CN100447977C - 制造cmos图像传感器中的隔离层的方法 - Google Patents

制造cmos图像传感器中的隔离层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100447977C
CN100447977C CNB2005101376018A CN200510137601A CN100447977C CN 100447977 C CN100447977 C CN 100447977C CN B2005101376018 A CNB2005101376018 A CN B2005101376018A CN 200510137601 A CN200510137601 A CN 200510137601A CN 100447977 C CN100447977 C CN 100447977C
Authority
CN
China
Prior art keywords
diffusion region
semiconductor chip
coating
separator
oxide skin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101376018A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1819138A (zh
Inventor
黄�俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DongbuAnam Semiconductor Inc
Original Assignee
DongbuAnam Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DongbuAnam Semiconductor Inc filed Critical DongbuAnam Semiconductor Inc
Publication of CN1819138A publication Critical patent/CN1819138A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100447977C publication Critical patent/CN100447977C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，将氧和P-型离子注入到装置隔离区中而没有蚀刻损坏并执行加热工艺以在半导体基片中形成装置隔离层。离子注入掩模层被形成，其暴露低浓度的第一传导类型半导体基片上的装置隔离区。使用掩模层氧离子被注入到半导体基片中。执行加热工艺以在装置隔离区中形成氧化物层。栅绝缘层形成于半导体基片上而栅电极形成于栅绝缘层上。低浓度的第二传导类型扩散区形成于光电二极管区中。高浓度的第二传导类型扩散区形成于半导体基片中栅电极的两侧。具有高于半导体基片浓度的浓度的第一传导类型扩散区形成于半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上。

Description

制造CMOS图像传感器中的隔离层的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2004年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2004-0117225的权益，其如同在此全部提出一样通过引用结合到本申请中。
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器，且更具体地，涉及制造CMOS图像传感器中隔离层的方法。所述方法可将氧和P-型离子注入到装置隔离区中而不承受蚀刻损坏并执行加热工艺以在半导体基片中形成装置隔离层。
背景技术
图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的半导体装置。典型的互补金属-氧化物-硅(CMOS)图像传感器包括：电荷耦合装置，其中电荷载流子存储在彼此非常靠近的金属-氧化物-硅电容中；以及对应于像素数目的MOS晶体管，其使用CMOS技术来制造。使用MOS晶体管，输出信号通过位于外围电路区域中的信号处理电路和控制电路来检测。
用于将光学图像转换为电信号的CMOS图像传感器可包括具有光电二极管的信号处理芯片。放大器、模拟/数字转换器、内部电压发生器、时序发生器以及数字逻辑可连接在一个芯片上，由此减少空间、功率和成本。电荷耦合装置通过专门化的方法来制造，而CMOS图像传感器使用蚀刻硅晶片的方法来制造，该方法比制造电荷耦合装置的方法便宜。因此，CMOS图像传感器可被有利地大规模生产并且具有高度的集成。
参考图1，其根据相关技术来说明CMOS图像传感器，低浓度P-型外延层111生长于高浓度P-型基片110上，而用于隔离元件的浅沟槽隔离区118通过在外延层111中提供沟槽并用绝缘层填充沟槽而形成。栅绝缘层116形成于外延层111上，包括在浅沟槽隔离区118上，而由多晶硅构成的栅电极119形成于栅绝缘层116上。光致抗蚀剂(photoresist)图案(未示出)形成于外延层111上，包括在栅电极119上，而具有高能量的低浓度N-型扩散区121使用作为掩模(未示出)的光致抗蚀剂图案通过离子注入而形成于光电二极管区中。光致抗蚀剂图案被去除；间隔物122形成于栅电极119的两侧上；并且形成了高浓度N-型扩散区123。
P-型杂质以低于基片110浓度和高于外延层111浓度的浓度被注入到外延层111中，以在光电二极管区中低浓度N-型扩散区121上形成P-型扩散区124。
在通过前述方法所制造的CMOS图像传感器中，装置隔离层通过浅沟槽隔离而形成并且具有P-N-P结构的光电二极管形成于光电二极管区中。浅沟槽隔离区通过蚀刻半导体基片以形成沟槽以及利用绝缘层填充沟槽而形成。当半导体基片被蚀刻时，硅晶格可遭受蚀刻损坏。而且，由于沟槽被包括于光电二极管区中，在浅沟槽隔离区的界面制造了不必要的界面陷阱。相应地，结泄漏电流增大，并且图像传感器的噪声特性恶化。
发明内容
相应地，本发明指向一种制造CMOS图像传感器的隔离层的方法，该方法可基本上消除可由于相关技术的局限和缺点而导致的一个或多个公开的或未公开的问题或议题。
本发明包括一种制造CMOS图像传感器的隔离层的方法，其可形成装置隔离层而不蚀刻半导体基片以减少蚀刻损坏所导致的陷阱所产生的泄漏电流并普遍地改进图像传感器的特性。
本发明的另外的优点、目的和特征将在下面的描述中的部分中提出，并且通过研究下面内容对于本领域的技术人员将变得显而易见。本发明的目的和其它优点通过书面描述中特别指出的结构而可实现和获得。
根据本发明的目的，为了实现这些和其它优势，如在此所具体化和广泛描述的，制造CMOS图像传感器中隔离层的示例性方法包括：形成暴露半导体基片上的装置隔离区的离子注入掩模层；使用掩模层将氧离子和杂质顺序注入到半导体基片中；以及执行加热工艺以在装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的隔离层扩散区。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，该方法包括：在半导体基片上形成垫氧化物层；在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；以及执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的隔离层扩散区，其中所述隔离层扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的。
根据本发明的另一方面，提供了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括隔离层，其中所述隔离层是通过以下过程来制造的：在低浓度的第一传导类型的半导体基片上形成垫氧化物层；在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；及执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的隔离层扩散区，其中所述隔离层扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的。
根据本发明的另一方面，提供了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括隔离层，其中所述隔离层是通过以下过程来制造的：在低浓度的第一传导类型的半导体基片上形成垫氧化物层；在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的用于所述隔离层的扩散区，其中所述隔离层扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的；在所述半导体基片上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成栅电极；在光电二极管区中形成低浓度的第二传导类型扩散区；在所述半导体基片中栅电极的两侧形成高浓度的第二传导类型扩散区；以及在所述半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上形成具有高于所述半导体基片的浓度的浓度的第一传导类型扩散区。
将理解的是，本发明的前面概括的描述和下面详细的描述都是示例性和说明性的，且意图提供如所要求的本发明的进一步的解释。
附图说明
附图被包括以提供本发明的进一步的理解并被引入和组成本申请的部分，其说明本发明的实施例并连同描述用来解释本发明。在图中：
图1为根据现有技术的CMOS图像传感器的截面视图；以及
图2A-2C为说明根据本发明制造CMOS图像传感器中的隔离层的方法的截面视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性的实施例，其实例在附图中说明。只要可能，类似的参考标号将在全部图中用来指示相同或相似的部件。
图2A-2C说明根据本发明的制造CMOS图像传感器中的隔离层的示例性的方法。
如图2A中所示，低浓度P-型外延层211生长于高浓度P-型基片210上，而垫氧化物层212生长于外延层211上。光致抗蚀剂(未示出)被涂覆在垫氧化物层212上并被暴露及显影以形成暴露装置隔离区的光致抗蚀剂图案213。使用光致抗蚀剂图案213作为掩模，氧离子和高浓度P-型杂质被顺序注入到外延层211中。半导体基片和被注入的杂质可具有不同的导电性。氧离子注入可使用传统的离子注入器来执行。
如图2B中所示，光致抗蚀剂图案213被去除并且执行加热工艺以形成氧化物层214，氧化物层214通过装置隔离区中的外延层211中的硅和氧之间的反应来起到装置隔离层的作用。高浓度P-型杂质被扩散以形成包围氧化物层214的隔离层扩散区231。
如图2C中所示，栅绝缘层216生长于外延层211上而由多晶硅构成的栅电极230形成于栅绝缘层216上。间隔物215形成于栅电极230的两侧。离子以约150-250KeV的高能量被注入到光电二极管区中以形成低浓度N-型扩散区225。例如，为源和漏区的高浓度N-型扩散区220形成于外延层211中栅电极230的两侧。P-型杂质以低于基片210浓度并高于外延层211浓度的浓度被注入到外延层211中以在光电二极管区中的低浓度N-型扩散区221上形成P-型扩散区222。
根据本发明，由于装置隔离层得以形成而不蚀刻半导体基片，有可能减少由蚀刻损坏所导致的陷阱所产生的泄漏电流，并且因而，改进图像传感器的特性。
对于本领域的技术人员显而易见的是，在本发明中可进行各种修改而不脱离本发明的精神或范围。因此，意图是，倘若这样的修改在所附权利要求及其等价的范围内，本发明将涵盖这样的修改。

Claims (8)

1.一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，包括：
在半导体基片上形成垫氧化物层；
在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；
使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；以及
执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的隔离层扩散区，其中所述隔离层扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的。
2.根据权利要求1的方法，其中所述杂质是P-型杂质。
3.根据权利要求2的方法，其中所述P-型杂质以高于半导体基片浓度的浓度被注入。
4.根据权利要求1的方法，其中所述半导体基片为第一传导性的，并且其中被注入的杂质为第二传导性的。
5.根据权利要求1的方法，进一步包括：
在所述半导体基片上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅电极；
在光电二极管区中形成低浓度的第二传导类型扩散区；
在所述半导体基片中栅电极的两侧形成高浓度的第二传导类型扩散区；以及
在所述半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上形成具有高于所述半导体基片的浓度的浓度的第一传导类型扩散区。
6.根据权利要求5的方法，其中所述低浓度的第二传导类型扩散区是N-型扩散区，并且是使用150-250KeV的能量通过离子植入工艺在光电二极管区中形成的。
7.一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括隔离层，其中所述隔离层是通过以下过程来制造的：
在低浓度的第一传导类型的半导体基片上形成垫氧化物层；
在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；
使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；及
执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的所述隔离层的扩散区，其中所述隔离层的扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的。
8.一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括隔离层，其中所述隔离层是通过以下过程来制造的：
在低浓度的第一传导类型的半导体基片上形成垫氧化物层；
在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；
使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；
执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的所述隔离层的扩散区，其中所述隔离层的扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的；
在所述半导体基片上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成栅电极；
在光电二极管区中形成低浓度的第二传导类型扩散区；
在所述半导体基片中栅电极的两侧形成高浓度的第二传导类型扩散区；以及
在所述半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上形成具有高于所述半导体基片的浓度的浓度的第一传导类型扩散区。
CNB2005101376018A 2004-12-30 2005-12-26 制造cmos图像传感器中的隔离层的方法 Expired - Fee Related CN100447977C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040117225A KR100672708B1 (ko) 2004-12-30 2004-12-30 시모스 이미지 센서의 격리막 형성방법
KR1020040117225 2004-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1819138A CN1819138A (zh) 2006-08-16
CN100447977C true CN100447977C (zh) 2008-12-31

Family

ID=36641069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101376018A Expired - Fee Related CN100447977C (zh) 2004-12-30 2005-12-26 制造cmos图像传感器中的隔离层的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060148195A1 (zh)
KR (1) KR100672708B1 (zh)
CN (1) CN100447977C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102651372A (zh) * 2011-02-23 2012-08-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器及其制作方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100778856B1 (ko) 2005-09-28 2007-11-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US7939867B2 (en) 2008-02-27 2011-05-10 United Microelectronics Corp. Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor and fabricating method thereof
CN101533802B (zh) * 2008-03-12 2011-02-09 联华电子股份有限公司 互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法
CN102280464A (zh) * 2011-09-01 2011-12-14 上海宏力半导体制造有限公司 像素隔离结构以及像素隔离结构制造方法
US9673245B2 (en) * 2012-10-01 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Implant isolated devices and method for forming the same
US9355888B2 (en) 2012-10-01 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Implant isolated devices and method for forming the same
CN104952784B (zh) * 2014-03-31 2019-01-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 沟槽隔离结构、其制作方法及半导体器件和图像传感器
CN104157661B (zh) * 2014-08-15 2017-11-10 北京思比科微电子技术股份有限公司 一种cmos图像传感器的制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895252A (en) * 1994-05-06 1999-04-20 United Microelectronics Corporation Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX)
CN1231516A (zh) * 1998-02-28 1999-10-13 现代电子产业株式会社 互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
US20020048899A1 (en) * 2000-08-21 2002-04-25 Lunenborg Meindert Martin Process for forming shallow isolating regions in an integrated circuit and an integrated circuit thus formed
CN1444293A (zh) * 2002-03-12 2003-09-24 三菱电机株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件
CN1487590A (zh) * 2002-10-04 2004-04-07 �ձ�����ƿ˿Ƽ���ʽ���� 具有像素隔离区的图像传感器
US20040089914A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 Chandra Mouli Isolation techniques for reducing dark current in CMOS image sensors
US20040178430A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Howard Rhodes Angled implant for trench isolation

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748134A (en) * 1987-05-26 1988-05-31 Motorola, Inc. Isolation process for semiconductor devices
JP2778550B2 (ja) * 1995-09-08 1998-07-23 日本電気株式会社 半導体集積回路の製造方法
US5892252A (en) * 1998-02-05 1999-04-06 Motorola, Inc. Chemical sensing trench field effect transistor and method for same
US5998277A (en) * 1998-03-13 1999-12-07 Texas Instruments - Acer Incorporated Method to form global planarized shallow trench isolation
US6344374B1 (en) * 2000-10-12 2002-02-05 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of fabricating insulators for isolating electronic devices
KR100381026B1 (ko) * 2001-05-22 2003-04-23 주식회사 하이닉스반도체 펀치전압과 포토다이오드의 집전양을 증가시킬 수 있는씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR20040008912A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서의 하이브리드 소자분리 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895252A (en) * 1994-05-06 1999-04-20 United Microelectronics Corporation Field oxidation by implanted oxygen (FIMOX)
CN1231516A (zh) * 1998-02-28 1999-10-13 现代电子产业株式会社 互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
US20020048899A1 (en) * 2000-08-21 2002-04-25 Lunenborg Meindert Martin Process for forming shallow isolating regions in an integrated circuit and an integrated circuit thus formed
CN1444293A (zh) * 2002-03-12 2003-09-24 三菱电机株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件
CN1487590A (zh) * 2002-10-04 2004-04-07 �ձ�����ƿ˿Ƽ���ʽ���� 具有像素隔离区的图像传感器
US20040089914A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 Chandra Mouli Isolation techniques for reducing dark current in CMOS image sensors
US20040178430A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Howard Rhodes Angled implant for trench isolation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102651372A (zh) * 2011-02-23 2012-08-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器及其制作方法
CN102651372B (zh) * 2011-02-23 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1819138A (zh) 2006-08-16
KR20060077707A (ko) 2006-07-05
KR100672708B1 (ko) 2007-01-22
US20060148195A1 (en) 2006-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100447977C (zh) 制造cmos图像传感器中的隔离层的方法
US7297604B2 (en) Semiconductor device having dual isolation structure and method of fabricating the same
CN100573890C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20020171097A1 (en) Integrated CMOS structure for gate-controlled buried photodiode
KR100869743B1 (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
CN103247623A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN100423281C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN115642162A (zh) 图像传感器的形成方法及其图像传感器
CN100428487C (zh) Cmos图像传感器的光电二极管及其制造方法
CN100477245C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN103456789B (zh) 用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺
JP3884600B2 (ja) 光電変換装置及びその製造方法
CN101388361A (zh) 制造图像传感器的方法
CN1937237A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN100499149C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20220059695A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100672679B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 및 그의 제조방법
KR20060077138A (ko) 저조도 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법
KR100741881B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR100264877B1 (ko) Soi형 소자 분리 영역을 가지는 반도체 장치의 제조 방법
US20240145495A1 (en) Solid state image sensor and method of manufacturing solid state image sensor
KR100595327B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법
KR100595325B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 광감지 소자 제조방법
KR100606903B1 (ko) 시모스 이미지 센서의 트랜지스터 제조방법
KR100720507B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 트랜지스터 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081231

Termination date: 20121226