过溅射来沉积，优选在约5.0毫托。层204也可以由包括三种或更多其它元素的Ni合金构成。一种这样的合金是NixFeyCuzCr(1-x-y-z)，其中x在64-50at.％的范围内，y+z在16-12at.％的范围内，Cr浓度在20-38at.％的范围内。
层206可以由RuxD(1-x)形式的二元Ru合金构成，其中D选自Cr、Mn、V、Co、Fe、Cu、Re、Os和Zn之中，但优选为Cr。对于RuxCr(1-x)合金，x在65-85at.％的范围内，但优选为约75at.％。层206的厚度在6至24nm的范围内，优选约16nm。层206优选在20和100毫托(mTorr)之间的压强范围通过溅射来沉积，优选在约46毫托。层206也可以由Ru或包括两种或更多其它元素的Ru合金构成。
示例性实施例
下面的示例性实施例说明了通过本发明获得的相比于一般现有技术的改进。它们决不意味着限制本发明的范围或应用。
图4是离面XRD(x射线衍射)图400，示出了根据本发明一实施例的改善了的晶格匹配。该图比较了在2.0nm厚的Ni80Fe20成核层上在相同溅射条件下生长的Ru(曲线402)和Ru75Cr25(曲线404)衬层的离面谱。峰位置410(与[002]Ru75Cr25基面对应的反射)从峰位置408(对应于纯Ru)的位移表示Ru75Cr25合金的a参数小于Ru的a参数。参照图3(现有技术)，其示出了Ru和Ru75Cr25的hcp单位单元的品格参数。图4中，衬层的峰位置越接近CoX峰406的位置，晶格匹配越好。当距离412接近于零且含Ru衬层的峰位置交迭CoX峰406的位置时，将获得完美匹配。较好的晶格匹配是Cr置换地包括在Ru-Cr单位单元中的结果，Cr原子半径
小于Ru的原子半径
从图4的谱测量的晶格参数为：
从这些测量结果可以容易地看出，Ru75Cr25的a参数更接近于CoPtCr-SiO2合金的值，因而改善了晶格匹配。
图5是面内XRD图500，示出了现有技术PMR结构(曲线502)与根据本发明一实施例的示例三层IML结构(曲线504)的晶格匹配比较。该图中，包含2.0nm Ni80Fe20籽层112和16nm Ru衬层114的现有技术PMR结构与本发明的包括2.0nm Ni80Fe20层202、1.8nm Ni64Fe16Cr20层204和12.5nm Ru75Cr25层206的示例三层IML结构进行比较。用于上述膜的沉积条件示于图6。PMR结构(即层102-110、118、120)的所有其它组元相同并且以本领域技术人员公知的方式构建。该掠入射(grazing incidence)测量的谱所示的反射源自于衬层和CoPtCr-SiO2薄膜的(1120)面(见图3)。从图5可以看出，与曲线504(本发明的IML结构)对应的距离512表明峰位置510比现有技术PMR结构的曲线502的峰位置508更接近CoPtCr-SiO2峰位置506。如上所述，这表明与现有技术比较时本发明的更好的晶格参数匹配。图5中数据的进一步分析显示了下面图7揭示的另外的微结构改善。
图6是表格，示出根据本发明一实施例用于图5的比较数据的各种膜厚度和沉积压强。列602给出用于现有技术和本发明示例的膜的Ni80Fe20膜厚度和溅射沉积压强。列604给出用于本发明示例中的膜的Ni64Fe16Cr20膜厚度和溅射沉积压强。列606给出用于现有技术示例中的膜的Ru膜厚度和溅射沉积压强。列608给出用于本发明示例中的膜的Ru75Cr25合金膜厚度和溅射沉积压强。
图7表格，示出根据本发明实施例的用于图5的比较数据的各种膜属性。列702以％将本发明的Ru75Cr25合金RMS应变与现有技术Ru膜的应变进行比较。与0.5％的现有技术膜RMS应变进行比较时，本发明的Ru75Cr25膜显示出0.47％的减小了的RMS应变。列704将本发明的Ru75Cr25合金的晶粒尺寸与Ru现有技术的晶粒尺寸进行比较。列706将本发明的Ru75Cr25合金织构与现有技术Ru膜进行比较。列708以％将本发明的CoPtCr-SiO2膜RMS应变与现有技术的应变进行比较。由于更好的晶格匹配条件，本发明的三层IML膜结构将磁CoPtCr-SiO2膜的RMS应变从0.21％减小到0.18％。同样地，本发明的晶粒尺寸(列710)、织构(列712)和晶格失配(列714)都显示出从现有技术值降低，这证实了本发明的更好的晶格匹配。
其余的图8-12示出了根据本发明的教导构建的PMR结构的记录介质性能。采用Guzik测试仪根据本领域技术人员公知的方法来测量字节错误率(BER)、信噪比、介质噪声和饱和性能。图8是曲线图800，示出根据本发明实施例的信噪比(SoNR)与磁通密度的关系。测量单位对于SoNR是分贝(dB)，对于密度是kfci(千通量变化/英寸)。曲线802表示本发明的PMR结构的性能。曲线804表示现有技术的PMR结构的性能。在图中可以注意到，对于约100kfci以上的密度，信噪比与现有技术相比获得显著改善，在大于400kfci的更高密度尤其更好。图9是曲线图900，示出根据本发明实施例的归一化介质噪声功率(NmNP)与磁通密度的关系。曲线902表示本发明的PMR结构的性能。曲线904表示现有技术的PMR结构的性能。图中的数据证实了本发明的介质的改善了的噪声性能，特别是在较高密度。
图10是曲线图1000，示出根据本发明实施例的饱和性能。曲线1002表示作为写电流的函数的先前记录的信号的低频道平均幅度(LFTAA)。曲线1002的缓慢上升部分地归因于CoPtCr-SiO2膜的矫顽力从一般现有技术值6050Oe到7580Oe的显著增加。图10所示的本发明的示例性实施例表现出的更高Hc要求更高的电流来足够地写介质。如果需要，通过减小Ru75Cr25层的厚度来降低Hc可以降低写电流。
图11是曲线图，示出根据本发明实施例的字节错误率(BER)的对数与位密度(kbpi或千位/英寸)的关系。BER的比较示于图12，柱形图1200在720kbpi的线密度比较现有技术介质和本发明的示例性实施例的字节错误率的对数(log)。柱1202表示现有技术BER的对数。柱1204表示本发明的示例性实施例的BER的对数。该数据表明本发明提供了比现有技术(约10-3.75)低大约一个数量级的字节错误率(约10-4.75)。
本发明不限于前述实施例和示例。相反，本发明的范围由权利要求及其等价物与这些说明一起定义。
Claims (31)
1.一种垂直记录介质，包括：
磁记录层；
软磁衬层；以及
中间层结构，设置在所述磁记录层和所述软磁衬层之间，该中间层结构包括：
第一成核层，形成在所述软磁衬层之上，所述第一成核层由NiFeCr或Ni-M形式的二元Ni合金构成，其中M选自由Fe、Mn、Co、V、W和Cu构成的组，
第二成核层，形成在所述第一成核层之上，所述第二成核层由NiFeCuCr或者Ni-A-B形式的三元Ni合金构成，其中A和B选自由Fe、Cr、Mn、Co、V、W和Cu构成的组，以及
六角密堆积衬层，形成在所述第二成核层之上，所述六角密堆积衬层包括Ru合金。
2.如权利要求1所述的介质，其中所述第一成核层是二元Ni合金且所述第二成核层是三元Ni合金。
3.如权利要求1所述的介质，其中所述磁记录层包括Co、Pt、Cr和SiO2；且所述软磁衬层包括Co、Ta和Zr。
4.如权利要求2所述的介质，其中所述二元Ni合金是NiFe，其具有72-92at.％之间的Ni浓度。
5.如权利要求1所述的介质，其中所述第一成核层由NiFe构成。
6.如权利要求4所述的介质，其中所述二元Ni合金具有80at.％的Ni浓度，以及20at.％的Fe浓度。
7.如权利要求1所述的介质，其中所述第一成核层厚度在0.1和6nm之间。
8.如权利要求1所述的介质，其中所述第一成核层为2.0nm厚。
9.如权利要求2所述的介质，其中A是Fe且B是Cr。
10.如权利要求9所述的介质，其中所述三元Ni合金具有40-80at.％之间的Ni浓度、8-30at.％之间的Fe浓度、以及15-40at.％之间的Cr浓度。
11.如权利要求10所述的介质，其中所述三元Ni合金具有50-64at.％之间的Ni浓度、12-16at.％之间的Fe浓度、以及20-38at.％之间的Cr浓度。
12.如权利要求1所述的介质，其中所述Ru合金是Ru-D的形式，其中D选自包括Cr、Mn、V、Co、Fe、Cu、Re、Os和Zn的组。
13.如权利要求12所述的介质，其中D是Cr。
14.如权利要求12所述的介质，其中所述六角密堆积衬层厚度在6和24nm之间。
15.如权利要求12所述的介质，其中所述六角密堆积衬层为16nm厚。
16.如权利要求1所述的介质，其中所述Ru合金是RuCr，其具有65-85at.％之间的Ru浓度。
17.如权利要求1所述的介质，其中所述Ru合金是RuCr，其具有75at.％的Ru浓度。
18.一种垂直记录介质，包括：
磁记录层；
软磁衬层；以及
中间层结构，设置在所述磁记录层和所述软磁衬层之间，该中间层结构包括：
第一成核层，形成在所述软磁衬层之上，所述第一成核层包括Ni-Fe合金，
第二成核层，形成在所述第一成核层之上，所述第二成核层包括Ni-Fe-Cr合金，以及
六角密堆积衬层，形成在所述第二成核层之上，所述六角密堆积衬层包括Ru-Cr合金。
19.如权利要求18所述的介质，其中所述磁记录层包括Co、Pt、Cr和SiO2；且所述软磁衬层包括Co、Ta和Zr。
20.如权利要求18所述的介质，其中所述Ni-Fe合金具有72-92at.％之间的Ni浓度。
21.如权利要求20所述的介质，其中所述Ni-Fe合金具有80at.％的Ni浓度、以及20at.％的Fe浓度。
22.如权利要求18所述的介质，其中所述第一成核层厚度在0.1和6nm之间。
23.如权利要求18所述的介质，其中所述第一成核层为2.0nm厚。
24.如权利要求18所述的介质，其中所述Ni-Fe-Cr合金具有40-80at.％之间的Ni浓度、8-30at.％之间的Fe浓度、以及15-40at.％之间的Cr浓度。
25.如权利要求18所述的介质，其中所述Ni-Fe-Cr合金具有50-64at.％之间的Ni浓度、12-16at.％之间的Fe浓度、以及20-38at.％之间的Cr浓度。
26.如权利要求18所述的介质，其中所述第二成核层厚度在0.1和6nm之间。
27.如权利要求18所述的介质，其中所述第二成核层为1.8nm厚。
28.如权利要求18所述的介质，其中所述Ru-Cr合金具有65-85at.％之间的Ru浓度。
29.如权利要求18所述的介质，其中所述Ru-Cr合金具有75at.％的Ru浓度。
30.如权利要求18所述的介质，其中所述六角密堆积衬层厚度在6和24nm之间。
31.如权利要求18所述的介质，其中所述六角密堆积衬层为16nm厚。
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