CN100440723C - 晶体振荡器仿真器 - Google Patents

晶体振荡器仿真器 Download PDF

Info

Publication number
CN100440723C
CN100440723C CNB031563511A CN03156351A CN100440723C CN 100440723 C CN100440723 C CN 100440723C CN B031563511 A CNB031563511 A CN B031563511A CN 03156351 A CN03156351 A CN 03156351A CN 100440723 C CN100440723 C CN 100440723C
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
frequency
output signal
calibration information
oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB031563511A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1497835A (zh
Inventor
S·苏塔查
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kavim International Inc
Marvell International Ltd
Marvell Asia Pte Ltd
Original Assignee
MAWELL INTERNATIONAL TRADE Srl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MAWELL INTERNATIONAL TRADE Srl filed Critical MAWELL INTERNATIONAL TRADE Srl
Publication of CN1497835A publication Critical patent/CN1497835A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100440723C publication Critical patent/CN100440723C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/026—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using a memory for digitally storing correction values
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
    • H03L1/025—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes and a memory for digitally storing correction values

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

一种用于产生具有频率的输出信号的装置，所述装置具有芯片温度，并包括第一温度传感器(22)以感测第一温度。非易失性存储器(18)，其存储用于控制输出信号频率的校准信息(20)，输出信号频率为第一温度的函数。一半导体振荡器(14)，其产生作为校准信息(20)函数的输出信号。

Description

晶体振荡器仿真器
技术领域
本发明涉及电压控制振荡器(VCOs)。
背景技术
本申请要求2002年10月15日提交的、美国非临时申请No.10/272,247的优先权，其内容在此一并作为参考。
在许多类型的电子装置，诸如便携式电话和其他手持装置中需要精确基准频率。在这些电子装置中，通常使用晶体振荡器来提供精确基准频率。然而，晶体振荡器具有几个固有缺陷，包括大体积尺寸、易碎性和高成本。另外，晶体振荡器的尺寸和成本与谐振频率有关以便随着频率增加，降低尺寸，并且成本和易碎性迅速增加。当电子装置的尺寸继续减小，由于尺寸、易碎性和成本限制，使用晶体振荡器变得更成问题。
半导体振荡器已经成为晶体振荡器的拙劣的替代方案并且由于振荡频率中的过分变化(特别是当温度改变时)，通常不适合用作精确基准频率。
发明内容
一装置，其用于产生具有频率的输出信号。该装置具有芯片温度并包括感测第一温度的第一温度传感器。一非易失性存储器存储校准信息，校准信息用于控制作为第一温度函数的输出信号频率。一半导体振荡器，用于产生作为校准信息的函数的输出信号。
在附图和下面的描述中阐述了本发明的一个或多个实施例的详细情况。通过说明书和附图以及从权利要求书，本发明的其他特征、目的和优点将是显而易见的。
附图说明
图1是表示晶体振荡器仿真器一实施例的框图。
图2是表示温度和校正因子间的关系的表。
图3是表示温度和校正因子间的关系的图。
图4是表示晶体振荡器仿真器一实施例的方框图。
图5是连接到外部阻抗的晶体振荡器仿真器实施例的二维视图。
图6是连接到外部阻抗的晶体振荡器仿真器实施例的详细框图。
图7A和7B是表示外部阻抗值和数值间的关系的图。
图8是用于产生具有周期波形的输出的振荡器组件一实施例的框图。
图9表示用于产生具有可变频率输出信号的扩频振荡器。
图10表示晶体振荡器仿真器一实施例的工作原理。
图11是低功率振荡器一实施例的框图。
图12是低功率振荡器的另一实施例的框图。
在不同图中相同的标号表示相同的元件。
具体实施方式
图1表示用于产生具有精确频率的输出信号12的晶体振荡器仿真器10。通过使用包括互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的任何工艺，可将晶体振荡器仿真器10构造在单个半导体芯片上。
晶体振荡器仿真器10可包括半导体振荡器14以用于产生输出信号12。可使用包括LC振荡器、RC振荡器以及环形振荡器的任何类型的半导体振荡器。半导体振荡器14包括控制输入端16，以用于改变输出信号的频率。控制输入端16可是任何电子输入端，其实现输出信号频率中的可控变化，如环形振荡器的电源电压和LC振荡器的变容二极管(varactor)的电压输入端。
非易失性存储器18包括校准信息20，该用于控制作为温度的函数的输出信号频率。可采用包括内容定址存储器(CAM)的任何类型的非易失性存储器。校准信息20可包括将应用于半导体振荡器14的控制输入端16的校正因子以控制输出信号频率。校准信息20可是从校准温度到工作温度的温度变化的函数，以及是绝对温度的函数。
温度传感器22可感测半导体芯片的温度。优选地，温度传感器位于半导体振荡器14的附近的半导体芯片上。可使用包括热敏电阻器和红外检测器的任何类型的温度传感器22。可将温度传感器22构造成测量从基线温度(baseline temperature)或当前温度的变化。
图2表示用于将校准信息20存储在非易失性存储器18中的存储技术30。存储技术30可是任何形式的数据库，包括CAM、索引方案、查询表和散列表。
图3表示校正因子值与用于维持晶体振荡器仿真器10的恒定输出信号频率的温度的一系列示例图。可用任何方式，包括装置级测试(device-level testing)和批处理方式(batch-mode)测试来获得用于构成该曲线的数据。
示例性的装置级测试可包括测试每个装置来确定校正因子以便应用于该半导体振荡器来随着温度变化维持恒定输出频率。在一种方案中，确定半导体振荡器控制输入的基线值以用于预定频率和装置的半导体芯片的预定温度诸如最低工作温度。可直接测量基线或由测量另一装置的特性插入基线。测量基线值也可用于每个潜在输出频率。同时，诸如通过使用已知电路关系，可由用于预定频率的基线值外推用于每个潜在输出频率的基线值。用于每个潜在输出频率的基线值可存储为绝对值或比率、频率因子，以便由单个基线值计算基线值。
然后，在离散步骤中，从约最低工作温度将半导线芯片的温度增加到约最大工作温度。可使用任何数量的离散步骤，优选地将离散步骤的数量限制到约六个温度级以便降低测量成本。优选地，芯片上的热量用来加热该半导体芯片，但可采用任何手段来改变半导体芯片的温度。在每个离散步骤中，可测量半导体芯片温度和用于将输出维持在恒定频率的校正因子。
校正因子最好是比率以便应用于基线值来获得用于控制输入的调整值。校准因子的范围可从任何基线值，诸如1起。优选地，为每个温度步骤计算单个校正因子以便应用于半导体振荡器来将输入信号维持在任何一个预定频率大小。例如，如果确定1.218的校正因子以与45℃温度变化一致，那么通过诸如，通过改变控制输入与校正因子成比例，可将半导体振荡器的控制输入调节成校正因子的函数。在另一替代方案中，可将校正因子应用于与所需输出频率对应的基线值以便生成控制输入调整到的校准值。在另一替代方案中，在每个温度步骤，可测量对应于几个输出频率的每一个的校正因子。
通过降低用于一批半导体芯片的测量数量，获得校准信息20的晶体振荡器仿真器10的批处理方式测试可有利地降低成本。在批处理方式测试中，可将来自同批半导体芯片的晶体振荡器仿真器10的子集的测试结果用于该批中所有装置。所测试的晶体振荡器仿真器子集的范围可从一到装置的总数量的任何比例。例如，可测试单个晶体振荡器仿真器10并将作为结果的批处理校准信息存储在该批的每个装置中。另外，可测试每个晶体振荡器仿真器10以用于校准信息的子集，诸如，基线温度时的输出频率。装置特定校准信息的子集可用来修改存储在每个装置中的批处理校准信息。
图4表示晶体振荡器仿真器40的另一实施例。除了晶体振荡器仿真器40还分别包括单个或更多的加热器54、控制器56和选择输入端58，或者上述组合外，晶体振荡器仿真器40和具有编号在40-52的范围内的相似对应元件的晶体振荡器10在功能上相似。
可将加热器54位于半导体振荡器44附近的半导体芯片上以便提供本地加热源。可使用包括晶体管加热器和电阻加热器的任何类型的加热器54。可根据温度传感器42的输入控制加热器54，以控制半导体芯片的温度。加热器54可增加半导体芯片的温度到与已确定校正因子对应的一个温度级的级别。另外，具有较高热阻抗(thermal impedance)的外壳可封装晶体振荡器仿真器40。
在一种情况下，加热器54可将半导体芯片的温度增加到最大工作温度。这里，在装置或批处理级测试期间，如果要降低成本，将必须仅确定对应于最大工作温度的校正因子。
也可控制加热器54，以将半导体芯片温度升高到校正因子确定的几个预定温度级之一。第二温度传感器可自动感测外部温度，如周围温度或组件温度。然后，加热器54在温度转变期间，使用由校正因子计算的外推值，连续改变控制输入，可将半导体芯片温度增加到预定温度级的最接近值。
通过例如响应多个温度传感器控制加热器54或使用校准信息50来导出对应于中间温度的控制输入值，控制器56可增加另外的功能。控制器56可是包括处理器、逻辑电路和软件模块的任何种类的实体。
选择输入端58可用于从输出频率范围内选择特定的输出频率。可选择作为与选择输入端连接的外部元件的阻抗的函数的输出频率。外部元件可直接用作半导体振荡器的一部分，以选择输出频率，或间接地诸如，在预定范围内选择阻抗值可对应于预定输出频率。外部元件可是任何元件，但最好是无源元件，诸如电阻器或电容器。
图5表示晶体振荡器仿真器100的一实施例，其具有例如，与两个外部阻抗106和108连接的两个选择管脚102和104。可使用一个或更多管脚与外部组件连接。晶体振荡器仿真器100可探测或导出来自与选择管脚102和104连接的外部元件信息。该导出信息可具有与仿真器特性选定级对应的三个或多个预定级范围。例如，可使用与外部电阻器连接的单个管脚选择16个输出频率级中的任何一个。优选地，选择外部电阻器的电阻作为16个预定标准值的其中之一。16个电阻值中的每一个对应于16个输出频率级中的一个。另外，为降低成本和库存，最好使用低精度无源元件作为外部元件。每个外部元件可具有多个(N)预定额定值，每个预定额定值与所选的预定特性级对应。如果使用一个管脚，那么可选择N个不同的特性级。如果使用两个管脚，那么对数目增加的选择管脚，可选择N*N个不同的特性级等等。例如，可选择的装置特性的类型包括输出频率、频率公差，以及基线校正因子。例如，晶体振荡器仿真器100可具有与外部电阻器连接的单个选择管脚102，该外部电阻器可具有从16个预定值组中选择的额定值。16个预定值的每一个具有与16个预定输出频率级其中之一对应的测量值范围，该预定输出频率级范围可从1MHz至100MHz。
优选地，外部阻抗106和108是电阻器、电容器，或电阻器和电容器的组合，但也可是主要显示为电感、电阻、电容，或其组合的元件。外部阻抗106和108从如Vdd和/或任何适当的基准的能源可直接或间接地连接到管脚102和1040。例如，外部阻抗106可通过电阻器/晶体管网络连接到Vdd以及通过电容器网络连接到选择管脚1020。
晶体振荡器仿真器100可确定与选择管脚连接的阻抗的测量值对应的预定选择值。优选地，为降低装置和库存成本，选择的阻抗具有标准值，诸如对应于具有10％公差的电阻器的额定电阻值(例如，470、560、680，...)。考虑到测量公差和外部阻抗公差，阻抗值范围可对应于单个选择值。选择值最好是数字值，但也可是模拟值。例如，从2400欧姆至3000欧姆的测量电阻值可与对应于2的数字值关联。从3001 5欧姆至4700欧姆的测量电阻值与对应于3的数字值关联。由于外部阻抗和内部测量电路的公差，测量的电阻包含一些变化。在每个选择管脚测量的阻抗用于确定对应的数字值。数字值的范围可包括3或更大的数字值，并且优选的是每个选择管脚的数字值的范围为从10至16。可结合使用每个选择管脚的数字值来描述存储器地址。例如，一具有三个选择管脚并且每个管脚与映射在10个数字值中的一个相连接装置可描述1000个存储器地址或查找表值。使用对应于存储器地址的存储单元的内容来设置用于该装置的输出值或内部特性值。另一示例性装置可包括两个选择管脚，每个选择管脚构造成与映射到10个值范围内的数字值的外部阻抗连接。结合的数值可描述100个存储器地址或查找表值，每个存储器地址或查找表可包含设置晶体振荡器仿真器100的特性的数据。
图6表示晶体振荡器仿真器120实施例的框图。晶体振荡器仿真器120包括选择管脚122，以连接到用于选择晶体振荡器仿真器120的结构的外部阻抗124。外部阻抗124在功能和工作域(scope)方面与外部阻抗116和118类似。
连接到选择管脚122的测量电路126测量作为外部阻抗124的函数的电特性。例如，可将电流提供给外部阻抗，然后测量外部阻抗124两端产生的电压。同时，在外部阻抗124的两端外加电压，然后测量电流。可使用包括动态和静态技术的任何测量无源元件的测量技术来测量电特性。示例性的测量技术包括定时电路、模数转换器(ADCs)，以及数模转换器(DACs)。最好，测量电路具有高动态(high dynamic range)范围。测量电路126可生成一输出，该输出具有对应于外部阻抗124值的值。该输出可是数字或模拟的。优选地，相同的输出值表示外部阻抗值的范围以便补偿数值变化，如外部阻抗值、内连损耗(interconnect losses)中的公差，以及由于包括工艺、温度和功率等因素引起的测量电路的公差。例如，范围从大于22达到32欧姆的所有被测外部阻抗值可与数字输出值“0100”关联。而范围从大于32至54欧姆的测量外部阻抗值可与数字输出值“0101”关联。实际外部阻抗值是被测外部阻抗值的子集以便说明数值变化。例如，在上述情况中，实际外部阻抗值可是从24至30欧姆以及从36至50欧姆。在每种情况下，可选择廉价的低精度电阻器为具有居于此范围，如27欧姆和43欧姆中心的值。用这种方式，可使用廉价的低精度元件来在高精度输出的范围中选择。可直接将选择值用作可变值以控制晶体振荡器仿真器120的装置特性。也可从选择值中间接地确定可变值。
存储电路127可包括可变值，该可变数值可作为选择值的函数进行选择。存储电路127可是任何类型的存储结构，包括内容可寻址存储器、静态和动态存储器，以及查找表。
对测量电路126生成与外部阻抗值具有一对一对应关系的输出值的情况而言，然后，数字值确定器(determiner)128可将输出值设置成与外部阻抗值范围对应的选择值。
图7A表示阻抗值150组和相关选择值154间的关系。阻抗值150组可与数字输出值152组具有一对一的对应关系，数字输出值152组被转换成与阻抗值150组中的每一个值相关的选择值154。范围从最小阻抗值到最大阻抗值的阻抗值可分成三或更多组，每组具有额定阻抗。可将每组的额定阻抗值选择成在额定阻抗值间具有间隔。这里，阻抗值组27欧姆和43欧姆的额定值具有16欧姆的间隔。优选地，阻抗值组间的间隔是基于等比级数(geometric progression)，然而，可使用任何数学关系建立组间的间隔，诸如对数、线性和指数。阻抗组间的间隔可基于任何阻抗值，包括额定值、平均值(average value)、中值(mean value)、起始值和结束值。影响选择组的阻抗范围和间隔的因素可包括各种公差，诸如，外部阻抗的公差、内部电压和电流源的公差以及测量电路的公差。公差可由例如工艺、温度和功率变化引起。
图7B表示阻抗值156和相关选择值158集合之间的关系。阻抗值156与选择值158集合具有直接对应关系。可将范围从最小阻抗值至最大阻抗的阻抗值分成三或更多组，每组具有额定阻抗。可选择每组的额定阻抗值在额定阻抗值间具有间隔。这里，阻抗值组的额定值27欧姆和43欧姆具有16欧姆的间隔。可通过例如，非线性模数转换器(未示出)来实现阻抗值156和相关选择值158集合间的这种直接对应关系。
再重新参考图6，地址产生器130可确定存储单元，该存储单元对应于和连接到选择管脚的外部阻抗关联的数字输出值。可用任何方式，如，用于单个选择管脚的列表、用于两个选择管脚的查找表以及用于三个选择管脚的三阶表来组成存储单元。
控制器132可将晶体振荡器仿真器120的装置特性设置成可变值的函数。可变值可直接由测量电路产生，可间接从选择值中确定，以及由对应于连接到选择管脚的外部阻抗值的存储单元内容来确定。
选择管脚122可用于实现另外的功能，诸如省电(PD)、电源开启(power enable)、模式选择、复位和同步操作。在此实施例，选择管脚122成为多功能选择管脚，其用于构造晶体振荡器仿真器120并实现另外的功能。
在一实施例中，与多功能选择管脚122连接的阻挡值的第一集合可用于配置晶体振荡器仿真器120，而通过施加在多功能选择管脚122上的电压或电流，或通过第一集合阻抗值之外的阻抗值，可控制另外功能的工作。
图8表示产生具有周期波形输出的振荡器组件200的一实施例。振荡器组件200包括驱动锁相环(PLL)204的晶体振荡器仿真器202。晶体振荡器仿真器202在功能和结构上可与上述晶体振荡器仿真器的实施例类似。振荡器组件200可包括任何类型的PLL204，如数字PLLs和模拟PLLs。
多功能选择管脚206和208可用于选择PLL204的工作参数，如除法器因子。多功能选择管脚206和208也可用于控制和操作晶体振荡器仿真器202，如输出频率选择和接受用于校准的基准时钟。外部电阻器210和212也可连接到多功能选择管脚206和208以便选择工作频率。外部电阻器210和212的值的范围与所选的不同工作频率相对应。可使用每个外部电阻器210和212来选择16个预定工作频率中的一个。结合起来，外部电阻器210和212可从256个工作频率中选择。为控制多个功能，每个多功能选择管脚206和208可接受不同电压范围内的信号。例如，一个多功能选择管脚206可连接到外部电阻器210，在外部电阻器210的两端可产生0至2伏范围内的电压以确定电阻，并且多功能选择管脚206也可接收在2至3伏范围内工作的基准时钟信号。译码器214可检测多功能选择管脚206和208上的信号。
图9表示用于产生具有可变频率输出信号的扩频振荡器300。扩频振荡器300包括连接到PLL304的晶体振荡器仿真器302。与晶体振荡器仿真器302连接的频率控制装置可动态地控制晶体振荡器仿真器302的输出频率。频率控制装置可是任何装置或技术，包括变容二极管，控制半导体振荡器的偏流源，以及控制提供给半导体振荡的谐振电容器的控制输入电压。
图10表示晶体振荡器仿真器一实施例的工作原理。在方框400，提供的半导体振荡器用于产生具有周期波形的输出信号。接着在方框402，可校准半导体振荡器以产生高于预定范围温度的恒定频率。在一实施例中，校准可包括高于预定温度范围改变半导体芯片的温度以及测量用于维持恒定输出频率的校准信息。可在半导体振荡器的附近测量芯片温度。校准信息可包括与用于维持恒定输出频率的芯片温度相对的控制输入值。校准信息可存储在半导体芯片上的非易失性存储器中。在方框404，可通过探测外部元件确定工作频率。接着在方框406，半导体振荡器产生具有工作频率的输出信号。在方框408，确定半导体振荡器附近的半导体芯片的温度。接着在方框410，可加热或冷却半导体芯片以便将芯片温度控制到一个或多个预定温度级。在方框412，可控制输入控制作为芯片温度的函数以便补偿由温度变化引起的输出信号工作频率中的变化。可使用存储的校准信息控制该控制输入。可直接将校准信息用于对应于被存储温度的芯片温度。对其他芯片温度，可从存储的校准信息外推该控制输入值。接着在方框414，输出信号的频率作为频率控制信号的函数可动态地改变。
图11表示用于产生周期信号的低功率振荡器320的一实施例。低功率振荡器320包括校准有源硅振荡器324的晶体振荡器仿真器322。晶体振荡器仿真器322通常处于关闭状态以便降低功耗。在预定间隔，晶体振荡器仿真器322转换为通电状态以校准有源硅振荡器324。有源硅振荡器324较晶体振荡器仿真器322消耗较少的功率，因此，连续操作有源硅振荡器324，而仅间断地操作晶体振荡器仿真器322降低了低功率振荡器320的总功耗。可使用任何类型的有源硅振荡器，包括环形振荡器和RC振荡器。可根据在说明书中所述和所示的发明的任何实施例配置晶体振荡器仿真器322。
加法器326可确定有源硅振荡器输出和晶体振荡器仿真器输出间的频率误差。根据频率误差，控制器328可产生控制信号以控制有源硅振荡器324的频率。控制器328也可从晶体振荡器仿真器322接收温度信息。温度信息可包括诸如半导体温度和周围温度。控制器328可包括用于有源硅振荡器324的校准信息，其与用于晶体振荡器仿真器322的校准信息类似。可使用频率误差设置用于控制信号的初始值，并且然后可使用该温度信息和有源硅振荡器校准信息来更新控制信号同时使晶体振荡器仿真器322处于断电状态。在一实施例中，晶体振荡器仿真器322的温敏电路可仍然通电以便可将连续的温度信息提供给控制器328。控制信号334可是数字或模拟的。如果控制信号是数字的，数模转换器(DAC)330可将该控制信号转换成模拟值。
调节器332可响应控制信号334，控制有源硅振荡器324的电源以调整工作频率。可控制提供给有源硅振荡器324的电源电压和/或电源电流。例如，调节器332可控制电源电压的电压电平。
在工作中，有源硅振荡器324通常处于用于产生周期输出信号的接通状态。晶体振荡器仿真器322通常处于断电状态。在断电状态中，可使晶体振荡器仿真器322的所有或部分断电以节约能源。在预定时间，将电源提供给晶体振荡器仿真器322。然后，用存储的校准信息校准晶体振荡器仿真器322的半导体振荡器。将晶体振荡器仿真器322输出信号的频率与有源硅振荡器324输出信号的频率进行比较以便确定有源硅振荡器324的频率误差。控制信号334根据该频率误差改变，从而使电压调节器332的电源电压变化，继而导致有源硅振荡器324的输出频率变化，这样降低了频率误差。
图12表示用于产生周期信号的另一低功率振荡器350的实施例。低功率振荡器350包括与电荷泵振荡器354连接的晶体振荡器仿真器352。晶体振荡器仿真器352通常处于断电状态以便降低功耗。在断电状态期间，可使所有或部分晶体振荡器仿真器352断电。在预定间隔，可使晶体振荡器仿真器352通电并用于校准电荷泵振荡器354。可将预定间隔确定为任何电路参数，诸如工作时间、半导体的温度变化、周围温度变化、半导体温度以及电源电压变化的函数。电荷泵振荡器354可包括电荷泵356、环路滤波器358、电压控制振荡器(VCO)360以及相位检测器362。除相位检测器362的基准输入从晶体振荡器仿真器352接收基准时钟信号外，电荷泵振荡器354在工作中与常规的电荷泵振荡器类似。
多路复用器364从晶体振荡器仿真器352和电荷泵振荡器354接收输出信号。一输出信号被选择并通过多路复用器364到锁相环366。锁相环366产生作为晶体振荡器仿真器352和电荷泵振荡器354的输出信号函数的输出信号。
在工作中，电荷泵振荡器354通常处于产生周期输出信号的导通状态。晶体振荡器仿真器352通常处于断电状态。在断电状态中，可使全部或部分晶体振荡器仿真器352断电以便降低功耗。在预定时间，将电源提供给晶体振荡器仿真器352。然后，使用存储的校准信息校准晶体振荡器仿真器352的半导体振荡器。将晶体振荡器仿真器352的输出信号与电荷泵振荡器354的输出信号进行比较以确定电荷泵振荡器354的相位误差。然后，控制VCO360来降低相位误差以便将电荷泵振荡器354的输出信号校准到晶体振荡器仿真器352的输出信号。然后，选择一个输出信号并提供给锁相环366。
已经描述了本发明的多个实施例。然而，应当认识到在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可做出各种改进。因此，其他实施例包括权利要求书的范围内。

Claims (32)

1.一种用于产生具有频率的输出信号的装置，所述装置具有芯片温度，其特征在于：所述装置包括：
感测第一温度的第一温度传感器(22)；
非易失性存储器(18)，其存储作为所述第一温度的函数的校准信息，所述校准信息用于控制所述输出信号频率；
半导体振荡器(14)，其产生作为所述校准信息(20)的函数的所述输出信号；以及
选择输入端(58)，以选择作为外部无源元件的函数的所述输出信号的频率。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述第一温度表示从初始温度到第二温度的温度变化。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括生成所述校准信息(20)的校准电路。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括接收所述输出信号并生成锁相信号的锁相环(204)。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括动态改变所述输出信号频率的频率控制装置(306)。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括感测外部温度的第二温度传感器(42)；
控制所述芯片温度的加热器(54)；以及
响应所述第一和第二温度传感器以控制所述加热器(54)的控制器(56)。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括：
生成具有频率的输出信号的有源硅振荡器(324)；
加法器(326)，其确定所述半导体振荡器(322)的所述输出信号与所述有源硅振荡器(324)的所述输出信号间的频率误差；以及
控制器(328)，其控制作为所述频率误差的函数的所述有源硅振荡器(324)的输出信号。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述有源硅振荡器(324)是具有电源电压的环形振荡器；以及
进一步包括调节器(332)，其响应所述控制器(328)以控制所述电源电压以便降低所述频率误差。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括生成具有频率的输出信号的电荷泵振荡器(354)；以及
所述半导体振荡器(14)与所述电荷泵振荡器(354)结合来校准所述电荷泵振荡器(354)的所述输出信号。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于：所述电荷泵振荡器(354)进一步包括：
相位检测器(362)，其确定所述电荷泵振荡器(354)的所述输出信号与所述半导体振荡器(14)的所述输出信号间的相位误差；以及
电压控制振荡器(360)，其结合所述相位检测器(362)以产生所述电荷泵振荡器(354)的所述输出信号。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括选择所述电荷泵振荡器(354)的所述输出信号和所述晶体振荡器仿真器(352)的所述输出信号其中之一的多路复用器(364)；以及
锁相环(366)，其结合所述多路复用器(364)以产生输出信号。
12.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述控制器(328)进一步控制作为所述第一温度的函数的所述有源半导体振荡器(324)的所述输出信号。
13.如权利要求8所述的装置，其特征在于：所述调节器(332)控制从由电压和电源组成的组中选择的电源电压的电特性。
14.一种具有输出频率和芯片温度的装置，其特征在于：所述装置包括：
在半导体芯片上：
a)感测所述芯片温度并产生温度信号的第一温度传感器(22)；
b)响应所述温度信号以将所述芯片温度维持在预定工作温度的加热器(54)；
c)存储校准信息(20)的非易失性存储器(18)，该校准信息将所述预定工作温度与所述输出频率关联：
d)产生作为所述校准信息(20)的函数的所述输出频率的半导体振荡器(14)；以及
选择输入端(58)，其选择作为外部无源元件的函数的所述输出信号的频率。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述第一温度表示从初始温度到第二温度的温度方面的变化。
16.如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述加热器(54)是从由晶体管加热器和电阻加热器组成的组选择的。
17.如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括容纳所述装置的绝缘外壳。
18.如权利要求14所述的装置，其特征在于：所述装置进一步包括生成所述校准信息的校准电路。
19.一种产生具有频率的输出信号的方法，其特征在于：所述方法包括：
提供具有芯片温度的半导体振荡器；
感测与所述半导体振荡器有关的第一温度；
确定从校准温度到所述第一温度的温度变化；
基于所述温度变化，确定频率校正值；
产生作为所述频率校正值的函数的所述输出信号频率；
控制所述芯片温度，其中控制所述芯片温度包括加热所述半导体振荡器
感测外部温度；以及
将所述芯片温度调节到大于所述外部温度的温度级。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括存储校准信息，该校准信息用于控制作为所述芯片温度的函数的所述输出频率。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于：所述校准信息包括频率校正值。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括生成所述校准信息。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于：生成所述校准信息包括感测所述芯片温度：以及
确定所述频率校正值以便将所述输出信号频率调节到预定频率。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于：生成所述校准信息进一步包括控制所述芯片温度。
25.如权利要求19所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括：
产生具有频率的周期信号；
用所述输出信号校准所述周期信号；以及
间断地使所述半导体振荡器断电。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于：校准包括：
确定所述输出信号和所述周期信号间的频率误差；以及
控制所述周期信号的频率以降低所述频率误差。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括提供具有电源电压的有源硅振荡器，以用于产生所述周期信号；以及
控制所述电源电压的电特性以便降低所述频率误差。
28.如权利要求25所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括提供电荷泵振荡器以产生所述周期信号。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括确定所述周期信号和所述输出信号间的相位误差。
30.如权利要求29所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括选择所述输出信号和所述周期信号间的一个；以及
产生锁相信号，该锁相信号作为所选择的所述输出信号和所述周期信号其中之一的函数。
31.如权利要求25所述的方法，其特征在于：所述方法进一步包括提供用于所述周期信号的校准信息：以及
当使所述半导体振荡器断电时，作为所述第一温度和所述周期信号校准信息的函数控制所述周期信号。
32.如权利要求27所述的方法，其特征在于：所述电源电压的所述电特性选自由电压和电流组成的组。
CNB031563511A 2002-10-15 2003-09-04 晶体振荡器仿真器 Expired - Lifetime CN100440723C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/272,247 2002-10-15
US10/272,247 US7042301B2 (en) 2002-10-15 2002-10-15 Crystal oscillator emulator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1497835A CN1497835A (zh) 2004-05-19
CN100440723C true CN100440723C (zh) 2008-12-03

Family

ID=32042933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031563511A Expired - Lifetime CN100440723C (zh) 2002-10-15 2003-09-04 晶体振荡器仿真器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7042301B2 (zh)
EP (1) EP1411630B1 (zh)
JP (1) JP2004201280A (zh)
CN (1) CN100440723C (zh)
TW (1) TWI279072B (zh)

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6724220B1 (en) 2000-10-26 2004-04-20 Cyress Semiconductor Corporation Programmable microcontroller architecture (mixed analog/digital)
US8176296B2 (en) 2000-10-26 2012-05-08 Cypress Semiconductor Corporation Programmable microcontroller architecture
US7765095B1 (en) 2000-10-26 2010-07-27 Cypress Semiconductor Corporation Conditional branching in an in-circuit emulation system
US8149048B1 (en) 2000-10-26 2012-04-03 Cypress Semiconductor Corporation Apparatus and method for programmable power management in a programmable analog circuit block
US8103496B1 (en) 2000-10-26 2012-01-24 Cypress Semicondutor Corporation Breakpoint control in an in-circuit emulation system
US8160864B1 (en) 2000-10-26 2012-04-17 Cypress Semiconductor Corporation In-circuit emulator and pod synchronized boot
US7406674B1 (en) 2001-10-24 2008-07-29 Cypress Semiconductor Corporation Method and apparatus for generating microcontroller configuration information
US8078970B1 (en) 2001-11-09 2011-12-13 Cypress Semiconductor Corporation Graphical user interface with user-selectable list-box
US8042093B1 (en) 2001-11-15 2011-10-18 Cypress Semiconductor Corporation System providing automatic source code generation for personalization and parameterization of user modules
US7774190B1 (en) 2001-11-19 2010-08-10 Cypress Semiconductor Corporation Sleep and stall in an in-circuit emulation system
US8069405B1 (en) 2001-11-19 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation User interface for efficiently browsing an electronic document using data-driven tabs
US7844437B1 (en) 2001-11-19 2010-11-30 Cypress Semiconductor Corporation System and method for performing next placements and pruning of disallowed placements for programming an integrated circuit
US7770113B1 (en) 2001-11-19 2010-08-03 Cypress Semiconductor Corporation System and method for dynamically generating a configuration datasheet
US6971004B1 (en) 2001-11-19 2005-11-29 Cypress Semiconductor Corp. System and method of dynamically reconfiguring a programmable integrated circuit
US8103497B1 (en) 2002-03-28 2012-01-24 Cypress Semiconductor Corporation External interface for event architecture
US7308608B1 (en) 2002-05-01 2007-12-11 Cypress Semiconductor Corporation Reconfigurable testing system and method
US7761845B1 (en) 2002-09-09 2010-07-20 Cypress Semiconductor Corporation Method for parameterizing a user module
US7148763B2 (en) * 2002-10-15 2006-12-12 Marvell World Trade Ltd. Integrated circuit including processor and crystal oscillator emulator
US7768360B2 (en) * 2002-10-15 2010-08-03 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US7791424B2 (en) * 2002-10-15 2010-09-07 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US7760039B2 (en) * 2002-10-15 2010-07-20 Marvell World Trade Ltd. Crystal oscillator emulator
US7042301B2 (en) 2002-10-15 2006-05-09 Marvell International Ltd. Crystal oscillator emulator
US20060113639A1 (en) * 2002-10-15 2006-06-01 Sehat Sutardja Integrated circuit including silicon wafer with annealed glass paste
US7812683B2 (en) * 2002-10-15 2010-10-12 Marvell World Trade Ltd. Integrated circuit package with glass layer and oscillator
US7187241B2 (en) * 2003-05-02 2007-03-06 Silicon Laboratories Inc. Calibration of oscillator devices
US7436227B2 (en) 2003-05-02 2008-10-14 Silicon Laboratories Inc. Dual loop architecture useful for a programmable clock source and clock multiplier applications
US7227424B2 (en) 2004-03-22 2007-06-05 Mobius Microsystems, Inc. Transconductance and current modulation for resonant frequency control and selection
US7719371B2 (en) * 2004-03-22 2010-05-18 Integrated Device Technology, Inc. Spread spectrum clock and reference signal generator
US20090146751A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Mobius Microsystems, Inc. Clock, Frequency Reference, and Other Reference Signal Generator
US8095813B2 (en) * 2004-03-22 2012-01-10 Integrated Device Technology, Inc Integrated circuit systems having processor-controlled clock signal generators therein that support efficient power management
US7295049B1 (en) 2004-03-25 2007-11-13 Cypress Semiconductor Corporation Method and circuit for rapid alignment of signals
US7443911B2 (en) * 2004-04-07 2008-10-28 Silicon Laboratories Inc. Communication devices capable of using system clock inputs for embedded television applications
DE102004022328A1 (de) * 2004-05-06 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement, Testanordnung und Verfahren zum Steuern der Temperatur eines Halbleiterbauelements
JP2005328245A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 通信装置
US8069436B2 (en) 2004-08-13 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Providing hardware independence to automate code generation of processing device firmware
US8286125B2 (en) 2004-08-13 2012-10-09 Cypress Semiconductor Corporation Model for a hardware device-independent method of defining embedded firmware for programmable systems
US7102417B2 (en) * 2004-11-05 2006-09-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit die including a temperature detection circuit, and system and methods for calibrating the temperature detection circuit
US7332976B1 (en) 2005-02-04 2008-02-19 Cypress Semiconductor Corporation Poly-phase frequency synthesis oscillator
US7449968B1 (en) * 2005-05-03 2008-11-11 Discera, Inc. Frequency and temperature compensation synthesis for a MEMS resonator
US7400183B1 (en) 2005-05-05 2008-07-15 Cypress Semiconductor Corporation Voltage controlled oscillator delay cell and method
US8089461B2 (en) 2005-06-23 2012-01-03 Cypress Semiconductor Corporation Touch wake for electronic devices
US7375597B2 (en) 2005-08-01 2008-05-20 Marvell World Trade Ltd. Low-noise fine-frequency tuning
US7852098B2 (en) * 2005-08-01 2010-12-14 Marvell World Trade Ltd. On-die heating circuit and control loop for rapid heating of the die
SG129370A1 (en) 2005-08-01 2007-02-26 Marvell World Trade Ltd On-die heating circuit and control loop for rapid heating of the die
US7872542B2 (en) * 2005-08-01 2011-01-18 Marvell World Trade Ltd. Variable capacitance with delay lock loop
CN1929117B (zh) * 2005-09-06 2010-06-16 马维尔国际贸易有限公司 包括带有退火玻璃浆的硅晶片的集成电路
WO2007068283A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-21 Semtech Neuchâtel SA Sensor interface
US8085067B1 (en) 2005-12-21 2011-12-27 Cypress Semiconductor Corporation Differential-to-single ended signal converter circuit and method
JP4796414B2 (ja) * 2006-03-14 2011-10-19 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP2007258216A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Fujitsu Ltd 半導体集積回路、回路システム、及び半導体集積回路の駆動方法
US8067948B2 (en) 2006-03-27 2011-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Input/output multiplexer bus
US7649426B2 (en) 2006-09-12 2010-01-19 Cts Corporation Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators
EP1914880A1 (en) 2006-10-16 2008-04-23 SiTel Semiconductor B.V. Integrated circuit, comprising a voltage controlled oscillator and a method for controlling a temperature of a voltage controlled oscillator
US20080224786A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Stolpman James L Apparatus and method for temperature compensating an ovenized oscillator
US8092083B2 (en) 2007-04-17 2012-01-10 Cypress Semiconductor Corporation Temperature sensor with digital bandgap
US8516025B2 (en) 2007-04-17 2013-08-20 Cypress Semiconductor Corporation Clock driven dynamic datapath chaining
US8040266B2 (en) 2007-04-17 2011-10-18 Cypress Semiconductor Corporation Programmable sigma-delta analog-to-digital converter
US7737724B2 (en) 2007-04-17 2010-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Universal digital block interconnection and channel routing
US8130025B2 (en) 2007-04-17 2012-03-06 Cypress Semiconductor Corporation Numerical band gap
US8026739B2 (en) 2007-04-17 2011-09-27 Cypress Semiconductor Corporation System level interconnect with programmable switching
US9564902B2 (en) 2007-04-17 2017-02-07 Cypress Semiconductor Corporation Dynamically configurable and re-configurable data path
US8266575B1 (en) 2007-04-25 2012-09-11 Cypress Semiconductor Corporation Systems and methods for dynamically reconfiguring a programmable system on a chip
US9720805B1 (en) 2007-04-25 2017-08-01 Cypress Semiconductor Corporation System and method for controlling a target device
US8065653B1 (en) 2007-04-25 2011-11-22 Cypress Semiconductor Corporation Configuration of programmable IC design elements
US7525860B2 (en) * 2007-04-30 2009-04-28 Qimonda North American Corp. System and method for monitoring temperature in a multiple die package
US8049569B1 (en) * 2007-09-05 2011-11-01 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for improving the accuracy of a crystal-less oscillator having dual-frequency modes
CN101399577B (zh) * 2007-09-28 2012-09-19 联芯科技有限公司 移动通讯终端及其晶体振荡器参数校准方法
US7978017B2 (en) * 2007-12-05 2011-07-12 Integrated Device Technology, Inc. Control voltage generator for a clock, frequency reference, and other reference signal generator
US8093958B2 (en) * 2007-12-05 2012-01-10 Integrated Device Technology, Inc. Clock, frequency reference, and other reference signal generator with a controlled quality factor
US20090146750A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Mobius Microsystems, Inc. Common Mode Controller for a Clock, Frequency Reference, and Other Reference Signal Generator
US20090146748A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Mobius Microsystems, Inc. Amplitude Controller for a Clock, Frequency Reference, and Other Reference Signal Generator
US20100225402A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-09 Qualcomm Incorporated Vco tuning with temperature compensation
US7884679B2 (en) * 2009-03-18 2011-02-08 Nxp B.V. Process, voltage, temperature compensated oscillator
US8134414B2 (en) * 2009-04-24 2012-03-13 Integrated Device Technology, Inc. Clock, frequency reference, and other reference signal generator with frequency stability over temperature variation
US9448964B2 (en) 2009-05-04 2016-09-20 Cypress Semiconductor Corporation Autonomous control in a programmable system
US8164159B1 (en) 2009-07-18 2012-04-24 Intergrated Device Technologies, inc. Semiconductor resonators with electromagnetic and environmental shielding and methods of forming same
US8140038B2 (en) * 2009-10-14 2012-03-20 Issc Technologies Corp. Adaptive receivers
US8242849B1 (en) 2011-03-30 2012-08-14 Silicon Laboratories Inc. Compensation for crystal offset in PLL-based crystal oscillators
US8674772B2 (en) * 2011-04-01 2014-03-18 Mediatek Inc. Oscillating signal generator utilized in phase-locked loop and method for controlling the oscillating signal generator
EP2618375A1 (fr) * 2012-01-19 2013-07-24 The Swatch Group Research and Development Ltd. Procédé et système de mesure pour la calibration thermique d'un circuit électronique
JP5872493B2 (ja) * 2012-06-13 2016-03-01 株式会社東芝 発振周波数調整回路
JP6013069B2 (ja) * 2012-07-31 2016-10-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイス
WO2014130525A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-28 Si-Ware Systems Single insertion trimming of highly accurate reference oscillators
JP6177614B2 (ja) * 2013-07-29 2017-08-09 日本電波工業株式会社 発振装置
NL2011982C2 (en) * 2013-12-18 2015-06-22 Frapinv S B V System and method for operating a mechanical resonator in an electronic oscillator.
CN106160666B (zh) * 2015-03-09 2019-05-14 旺宏电子股份有限公司 数字温度补偿振荡器电路及其控制方法
AU2016432856A1 (en) * 2016-12-19 2019-06-13 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Systems and methods for switching reference crystal oscillators for a transceiver of a wireless device
TWI705235B (zh) 2019-07-19 2020-09-21 財團法人工業技術研究院 感測裝置
US10892709B1 (en) 2019-09-24 2021-01-12 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Electronic precision timing device
CN116016019A (zh) * 2022-12-19 2023-04-25 上海爱信诺航芯电子科技有限公司 一种免晶振的can设备校准系统及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4893097A (en) * 1987-09-28 1990-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Method for temperature compensation of a voltage-controlled crystal oscillator in a phase control circuit
CN1076282A (zh) * 1992-01-31 1993-09-15 莫托罗拉公司 利用直接数字合成晶体基准的温度补偿
CN1211354A (zh) * 1996-12-17 1999-03-17 摩托罗拉公司 晶体振荡器的温度补偿电路及其方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440749A (en) * 1989-08-03 1995-08-08 Nanotronics Corporation High performance, low cost microprocessor architecture
US5081431A (en) * 1990-01-26 1992-01-14 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Digital temperature-compensated oscillator
DE4302542A1 (de) * 1993-01-29 1994-08-04 Siemens Ag Oszillatorschaltung mit einem die schwingquarzindividuellen Kenninformationen speichernden Speicher
JPH08288741A (ja) 1995-04-14 1996-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振装置とその調整方法
US5659270A (en) * 1996-05-16 1997-08-19 Motorola, Inc. Apparatus and method for a temperature-controlled frequency source using a programmable IC
AU5299600A (en) * 1999-05-26 2000-12-12 Broadcom Corporation Integrated vco
US6850125B2 (en) * 2001-08-15 2005-02-01 Gallitzin Allegheny Llc Systems and methods for self-calibration
US7042301B2 (en) 2002-10-15 2006-05-09 Marvell International Ltd. Crystal oscillator emulator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4893097A (en) * 1987-09-28 1990-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Method for temperature compensation of a voltage-controlled crystal oscillator in a phase control circuit
CN1076282A (zh) * 1992-01-31 1993-09-15 莫托罗拉公司 利用直接数字合成晶体基准的温度补偿
CN1211354A (zh) * 1996-12-17 1999-03-17 摩托罗拉公司 晶体振荡器的温度补偿电路及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7042301B2 (en) 2006-05-09
EP1411630B1 (en) 2016-07-06
CN1497835A (zh) 2004-05-19
TWI279072B (en) 2007-04-11
JP2004201280A (ja) 2004-07-15
TW200419895A (en) 2004-10-01
US20040071029A1 (en) 2004-04-15
EP1411630A1 (en) 2004-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100440723C (zh) 晶体振荡器仿真器
US7148763B2 (en) Integrated circuit including processor and crystal oscillator emulator
US20070176705A1 (en) Crystal oscillator emulator
US6115441A (en) Temperature detector systems and methods
US20070188254A1 (en) Crystal oscillator emulator
US20080042767A1 (en) Crystal oscillator emulator
US4746879A (en) Digitally temperature compensated voltage-controlled oscillator
US9231519B2 (en) Temperature compensation for oscillator
US6784756B2 (en) On-board processor compensated oven controlled crystal oscillator
US10483984B2 (en) Temperature compensated oscillation controller and temperature compensated crystal oscillator including the same
US6970794B2 (en) Semiconductor having reduced configuration pins and method thereof
KR20100009269A (ko) 온도 감지 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치
CN101846556B (zh) 全集成数字温度传感器
US20220239284A1 (en) Clock generation circuits and methods of generating clock signals
IES20010192A2 (en) An Integrated Circuit Chip for use as an Electronic Thermostat
US8575994B2 (en) Circuit and method for generating a clock signal
WO2008048624A2 (en) Crystal oscillator emulator
WO2008048563A2 (en) Crystal oscillator emulator
CN202153732U (zh) 用于产生时钟信号的电路及包括该电路的电子装置
US20240146308A1 (en) Calibration device and method for calibrating frequency drift and electronic device using the same
JPH0870218A (ja) 温度補償水晶発振器
CN114679135B (zh) 振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质
KR20240083708A (ko) 저항 기반 온 칩 온도센서
JPH05218738A (ja) デジタル温度補償発振器
Ramfos et al. A 16-channel capacitance-to-period converter for capacitive sensor applications

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Babado J San Michaele

Patentee after: Marvell International Ltd.

Address before: Barbados, Bermuda, Hamilton

Patentee before: Marvell International Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201230

Address after: Hamilton, Bermuda

Patentee after: Marvell International Ltd.

Address before: Babado J San Michaele

Patentee before: Marvell International Ltd.

Effective date of registration: 20201230

Address after: Shin ha Po

Patentee after: Marvell Asia Pte. Ltd.

Address before: Grand Cayman Islands

Patentee before: Kavim International Inc.

Effective date of registration: 20201230

Address after: Grand Cayman Islands

Patentee after: Kavim International Inc.

Address before: Hamilton, Bermuda

Patentee before: Marvell International Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20081203