CN100492454C - 等离子体显示设备及其驱动装置和驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体显示设备、一种驱动装置和一种驱动方法。所述显示设备包括多个电极，连接到第一电源的第一晶体管和连接在第一晶体管和第二电源之间的第二晶体管。第一电容器连接到第一晶体管和第二晶体管，第二电容器连接到第一电容器，并且二极管连在第一电源和第二电容器之间。第三晶体管和第四晶体管以背靠背的方式彼此相连，并且与电感器串连。第五晶体管连接在第二电容器与一个或多个电极之间，并且第六晶体管连接在第一电容器与一个或多个电极之间。

Description

等离子体显示设备及其驱动装置和驱动方法

技术领域

本发明涉及等离子显示设备及其驱动装置和驱动方法。更具体地，本发明涉及等离子体显示设备的能量回收电路及其驱动装置和驱动方法。

背景技术

等离子体显示设备是一种平板显示设备，其使用由气体放电过程所产生的等离子体来显示字符或图像。它包括以矩阵图样排列的多个放电室。一般而言，PDP的一帧分成多个子场，每个子场都包括复位周期、寻址周期和维持周期。在每个子场的寻址周期，选取导通的/截止的室(即，待导通的或待截止的室)，并且在导通的室上执行维持放电操作，从而在维持周期显示图像。

因为高电平电压和低电平电压交替施加到在维持周期中维持放电操作所针对执行的电极上，所以用于施加高电压和低电压的晶体管的电压需要与高低电平之差相对应。因此，由于高电压的晶体管，增加了维持放电电路的成本。

发明内容

根据本发明示例性实施例的等离子显示设备包括多个第一电极、第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第二电容器、充电通路、电感器、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管。所述第一晶体管具有电连接到用于提供第一电压的第一电源的第一端。所述第二晶体管具有电连接到所述第一晶体管的第二端的第一端，和电连接到用于提供第二电压的第二电源的第二端。所述第一电容器采用第三电压充电，并具有电连接到所述第一晶体管和第二晶体管的节点的第一端。所述第二电容器采用第四电压充电，并具有电连接到所述第一电容器的第二端的第一端。所述充电通路电连接在所述第一电源和所述第二电容器的第二端之间。所述电感器、第三晶体管以及第四晶体管相互串联地电连接在所述第一电容器的第二端和所述多个第一电极之间。所述第五晶体管电连接在所述第二电容器的第二端和所述多个第一电极之间。所述第六晶体管电连接在所述多个第一电极和所述第一电容器的第一端之间。所述示例性的等离子体显示设备进一步包括：控制器，其用于在第一周期将所述第二和第六晶体管设置成导通，在第二周期将所述第二和第三晶体管设置成导通，在第三周期将所述第二和第五晶体管设置成导通，在第四周期将所述第一和第三晶体管设置成导通，在第五周期将所述第一和第五晶体管设置成导通，在第六周期将所述第一和第四晶体管设置成导通，在第七周期将所述第二和第五晶体管设置成导通，并且在第八周期将所述第二和第四晶体管设置成导通。

一种根据本发明实施例的示例性驱动方法用来驱动包括第一电极和第二电极的等离子体显示设备。在所述示例性的驱动方法中，通过经电连接到所述第一电极的电感器，向所述第一电极提供存储于第一电容器中的能量，增加所述第一电极处的电压，其中所述第一电容器使用第一电压充电；相当于所述第一电压和第二电压之和的第三电压，通过第一电容器和第二电容器施加到所述第一电极，其中所述第二电容器采用所述第二电压充电；通过经所述电感器向所述第一电极提供用于提供第四电压的第一电源和存储于所述第一电容器中的能量，增加所述第一电极处的电压；相当于所述第三电压和第四电压之和的第五电压通过所述第一电源以及第一和第二电容器施加到所述第一电极；通过经所述电感器将存储于所述第一电极的能量回收到所述第一电容器和第一电源，降低所述第一电极处的电压；所述第三电压经所述第一和第二电容器施加给所述第一电极；通过经所述电感器将存储于所述第一电极的能量回收到所述第一电容器，降低所述第一电极处的电压；并且低于所述第四电压的第六电压被施加给所述第一电极。

一种根据本发明实施例的示例性驱动装置驱动包括第一电极和第二电极的等离子体显示设备。该示例性驱动装置包括第一电容器、第二电容器、第一晶体管、第二晶体管、电感器、第一谐振通路、第二谐振通路和开关单元。所述第一电容器采用第一电压充电。所述第二电容器采用第二电压充电，并且具有电连接到所述第一电容器的第一端的第一端。所述第一晶体管电连接在所述第一电容器的第二端和所述第一电极之间。所述第二晶体管电连接在所述第二电容器的第二端和所述第一电极之间。所述电感器电连接在所述第一电容器和所述第二电容器的节点与所述多个第一电极之间。所述第一谐振通路形成在所述节点和所述多个第一电极之间，并且通过谐振增加所述第一电极处的电压。所述第二谐振通路形成在所述节点和所述多个第一电极之间，并且通过谐振降低所述第一电极处的电压。所述开关单元向所述第二电容器的第二端选择性地施加第三电压和低于该第三电压的第四电压。在这种情况下，所述第一电极处的电压通过所述第一谐振通路增加，同时所述第四电压施加给所述第二电容器的第二端；通过导通所述第一晶体管，相当于所述第四电压、第一电压和第二电压之和的第五电压施加给所述第一电极，同时所述第四电压施加给所述第二电容器的第二端；所述第一电极处的电压通过所述第一谐振通路被增大，同时所述第三电极被施加到所述第二电容器的第二端；通过导通所述第一晶体管，相当于所述第三电压、第一电压和第二电压之和的第六电压施加到所述第一电极，同时所述第三电压被施加给所述第二电容器的第二端；所述第一电极处的电压通过所述第二谐振通路被降低，同时所述第三电压被施加到所述第二电容器的第二端；通过导通所述第一晶体管，所述第一电压被施加到所述第一电极，同时所述第四电压被施加到所述第二电容器的第二端，所述第一电极处的电压通过所述第二谐振通路被降低，同时所述第四电压被施加到所述第二电容器的第二端；并且所述第四电压通过导通所述第二晶体管被施加到所述第一电极，同时所述第四电压被施加到所述第二电容器的第二端。

附图说明

图1为根据本发明示例性实施例的等离子体显示设备的示意图。

图2示出根据本发明第一示例性实施例的维持脉冲波形。

图3为根据本发明第一示例性实施例的维持放电电路的示意图。

图4为根据本发明第一示例性实施例的维持放电电路的信号时序图。

图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G和图5H为图3所示的维持放电电路根据图4所示的信号时序进行操作的示意图。

图6示出根据本发明第二示例性实施例的维持脉冲波形。

图7为根据本发明第二示例性实施例的维持放电电路的示意图。

具体实施方式

本说明书所使用的措辞“保持处于预定电压”不应该被理解成“严格地保持处于预定电压”。相反，即使两点之间的电压差起变化，但只要该变化处于设计约束条件中所允许的范围，或者只要该变化是由本领域的普通技术人员通常忽略的寄生元件所产生，那么该电压差就“保持处于预定电压”。半导体器件(例如晶体管、二极管等等)的阈值电压与放电电压相比可以非常低，因此在以下描述中阈值电压近似为接近0V。

如图1所示，根据本发明示例性实施例的等离子体显示设备包括等离子体显示面板(PDP)100、控制器200和寻址电极驱动器300、维持电极驱动器400以及扫描电极驱动器500。

PDP100包括纵向延伸的多个寻址电极Al-Am(下文中，称为“A电极”)，以及横向成对延伸的多个维持电极Xl-Xn和多个扫描电极Yl-Yn(下文中，分别称为“X电极”和“Y电极”)。一般而言，X电极Xl-Xn对应Y电极Yl-Yn，并且Y电极Yl-Yn和X电极Xl-Xn被布置成横跨A电极Al-Am。在这种情况下，A电极Al-Am与X电极Xl-Xn和Y电极Yl-Yn的交叉区域上的放电空间形成放电室110。

控制器200接收外部图像信号(例如视频图像信号)，输出驱动控制信号，将一帧分成多个子场，并驱动每个子场，其中每个子场都具有一定的亮度权值。每个子场都具有寻址周期和维持周期。A电极驱动器300、X电极驱动器400和Y电极驱动器500分别响应于来自控制器200的驱动控制信号，向A电极Al-Am、X电极Xl-Xn和Y电极Yl-Yn施加驱动电压。

更详细地，在每个子场的寻址周期，A电极驱动器300、X电极驱动器400和Y电极驱动器500分别从多个放电室110中选取导通的放电室和截止的放电室。参照图2，在每个子场的维持周期，维持电极驱动器400(下文中，也称为“X电极驱动器400”)多次向多个X电极Xl-Xn施加维持脉冲，该维持脉冲交替具有高电平电压(Vs)和低电平电压(接近0V)，施加次数对应于相应子场的权值。扫描电极驱动器500(下文中，也称为“Y电极驱动器500”)向多个Y电极Yl-Yn施加维持脉冲，该维持脉冲与施加到X电极Xl-Xn的维持脉冲相位相反。因此，Y电极和X电极之间的电压差交替为Vs电压和-Vs电压，并且在导通的放电室上，重复产生预定次数的维持放电。如图2所示，虽然根据本发明第一示例性实施例的维持脉冲从低电平电压(接近0V)增加到高电平电压(Vs)，并且从高电平电压(Vs)降低到低电平电压(接近0V)，但是该维持脉冲在中间电平电压(Vs/2)处停止增加和停止降低一段预定的时间。

现在参照图3、图4、图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G和图5H来说明用于提供图2所示的维持脉冲的维持放电电路。

图3是根据本发明第一示例性实施例的维持放电电路410的电路图。为了更好的理解并便于说明，图3中只描述了连接到多个X电极Xl-Xn的维持放电电路410，并且维持放电电路410形成于如图1所示的X电极驱动器400中。在一个实施例中，连接到多个Y电极Yl-Yn的维持放电电路510和图3中的维持放电电路410具有相同的结构，或者维持放电电路510可以具有不同于图3所示的维持放电电路410的另外一种结构。

在一个实施例中，维持放电电路410通常连接到多个X电极Xl-Xn。在另一个实施例中，维持放电电路410可以连接到多个X电极Xl-Xn的其中一些。另外，为了更好地理解并便于说明，仅描述一个X电极X和一个Y电极Y，并且由X和Y形成的电容作为面板电容器(panel capacitor)Cp来描述。

参照图3，根据本发明第一示例性实施例的维持放电电极410包括：晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6；二极管D1、D2和D3；电感器L以及电容器C1和C2。在该实施例中，晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6都是n沟道场效应晶体管，具体地说，都是n沟道金属氧化物半导体晶体管(NMOS)。另外，在晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6中，沿着从相应晶体管的源极到相应晶体管的漏极的方向形成体二极管。在其它实施例中，能执行类似功能的其它晶体管可以用作晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6。晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6中的每一个都在图3中表示成一个晶体管。在其它实施例中，晶体管S1、S2、S3、S4、S5和S6可以包括彼此并联的多个晶体管。

晶体管S1的漏极连接到电源Vs/2，电源Vs/2用来提供相当于高电平电压(Vs)和低电平电压(接近0V)之差的一半的Vs/2电压。在这种情况下，电源Vs/2可以由连接到开关电源(SMPS，未示出)的电容器来提供。晶体管S1的源极连接到晶体管S1的漏极，并且晶体管S2的源极连接到提供低电平电压(即，接近0V的接地电压)的接地端。电容器C2的第一端连接到晶体管S1的源极以及晶体管S2的漏极，并且电容器C2的第二端连接到电容器C1的第一端。电容器C1的第二端连接到二极管D1的阴极，二极管D1的阳极连接到电源Vs/2。在这种情况下，二极管D1形成充电通路，用于在晶体管S2导通时将相应的电容器C1和C2充电至Vs/4电压，并且电容器C1和C2通过该充电通路被分别充电至Vs/4电压。除了使用二极管D1外，也可以使用用于形成充电通路的其它元件(例如，晶体管)。另外，电容器C1和C2的电容被选为相等，从而将相应的电容器C1和C2充电至Vs/4电压。两个晶体管S1和S2用作开关单元，用来向电容器C2的第一端选择性地施加Vs/2电压和接近0V的电压。

X电极连接到晶体管S5的源极、晶体管S6的漏极和晶体管S4的漏极，晶体管S5的漏极连接到电容器C1的第二端，并且晶体管S6的源极连接到晶体管S1和S2以及电容器C2的节点。电感器L连接到电容器C2的第二端，晶体管S3的漏极连接到电感器L的第二端，晶体管S3的源极连接到晶体管S4的源极，并且晶体管S4的漏极连接到X电极。在这种情况下，因为晶体管S3和S4的源极彼此连接，所以当晶体管S3和S4截止时，晶体管S3和S4可以避免体二极管形成电流通路。也就是说，晶体管S3和S4以背靠背的方式连接。另外，因为在图3中当电感器L以及晶体管S3和S4在电容器C2的第二端和X电极之间串联时，形成了用于充电和放电的谐振通路，所以它们之间的位置可以相对彼此改变。

二极管D2的阳极和阴极分别连接到电感器L的第二端和电容器C1的第二端，并且二极管D3的阳极和阴极分别连接到电容器C2的第一端和电感器L的第二端。二极管D2和D3对保留在电感器L中的电流执行自振荡，并且将保留的能量回收到电容器C1和C2。

现在参照图4以及图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G和图5H来描述图3所示的维持放电电路410的操作。

图4为根据本发明第一示例性实施例的维持放电电路410的信号时序图，图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G和图5H示出图3所示的维持放电电路410根据图4所示的信号时序的操作。

参照图4和图5A，因为晶体管S2和S6在模式M1时导通，所以接近0V的电压通过图5A所示的X电极、晶体管S6、晶体管S2和接地端所形成的通路施加到X电极。另外，如图5A所示，电容器C1和C2分别通过电源Vs/2、二极管D1、电容器C1和C2、晶体管S2和接地端所形成的通路用Vs/4电压充电。在这种情况中，因为晶体管S2和S6的漏极处的电压接近0V，并且晶体管S1和S5的漏极处的电压为Vs/2电压，所以在截止的晶体管S1、S3、S4和S5的漏极和源极之间施加有低于Vs/2电压的电压。也就是说，可以使用具有Vs/2电压的晶体管S1、S3、S4和S5。

在模式M2时，因为晶体管S3导通，晶体管S6截止，同时晶体管S2导通，因此通过图5B所示的接地端、晶体管S2、电感器L、晶体管S3、晶体管S4的体二极管以及面板电容器Cp所形成的通路产生了谐振。通过谐振，充给电容器C2的能量通过电感器L提供给了X电极，并且X电极处的电压Vx从接近0V的电压增大到Vs/2电压。

在模式M3时，因为晶体管S5导通，晶体管S3截止，同时晶体管S2导通，Vs/2电压通过图5C所示的接地端、晶体管S2、电容C1和C2以及晶体管S5所形成的通路施加给X电极X。在这种情况下，电容器C1和电容器C2串联连接，接近0V的电压施加给电容器C2的第一端，电容器C1的第二端处的电压为Vs/2电压，因此该Vs/2电压施加给X电极。如图5C所示，当采用模式M2将X电极处的电压增大到Vs/2电压后，电感器L中保持有电流IL，通过电感器L、二极管D2和电容器C1，所保留的电流IL自振荡。也就是说，保留在电感器L中的能量回收到电容器C1。在这种情况下，因为晶体管S2漏极处的电压接近0V电压，并且在晶体管S5漏极处的电压是Vs/2电压，所以在截止的晶体管S1、S3、S4和S6的漏极和源极之间施加有低于Vs/2电压的电压。也就是说，可以使用具有Vs/2电压的晶体管S1、S3、S4和S6。

在模式M4时，因为晶体管S2和S5截止，晶体管S1和S3导通，所以通过图5D所示的电源Vs/2、晶体管S1、电容器C2、电感器L、晶体管S3、晶体管S4的体二极管以及面板电容器Cp所形成的通路产生了谐振。通过谐振，电源Vs/2和电容器C2的能量通过电感器L提供给了X电极，并且X电极处的电压Vx增大。在这种情况下，因为电源Vs/2和电容器C2串联连接，并且电容器C2的第二端处的电压为3Vs/4电压，所以X电极处的电压Vx从Vs/2电压升高到Vs电压。

在模式M5时，因为晶体管S5导通，晶体管S3截止，同时晶体管S1导通，所以Vs电压通过图5E所示的电源Vs/2、晶体管S1、电容器C2和C1以及晶体管S5所形成的通路施加到X电极X。在这种情况下，电源Vs以及电容器C1和C2串联连接，电容器C1第二端处的电压变成Vs电压，因此Vs电压被施加给X电极。如图5E所示，在模式M4时，当X电极处的电压升高到Vs电压后，电感器L中保持有电流IL，保持在电感器L中的电流IL通过二极管D2和电容器C1自振荡。也就是说，保留在电感器L中的能量被回收到电容器C1。在这种情况下，因为晶体管S2漏极处的电压是Vs/2电压，晶体管S6漏极处的电压是Vs电压，所以在截止的晶体管S2、S3、S4和S6的漏极和源极之间施加有低于Vs/2电压的电压。也就是说，可以使用具有Vs/2电压的晶体管S2、S3、S4和S6。

在模式M6时，因为晶体管S5截止，晶体管S4导通，同时晶体管S1保持处于导通状态，所以通过图5F所示的面板电容器Cp、晶体管S4、晶体管S3的体二极管、电感器L、电容器C2、晶体管S1以及电源Vs/2所形成的通路产生了谐振。通过谐振，X电极处的电压从Vs电压下降到Vs/2电压，同时存储在面板电容器Cp中的能量通过电感器L被回收到电容器C2和电源Vs/2。在这种情况下，因为电源Vs/2和电容器C2串联连接以提供3Vs/4电压，所以X电极处的电压Vx从Vs电压降低到Vs/2电压。

在模式M7时，因为晶体管S2和S5导通，晶体管S1和S4截止，所以Vs/2电压通过图5G所示的X电极、晶体管S5、电容器C1和C2、晶体管S2以及接地端所形成的通路施加给X电极X。在这种情况下，电容器C1和C2串联连接，电容器C1的第二端处的电压变成Vs/2电压，因此Vs/2电压被施加给X电极。另外，如图5G所示，在模式M6时，当X电极处的电压被降到Vs/2电压后，电感器L中保持有电流IL，保持在电感器L中的电流IL通过电感器L、电容器C2和二极管D3自振荡。也就是说，保留在电感器L中的能量被回收到电容器C2。在这种情况下，因为在晶体管S2漏极处的电压接近0V电压，并且在晶体管S6漏极处的电压为Vs/2电压，所以在截止的晶体管S1、S3、S4和S6的漏极和源极之间施加有低于Vs/2电压的电压。也就是说，可以使用具有Vs/2电压的晶体管S1、S3、S4和S6。

在模式M8时，因为晶体管S5截止，晶体管S4导通，同时晶体管S2导通，所以通过图5H所示的面板电容器Cp、晶体管S4、晶体管S3的体二极管、电感器L、电容器C2、晶体管S2和接地端所形成的通道产生了谐振。通过谐振，因为存储于面板电容器Cp中的能量通过电感器L被回收到电容器C2，所以X电极处的电压从Vs/2电压降低到接近0V电压。在这种情况下，电容器C2的第一端连接到接地端，电容器C2提供有Vs/4电压，因此X电极处的电压Vx从Vs/2电压降低到接近0V电压。

如上所述，因为模式M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和M8在维持期间被重复进行多次，该次数与相应子场的权值相对应，所以Vs电压和接近0V的电压交替施加到X电极。另外，由于X电极处的电压Vx从接近0V增大到Vs/2电压后又从Vs/2电压增加到Vs电压，并且从Vs电压降低到Vs/2电压后又从Vs/2电压降低到接近0V，因此，与X电极处的电压Vx从接近0V电压直接增大到Vs电压，并且从Vs电压直接降低到0V电压的情况相比，可以降低电磁干扰(EMI)。

虽然在本发明第一示例性实施例中已经说明，维持脉冲交替具有高电平电压和低电平电压，并且相位相反的维持脉冲分别施加给X电极和Y电极，然而这种维持脉冲可以被施加给X电极和Y电极的其中一个，这种情况将在下文中参照图6和图7进行说明。

图6示出根据本发明第二示例性实施例的维持脉冲，图7示出根据本发明第二示例性实施例的维持放电电路410′的电路图。

如图6所示，根据本发明的第二示例性实施例，在维持期间，交替具有Vs电压和-Vs电压的维持脉冲施加给多个X电极Xl-Xn，并且接近0V的电压施加给多个Y电极Yl-Yn。当X电极处的电压从-Vs电压上升到Vs电压，并且从Vs电压下降到-Vs电压时，X电极处的电压在接近0V电压处停止一段预定的时间，其中接近0V电压是Vs电压和-Vs电压的中间电平电压。因此，X和Y电极之间的电压差以类似于图2所示的维持脉冲的方式，交替变成Vs电压和-Vs电压。

如图7所示，根据本发明第二示例性实施例的维持放电电路410′极其类似于本发明第一示例性实施例的维持放电电路410，不同之处在于由电源提供的电压和充给电容器C1和C2的电压。晶体管S1的漏极连接到接地端，并且晶体管S2的源极连接到用于提供-Vs电压的电源-Vs。因此，根据晶体管S1和S2的操作，-Vs电压和接近0V的电压可选择地施加给电容器C2的第一端。当晶体管S2导通时，电容器C1和C2分别由二极管D1用Vs/2电压充电。

另外，截止的晶体管的漏极和源极之间施加有低于Vs电压的电压，其中Vs电压相当于高电平电压Vs和低电平电压-Vs之差的一半。因此，根据本发明第二示例性实施例的维持放电电路410′可以交替将Vs电压和-Vs电压施加到X电极，因此它可以使用具有低电压的晶体管。

虽然已经假定图6和图7中维持放电电路410′连接到X电极，并且接近0V的电压施加给Y电极，但是维持放电电路也可以连接到Y电极，并且接近0V的电压可以施加给X电极。

另外，在图7所示的电路中，当晶体管S2的源极连接到用于提供-Vs/2电压的电源时，交替具有Vs/2电压和-Vs/2电压的维持脉冲可以施加到X电极。在这种情况下，与施加到X电极的维持脉冲的相位相反的维持脉冲可以施加到Y电极。

虽然本发明已经结合示例性实施例进行了说明，但是可以理解的是，本发明并不限于所公开的实施例，相反，本发明旨在涵盖包括于所附权利要求书的精神和范围中的各种修改和等效安排。

Claims (19)

1、一种等离子体显示设备，包括：

多个电极；

第一晶体管，其具有连接到用于提供第一电压的第一电源的第一端；

第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端和连接到用于提供第二电压的第二电源的第二端；

第一电容器，其适于采用第三电压充电，并且具有连接到所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第一端的第一端；

第二电容器，其适于采用第四电压充电，并且具有连接到所述第一电容器的第二端的第一端；

充电通路，其连接在所述第一电源和所述第二电容器的第二端之间；

以串联结构连接的电感器、第三晶体管和第四晶体管，所述串联结构具有第一端和第二端，

其中所述串联结构的第一端连接到所述第一电容器的第二端，

其中所述串联结构的第二端连接到所述多个电极中的一个或多个电极；并且

其中所述第三晶体管和第四晶体管以背靠背的方式彼此相连；

第五晶体管，其连接在所述第二电容器的第二端与所述一个或多个电极之间；以及

第六晶体管，其连接在所述一个或多个电极与所述第一电容器的第一端之间。

2、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，其中所述电感器的第一端连接到所述第一电容器的第二端，并且所述第三晶体管和第四晶体管连接在所述电感器的第二端与所述一个或多个电极之间。

3、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，其中所述充电通路包括第一二极管，该二极管具有连接到所述第一电源的阳极和连接到所述第二电容器的第二端的阴极。

4、根据权利要求3所述的等离子体显示设备，进一步包括：

第二二极管，其具有连接到所述电感器的第二端的阳极和连接到所述第二电容器的第二端的阴极；以及

第三二极管，其具有连接到所述电感器的第二端的阴极和连接到所述第一电容器的第一端的阳极。

5、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，其中所述第三电压和所述第四电压近似相等。

6、根据权利要求1的所述的等离子体显示设备，其中，当所述第二晶体管导通时，所述第一电容器采用所述第三电压充电，所述第二电容器采用所述第四电压充电，并且所述第三电压和第四电压之和相当于所述第一电压和第二电压之差。

7、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，进一步包括：

控制器，其适于：

在第一模式期间，将所述第二晶体管和第六晶体管设置成导通；

在第二模式期间，将所述第二晶体管和第三晶体管设置成导通；

在第三模式期间，将所述第二晶体管和第五晶体管设置成导通；

在第四模式期间，将所述第一晶体管和第三晶体管设置成导通；

在第五模式期间，将所述第一晶体管和第五晶体管设置成导通；

在第六模式期间，将所述第一晶体管和第四晶体管设置成导通；

在第七模式期间，将所述第二晶体管和第五晶体管设置成导通；

在第八模式期间，将所述第二晶体管和第四晶体管设置成导通。

8、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，其中所述第二电压是接地电压，并且所述第一电压是大于该接地电压的电压。

9、根据权利要求1所述的等离子体显示设备，其中所述第一电压是接地电压，并且所述第二电压是负电压。

10、一种用于驱动具有第一电极和第二电极的等离子体显示设备的驱动方法，该方法包括：

通过经连接到所述第一电极的电感器向所述第一电极提供存储在第一电容器中的能量，增加所述第一电极处的电压，其中所述第一电容器适于使用第一电压充电；

通过第一电容器和适于使用第二电压充电的第二电容器，将第三电压施加到所述第一电极，其中所述第三电压相当于所述第一电压和第二电压之和；

通过经所述电感器向所述第一电极提供来自第一电源的第四电压和存储于所述第一电容器的能量，增加所述第一电极处的电压；

经所述第一电源和第一电容器以及第二电容器，向所述第一电极提供第五电压，其中所述第五电压相当于所述第三电压和第四电压之和；

通过经所述电感器将存储于所述第一电极的能量回收到所述第一电容器和第一电源，降低所述第一电极处的电压；

经由所述第一电容器和第二电容器，将所述第三电压施加到所述第一电极；

通过经所述电感器将存储于所述第一电极的能量回收到所述第一电容器，降低所述第一电极处的电压；并且

向所述第一电极施加低于所述第四电压的第六电压。

11、根据权利要求10所述的驱动方法，其中向所述第一电极施加第六电压的步骤包括：通过所述第一电源采用所述第一电压向所述第一电容器充电，并通过所述第一电源采用所述第二电压向所述第二电容器充电。

12、根据权利要求10所述的驱动方法，其中通过第一电容器和适于使用第二电压充电的第二电容器，将相当于所述第一电压和第二电压之和的所述第三电压施加到所述第一电极的步骤包括：回收保留在所述电感器中的能量，并将其提供给所述第二电容器。

13、根据权利要求10所述的驱动方法，其中经由所述第一电容器和第二电容器，将所述第三电压施加到所述第一电极的步骤包括：回收保留在所述电感器中的能量，并将其提供给所述第一电容器。

14、根据权利要求10所述的驱动方法，其中所述第一电压和所述第二电压彼此近似相等，并且所述第三电压和所述第四电压彼此近似相等。

15、根据权利要求10所述的驱动方法，其中所述第一电压和第六电压之差相当于所述第四电压和第六电压之差的一半。

16、一种用于驱动包括第一电极和第二电极的等离子体显示设备的驱动装置，该驱动装置包括：

第一电容器，其具有第一端和第二端，并适于采用第一电容器电压充电；

第二电容器，其具有第一端和第二端，并适于采用第二电容器电压充电，并且其第一端连接到所述第一电容器的第一端；

第一驱动装置晶体管，其连接在所述第一电容器的第二端和所述第一电极之间；

第二驱动装置晶体管，其连接在所述第二电容器的第二端和所述第一电极之间；

电感器，其具有连接到所述第一电容器的第一端和所述第二电容器的第一端的第一端以及连接到所述第一电极的第二端；

第一谐振通路，其形成于所述电感器的第一端与所述第一电极之间，并适于通过谐振增加所述第一电极处的电压；

第二谐振通路，其形成于所述电感器的第一端与所述第一电极之间，并适于通过谐振降低所述第一电极处的电压；以及

开关单元，其适于向所述第二电容器的第二端选择性地施加第一驱动电压和低于该第一驱动电压的第二驱动电压，其中：

所述第一电极处的电压通过所述第一谐振通路增加，同时所述第二驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

通过导通所述第一驱动装置晶体管，相当于所述第二驱动电压、所述第一电容器电压和所述第二电容器电压之和的第五电压被施加给所述第一电极，同时所述第二驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

所述第一电极处的电压通过所述第一谐振通路增加，同时所述第一驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

通过导通所述第一驱动装置晶体管，相当于所述第一驱动电压、所述第一电容器电压和所述第二电容器电压之和的第六电压被施加给所述第一电极，同时所述第一驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

所述第一电极处的电压通过所述第二谐振通路被降低，同时所述第一驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

通过导通所述第一驱动装置晶体管，所述第五电压被施加给所述第一电极，同时所述第二驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；

所述第一电极处的电压通过所述第二谐振通路被降低，同时所述第二驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端；以及

所述第二驱动电压通过导通所述第二驱动装置晶体管被施加给所述第一电极，同时所述第二驱动电压被施加给所述第二电容器的第二端。

17、根据权利要求16所述的驱动装置，

其中所述第一谐振通路包括串联连接到所述电感器的第三驱动装置晶体管，并且

其中所述第二谐振通路包括串联连接到所述电感器和第三驱动装置晶体管的第四驱动装置晶体管，并且所述第三驱动装置晶体管的源极和所述第四驱动装置晶体管的源极彼此相连。

18、根据权利要求17所述的驱动装置，其中所述第一谐振通路由所述电感器、所述第三驱动装置晶体管和所述第四驱动装置晶体管的体二极管形成，并且所述第二谐振通路由所述电感器、所述第四驱动装置晶体管和所述第三驱动装置晶体管的体二极管形成。

19、根据权利要求16所述的驱动装置，其中所述第一电容器电压和所述第二电容器电压彼此近似相等，并且所述第一电容器电压和所述第二电容器电压之和与所述第一驱动电压和所述第二驱动电压之差近似相等。

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