TWI251118B - Method of and apparatus for supplying a dynamic protective layer to a mirror - Google Patents

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l25Hl8 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種供應一動態保護層給至少一鏡子（M) 以保護該至少一鏡子（M)使其免受離子蝕刻之方法，該方法 包括： 供應一氣態物質至一含有該至少一鏡子（M)之腔室（1〇)， 監測該鏡子（M)之反射率。 本發明進一步係關於一種器件製造方法及一種用於供應 一動態保護層給一鏡子之裝置。本發明亦係關於一種微影 投影裝置，其包括： 一用於提供一投影輻射束之輻射系統； 一用於支撐圖案化構件之支撐結構，該圖案化構件用於 根據一所要圖案將投影束圖案化； 一用於固持一基板之基板台；及 —用於將經圖案化之射束投射至該基板之-目標部分上 的投影系統。 【先前技術】 應將此處所使用 < 術語，，圖案化構件”廣泛理解為可用 對應於一待產生於該基板之一目標部分中之圖案來使一 射束具有—圖案化橫截面之構件；亦可將術語，，光β ::本，中。—般而言，在該目標部分令產生之該圖案 積體电路或其它器件（見下文）之器件令之 寺殊功能層。此等圖案化構件之實例包含： 元罩之概念已為微影領域所熟知，且其包含 96356.do< 1251118 種光罩類型，諸如-开、a w 邊戈一凡、父變相移型、及衰減相移型， 及各種混合光罩類型。脾+ 、、光罩置於輻射束中會導致根據 先罩上之圖案來對照射於 % 4先罩上之輻射進行選擇性透 (於一透射光罩之狀況下)或反射(於-反射光罩之狀况 下）°在—光罩之狀況下’支撐結構通常為-光罩台，其能 確保可在入射輻射束中之所要位置處固持光罩，且若需： 可將其相對於該射束移動； 可私式化鏡子陣列。此器件之一實例為具有一黏彈性 控制層及-反射表面之矩陣可定址表面。此裝置之基本原、· 理在於(例如)：反射表面之定址區域將入射光反射為繞射 光而未定址區域將入射光反射成非繞射光。使用一適當 慮波1"彳將非繞射光自反射射束中過渡出，而僅剩下 、、:^射光，以此方式，根據矩陣可定址表面之定址圖案將該 射束圖案化。可程式化鏡子陣列之一替代實施例使用多個 · ，小鏡子之一矩陣配置，藉由施用一合適區域化電場，或 藉由使用壓電致動構件’可使每一微小鏡子關於一轴線分 別傾斜。再次，該等鏡子為矩陣可定址的，以使得定址鏡 子以不同方向將入射輻射束反射至未定址鏡子；以此方二 式，根據矩陣可定址鏡子之定址圖案將反射射束圖案化。 可使用合適的電子構件執行所要求之矩陣定址。在以上所 描述之兩種情形中，圖案化構件可包括一或多個可程式化 鏡子陣列。可由（例如）美國專利Us 5,296,891及us 5,523，193，以及 PCT 專利申請案 w〇 98/38597 及 w〇 98/3 3 096搜集關於此處所提及之鏡子陣列的更多資訊，其 96356.doc 1251118 以引用的方式倂入本文中。在一可程式化鏡子陣列之狀況 下可將4支撐結構具體化為（例如）一框架或台，可按需要 將其固持或移動；及 可耘式化LCD陣列。美國專利us 5,229,8 72中給出了此 構造之實例，其以引用的方式倂入本文中。如上所述，可 將此狀况下之支撐結構具體化為（例如）一框架或台，可按需 要將其固持或移動。 為簡月之目的，本文之剩餘篇幅可於某些位置處使其自 身特定地針對涉及光罩及光罩台之實例；然而，應於如上 所述之圖案化構件的更歧㈣巾看到此等實射所討論 之基本原理。 、、（影投影裝置用於（例如）積體電路之製造中。 此狀況下，圖案化構件可對應積體電路之個別層產生— :圖案，且可將此圖案成像至一塗覆有一層輻射敏感材 (=曰劑）之基板（石夕晶圓）上的—目標部分（例如，包括_ 上：一般而言’單個晶圓將含有經由投影系統 ¥φ 不μ目铋#刀之—整個網路。在當前 置干’精由利用光罩臺上之氺 一 類型之機哭 之先罩進仃圖案化可於兩種不 1之間產生區別。在一種類型之微影投影 :由-舉將整個光罩圖案曝光至目標部分: 通常將此裝置稱作晶圓步進器或步 :考方:置(通常稱為步進掃描儀)中，藉由以-給; ^ σ (知描”方向）於投影束下逐 以與此方向平行或反平行…糊田先罩圖案，同Β ^ 丁之方向同步掃描基板台，來照身 96356.doc 1251118 母-目標部分；由於投影系統通常將具有一放大因子μ(通 常<1)，故掃描基板台之速率V將為掃描光罩台之速率的Μ 倍。可由（例如）US 6，G46,792中搜集關於此處所述之微影器 件的更多資訊，其以引用的方式倂入本文中。 在使用微影投影裝置之製造過程中，將一圖案（例如在一 光罩中）成像至-至少部分地覆蓋有一層轄射敏感材料（抗 钱劑）之基板上。在此成像步驟之前，該基板可經受各種程 序，諸如上底漆 '抗蝕劑塗覆及軟烘焙。在曝光之後，可 使該基板經受其它程序，諸如後曝光烘培（pEB)、顯影、硬 烘培及量測/檢測成像特徵部分。將程序之此陣列作為圖案 化器件（例如積體電路）之個別層的基礎。此經圖案化之層 可接著經受各種處理，諸如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、 氧化、化學機械研磨料，所有該等處理皆意在完成一個 別層。若S要若干層，則不得不接著為每—新的層重複整 個程序或其變體。最終，器件之—陣列將存在於基板（晶圓） 上。接著藉由一種諸如分割或鋸割之技術將此等器件彼此 分離開來，由此可將該等單獨器件安裝於載體上、連接至 插腳’等等。可由（例如）Peter van Zant所著的”Microchip Fabrication. A Practical Guide to Semiconductor Processing^ (第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997 年，ISBN 0-07-067250-4)中獲得關於此等處理之進一步資訊，其以引 用的方式倂入本文中。 為簡月起見，此後將投影系統稱作”透鏡然而，應將 此術語廣泛理解為包含各種類型之投影系統，例如包含折 96356.doc 1251118 射光车、反射光學及反射折射混合系統。輻射系統亦可包 含根據任何此等用於導引、成形或控制投影輻射束之設計 類型而運行的組件，且下文中亦可將此等組件共同地或個 別地稱作”透鏡”。另外，微影裝置可為具有兩或兩個以上 基板台（及/或兩或兩個以上光罩台）類型。在此等"多平臺,， 器件中，可平行地使用額外台，或可於一或多個臺上進行 預備步驟而將一或多個其它台用於曝光。雙平臺微影裝置 係描述於（例如）US 5,969,441及W0 98/40791中，其以引用 的方式倂入本文中。 在冬發明之狀況下，投影系統通常將由許多鏡子組成， 且光罩將為反射式的。此狀況下之輻射較佳為遠紫外 乾圍内之電磁輻射。通常’輻射之波長小於5〇奈米，但較 佳地波長小於15奈米，例如為13 7iiul奈米。Euv輻射源通 常為電_ ’例如為—產生雷射之電衆源或-放電源。產 生雷射之電漿源可包括水滴、m雷射照射以產生 EUV輻射之錫或固體目標物。 -“ π ~ « 电浓货、射 之决速離子及原子的固有產生。此等粒子可損壞通常為 層鏡子之具有易碎表面的集光器及聚光器鏡子。此表面 於發射自電漿之粒子的衝擊或賤射而逐漸降級，且因此 少了鏡子之壽命。鏡+夕本 γ 兄于之表面由於氧化而進一步降級。 先前已使用且確實盧g τ Μ g Υ 、免里了扣壞鏡子之問題的一種措施/ 使用背景氦氣阻止赵早# 4立 ' ,彳里來減y粒子流對鏡子之衝擊 然而，此類型之;Τ % . u不犯將濺射率減至可接受之程度同日; 96356.doc -10- 1251118 保持（例如）背景氦氣壓力足夠低以確保輻射束足夠透明。 EP 1 186 95 7 A2描述一種藉由提供用於供應氣態烴至〆 含有鏡子（意即，集光器）之空間的氣體供應構件及一量測該 鏡子之靈敏度的反射率感應器來解決此問題之方法及裝 置。此外，由一壓力感應器量測壓力。含有鏡子之腔室中 的烴分子之引入將導致於鏡子之表面上形成一烴保護層。 此保護層保護鏡子使其免受如氧化及錢射之化學侵触， 但亦降低了鏡子之反射率。保護層逐漸被濺射破壞且一旦 將其腐姓就將發生對鏡子之損壞。因此，最好施用一不過 薄之保護層。其次，若保護層過厚，則使鏡子之反射率減 至不可接受之程度且降低了微影裝置之效率。 EP 1 186 957 A2中所描述之發明藉由產生一動態保護層 來解決此問題。可藉由改變烴氣壓力來調節保護層之增長 速率。若保護層變得過厚則降低壓力，且若保護層過薄則 增加壓力。藉由平衡保護層之增長及減少可維持所要厚 度。可由反射率感應器推知關於保護層厚度之資訊。 應瞭解，較佳地僅集光器（意即，最先接收光及來自電漿 源之快速離子的鏡子）將不得不藉由使用此動態保護層來 加以保護。以下鏡子不經受來自電漿源之此等快速離子。 然而，已發現，EUV輕射誘導產生一於含有鏡子之腔室 内包括正離子及電子之電襞。該等離子與電子可被鏡子表 面吸收’❻由於電子比正離子快，故在鏡子表面附近將產 生-電場，該電場通常產生於大於—對應於可被界定為最 大距離之長度的距離處，在該最大距離中電子與離子之濃 96356.doc 1251118 度明顯不同，從而導致局違 熟習此項技術者所熟知。了h中性。此現象係為 此，離子將於鏡子表面之方向上被加速，此導 欠姓刻或濺射，從而退化了鏡 導飾糾^ ，， 了鏡子表面。此效應稱作電漿誘 ^ 笔漿誘導姓刻不僅發生於聚卉户工L 於另外的鏡子上。 X生於以鏡子上，而且發生 應瞭解’參看心186 957所描述之建立—動態保護層之 法不適用於另外的鏡子，此係由於無快速離子來自電喷 源。此外，增加壓力不僅將導致更厚之保護層，且亦紗 加電衆誘導蝕刻。而且，由於不同鏡子不經受相同濺射： 件故不得不為每一鏡子提供獨立氣體供應及氣體腔室， 其為不實用的。因，匕’本發明之一目的為提供一替代裝置 及方法以保4投影裝置之鏡子使其免受電襞誘導姓刻及氧 化0 【發明内容】 士在開篇所扣疋的，此係根據本發明來達成，其特徵在 於·基於所監測之鏡子反射率，藉由控制鏡子表面之電位 來控制保護層之厚度。藉由控制鏡子表面之電位可控制鏡 子表面之蝕刻過程。由於蝕刻係由被吸引至鏡子表面之正 離子所導致，故調節鏡子表面之電位控制了原子之衝擊速 度’且因此控制了 虫刻之效率。 使用此動態保護層防止了歸因於電漿誘導蝕刻之鏡子蝕 刻。藉由控制保護層之增長及蝕刻可控制保護層之厚度。 此使得可能產生一具有某所要厚度之保護層，其保護鏡子 96356.doc 12 1251118 ，其免受㈣且不會過分降低鏡子之反射率。該保護層進 V有效地保護鏡子使其免受氧化。 根據本發明之—實施例，氣體係氣態烴（HxCy)，諸如乙 酸酐、正戊基醇、苯甲酸戊醋、二乙二醇乙喊、丙稀酸、 己二酸、2-第三丁基-4-乙盼。此等氣體良好地適於形成一 保護層。 根據本發明之實施例，該至少—鏡子制於將一光罩 :像至-基板。本發明可有利地用於微影投影裝置中。此 微影投影裝置將投影束自圖案化構件(如光罩)成像至一基 板。由於所成像之圖案通常極為精細，故需要保護用於此 微影投影裝置中之光學器件使其免受任何損壞過程。即使 鏡子表面上之相對小的缺陷亦可導致所產生之基板中之缺 陷。 ' 根據本發明之一實施例，該至少一鏡子係用於投影一 EUV輻射束。本發明可有利地用於使用Euv輻射之應用 中。已發現，EUV輻射可於鏡子前方產生電漿。如上所討 論的，此電漿將導致鏡子附近之一電場，從而導致正離子 蝕刻鏡子表面。因為EUV輻射通常用於將相對而言極為精 細之圖案自光罩投射至基板，故EUV應用對鏡子上之缺陷 尤為敏感。而且，無論如何反射EUV輻射是困難的。 根據本發明之一實施例，腔室具有受監測之背景壓力。 此使得能夠控制腔室中之氣體量，且因此能夠更精確地控 制保護層之增長速率。 根據本發明之進一步態樣，本發明係關於一種器件製造 96356.doc -13- 1251118 方法，其包括： 提t、至夕邛刀地由一層輻射敏感材料所覆蓋之基板； 使用輻射系統提供一投影輻射束； 使用圖案化構件來使該投影束在其橫截面上具有一圖 案；及 將、、工圖案化之輪射束投射至輕射敏感材料層之一目標部 分上， 其特徵在於施用了如本發明之方法。 根據本發明之進一步態樣，本發明係關於一種用於供應 一動態保護層給至少—鏡子以保護該至少—鏡子使其免受 離子姓刻之裝置，該裝置包括一具有該至少一鏡子之腔 室、一用於供應氣態物質至含有該至少—鏡子之腔室的入 口’及用於監測鏡子之反射率的構件，其特徵在於，該裝 置進-步包括-可控電屢源，其用於施加一電位至鏡子之 表面以便視該鏡子之該反射率而定來控制保護層之厚度。 此處所述之裝置係配置成藉由使-氣態物質進人腔室而供 ^保焱層°鏡子表面。該氣態物質將沉澱於鏡子表面 攸而形成-保瘦層。藉由控制可控電麼源來控制鏡子 表面之電位’從而可控制由正離子所控制之蝕刻過程。藉 由該操作可建立一動態保護層，可容易地對其厚度加以控 制。 根據本發明之一實施例，可控電壓源於—末端處連接至 該至少一鏡子且於另一末端處連接至面向該鏡子之一電 極。此裝置將產生一調節鏡子反射表面之電位的可靠方 96356.doc -14- !251118 式忒電極可具有各種形狀，諸如與鏡子之形狀及尺寸相 似之形狀。或者，該電極也可為環狀導線、直導線或點源 或任何其它合適形狀。 上根據本發明之一實施例，可控電壓源於一末端處連接至 二至夕一鏡子且於另一末端處連接至地。此為一種施加一 電位至表面之容易且具成本效益之方式。 根據本發明之一實施例，該裝置包括用於監測含有至少 、兄子之i至中之背景壓力的構件。此使得能夠控制腔室 中之氣體量，且因此能夠以更精確之方式控制保護層之增 長速率。 根據本發明之進一步態樣，本發明係關於一種微影投影 裝置’其包括： 一用於提供一投影輻射束之輻射系統； 一用於支撐圖案化構件之支撐結構，該圖案化構件用於 根據一所要圖案將投影束圖案化； 一用於固持一基板之基板台；及 用於將經圖案化射束投射至基板之一目標部分上之投 影系統，其特徵在於，該微影投影裝置進—步包括如: 明之裝置。 义 k S本文特定參考了根據本發明用於製造…之裝置的用 途’但應清楚地瞭解此裝置具有許多其它可能的應用。舉 例而言’其可用於製造積體光學系統、磁域記憶體之導弓牛I 及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技 術者將瞭解··在此等替代應用之情形中，應將本文中之術 96356.doc -15- 1251118 語”主光罩”、"晶圓"或'’晶粒"的任何使用認為分別由更通用 之術語’’光罩基板f’及’’目標部分”來替代。 在本文獻中，將術語”輻射"及”射束”用於包含所有類型之 電磁輻射’包含紫外線（UV)輻射（例如波長為365、248、 193、157或126奈米）及遠紫外線（EUV)輻射（例如波長在5奈 米至20奈米範圍内），以及粒子束，諸如離子束或電子束。 現將僅以貫例之方式，參看附加示意圖來描述本發明之實 施例’在附加示意圖中，相應參考符號指示相應部分。 【實施方式】 圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例之微影投 影裝置。該裝置包括： 一用於提供一投影輻射束PB(例如UV或EUV輻射）之照 明系統（照明器）IL ; 一第一支撐結構（例如光罩台）MT，其用於支撐圖案化構 件（例如光罩）MA，且連接至第一定位構件pM以關於項目 (item)PL精確地定位該圖案化構件； 一基板台（例如晶圓臺）WT，其用於固持一基板（例如抗蝕 劑塗覆之晶圓）W，且連接至第二定位構件pw以關於項目 PL精確地定位該基板；及 一用於將一由圖案化構件MA給與投影束pB的圖案成像 至基板W之一目標部分c(例如包括一或多個晶粒）上的投影 系統（例如反射投影透鏡）PL。 如itb處所描繪的，該裝置為反射型（例如使用反射光罩或 上述類型的可程式化鏡子陣列）。或者，該裝置可為透射型 96356.doc -16- 1251118 (例如使用透射光罩）。 該照明器IL接收一來自輻射源s〇 <知射束。該輻射源及 微影投影裝置可為獨立實體，例如去 耵原及 士 ^ ^田幸田射源為電漿放電源 日^在此等狀況下’不認為輕射源形成微影裝置之部分且 ϋ射束通常借助於-包括如合適集光鏡子及/或—光譜純 度過渡器之輕射集光器而經過輕射源8〇至照明器江。在其 它狀況下’輻射源可為裝置之一體式部分，例如當輻射源 為汞燈時。可將輻射源S0及照明器化可稱為轄射系统。 照明器江可包括用於調節射束之角強度分佈之調節構 件。通常’可調節照明器之瞳孔平面中之強度分佈的至少 外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱作(7外部及σ内部）。該 照明器提供一稱作投影束ΡΒ之經調節輻射束，該輻射束於 其橫截面上具有所要均勻性及強度分佈。 投影束ΡΒ入射於固持於光罩台Μτ上之光罩ΜΑι。該投 影束PB被光罩MA反射而經過透鏡PL，該透鏡？]：將射束聚 集在基板W之一目標部分C上。借助於第二定位構件pw及 位置感應器IF2(例如干涉器件），可精確移動基板台WT，（例 如）以定位不同目標部分C於射束PB之路徑中。類似地，（例 如）在自光罩庫機械擷取光罩MA之後，或於掃描期間，可 使用第一定位構件PM及位置感應器IF1來關於射束pb之路 徑精確定位光罩MA。一般而言，借助於形成定位構件pM 及PW之部分的一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模組（精 定位）來實現載物台MT及WT之移動。然而，在一步進器（與 掃描儀相反）之狀況下，可將光罩台MT僅連接至一短衝程 96356.doc 17 1251118 致動裔，或可將其固定。可使用光罩對準標記乂卜M2及基 板對準標記PI、P2來對準光罩MA及基板w。 可將所描緣之裝置用於以下較佳模式中： 1.在步進杈式中，使光罩SMT及基板台WT基本保持靜

止，同日守將給與投影束之整個圖案一舉投射至目標部分C 上（意即，單一靜態曝光）。隨後在又及/或丫方向移動基板台 WT，使得可曝光不同目標部分c。在步進模式中，曝光場 之最大尺寸限制了以單一靜態曝光成像之目標部分C的尺 寸。 2·在掃描模式中，同步掃描光罩台熥丁及基板台WT，同時 將給與投影束之圖案投射至目標部分〇上（意即，單一動態 曝光）。基板台WT相對於光罩台撾丁之速度及方向係由投影 系統PL之（縮小）放大率及影像反轉特性加以確定。在掃描 模式中，曝光場之最大尺寸限制了單一動態曝光中之目標 部分的寬度（於非掃描方向），而掃描運動之長度確定了目標 部分之高度（於掃描方向）。 3·在另一模式令，將固持一可程式化圖案化構件之光罩 台MT基本保持靜止，且移動或掃描基板sWT，同時將給 與投影束之圖案投射至目標部分〇上。在此模式中，通常使 用脈衝輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或於掃描期 間的連續輻射脈衝之間按需要更新可程式化圖案化構件。 可將此操作模式容易地應用於利用可程式化圖案化構件之 热光罩微影術，諸如上述類型之可程式化鏡子陣列。 亦可使用上述模式之組合及/或變化或完全不同之模式。 96356.doc -18- 1251118 如上文已經討論的，若使用EUV輻射，則使用鏡子1^來 投影投影束PB。在該狀況下已發現，由於euv輻射而在存 在於微影投影裝置1之含有一或多個鏡子Μ之腔室中的低 壓氬氣或其它氣體中於鏡子Μ前面形成一電漿。經實驗已 證實此電漿之存在為所搜集之EUV束中的光（gi〇w)。 该電漿包括電子及正離子。當此等粒子與鏡子Μ之一的 表面碰4里日守，此等粒子被吸收。然而，由於電子行進得比 正離子快’故正如熟習此項技術者將瞭解的，在大於一對 應於Debije長度之距離處產生一電場。圖2示意性地展示鏡 子Μ附近之電子及正離子的分佈。圖2之下部分示意性地展 示電位V作為距鏡子μ之距離χ的函數。 在圖2中可見，在鏡子“附近存在一電場，其係導向成垂 直於鏡子Μ之表面。此電場使正離子朝向鏡子Μ之表面加 速。當此等離子撞擊鏡子Μ之表面時，其㈣了鏡子Μ之表 面思即，5亥等離子蝕刻鏡子Μ之表面。此對鏡子Μ之反射 率有負面影響。 在1 1 % 957中&出一動態保護層。該保護層之厚度係 由鏡子表面上之兩競爭性過程加以控制。第一過程為歸因 於CxHy/5r木之保護層增長，其係藉由控制烴氣壓力來加以 。周即。第—過程為來自輕射源之快速人射離子對鏡子表面 的餘刻。保護層之厚度係藉由調節烴氣麼力來加以控制。 根據本發明’維持_氣體壓力以藉由控制電漿誘導姓刻 來提供一歸因於Cxiiy污染之保護層。 圖展示根據本發明之一實施例之鏡子Μ之一實例。該圖 96356.doc -19- 1251118 展示一面向鏡子“之表面的電極11。鏡子Μ及電極U均連接 至可調電壓源12。在圖3之下部分中，將電位⑽緣成自鏡 子Μ之表面朝向電極之距離的函數。由I所指示之曲線展示 周黾G源12 δ又置成零時的電位ν。然而，若可調電壓源 12。又置成一非零值，則於鏡子Μ附近之電位ν被改變。舉例 而言，若相對於電極丨丨施加一負電壓至鏡子Μ,則電場£將 看似為圖3之下部分中由11所指示之曲線，其展示鏡子Μ與 電漿中心之間的較高電位差異。應瞭解，在該狀況下，正 離子將被加速至較南速度且鏡子Μ之钱刻將增加。當然， 亦可藉由關於電極U施加一正電壓至鏡子Μ之表面來減少 Ί虫刻。 圖4展不一包括均連接至如圖3之可調電壓源厂2之兩鏡子 Μ的L至10。圖4僅展示兩鏡子，但當然可使用任何其它合 適數量之鏡子Μ。若鏡子“用於將圖案射束ρΒ投射至基板 W ’則通常使用六個鏡子。此外’鏡子Μ可具有致動器（未 圖不）以控制其方向。 圖4進一步展示連接至氣體供應13之入口 14。該氣體供應 13向腔室10提供（例如）烴氣。烴分子吸收至鏡子Μ之表面， 如以上已討論的，從而在鏡子Μ之表面上形成一保護層。 腔室10中之氣體量確定保護層之增長速率。為確保保護層 之恆定堦長，在腔室1 〇中提供一量測腔室中之烴數量的感 應器1 5。若保持烴數量恆定，則可假定恆定增長。該感應 器連接至一亦連接至氣體供應13之控制器17。該控制器17 基於來自感應器15之感應信號經由氣體供應丨3來控制腔室 96356.doc -20- 1251118 1 0中之烴數量。 同時，保護層由於電漿誘導蝕刻而逐漸腐蝕。若此保错 層腐蝕與保護層增長相平衡，則建立了恆定厚度之保= 層。由於保護層降低了鏡子Μ之反射率，故可葬 祠^田里剛鏡 子Μ之反射率來量測保護層之厚度。可（例如）藉由量測某鏡 子Μ之入射光及反射光的光強度並確定此等兩量測值之比 來量測該反射率。熟習此項技術者瞭解用於量測反射率之 許多類型的感應器。圖4以示意性形式展示用於鏡子Μ之每 -者的此反射率感應器16。朝向鏡子Μ之虛線指示用於量 測反射率之射束。感應器16連接至亦連接至可調電壓源12 之控制器17。基於由感應器16所量測之反射率，可由控制 器17單獨控制每—可調電遷源12以向鏡子％提供所要電壓 V，從而增加或減少蝕刻量。若所測定之反射率與所要反射 率相致則不應由控制器1 7來改變可調電壓源丨2之設定。 可將保羞層保持於某厚度’其向鏡子馗提供足夠保護且 不會過分減少鏡子之反射率。 在使用之前，鏡子可已具有一初始保護層。在使用中， 可由上述機構來維持該保護層之厚度。 电極11可具有各種形狀。舉例而言，電極丨丨可為一與鏡 子Μ /、有颏似形狀及尺寸之板。或者，電極η可為環狀導 、在直^r線或點源，或可為任何其它合適形狀。 許多不 例為乙酸 烯酸、己 同烴（HXCY)氣適合用於本發明中。合適氣體之實 酐、正戊基醇、苯甲酸戊酯、二乙二醇乙醚、丙 一酸、2-第三丁基-4-乙酴。 96356.doc •21 - 1251118 應瞭解μ呆護層之姓刻率不僅僅由電褒與鏡子表面之間 的電壓差異所決定。所使用之烴分子之特性亦為重要的。 舉例而言，較大離子將更有效地姓刻保護層或鏡子Μ。 - 目5描緣本發明之進一步實施例。如圖4中一般使用用於

颂似物體之相同麥考數字。在此實施例中，可調電壓源U 於一側處連接至鏡子Μ且於另一側處接地。未提供電極 11。應瞭解，一般而言，施加一負電壓至鏡子以足以控制 私水誘一蝕刻。當然，亦可能施加一負電壓至周圍環境， 諸如周圍牆壁。 應瞭解’施加至鏡子Μ之電壓不能用於僅僅取消出現於 迅水邊緣處之包壓差異。正如熟習此項技術者將瞭解的， 此係歸因於所出現之過程並非靜止的且強烈地取決於時間 之事實。 根據本發明之進一步實施例，一或多個電極11可形成為 一網格（未展示）。使用網格有助於在鏡Μ與電極u之間產 生良好界定之壓降。 雖然以上已描述了本發明之特定實施例，但應瞭解，本 發明之實施方法亦可不同於上述實施方法。該描述並非用 以限制本發明。 【圖式簡單說明】 圖1榣繪根據本發明之一實施例的微影投影裝置； • 圖2描繪於低壓環境中之經受EUV輻射之鏡子； 圖3描繪根據本發明之一實施例的鏡子； 圖4描繪根據本發明之一實施例之包含鏡子的腔室； 96356.doc -22 1251118 圖5描繪根據本發明之一進一步實施例之包含鏡子的腔 室。 - 【主要元件符號說明】 1 微影投影裝置 10 腔室 11 電極 12 可調電壓源 13 氣體供應 14 入口 15 感應器 16 反射率感應器 IF1 位置感應器 IF2 位置感應器 IL 照明系統 Ml, M2 光罩對準標記 ΜΑ 光罩 ΜΤ 第一支撐結構/光罩台 Μ 鏡子 Pl5 Ρ2 基板對準標記 ΡΒ 投影束 PL 投影系統 ΡΜ 第一定位構件 PW 第二定位構件 SO 輻射源 WT 基板台 W 基板 96356.doc - 23 -

Claims (1)

1251118 十、申請專利範圍： 1· 一種供應一動態保護層給至少一鏡子（M)以保護該至少 一鏡子（M)使其免受離子蝕刻之方法，該方法包括·· 仏應氣怨物質至一含有該至少一鏡子（μ)之腔室 (10)， 監測該鏡子（M)之反射率， 其特徵在於，基於該鏡子（M)之該所監測反射率，藉由 控制該鏡子（M)之表面的一電位來控制該保護層之厚度。 如明求項1之方法，其中該氣體為一氣態烴（HxCy)，諸如 乙酉文酐、正戊醇、笨甲酸戊酯、二乙二醇乙驗、丙烯酸、 己二酸、2_第三丁基-4_乙酚。 3·如則述請求項中任一項之方法，其中將該至少一鏡子（M) 用於將一光罩（ΜΑ)成像至一基板（w)。 4·如請求項1或2之方法，其中將該至少一鏡子（Μ)用於投射 一 EUV輻射束。 5·如明求項1或2之方法，其中該腔室（1〇)具有一受監測之背 景壓力。 6_ 一種器件製造方法，其包括： 提供一至少部分地由一層輻射敏感材料所覆蓋之基板 (W); 使用一轄射系統來提供一投影輻射束（ΡΒ); 使用圖案化構件（ΜΑ)來使該投影束（ΡΒ)於其橫截面上 具有一圖案；及 將該經圖案化輻射束（ΡΒ)投射至該輻射敏感材料層之 96356.doc 1251118 一目標部分（c)上， 其特徵在於，施用了如請求項1或2之方法。 7. 一種用於供應一動態保護層給至少一鏡子（M)以保護該 至少一鏡子（M)使其免受離子蝕刻之裝置，該裝置包括： 一具有該至少一鏡子（M)之腔室（1〇)、一用於供應一氣體 物夤至含有該至少一鏡子之該腔室的入口（14)， 及用於監測該鏡子（M)之反射率的構件， 其特徵在於，該裝置進一步包括一用於施加一電位（v) 至該鏡子（Μ)之表面以便視該鏡子（M)之該反射率而定控 制该保護層之厚度的可控電壓源（12)。 8. 如請求項7之裝置，其中該可控電壓源（12)於一端處連接 至該至少一鏡子（M)且於另一端處連接至一面向該鏡子 (M)之電極。 9. 如請求項7之裝置，其中該可控電壓源（12)於一端處連接 至讜至少一鏡子（M)且於另一端處連接至地。 10. 如請求項7至9中任一項之裝置，其包括用於監測包含該 至少一鏡子（M)之該腔室（10)中之一背景壓力的構件。 11 · 一種微影投影裝置，其包括： 一用於提供一投影輻射束（PB)之輻射系統； 一用於支撐圖案化構件（MA)之支撐結構（MT)，該圖案 化構件（MA)係用於根據一所要圖案將該投影束（PB)圖案 化； μ 一用於固持一基板（W)之基板台；及 一用於將該經圖案化射束（PB)投射至該基板（w)之一 96356.doc 1251118 目標部分（c)上的投影系統， 其特徵在於，該微影投影裝置進一步包括一如請求項 -7、8或9之裝置。

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