CN114679135B - 振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质 - Google Patents

振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请提出一种振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质，该振荡器电路，包括：信号生成电路，用于生成交流信号，且包括第一调节电路，第一调节电路用于调节交流信号的频率的幅值；第二调节电路，与信号生成电路连接，用于至少生成一种温度特性的补偿电流，并向信号生成电路输出补偿电流，以调节交流信号的频率的温度特性；频率控制模块，分别与第一调节电路和第二调节电路连接，用于控制第一调节电路对交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制第二调节电路对交流信号的频率的温度特性进行调节。本申请提供的振荡器电路，输出频率的精度较高、温漂较低。

Description

振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质
技术领域
本申请属于振荡器技术领域，具体涉及一种振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质。
背景技术
随着电子技术的不断发展，各种电子元件的应用越来越广泛，集成电路已应用在人们生活的方方面面。例如，振荡器电路（将直流电能转换为具有一定频率的交流电能）及集成该电路芯片，在量测、自动控制、无线电通讯及遥控等许多领域均有着广泛应用。
但是，现有的振荡器电路的输出频率受温度的影响，可能会使输出频率较预期发生变化，从而导致振荡器输出频率不稳定及不准确等。
发明内容
本申请提出一种振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质，该振荡器电路的输出频率的精度较高、温漂较低。
本申请第一方面实施例提出了一种振荡器电路，包括：
信号生成电路，用于生成交流信号，且包括第一调节电路，所述第一调节电路用于调节所述交流信号的频率的幅值；
第二调节电路，与所述信号生成电路连接，用于至少生成一种温度特性的补偿电流，并向所述信号生成电路输出所述补偿电流，以调节所述交流信号的频率的温度特性；
频率控制模块，分别与所述第一调节电路和所述第二调节电路连接，用于控制所述第一调节电路对所述交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制所述第二调节电路对所述交流信号的频率的温度特性进行调节。
在本申请一些实施例中，所述信号生成电路还包括比较器，电流源模块，电容模块，以及与所述电容模块并联的频率控制开关；
所述比较器的正向输入端接入所述电容模块的负载电压，反向输入端接入第一参考电压，输出端与所述频率控制开关连接，并控制所述频率控制开关的通断；
所述第一调节电路分别连接所述电流源模块和所述电容模块，并用于调节所述电流源模块的电流值，以及所述电容模块的电容值。
在本申请一些实施例中，所述电流源模块包括并联的多个第一电流源，每个第一电流源均通过所述第一调节电路与所述电容模块连接。
在本申请一些实施例中，所述第一调节电路包括第一开关组，所述第一开关组包括多个第一开关元件，且多个第一开关元件分别与多个第一电流源一一对应连接。
在本申请一些实施例中，所述电容模块包括并联的多个电容元件，每个电容元件均通过所述第一调节电路与所述电流源模块连接。
在本申请一些实施例中，所述第一调节电路包括还第二开关组，所述第二开关组包括多个第二开关元件，且多个第二开关元件分别与多个电容元件一一对应连接。
在本申请一些实施例中，所述频率控制开关包括频率控制MOS管，所述频率控制MOS管的源极和漏极分别与所述电容模块的两端一一对应连接，所述频率控制MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接。
在本申请一些实施例中，所述信号生成电路还包括参考电压控制模块，所述参考电压控制模块的一端连接供电电压，另一端与所述比较器的反向输入端连接，用于向所述比较器提供所述第一参考电压。
在本申请一些实施例中，所述参考电压控制模块包括电阻阵列和开关阵列，所述开关阵列与所述电阻阵列连接，通过控制所述电阻阵列的电阻值来控制向所述比较器提供的所述第一参考电压。
在本申请一些实施例中，所述电阻阵列包括串联的多个电阻元件，所述开关阵列包括多个开关元件，每个开关元件分别设置于相邻两个电阻元件之间，且多个开关元件在远离电阻元件的一端共线连接。
在本申请一些实施例中，所述参考电压控制模块还包括无温度系数的第二电流源，所述第二电流源的一端连接所述供电电压，另一端连接所述电阻阵列。
在本申请一些实施例中，所述第二调节电路包括：
第一电流生成电路，用于生成正温度系数电流；
第二电流生成电路，与所述第一电流生成电路并联连接，用于生成无温度系数电流；
第三电流生成电路，分别与所述第一电流生成电路和所述第二电流生成电路并联连接，生成负温度系数电流；
第四电流生成电路，分别与所述第一电流生成电路、所述第二电流生成电路和所述第三电流生成电路连接，并基于所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流，生成混合温度系数电流。
在本申请一些实施例中，所述第一电流生成电路包括第一运放电路和第一电流开关；所述第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；
所述第一电流开关与所述第一运放电路连接，用于控制所述正温度系数电流的输出。
在本申请一些实施例中，所述第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管；
所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均连接供电电压，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻；
所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻连接，所述第二三极管的发射极与所述第三电阻连接；
所述第二电阻与所述第三电阻连接；
所述第一运放器的正向输入端连接在所述第二电阻和所述第三电阻之间，反向输入端连接所述第一三极管的发射极，输出端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极。
在本申请一些实施例中，所述第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接。
在本申请一些实施例中，所述第二电流生成电路包括第二运放电路和第二电流开关；所述第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；
所述第二电流开关与所述第二运放电路连接，用于控制所述无温度系数电流的输出。
在本申请一些实施例中，所述第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；
所述第四MOS管的源极连接供电电压，所述第四MOS管的漏极和栅极均连接所述第五MOS管的源极，所述第五MOS管的漏极连接所述第四电阻，且所述第四电阻接地；
所述第二运放器的正向输入端连接所述第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接所述第五MOS管的栅极。
在本申请一些实施例中，所述第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与所述第四MOS管的栅极连接。
在本申请一些实施例中，所述第三电流生成电路包括第三运放电路和第三电流开关；所述第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；
所述第三电流开关与所述第三运放电路连接，用于控制所述负温度系数电流的输出。
在本申请一些实施例中，所述第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；
所述第七MOS管的源极连接供电电压，所述第七MOS管的漏极和栅极均连接所述第八MOS管的源极，所述第八MOS管的漏极连接所述第五电阻，且所述第五电阻接地；
所述第三运放器的正向输入端连接所述第八MOS管的漏极，反向输入端连接所述第二三极管的发射极，输出端连接所述第八MOS管的栅极。
在本申请一些实施例中，所述第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与所述第七MOS管的栅极连接。
在本申请一些实施例中，所述第四电流生成电路包括：
电流输入模块，分别与所述第一电流生成电路、所述第二电流生成电路及所述第三电流生成电路连接，用于接入所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流中的任意两种；
电流选择模块，与所述电流输入模块连接，根据所述电流输入模块接入的电流，确定所述混合温度系数电流在不同温度条件下的温度特性；
电流输出模块，与所述电流选择模块连接，用于输出所述混合温度系数电流。
在本申请一些实施例中，所述电流输入模块包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，所述正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，所述其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源；
所述电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；
所述第十MOS管，栅极接地，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的漏极和栅极；
所述第十一MOS管，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十二MOS管；
所述第十二MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的栅极；
所述第十三MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十MOS管的栅极；
所述第十四MOS管的源极接地，栅极连接所述电流输出模块；
所述第十五MOS管的源极接地。
在本申请一些实施例中，所述电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；
所述第十六MOS管，源极接地，栅极连接所述第十四MOS管的栅极，漏极分别连接所述第十七MOS管的栅极和所述第六电阻；
所述第六电阻另一端连接所述第十七MOS管的漏极；
所述第十七MOS管，源极连接所述第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接所述第十八MOS管的栅极和所述第四电流开关；
所述第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接所述第四电流开关。
在本申请一些实施例中，所述第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与所述第十八MOS管的栅极和所述第十七MOS管的漏极连接。
在本申请一些实施例中，还包括二分频电路，所述二分频电路连接所述信号生成电路的输出端，用于调整所述交流信号的占空比。
本申请第二方面的实施例提供了一种振荡器频率调节方法，应用第一方面所述的振荡器电路，所述方法包括：
初始化振荡器电路后，检测所述振荡器电路生成的交流信号的频率参数；所述频率参数包括频率幅值和频率温度特性；
确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
若否，则通过第一调节电路将所述交流信号的频率幅值调节至所述预设阈值范围，并基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正；
若是，则直接基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
本申请第三方面的实施例提供了一种振荡器频率调节装置，包括：
检测模块，用于初始化振荡器电路后，检测所述振荡器电路生成的交流信号的频率参数；所述频率参数包括频率幅值和频率温度特性；
确定模块，用于确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
第一调节模块，用于：若否，则通过第一调节电路将所述交流信号的频率幅值调节至所述预设阈值范围，并基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正；
第二调节模块，用于：若是，则直接基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
本申请第四方面的实施例提供了一种芯片，其上集成有第一方面所述的振荡器电路。
本申请第五方面的实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第二方面所述的步骤。
本申请第六方面的实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行实现如第二方面所述的方法。
本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本申请实施例提供的振荡器电路，包括信号生成电路、第二调节电路及频率控制模块，信号生成电路用于生成用于生成交流信号的信号生成电路，且该信号生成电路还包括第一调节电路，能够调节交流信号的频率的幅值，提高该振荡器电路的输出频率精度。第二调节电路能够至少生成一种温度特性的补偿电流，可以通过该补偿电流调节交流信号的频率的温度特性。频率控制模块可通过第一调节电路自动对交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制第二调节电路自动对交流信号的频率的温度特性进行调节，以实现该振荡器电路输出频率的自动调节校准功能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了现有技术中振荡器电路的结构示意图；
图2示出了本申请一实施例提供的振荡器电路的框架结构示意图；
图3示出了本申请一实施例提供的振荡器电路的原理结构示意图；
图4示出了本申请一实施例中电阻阵列的放大结构示意图；
图5示出了本申请一实施例中第二调节电路的结构示意图；
图6示出了本申请一实施例中第二调节电路的部分结构示意图；
图7示出了本申请一实施例中第二调节电路的另一部分结构示意图；
图8示出了本申请一实施例所提供的一种电子设备的结构示意图；
图9示出了本申请一实施例所提供的一种存储介质的示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
现有相关技术中，振荡器电路通常如图1所示，包括连接供电电压的电流源、与电流源连接的电容、与电容并联的MOS管，以及比较器。该比较器的正向输入端连接MOS管的漏极，反向输入端接入参考电压Vref，输出端连接MOS管的栅极，且MOS管的源极接地。振荡器电路的工作原理是：通过电流源对电容进行充电，当电容的电量达到参考电压Vref后，比较器输出高电平，该高电平使得MOS管导通。MOS管导通之后，会使电容（接地）快速放电，电容放电后，比较器的正向输入电压降低，则输出低电平，该低电平使得MOS管断开。电流源再次对电容进行充电。如此，周而复始，比较器便会规律性地循环输出高电平和低电平，即交流信号。并可通过设置不同的参考电压Vref，来调节交流信号的频率。
发明人研究发现，振荡器电路的输出频率之所以受温度的影响，是因为随着温度的增加，比较器的延迟会增加和开关MOS管的导通阻抗也会增加，同时，电流Icu也会随着温度变化而变化，从而使振荡器的频率受到温度的影响。另外，振荡器还会受到工艺的影响，使得输出频率发生变化。
为解决上述问题，本申请实施例提出的一种振荡器电路、频率调节方法、芯片、电子设备及存储介质。该振荡器电路包括信号生成电路、第二调节电路及频率控制模块，信号生成电路用于生成交流信号的信号生成电路，且该信号生成电路还包括第一调节电路，能够调节交流信号的频率的幅值，提高该振荡器电路的输出频率精度。第二调节电路能够至少生成一种温度特性的补偿电流，可以通过该补偿电流调节交流信号的频率的温度特性。频率控制模块可第一调节电路自动对交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制第二调节电路自动对交流信号的频率的温度特性进行调节，以实现该振荡器电路输出频率的自动调节校准功能。
其中，信号生成电路生成的交流信号通常为时钟信号。
如图2所示，为本申请实施例提供的振荡器电路，该振荡器电路包括：信号生成电路，用于生成交流信号，且包括第一调节电路，第一调节电路用于调节交流信号的频率的幅值。第二调节电路，与信号生成电路连接，用于至少生成一种温度特性的补偿电流，并向信号生成电路输出补偿电流，以调节交流信号的频率的温度特性。频率控制模块，分别与第一调节电路和第二调节电路连接，用于控制第一调节电路对交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制第二调节电路对交流信号的频率的温度特性进行调节。
其中，频率的温度特性可理解为振荡电路的输出频率随温度变化而变化的规律。
可以理解的是，本实施例对上述信号生成电路、第二调节电路及频率控制模块的具体结构和材质不做具体限定，只要信号生成电路能够生成交流信号，并具有能够调节交流信号的频率幅值的第一调节电路；第二调节电路能够调节交流信号的频率的温度特性，频率控制模块能够控制信号生成电路和第二调节电路即可。
在一些实施方式中，如图3所示，信号生成电路还包括比较器，电流源模块，电容模块，以及与电容模块并联的频率控制开关；比较器的正向输入端接入电容模块的负载电压，反向输入端接入第一参考电压，输出端与频率控制开关连接，并控制频率控制开关的通断；第一调节电路分别连接电流源模块和电容模块，并用于调节电流源模块的电流值，以及电容模块的电容值。
在本申请实施例中，该振荡器电路的输出频率Fr可根据下述公式（1）计算：
Figure 217144DEST_PATH_IMAGE001
公式（1）
其中，Fr为该振荡器电路的输出频率，Cr为电容模块的电容值，Ir为电流源模块的电流值，Vr为比较器的参考电压。
基于上述公式可知，该振荡器电路的输出频率与电容模块的电容值、电流源模块的电流值及比较器的参考电压有关，本实施例通过设置电流值可调节电流源模块和电容值可调节的电容模块，并通过第一调节电路调节电流源模块的电流值和电容模块的电容，可以较为准确地调整该振荡器电路的输出频率的幅值，以提高该振荡器电路的输出频率的精度。
具体地，电流源模块包括并联的多个第一电流源，每个第一电流源均通过第一调节电路与电容模块连接。如此，第一调节电路可通过电流源模块中，实际与电容模块连接的第一电流源的个数，来调节电流源模块的电阻值，以实现对振荡器电路输出频率的幅值进行调节。
进一步地，第一调节电路包括第一开关组，第一开关组包括多个第一开关元件，且多个第一开关元件分别与多个第一电流源一一对应连接。如此，可通过一个第一开关元件控制一个第一电流源，即实现每个第一电流源的单独控制，从而进一步细化振荡器电路输出频率的幅值。
与电流源模块的设置原理类似地，电容模块也可包括并联的多个电容元件，每个电容元件均通过第一调节电路与电流源模块连接。如此，第一调节电路可通过电容模块中，实际与电流源模块连接的电容元件的个数，来调节电容模块的电容值，以实现对振荡器电路输出频率的幅值进行进一步调节。
进一步地，第一调节电路还包括第二开关组，第二开关组包括多个第二开关元件，且多个第二开关元件分别与多个电容元件一一对应连接。如此，可通过一个第二开关元件控制一个电容元件，即实现每个第一电流源的单独控制，从而进一步细化振荡器电路输出频率的幅值。
可以理解的是，上述并联多个第一电流源的电流源模块和并联多个电容元件的电容模块，均只是本实施例的较佳实施方式，本实施例并不以此为限，例如，多个第一电流源或多个电容元件也可以串联，也可以通过调节电流源的导通时间来调节整体电流值等。另外，一个第一开关元件也可以控制多个第一电流源，或者多个第一开关元件也控制一个第一电流源；一个第二开关元件也可以控制多个电容元件，或者多个第二开关元件也控制一个电容元件。本实施例对此均不作具体限定。
在另一些实施方式中，频率控制开关包括频率控制MOS管，频率控制MOS管的源极和漏极分别与电容模块的两端一一对应连接，频率控制MOS管的栅极与比较器的输出端连接。
本实施例中频率控制MOS管断开，电容模块处于储能状态。频率控制MOS管导通，电容模块接地，使得电容模块、频率控制MOS管构成放电回路，电容模块的储能下降。而本实施例比较器的正向输入端连接频率控制MOS管的漏极，输出端连接频率控制MOS管的栅极，控制频率控制MOS管的通断，实现了比较器的正反馈电路，从而使整体电路可以稳定输出具有一定频率的交流信号。
在另一些实施方式中，信号生成电路还包括参考电压控制模块，参考电压控制模块的一端连接供电电压，另一端与比较器的反向输入端连接，用于向比较器提供第一参考电压。通过设置参考电压控制模块，可以根据需要输入想要的参考电压，从而提高该振荡器电路的灵活性和实用性。
具体地，如图4所示，参考电压控制模块包括电阻阵列和开关阵列，开关阵列与电阻阵列连接，通过控制电阻阵列的电阻值来控制向比较器提供的第一参考电压。如此，可以通过电阻阵列调节上述比较器的参考电压，从而调节比较器的输出频率，继而实现对振荡器电路的输出频率的调节。
进一步地，电阻阵列包括串联的多个电阻元件，开关阵列包括多个开关元件，每个开关元件分别设置于相邻两个电阻元件之间，且多个开关元件在远离电阻元件的一端共线连接。如此，通过设置串联的多个电阻元件和设置于相邻两个电阻元件之间的开关元件，可以控制电阻阵列中工作的电阻元件个数，从而实现对电阻阵列的电阻值的调节。
在另一些实施方式中，参考电压控制模块还包括无温度系数的第二电流源，第二电流源的一端连接供电电压，另一端连接电阻阵列。通过设置无温度系数的第二电流源，可以保证比较器的参考电压是一个无温度系数的参考电压，避免参考电压影响比较器的输出频率，继而影响振荡器电路的输出频率的温度特性。
在另一些实施方式中，如图5和图6所示，第二调节电路包括：第一电流生成电路，用于生成正温度系数电流；第二电流生成电路，与第一电流生成电路并联连接，用于生成无温度系数电流；第三电流生成电路，分别与第一电流生成电路和第二电流生成电路并联连接，生成负温度系数电流；第四电流生成电路，分别与第一电流生成电路、第二电流生成电路和第三电流生成电路并联连接，并基于正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流，生成混合温度系数电流。
其中，正温度系数电流，是指随着温度升高电流也上升；负温度系数电流，是指随着温度升高电流下降；无温度系数电流，是指随着温度变化而电流不变。
本实施例通过设置多个电流生成电路，使得第二调节电路可以生成时钟温度系数的电流，可以对信号生成电路的电流源进行任意温度系数的补偿，从而对任意温度系数的输出频率均可进行调节。
需要说明的是，本实施例对第一电流生成电路、第二电流生成电路、第三电流生成电路及第四电流生成电路的具体电路结构不做具体限定，只要能生成各自对应的温度系数电流即可。
其中，如图6所示，第一电流生成电路包括第一运放电路和第一电流开关；第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；第一电流开关与第一运放电路连接，用于控制正温度系数电流的输出。第二电流生成电路包括第二运放电路和第二电流开关；第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；第二电流开关与第二运放电路连接，用于控制无温度系数电流的输出。第三电流生成电路包括第三运放电路和第三电流开关；第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；第三电流开关与第三运放电路连接，用于控制负温度系数电流的输出。
如此，分别通过三个运放电路生成三种温度系数电流，各电路可独立控制，并可根据需要选择任意一个或多个电路，使得该振荡器电路的调节更加灵活、可靠。
具体地，第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管；第一MOS管的源极和第二MOS管的源极均连接供电电压，第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极连接第一电阻，第二MOS管的漏极连接第二电阻；第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均接地，第一三极管的基极和第二三极管的基极连接，第一三极管的发射极与第一电阻连接，第二三极管的发射极与第三电阻连接；第二电阻与第三电阻连接；第一运放器的正向输入端连接在第二电阻和第三电阻之间，反向输入端连接第一三极管的发射极，输出端分别连接第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极。
本实施例中，根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流生成电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。该第一运放器的反向输入端输入的是参考电压表现为正温度系数，使得第一电流生成电路输出正温度系数电流。
进一步地，第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极连接。如此，设置多个第三MOS管，通过控制第三MOS管的导通数量，便可对第一电流生成电路输出的正温度系数电流的电流值进行调节。
在另一些实施方式中，第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；第四MOS管的源极连接供电电压，第四MOS管的漏极和栅极均连接第五MOS管的源极，第五MOS管的漏极连接第四电阻，且第四电阻接地；第二运放器的正向输入端连接第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接第五MOS管的栅极。
基于上述生成温度系数电流的原理，根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流生成电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。本实施例中，第二运放器的反向输入端输入的参考电压不变，正向输入端输入的电压也不变，故表现为无温度系数，使得第二电流生成电路输出无温度系数电流。
进一步地，第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与第四MOS管的栅极连接。如此，设置多个第六MOS管，通过控制第六MOS管的导通数量，便可对第二电流生成电路输出的无温度系数电流的电流值进行调节。
在另一些实施方式中，第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；第七MOS管的源极连接供电电压，第七MOS管的漏极和栅极均连接第八MOS管的源极，第八MOS管的漏极连接第五电阻，且第五电阻接地；第三运放器的正向输入端连接第八MOS管的漏极，反向输入端连接第二三极管的发射极，输出端连接第八MOS管的栅极。
基于上述生成温度系数电流的原理，即根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流生成电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。本实施例中，第三运放器的正向输入端输入的电压不变，反向输入端输入的电压随着温度的升高，输入电压而降低，故表现为负温度系数，使得第三电流生成电路输出负温度系数电流。
进一步地，第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与第七MOS管的栅极连接。如此，设置多个第九MOS管，通过控制第九MOS管的导通数量，便可对第三电流生成电路输出的负温度系数电流的电流值进行调节。
在另一些实施方式中，如图7所示，第四电流生成电路包括：电流输入模块，分别与第一电流生成电路、第二电流生成电路及第三电流生成电路连接，用于接入正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流中的任意两种；电流选择模块，与电流输入模块连接，根据电流输入模块接入的电流，确定混合温度系数电流在不同温度条件下的温度特性；电流输出模块，与电流选择模块连接，用于输出混合温度系数电流。
本实施例通过电流输入模块接入上述第一电流生成电路、第二电流生成电路及第三电流生成电路生成的正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流，并通过电流选择模块选择混合温度系数电流在不同时段的温度特性，利用正温度系数电流（Iptat）、无温度系数电流（Icon）及负温度系数电流（Ictat）中的任意两种，混合成一个带有不同电流特性的电流源，例如：Ictat和Iptat混合，低温的时候为负温度系数，而高温的时候为正温度系数，Icon和Iptat混合，低温的时候为无温度系数，而高温的时候为正温度系数。最后通过电流输出模块输出该混合温度系数电流。
需要说明的是，本实施例对电流输入模块、电流选择模块及电流输出模块的具体电路结构不做具体限定，只要其能实现上述相关功能即可。
具体地，电流输入模块可以包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源。
相应地，电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；第十MOS管，栅极接地，源极连接其它温度系数模块，漏极连接第十四MOS管的漏极和栅极；第十一MOS管，源极连接其它温度系数模块，漏极连接第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接第十二MOS管；第十二MOS管，源极连接正温度系数模块，漏极连接第十四MOS管的栅极；第十三MOS管，源极连接正温度系数模块，漏极连接第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接第十MOS管的栅极；第十四MOS管的源极接地，栅极连接电流输出模块；第十五MOS管的源极接地。
本实施例通过设置第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管，实现了混合温度系数电流在不同时段的温度特性选择。
具体地，电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；第十六MOS管，源极接地，栅极连接第十四MOS管的栅极，漏极分别连接第十七MOS管的栅极和第六电阻；第六电阻另一端连接第十七MOS管的漏极；第十七MOS管，源极连接第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接第十八MOS管的栅极和第四电流开关；第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接第四电流开关。
本实施例通过设置第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关，实现了混合温度系数电流的输出。
进一步地，第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与第十八MOS管的栅极和第十七MOS管的漏极连接。如此，设置多个第十九MOS管，通过控制第十九MOS管的导通数量，便可对第四电流生成电路输出的混合温度系数电流的电流值进行调节。
需要说明的是，上述各MOS管中接地的通常为N型MOS管，连接供电电压的通常为P型MOS管。但本实施例可不限于此，例如，上述接地位置也可连接其它电源，则上述各MOS管可均采用P型MOS管。
在另一些实施方式中，还包括二分频电路，二分频电路连接信号生成电路的输出端，可以控制交流信号的输出时间，以调整交流信号的占空比.本实施例中,采用二分频电路,最终输出频率的幅值，为未采用二分频电路（其他设置均相同）的振荡器电路输出频率的二分之一。其中，二分频电路可以但不限于采用D触发器构成。
基于上述相同的构思，本实施例还提供一种振荡器频率调节方法，应用上述任一实施方式的振荡器电路，该方法包括以下步骤：
步骤S1，检测振荡器电路当前生成的交流信号的频率参数；频率参数包括频率幅值和频率温度特性。
步骤S2，确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
步骤S3，若否，则通过第一调节电路将交流信号的频率幅值调节至预设阈值范围，并基于振荡器电路的预设温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
其中，预设温度特性可参考振荡器电路在首次使用前的温度特性，可在振荡器电路投入使用前，对其输出频率参数（包括频率幅值和频率温度特性）进行测量并记录，之后在每次调整振荡器电路的输出频率时，均基于该测量的频率参数进行调整。
鉴于振荡器使用过程中，由于温度或环境等影响，可能会使输出频率发生变化，故需定时或不定时对振荡器电路进行初始化，而每次初始化后均需基于上述测量的输出频率参数进行校正。上述对检测的频率温度特性进行校正，即根据首次测量的频率温度特性，对检测的振荡器电路当前的频率温度特性进行修正，使其达到测量的频率温度特性。
步骤S4，若是，则直接基于振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
需要说明的是，上述振荡器频率调节方法的步骤只是调节一次的步骤，在实际应用中，在初次完成校正后还需要重复进行一次或多次的频率幅值检测以及温度特性校正，以达到频率幅值稳定在预设阈值范围内以及频率温度特性达到预设值为止。
本实际应用中，需要经常初始化振荡器电路，而每次初始化之后都需要对振荡器电路的频率特性进行矫正。本实施例基于此需求进行设计，可以在每次初始化后执行振荡器频率调节方法，先检测振荡器电路当前生成的交流信号的频率参数，然后基于频率幅值的预设阈值范围和频率的历史温度特性，通过第一调节电路和第二调节电路对振荡器电路当前生成的交流信号的频率参数进行校准，以提高该振荡器电路输出频率的精度，并降低该振荡器电路的温漂特性。
需要说明的是，本实施例提供的振荡器频率调节方法，基于上述振荡器电路相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的振荡器频率调节方法中，在此不再赘述。
基于上述相同的构思，本实施例还提供一种振荡器频率调节装置，包括：
检测模块，用于初始化振荡器电路后，检测振荡器电路生成的交流信号的频率参数；频率参数包括频率幅值和频率温度特性；
确定模块，用于确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
第一调节模块，用于：若否，则通过第一调节电路将交流信号的频率幅值调节至预设阈值范围，并基于振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正；
第二调节模块，用于：若是，则直接基于振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
本实施例提供的振荡器频率调节装置，基于上述振荡器电路相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的振荡器频率调节装置中，在此不再赘述。
基于上述相同的构思，本实施例还提供一种芯片，其上集成有上述任一项实施方式的振荡器电路。
本实施例提供的芯片，基于上述振荡器电路相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的芯片中，在此不再赘述。
本申请实施方式还提供一种电子设备，以执行上述振荡器频率调节方法。该电子设备具体可以是整车域控制器或者电池管理系统，或者其它专门设置的控制器等。请参考图8，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种用电设备的示意图。如图8所示，用电设备40包括：处理器400，存储器401，总线402和通信接口403，处理器400、通信接口403和存储器401通过总线402连接；存储器401中存储有可在处理器400上运行的计算机程序，处理器400运行计算机程序时执行本申请前述任一实施方式所提供的振荡器频率调节方法。
其中，存储器401可能包含高速随机存取存储器（RAM：Random Access Memory），也可能还包括非不稳定的存储器（non-volatile memory），例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口403（可以是有线或者无线）实现该装置网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网、广域网、本地网、城域网等。
总线402可以是ISA总线、PCI总线或EISA总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。其中，存储器401用于存储程序，处理器400在接收到执行指令后，执行程序，前述本申请实施例任一实施方式揭示的振荡器频率调节方法可以应用于处理器400中，或者由处理器400实现。
处理器400可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器400中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器400可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)、网络处理器(Network Processor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器401，处理器400读取存储器401中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
本申请实施例提供的用电设备与本申请实施例提供的振荡器频率调节方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的振荡器频率调节方法对应的计算机可读存储介质，请参考图9，其示出的计算机可读存储介质为光盘30，其上存储有计算机程序（即程序产品），计算机程序在被处理器运行时，会执行前述任意实施方式所提供的振荡器频率调节方法。
需要说明的是，计算机可读存储介质的例子还可以包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、其他类型的随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质，在此不再一一赘述。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的振荡器频率调节方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (30)

1.一种振荡器电路，其特征在于，包括：
信号生成电路，用于生成交流信号，且包括第一调节电路，所述第一调节电路用于调节所述交流信号的频率的幅值；
第二调节电路，与所述信号生成电路连接，用于至少生成一种温度特性的补偿电流，并向所述信号生成电路输出所述补偿电流，以调节所述交流信号的频率的温度特性；
频率控制模块，分别与所述第一调节电路和所述第二调节电路连接，用于控制所述第一调节电路对所述交流信号的频率的幅值进行调节，以及控制所述第二调节电路对所述交流信号的频率的温度特性进行调节；
所述信号生成电路还包括比较器，电流源模块，电容模块，以及与所述电容模块并联的频率控制开关；
所述比较器的正向输入端接入所述电容模块的负载电压，反向输入端接入第一参考电压，输出端与所述频率控制开关连接，并控制所述频率控制开关的通断；
所述第一调节电路分别连接所述电流源模块和所述电容模块，并用于调节所述电流源模块的电流值，以及所述电容模块的电容值。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流源模块包括并联的多个第一电流源，每个第一电流源均通过所述第一调节电路与所述电容模块连接。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一调节电路包括第一开关组，所述第一开关组包括多个第一开关元件，且多个第一开关元件分别与多个第一电流源一一对应连接。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电容模块包括并联的多个电容元件，每个电容元件均通过所述第一调节电路与所述电流源模块连接。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一调节电路包括还第二开关组，所述第二开关组包括多个第二开关元件，且多个第二开关元件分别与多个电容元件一一对应连接。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述频率控制开关包括频率控制MOS管，所述频率控制MOS管的源极和漏极分别与所述电容模块的两端一一对应连接，所述频率控制MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接。
7.根据权利要求1-5任一项所述的电路，其特征在于，所述信号生成电路还包括参考电压控制模块，所述参考电压控制模块的一端连接供电电压，另一端与所述比较器的反向输入端连接，用于向所述比较器提供所述第一参考电压。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述参考电压控制模块包括电阻阵列和开关阵列，所述开关阵列与所述电阻阵列连接，通过控制所述电阻阵列的电阻值来控制向所述比较器提供的所述第一参考电压。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电阻阵列包括串联的多个电阻元件，所述开关阵列包括多个开关元件，每个开关元件分别设置于相邻两个电阻元件之间，且多个开关元件在远离电阻元件的一端共线连接。
10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述参考电压控制模块还包括无温度系数的第二电流源，所述第二电流源的一端连接所述供电电压，另一端连接所述电阻阵列。
11.根据权利要求1-5任一项所述的电路，其特征在于，所述第二调节电路包括：
第一电流生成电路，用于生成正温度系数电流；
第二电流生成电路，与所述第一电流生成电路并联连接，用于生成无温度系数电流；
第三电流生成电路，分别与所述第一电流生成电路和所述第二电流生成电路并联连接，生成负温度系数电流；
第四电流生成电路，分别与所述第一电流生成电路、所述第二电流生成电路和所述第三电流生成电路连接，并基于所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流，生成混合温度系数电流。
12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述第一电流生成电路包括第一运放电路和第一电流开关；所述第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；
所述第一电流开关与所述第一运放电路连接，用于控制所述正温度系数电流的输出。
13.根据权利要求12所述的电路，其特征在于，所述第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管；
所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均连接供电电压，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻；
所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻连接，所述第二三极管的发射极与所述第三电阻连接；
所述第二电阻与所述第三电阻连接；
所述第一运放器的正向输入端连接在所述第二电阻和所述第三电阻之间，反向输入端连接所述第一三极管的发射极，输出端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极。
14.根据权利要求13所述的电路，其特征在于，所述第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接。
15.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述第二电流生成电路包括第二运放电路和第二电流开关；所述第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；
所述第二电流开关与所述第二运放电路连接，用于控制所述无温度系数电流的输出。
16.根据权利要求15所述的电路，其特征在于，所述第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；
所述第四MOS管的源极连接供电电压，所述第四MOS管的漏极和栅极均连接所述第五MOS管的源极，所述第五MOS管的漏极连接所述第四电阻，且所述第四电阻接地；
所述第二运放器的正向输入端连接所述第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接所述第五MOS管的栅极。
17.根据权利要求16所述的电路，其特征在于，所述第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与所述第四MOS管的栅极连接。
18.根据权利要求13所述的电路，其特征在于，所述第三电流生成电路包括第三运放电路和第三电流开关；所述第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；
所述第三电流开关与所述第三运放电路连接，用于控制所述负温度系数电流的输出。
19.根据权利要求18所述的电路，其特征在于，所述第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；
所述第七MOS管的源极连接供电电压，所述第七MOS管的漏极和栅极均连接所述第八MOS管的源极，所述第八MOS管的漏极连接所述第五电阻，且所述第五电阻接地；
所述第三运放器的正向输入端连接所述第八MOS管的漏极，反向输入端连接所述第二三极管的发射极，输出端连接所述第八MOS管的栅极。
20.根据权利要求19所述的电路，其特征在于，所述第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与所述第七MOS管的栅极连接。
21.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述第四电流生成电路包括：
电流输入模块，分别与所述第一电流生成电路、所述第二电流生成电路及所述第三电流生成电路连接，用于接入所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流中的任意两种；
电流选择模块，与所述电流输入模块连接，根据所述电流输入模块接入的电流，确定所述混合温度系数电流在不同温度条件下的温度特性；
电流输出模块，与所述电流选择模块连接，用于输出所述混合温度系数电流。
22.根据权利要求21所述的电路，其特征在于，所述电流输入模块包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，所述正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，所述其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源；
所述电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；
所述第十MOS管，栅极接地，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的漏极和栅极；
所述第十一MOS管，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十二MOS管；
所述第十二MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的栅极；
所述第十三MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十MOS管的栅极；
所述第十四MOS管的源极接地，栅极连接所述电流输出模块；
所述第十五MOS管的源极接地。
23.根据权利要求22所述的电路，其特征在于，所述电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；
所述第十六MOS管，源极接地，栅极连接所述第十四MOS管的栅极，漏极分别连接所述第十七MOS管的栅极和所述第六电阻；
所述第六电阻另一端连接所述第十七MOS管的漏极；
所述第十七MOS管，源极连接所述第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接所述第十八MOS管的栅极和所述第四电流开关；
所述第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接所述第四电流开关。
24.根据权利要求23所述的电路，其特征在于，所述第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与所述第十八MOS管的栅极和所述第十七MOS管的漏极连接。
25.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括二分频电路，所述二分频电路连接所述信号生成电路的输出端，用于调整所述交流信号的占空比。
26.一种振荡器频率调节方法，其特征在于，应用权利要求1-25任一项所述的振荡器电路，所述方法包括：
初始化振荡器电路后，检测所述振荡器电路生成的交流信号的频率参数；所述频率参数包括频率幅值和频率温度特性；
确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
若否，则通过第一调节电路将所述交流信号的频率幅值调节至所述预设阈值范围，并基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正；
若是，则直接基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
27.一种振荡器频率调节装置，其特征在于，包括：
检测模块，用于初始化振荡器电路后，检测所述振荡器电路生成的交流信号的频率参数；所述频率参数包括频率幅值和频率温度特性；所述振荡器电路如权利要求1-25任一项所述的振荡器电路；
确定模块，用于确定检测的频率幅值是否属于预设阈值范围；
第一调节模块，用于：若否，则通过第一调节电路将所述交流信号的频率幅值调节至所述预设阈值范围，并基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正；
第二调节模块，用于：若是，则直接基于所述振荡器电路的历史温度特性，通过第二调节电路对检测的频率温度特性进行校正。
28.一种芯片，其特征在于，其上集成有权利要求1-25任一项所述的振荡器电路。
29.一种电子设备 ，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求26所述的方法。
30.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行实现如权利要求26所述的方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109787559A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 北京展讯高科通信技术有限公司 电阻电容rc振荡电路
CN112422122A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 北京智芯微电子科技有限公司 一种反馈调节型振荡器
CN215987068U (zh) * 2021-09-06 2022-03-08 广东华芯微特集成电路有限公司 一种温度补偿电路及时钟发生器
CN114421766A (zh) * 2021-12-30 2022-04-29 哈尔滨工程大学 一种应用于开关电源具有抖频及斜坡补偿的高精度振荡器电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3019340B2 (ja) * 1989-12-05 2000-03-13 セイコーエプソン株式会社 可変容量装置
JP2003115720A (ja) * 2001-10-09 2003-04-18 Nippon Precision Circuits Inc 温度補償型発振器とその調整方法及び温度補償型発振用集積回路
US7385453B2 (en) * 2006-03-31 2008-06-10 Silicon Laboratories Inc. Precision oscillator having improved temperature coefficient control
US9401719B2 (en) * 2014-08-14 2016-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Oscillator circuit and method of providing temperature compensation therefor
JP7350512B2 (ja) * 2019-05-17 2023-09-26 ローム株式会社 発振回路、半導体装置、オシレータｉｃ、発振回路の校正方法
CN110429915B (zh) * 2019-07-29 2023-06-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Rc振荡电路
CN112187216B (zh) * 2020-10-12 2024-03-29 上海磐启微电子有限公司 一种输出频率与温度无关的rc振荡器
CN112290889B (zh) * 2020-11-16 2022-09-20 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种片内rc振荡器、芯片及通信终端
CN113162583A (zh) * 2021-03-15 2021-07-23 珠海巨晟科技股份有限公司 一种具有频率温度补偿功能的rc振荡器
CN113489460B (zh) * 2021-07-02 2023-10-20 珠海市杰理科技股份有限公司 Rc振荡电路及rc振荡器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109787559A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 北京展讯高科通信技术有限公司 电阻电容rc振荡电路
CN112422122A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 北京智芯微电子科技有限公司 一种反馈调节型振荡器
CN215987068U (zh) * 2021-09-06 2022-03-08 广东华芯微特集成电路有限公司 一种温度补偿电路及时钟发生器
CN114421766A (zh) * 2021-12-30 2022-04-29 哈尔滨工程大学 一种应用于开关电源具有抖频及斜坡补偿的高精度振荡器电路

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