CN100476589C - 用于给反射镜提供动态保护层的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

一种给至少一个反射镜提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜(M)被离子蚀刻的方法，该方法包括以下步骤：给容纳所述至少一个反射镜(M)的腔室(10)提供气态碳氢化合物(HxCy)，监视反射镜(M)的反射率，通过根据监视的反射镜(M)的反射率，控制反射镜(M)表面的电压来控制保护层的厚度。本发明还提供了用于给至少一个反射镜(M)提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜(M)被离子蚀刻的设备，器件制造方法和光刻设备。

Description

用于给反射镜提供动态保护层的方法和设备
技术领域
本发明涉及一种给至少一个反射镜提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜被离子蚀刻的方法，该方法包括：
给容纳所述至少一个反射镜的腔室提供气体物质，
监视反射镜的反射率。
本发明还涉及一种用于给反射镜提供动态保护层的器件制造方法和装置。此外，本发明涉及一种光刻投影设备，包括：
用于提供辐射投影光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；
用于保持基底的基底台；和
用于将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束的截面赋予图案的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的所需位置，并且如果需要、该台会相对光束移动；
可编程反射镜阵列。这种装置的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。下面这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施方案利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地相对于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以与非寻址反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；和
可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；但是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个管芯)。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，两种不同类型的机器之间会出现差异。在一类光刻投影设备中，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片步进器或者分步重复装置。另一类光刻投设备(通常称作步进扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影设备的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在该成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC等器件的单层形成图案。然后这种图案层可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw HillPublishingCo.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“透镜”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计操作的部件，用于引导、整形或者控制辐射投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
在本发明中，投影系统通常由反射镜阵列构成，并且掩模是反射型的。在这种情况下，辐射优选是远紫外(EUV)范围内的电磁辐射。通常，辐射具有低于50nm的波长，但优选低于15nm，例如13.7nm或11nm。EUV辐射源通常为等离子体源，例如，产生激光的等离子体源或者放电源。产生激光的等离子体源可以包括水滴、氙、锡或被激光照射产生EUV辐射的固体靶部。
所有等离子体源的共同特征在于从等离子体向各个方向发射的快速离子和原子的固有产生。这些粒子可以毁坏具有易碎表面的通常为多层反射镜的收集器和聚光反射镜。由于从等离子体发射的粒子的碰撞或者溅射，该表面被逐渐变差，因而反射镜的寿命降低。反射镜的表面还被氧化变差。
一种先前使用过的并且用于处理反射镜毁坏问题的方法是利用氦背景(background)气体通过碰撞阻挡粒子来减少粒子流对反射镜的碰撞。但是，这种类型的技术不能在保持背景例如氦的压力足够低以确保辐射光束足够的透明度的同时，将溅射速率减少到可以接收的水平。
EP1186957A2描述了一种通过用于将气态碳氢化合物提供到容纳反射镜(即收集器)和测量反射镜灵敏度的反射率传感器的空间的气体供给装置来解决该问题的方法和设备。进而，通过压力传感器测量压力。容纳反射镜的腔室中碳氢分子的引入将导致在反射镜表面形成碳氢保护层。该保护层防止反射镜被化学侵蚀，例如，氧化和溅射，但同时降低了反射镜的反射率。
保护层逐渐被溅射毁坏，并且，一旦被侵蚀，将造成反射镜表面的毁坏。因此，提供一个不很薄的保护层是有利的。其次，如果保护层太厚，反射镜的反射率将降低到无法接受的水平，并且将减小投影装置的效率。
EP1186957A2中描述的发明通过形成动态保护层来解决这个问题。保护层的生长速度可以通过改变碳氢化合物气体压力来调整。如果保护层太厚，则降低压力，如果保护层太薄，则增加压力。通过平衡保护层的生长和降解，可以保持所需厚度。有关保护层厚度的信息可以从反射率传感器推导出。
应当理解，优选只有收集器，即只有最初接收来自等离子体源的光和快速离子的反射镜使用这种动态保护层来保护。接下来的反射镜并不受这些来自等离子体源的快速离子的影响。
但是，已经发现EUV辐射包括在容纳反射镜的腔室内的包含阳离子和电子的等离子体。离子和电子都可以被反射镜表面吸收，但是，由于电子比阳离子更快，在反射镜表面的附近将产生电场，电场通常跨越与定义为最大距离的长度相应的距离，在最大距离内电子和离子的浓度明显不同，导致电准中性(quasi-neutrality)的局部干扰。这种现象对于本领域技术人员来说是公知的。
作为该电场的结果，离子沿着反射镜表面的方向被加速，引起反射镜表面的蚀刻或溅射、腐蚀。该作用称为等离子体诱发蚀刻。等离子体诱发蚀刻不仅在聚光反射镜发生，而且在其它反射镜发生。
可以理解，建立参照EP1186957描述的动态保护层不适于其它反射镜，因为，那里没有来自源的快速离子。另外，增加压力不仅导致更厚的保护层，而且还会增加等离子体诱发蚀刻。此外，由于不同的反射镜经历不同的溅射条件，为每个反射镜提供单独的气体供给和气体室是不现实的。因此，本发明的一个目的在于提供另一种防止投影设备的反射镜被等离子体诱发蚀刻和氧化的装置和方法。
发明内容
根据本发明在开始段中的描述可以实现上述目的，本发明的一个发明是提供一种给至少一个反射镜提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜(M)被离子蚀刻的方法，该方法包括以下步骤：给容纳所述至少一个反射镜(M)的腔室(10)提供气态碳氢化合物(HxCy)，监视反射镜(M)的反射率，通过根据监视的反射镜(M)的反射率，控制反射镜(M)表面的电压来控制保护层的厚度。通过控制反射镜表面的电压，可以控制反射镜表面的蚀刻过程。由于蚀刻是由被吸引到反射镜表面的阳离子引起的，调整其电压，控制原子碰撞的速率，并从而控制蚀刻的效果。
这种动态保护层的使用防止了由于等离子体诱发蚀刻引起的的反射镜蚀刻。通过控制保护层的生长和蚀刻量，可以控制保护层的厚度。这使得产生具有防止反射镜被蚀刻并且不过多地减小反射镜的反射率的所需厚度的保护层成为可能。保护层还有效地防止反射镜氧化。
根据本发明的一个实施方式，所述气态碳氢化合物(HxCy)是处于气体状态的乙酸酐、正戊醇、苯甲酸戊酯、二甘醇乙基醚、丙烯酸、己二酸和2-特丁基-4-乙基苯酚中的一种。这些气体特别适于形成保护层。
根据本发明的一个实施方式，至少一个反射镜用于将掩模成像到基底。本发明可以有利地应用于光刻投影设备。这种光刻投影设备将来自构图装置例如掩模的投影光束成像到基底。由于成像的图案通常非常精细，用于这种光刻投影设备中的光学系统需要防止任何毁坏。甚至反射镜表面的非常小的缺陷，也会导致制造的基底的缺陷。
根据本发明的一个实施方式，至少一个反射镜用于投影远紫外辐射束。本发明可以有利地应用于使用远紫外辐射的装置。已经发现EUV辐射可以在辐射镜前面产生等离子体。如上所述，这种等离子体将在反射镜的附近产生电场，导致阳离子蚀刻反射镜表面。由于EUV辐射通常用于从掩模投影非常精细的图案到基底，EUV辐射对于反射镜上的缺陷特别敏感。此外，反射EUV辐射无论如何都是困难的。
根据本发明的一个实施方式，腔室具有被监视的背景压力。这可以控制腔室内的气体量，并从而以更精确的方式控制保护层的生长速度。
根据本发明的另一个方面，本发明涉及一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供一个至少部分覆盖了一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投影光束；
使用构图装置来给辐射投影光束的截面赋予图案；和
将该图案化的辐射投影光束投射到该层辐射敏感材料的目标部分，
其特征在于应用了根据本发明的方法。
根据本发明的另一方面，本发明涉及一种给至少一个反射镜提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜被离子蚀刻的设备，该设备包括：具有至少一个反射镜的腔室，用于给容纳所述至少一个反射镜的腔室提供气态物质的入口，和用于监视反射镜的反射率的装置，
其特征在于，该设备还包括用于给反射镜表面施加电压以根据所述反射镜的所述反射率控制保护层厚度的可控电压源。这里描述的设备设置为通过使气态物质进入腔室给反射镜表面提供保护层。气态物质将沉积在反射镜表面，形成保护层。由阳离子控制的蚀刻过程可以通过控制可控电压源控制反射镜表面的电压来控制。通过这样做，建立了厚度易于控制的动态保护层。
根据本发明的一个实施方式，可控电压源的一端连接到至少一个反射镜，另一端连接到面向反射镜的电极。这种装置将产生反射镜的反射表面的电压的可靠调整方式。电极可以是任何种类的形状，例如与反射镜的大小和形状相似的形状。或者，电极也可以是环状金属丝、直的金属丝或点源或者其它适合的形状。
根据本发明的一个实施方式，可控电压源一端连接到所述至少一个反射镜，另一端连接到地。这是一种给表面施加电压的简便和经济有效的方式。
根据本发明的一个实施方式，该装置包括用于监视容纳至少一个反射镜的腔室内的背景压力的装置。这能够控制腔室内的气体量，从而以更精确的方式控制保护层的生长速度。
根据本发明的又一个方面，本发明涉及一种光刻投影设备，包括：
用于提供辐射投影光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投影光束进行构图；
用于保持基底的基底台；和
用于将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统，其特征在于，光刻投影设备还包括根据本发明的设备。
尽管在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“中间掩模版”，“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126mn的波长)和远紫外EUV辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在，将参照附图仅以实例的方式对本发明的实施方式进行描述，在附图中相同的附图标记表示相同的部件，其中：
图1表示根据本发明的一个实施方式的光刻投影设备；
图2表示在低压环境中经受EUV辐射的反射镜；
图3表示根据本发明的一个实施方式的反射镜；
图4表示根据本发明的一个实施方式的容纳反射镜的腔室；
图5表示根据本发明的另一个实施方式的容纳反射镜的腔室。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的光刻投影设备。该设备包括：
照明系统(照明器)IL，用于提供辐射投影光束PB(例如UV或EUV辐射)；
第一支撑结构(例如，掩模台)MT，用于支撑构图装置(例如，掩模)MA，并与用于将该构图装置相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM 连接；
基底台(例如，晶片台)WT，用于保持基底W(例如，涂敷抗蚀剂的晶片)，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW 连接；
一投射系统PL(例如，反射投影透镜)，用于将构图装置MA赋予投影光束PB的图案成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该设备属于反射型(例如，采用反射掩模或者如上所述的可编程反射镜阵列型)。它还可以是透射型(例如，采用透射掩模)。
照明器IL从辐射源SO接收辐射光束。辐射源和光刻设备可以是分离的装置，例如，当辐射源为等离子体放电源时。在这种情况下，辐射源不被看作形成光刻设备的一部分，而且辐射光束通常在包括例如适当的聚光镜和/或光者纯度滤光器的辐射聚光器的辅助下从辐射源SO传播到照射器IL。在其它情况下，辐射源可以与装置集成一体，例如，当辐射源为汞灯时。辐射源SO和照明器IL可以称作辐射系统。
照射器IL包括用于调节光束的角光强分布的调节装置。通常至少可以调节照明器的光瞳平面的光强分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。照明器提供经过调节的辐射光束，称作投影光束PB，该投影光束PB在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
投影光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过透镜PL，该透镜将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如用于在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和位置传感器IF1将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，在形成定位装置PM和PW的一部分的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)的辅助下，可以实现载物台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。可以用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA和基底W。
所示的设备可以按照如下优选模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单次静态曝光)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够被照射。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像到靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予投影光束的图案投影到靶部C上时，掩模台MT和基底台WT同步扫描(即单次动态曝光)。掩模台MT相对于基底台WT移动的速率和方向由投影系统PL的(缩小)放大和成像反转特性决定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在另一种模式中，当赋予投影光束的图案投影到靶部C上时，掩模台MT基本固定不动地保持可编程构图装置，基底台WT移动或扫描。在这种模式中，通常使用脉冲辐射源，并且在基底台WT的每次移动之后或者在扫描过程中相继的辐射脉冲之间根据需要校正可编程构图装置。这种操作模式可以方便地应用于使用可编程构图装置例如上述可编程反射镜阵列型的无掩模光刻。
还可以使用上述各模式的组合和/或变型或者完全不同的模式。
如上文已经论述过的，在使用EUV辐射的情况下，反射镜M用于投影投影光束PB。在那种情况下，发现作为在容纳一个或多个光刻投影装置1的反射镜M的腔室中存在的低压氩气或其它气体中EUV辐射的结果，等离子体形成于反射镜M的前面。已经用实验方法证实这种等离子体的存在为聚集的EUV束的辉光。
等离子体包括电子和阳离子。当这些粒子碰撞反射镜M的表面时，这些粒子被吸收。但是，如本领域技术人员所公知的，因为电子行进得比阳离子快，在对应于Debije长度的距离产生电场。图2示意性地示出在反射镜M附近电子和阳离子的分布。在图2的下部，示意性地示出作为远离反射镜M的距离x的函数的电压V。
从图2中可以看出，电场存在于反射镜M的附近，方向垂直于反射镜M的表面。该电场朝向反射镜M的表面加速阳离子。当这些离子碰撞反射镜M的表面时，反射镜M的表面被损坏，即离子蚀刻反射镜M的表面。这对于反射镜M的反射率有负面效果。
在EP1186957中提出了动态保护层。保护层的厚度通过反射镜表面的两个竞争过程来控制。第一过程是由于CxHy污染物导致的保护层的生长，通过控制碳氢化合物气体的压力来调节。第二过程是来自辐射源的快速离子对反射镜表面的蚀刻。保护层的厚度通过调节碳氢气体的压力来控制。
根据本发明，通过控制等离子体诱发蚀刻，维持用于提供由于CxHy污染物导致的保护层的气体压力。
图3示出根据本发明的一个实施方式的反射镜M的实例。图中示出面向反射镜M的表面的电极11。反射镜M和电极11都连接到可调电压源12上。在图3的下部，示出作为从反射镜M的表面到电极的距离的函数的电压V。用I表示的曲线示出当可调电压源12设置为零时的电压V。但是，如果可调电压源12设置为不为零的值时，反射镜M附近的电压V被改变。例如，如果给反射镜M相对于电极11施加负电压，电场E如图3下部用II表示的曲线所示，该曲线示出反射镜M和等离子体中心之间更高的电压差。应当理解，在那种情况下，阳离子将被加速到更高的速度并且增加反射镜M的蚀刻。当然，通过在反射镜M的表面相对于电极11施加正电压，可以减少蚀刻。
图4示出包括两个根据图3都连接到可调电压源12的反射镜M的腔室10。图4仅示出两个反射镜，但是当然可以使用其它适当数量的反射镜M。如果反射镜M用于将带有图案的光束PB投影到基底W上，通常采用6个反射镜。此外，反射镜M可以设有致动器(未示出)以控制其方向。
图4还示出了连接到气体供给部13的入口14。气体供给部13给腔室10提供例如碳氢化合物气体。如上所述，碳氢化合物分子吸附到反射镜M的表面，在反射镜的表面形成保护层。腔室10内气体的量确定保护层的生长速度。为了确保保护层的持续生长，在腔室10内设有测量腔室内碳氢化合物量的传感器15。如果碳氢量保持不变，可以呈现持续的生长。传感器15连接到控制器17，控制器17还连接到气体供给部13。控制器17根据来自传感器15的传感信号通过气体供给部13控制腔室10内的碳氢化合物量。
与此同时，作为等离子体诱发蚀刻的结果，保护层逐渐被侵蚀。如果保护层的侵蚀与保护层的生长平衡，则可以建立厚度不变的保护层。因为保护层降低反射镜M的反射率，保护层的厚度可以通过测量反射镜M的反射率来测量。反射率可以例如通过测量某一反射镜M的入射和反射光的光强并且确定这两个测量值之间的比来测量。本领域技术人员公知许多种类型的用于测量反射率的传感器。图4以示意的形式示出每个反射镜M的反射率传感器16。朝向反射镜M的虚线表示测量反射率的光束。传感器16连接到控制器17上，控制器17还连接到可调电压源12。根据传感器16测量的反射率，每个可调电压源12可以分别由控制器17控制以给反射镜M提供所需电压V，以增加或减少蚀刻量。如果确定的反射率是根据所需的反射率确定的，可调电压源12的设置无需被控制器17改变。
保护层可以保持在给反射镜M提供的保护并且不过多减少反射镜的反射率的某一厚度。
使用前，反射镜已经设有初始保护层。在使用中，保护层可以通过上述机构保持。
电极11可以具有各种形状。例如，电极11可以是具有和反射镜M相似形状和尺寸的板状。或者，电极11可以是环状金属丝、直的金属丝或点源或其它适合的形状。
许多种碳氢(HxCy)气体适用于本发明。例如，适用的气体可以为乙酸酐、正戊醇、苯甲酸戊酯、二甘醇乙基醚、丙烯酸、己二酸、2-特丁基-4-乙基苯酚。
应当理解，保护层的蚀刻速度不仅仅由等离子体和反射镜表面的电压差决定。所使用的碳氢分子的特性也非常重要。例如，较大的离子将更加有效地蚀刻保护层或反射镜M。
图5表示本发明的另一个实施方式。与图4相同的部件用相同的附图标记表示。在该实施方式中，可调电压源12一侧连接到反射镜M，另一侧连接到地。没有设置电极11。应当理解，通常，施加负电压到反射镜M足以控制等离子体诱发蚀刻。当然，也可以施加正电压到周围，例如周围的壁。
已经可以理解，施加到反射镜M的电压不能用于简单地消除等离子体边缘产生的电压差。这是因为这个过程的产生是非静态的并且具有很强的时间依赖性，如本领域技术人员所公知的。
根据本发明的又一个实施方式，一个或多个电极11可以形成网状(未示出)。采用网状有助于在反射镜M和电极11之间产生一个很好确定的压降。
在已经描述了本发明的实施方式的同时，应当理解，本发明可以不同于上述方式实施。上述描述无意限定本发明。

Claims (10)

1、一种给至少一个反射镜提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜(M)被离子蚀刻的方法，该方法包括以下步骤：
给容纳所述至少一个反射镜(M)的腔室(10)提供气态碳氢化合物，
监视反射镜(M)的反射率，
其特征在于，通过根据监视的反射镜(M)的反射率，控制反射镜(M)表面的电压来控制保护层的厚度。
2、根据权利要求1的方法，其中，所述至少一个反射镜(M)用于将掩模成像到基底(W)。
3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述至少一个反射镜(M)用于投影远紫外辐射束。
4、根据权利要求1或2的方法，还包括监视所述腔室(10)内的背景压力。
5、一种器件制造方法，包括：
提供一个至少部分覆盖了一层辐射敏感材料的基底(W)；
提供利用辐射系统进行辐射的投影光束(PB)；
使用构图装置来给该投影光束(PB)的截面赋予图案；和
将该图案化的辐射的该投影光束(PB)投射到该辐射敏感材料的目标部分，
其特征在于应用了根据权利要求1-4中任何一项的方法。
6、用于给至少一个反射镜(M)提供动态保护层以防止所述至少一个反射镜(M)被离子蚀刻的设备，该设备包括：具有至少一个反射镜(M)的腔室(10)，用于给容纳所述至少一个反射镜(M)的腔室(10)提供气态碳氢化合物的入口(14)，和用于监视反射镜(M)的反射率的装置，
其特征在于，该设备还包括用于给反射镜(M)表面施加电压以根据所述反射镜(M)的所述反射率控制保护层厚度的可控电压源(12)。
7、根据权利要求6的设备，其中，可控电压源(12)的一端连接到至少一个反射镜(M)，另一端连接到面向反射镜(M)的电极(11)。
8、根据权利要求6的设备，其中，可控电压源(12)的一端连接到至少一个反射镜(M)，另一端连接到地。
9、根据权利要求6-8中任何一项的设备，包括用于监视容纳所述至少一个反射镜(M)的腔室(10)内的背景气压的装置。
10、一种光刻投影设备，包括：
用于提供辐射投影光束(PB)的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构(MT)，所述构图装置(MA)用于根据所需的图案对投影光束(PB)进行构图；
用于保持基底(W)的基底台；和
用于将被构图的投影光束(PB)投影到基底(W)的靶部上的投影系统，
其特征在于，所述光刻投影设备还包括根据权利要求6-9中任何一项的设备。
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