CN100437167C - 外部谐振器和利用其的半导体激光模块 - Google Patents

外部谐振器和利用其的半导体激光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN100437167C
CN100437167C CNB200510062435XA CN200510062435A CN100437167C CN 100437167 C CN100437167 C CN 100437167C CN B200510062435X A CNB200510062435X A CN B200510062435XA CN 200510062435 A CN200510062435 A CN 200510062435A CN 100437167 C CN100437167 C CN 100437167C
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical fiber
external resonator
semiconductor laser
light
fiber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB200510062435XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1673786A (zh
Inventor
奥田通孝
重冈义之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004093888A external-priority patent/JP2004311994A/ja
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN1673786A publication Critical patent/CN1673786A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100437167C publication Critical patent/CN100437167C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02057—Optical fibres with cladding with or without a coating comprising gratings
    • G02B6/02076—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings
    • G02B6/0208—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by their structure, wavelength response
    • G02B6/02085—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by their structure, wavelength response characterised by the grating profile, e.g. chirped, apodised, tilted, helical
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02057—Optical fibres with cladding with or without a coating comprising gratings
    • G02B6/02076—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings
    • G02B6/02123—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating
    • G02B6/02133—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating using beam interference
    • G02B6/02138—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating using beam interference based on illuminating a phase mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
    • G02B6/29316—Light guides comprising a diffractive element, e.g. grating in or on the light guide such that diffracted light is confined in the light guide
    • G02B6/29317—Light guides of the optical fibre type
    • G02B6/29319—With a cascade of diffractive elements or of diffraction operations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • G02B6/4203—Optical features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明的外部谐振器，其中包括：具有反射特定波长光的光纤布拉格光栅的光纤；和在内部保持所述光纤的套圈，其特征在于，构成所述光纤布拉格光栅的每一个相位光栅内部、至少一部分相对于光纤光轴倾斜。

Description

外部谐振器和利用其的半导体激光模块
技术领域
本发明涉及：具备光纤布拉格光栅(a fiber Bragg grating)的光纤、利用该光纤的外部谐振器、和利用该外部谐振器的半导体激光模块。
背景技术
输出激光的半导体激光器希望在使用环境条件不仅其输出功率稳定还要其波长稳定。法布里-珀罗型的半导体激光器，在激光元件长度为500μm以下的基片端面间之间反射，以进行多模式振荡。因此，其频谱特性变宽。另外，由于半导体激光元件材料的热膨胀，还有激活区域折射率的变化，从而端面间的谐振器长度变化，振荡激光的波长变化。为了抑制这些，如果把反射率为几％的光纤布拉格光栅(下面称FBG)作为外部谐振器，设置在半导体激光器的外部，则由于FBG反射频谱特性的振荡变为主要，振荡波长频谱变为几乎和FBG的反射波长特性一致。
FBG是在光纤芯内形成周期性的折射率变化，通常是从相位掩模的上面照射紫外线而制作。图11A是表示其制造工艺的图。
图17是在现有的半导体激光模块13中，作为外部谐振器26而安装光纤布拉格光栅1的例子。在图17中，在套圈(ferrule)3的内部安装有FBG1。作为其他的实施方式，有：在套圈3外侧的输出用的光纤2′内制作FBG1的方式(省略图示)。FBG1反射来自半导体激光元件10的射出光19的一部分。因此，在FBG1的反射波长中，在FBG1和半导体激光元件10之间产生谐振，起外部谐振器的作用。
另外，作为防止向半导体激光元件10的返回光发挥作用的光学元件，有光隔离器。光隔离器是在法拉第转子的两侧设置偏振光镜的器件，有：把每一个元件作为层叠状而一体化、做成球透镜状等光隔离器(参照特开平2916960号公报)。
构成现有FBG的每一个相位光栅33相对光纤光轴垂直构成，在每一个相位光栅33中，由于折射率之差，产生基于菲涅耳公式的反射。一个是在两端相位光栅33之间产生多重反射，产生叫做法布里-珀罗共鸣的现象。该情况下，在反射衍射光的频谱特性上乘有具有多个峰值的旁瓣(sidelobe)，而变为：如LED光那样、具有下摆宽的频谱特性。
在形成FBG的工艺中，可以利用：如图11A所示，通过使记录用的UV光强度成为高斯状，从而使折射率分布具有变化的、叫做切趾法(apodize，变迹法)的设计方法。利用这个方法，可以在构成FBG1的相位光栅33的折射率中设置图11A所示的分布，可以抑制法布里-珀罗谐振。
可是，虽然通过使构成FBG1的相位光栅33的长度方向具有高斯状折射率调制，从而可以抑制法布里-珀罗谐振，但是在频谱特性上，如图11B所示，不能完全消除具有多个峰值的旁瓣。
另外，在保持光纤2的套圈3的长度短的情况下，有时通过使入射到包层34侧的光直接传播，且一部分返回，从而和在光纤芯27内传播的光进行耦合干涉，变为具有周期性强度的光输出。
此外，对FBG1部分不施加温度控制，若温度变化，则伴随其，光纤2发生伸缩，FBG1内的相位光栅33的周期会发生变化。因此，其反射波长的频谱特性发生变化，由此，半导体激光模块13的振荡波长发生变化，从而其特性变为不稳定。
另外，在现有的半导体激光模块13中，返回的不要光22、特别是接近激光器的振荡波长的不要的光，如果进入半导体激光元件10，则存在：它和振荡波长发生干涉，激光振荡变得不稳定的问题。为了防止这些，通常是在半导体激光元件10的射出侧设置光隔离器，在那里遮断返回的不要光22。可是，在把FBG1作为外部谐振器26来使用的情况下，在半导体激光元件10与外部谐振器用FBG1之间，如果设置遮断不要的光22的光隔离器6，则FBG1不能起外部谐振器26作用。因此，如图17所示，在半导体激光模块13的输出用的光纤2′上，有必要另外连接串联(inline)型光隔离器18。
在图16中表示串联型光隔离器18的结构。图16所示的串联型光隔离器18虽然使来自半导体激光模块13的射出光19通过，但反射返回光等不要的光22在那里被消除。然而，该情况下，必须要准备高价的串联型光隔离器18而另外安装，因此，零件数目增多，也需要宽的安装空间。
发明内容
为了解决上述的问题，本发明是一种外部谐振器，由具有反射特定波长光的光纤布拉格光栅的光纤、和在内部保持所述光纤的套圈所构成，其特征在于：构成所述光纤布拉格光栅的每一个相位光栅内、至少一部分相对于与光纤光轴的垂直相交面倾斜，且相位光栅与光纤光轴所成的角度(倾斜角β)优选满足下式：
0°＜β≤θc/2
θc＝sin-1(2Δ)1/2
Δ＝(n1 2-n2 2)/(2×n1 2)
式中，n1为光纤芯的折射率，n2为包层的折射率，θc为传播光全反射的临界角。
通过使FBG内的相位光栅倾斜于与光纤光轴的垂直相交面，从而与入射光的干涉、或两端的法布里-珀罗共鸣消除，可以抑制旁瓣和多个峰值。因此，可以实现陡峭的频谱特性。
相位光栅与光纤光轴所成的角度(倾斜角β)优选满足下式。通过满足该条件，从而频谱特性变得更佳。
0°＜β≤θc/2
θc＝sin-1(2Δ)1/2
Δ＝(n1 2-n2 2)/(2×n1 2)
式中，n1为光纤芯的折射率，n2为包层的折射率，θc为传播光全反射的临界角。
另外，在这里，临界角θc是传播光的行进方向与芯-包层界面所成的角度。
进一步地，优选在光纤的包层的外周具有金属薄膜。若在包层的外周蒸镀金属薄膜，则入射到包层的光按照包层模式而行进，防止和芯传播光耦合，可以获得输出稳定的反射衍射输出光。
另外，优选对安装在所述套圈内的光纤的一侧的光纤端实施前端加工。如果进行前端加工，则可以把外部谐振器安装在半导体激光模块内的温度调整用珀耳帖元件上。如果安装在珀耳帖元件上，则FBG的折射率周期不会随着温度变化而变化，可以以稳定的波长·强度来输出。
进一步地，如果在套圈的至少一侧的端面上安装光隔离器等光学元件，则半导体激光的振荡波长附近的不要光在那里被去除，半导体激光可以稳定后振荡、输出。再者，若安装的光学元件具有光隔离器功能和光滤波功能，则没有必要另外连接安装所述功能的光模块，可以谋求零件数目的减少、安装空间的削减。另外，光学元件可以只具有光滤波功能。
进而，优选耦合用透镜耦合在上述套圈的端面上。也可以将光学元件做成具有透镜功能的形状。
另外，光纤可以是芯扩大光纤。此外，也可以做成极化面保持光纤。进一步，也可以在光纤组成中添加稀土类。
若把这样的外部谐振器安装在半导体激光元件与输出用光纤端之间，则可以提供频谱特性优越的半导体激光模块。另外，本发明的外部谐振器可以应用在高输出光源、可变波长光源等各种半导体激光模块和串联型光模块中。
附图说明
图1是表示本发明的外部谐振器的第一实施方式的剖面图。
图2A是放大了图1的A部的详细图。
图2B是放大了图2A的B部的详细图，是表示FBG内的入射光、反射衍射光的光线轨迹的图。
图3是加工了图1的一侧的情况下的实施方式的剖面图。
图3A～C是放大了图3的C部的详细图。图3A是表示前端为楔状的情况的实施方式。图3B是表示前端为球状的情况的实施方式。图3C是表示前端为圆锥状的情况的实施方式。
图4A是依据本发明的外部谐振器的其他实施方式的剖面图。
图4B是光学元件固定方法的其他实施方式的剖面图。
图5是把图4的外部谐振器的一侧变为前球透镜的情况的实施方式。
图6是把依据本发明的外部谐振器的一侧的光学元件作为光隔离器的情况的实施方式的剖面图。
图7是把图6的实施例的外部谐振器安装在半导体激光模块的珀耳帖元件上的情况的实施方式。
图8是在本发明的外部谐振器的一侧安装耦合用透镜而一体化安装的情况下的实施方式。
图9是使安装在本发明的外部谐振器一侧的光学元件具有透镜功能，以谋求集成化的实施方式的剖面图。
图10是把本发明的外部谐振器安装在表面实施型光模块上的情况下的实施方式的俯视图。
图11A是表示使用于现有的外部谐振器中的FBG的制造方法的剖面图。
图11B是表示以图11A所示的制造方法而形成的外部谐振器的反射频谱特性的曲线。
图12A是表示使用于本发明的外部谐振器中的FBG的制造方法的剖面图。
图12B是表示以图12A所示的制造方法而形成的外部谐振器的反射频谱特性的曲线。
图13是表示半导体激光模块振荡频谱测定系统的概观图。
图14是表示带有本发明的外部谐振器的半导体激光模块的振荡频谱特性的曲线。
图15A是表示把本发明的外部谐振器利用于半导体激光模块的情况下的、相对温度的中心波长移位特性的曲线。
图15B是表示把本发明的外部谐振器利用于半导体激光模块的情况下的、相对时间的输出变化的曲线。
图16是表示串联型光模块构成的实施方式的剖面图。
图17是带有FBG的半导体激光模块的实施方式的剖面图。
具体实施方式
图1表示本发明的外部谐振器的实施方式。在套圈3内安装、保持有构成了反射特定波长光一部分的FBG的光纤2。FBG1形成为芯27和包层34所构成的光纤2。通过在芯27中形成相位光栅33，从而可以构成FBG1。假设：FBG1内的相位光栅33的周期为Λ(FBG)、所使用相位掩模17的周期为Λ(MASK)，则存在关系：
Λ(MASK)＝2×Λ(FBG)。
FBG1通过把紫外线照射到光纤2的光纤芯部分，从而部分地形成折射率高的部分，其折射率上升量是0.001～0.01左右。在制造时，为了增大光纤芯内的折射率变化量，采用：在照射紫外线工艺之前，对光纤添加高浓度氢的方法。由此，使由紫外线而产生的缺陷光化学性改变，可以激活可以产生折射率变化的反应。
这样制作的FBG1的特性由折射率变化量的大小、光栅的周期Λ(FBG)、长度来决定。折射率变化量和长度影响反射率和频带宽度。光栅的周期决定反射的中心波长。其中心波长λB可以由下式表示。
λB＝2×n1×Λ(FBG)    (n1为光纤芯的折射率)。
光栅的周期Λ(FBG)是由于光纤2自体温度变化的弯曲而变化，所以，为了获得稳定波长的反射，最好是在温度恒定的条件下使用。
图2A是图1的本发明外部谐振器的A部的放大详细图。图2A是表示构成FBG的相位光栅与射入射出光的关系的图。图2B是图2A的B部的放大详细图。如图2A所示，相位光栅33对光纤光轴36的垂直面只倾斜角度β(以下称倾斜角β)。
在光纤芯27内，传播光的全反射临界角θc可以用下式表示。
θc＝sin-1(2Δ)1/2
Δ＝(n1 2-n2 2)/(2×n1 2)
式中，n1为芯的折射率，n2为光纤包层的折射率。
如图2B所示，用相位光栅33反射的光20相对芯包层界面以倾斜角β的两倍角度入射，并反射。布拉格条件和全反射条件相等。因此，如果倾斜角β满足下式，则相位光栅33的反射光20在芯·包层界面全反射。
β≤θc/2
该情况下，由于反射衍射光20以角度2β反射传播，所以存在FBG1的光纤芯27内的反射衍射光20不会和入射光19直接干涉就返回。
在β＝0的情况下，即相对光纤光轴36垂直地构成相位光栅33的情况下，反射衍射光(FBG反射光20)和入射光(半导体激光射出光19)直接碰撞干涉。另外，在相位光栅33之间产生光几次往复相同光路间的法布里-珀罗谐振，产生如图11B所示的频谱波形具有多个峰值的旁瓣，变为宽度宽的具有锯齿状的山谷的频谱特性。
因此，使角度β成为0°＜β≤θc/2为好。即，通过使每一个相位光栅33的倾斜角β变为上述范围，而可以防止反射衍射光(FBG反射光20)与入射光的干涉，可以使反射衍射光返回。
另外，在θc/2＜β的情况下，每一个反射衍射光20容易从光纤芯27向光纤包层34漏出。那样入射到包层34侧的光在包层34内以多模式传播。光纤芯27位于包层34的中心位置，其折射率n1稍微大于包层34的折射率n2。因此，包层34内的传播光被关在其中，周期性地和光纤芯27内的光耦合而干涉。
由此，有必要去除包层34内的传播光，在包层34周围粘接高折射率材料(＞n2)，因此，最好蒸镀吸收衰减传播光的Au、Co、Ni、Cr等的金属薄膜35。由此，可以去除在包层34内传播的不要光。
图12A是表示以如图1所示的、记录了FBG1的光纤芯27内的每一个相位光栅33具有倾斜角β的方式进行制作的工艺的图。如图12A所示，使光纤相对从相位掩模17射出的UV衍射光倾斜。使光纤相对设置了相位掩模主面的水平面只倾斜角度β即可。由此，可以构成相对光纤光轴36的每一个相位光栅33的倾斜角为β的FBG1。
该情况下，如图12B所示，和图11B的情况不同，可以实现具有无锯齿状旁瓣的陡峭频谱特性的FBG1。
作为把光纤2安装在套圈3所使用的固定部件8，可以使用具有比包层34的折射率n2大的折射率的粘接剂。在记录了FBG1的光纤2的外周，利用金属喷镀加工，作为薄膜形成Au、Co、Ni、Cr等的薄膜，也可以利用金属焊锡固定来替代它。另外，也可以将具有高折射率或光吸收特性的低熔点玻璃以薄膜状安装在光纤的周围，并加热固定。特别是，使用了金属焊锡、低熔点玻璃的固定方法，是适用于：在半导体激光模块13内部中使用从光纤2的固定用粘接剂不产生不要气体的量的情况的方法。在金属焊锡固定的情况下，在光纤2的周围利用真空蒸镀形成Au、Cr等材料的、厚度为0.1μm左右金属薄膜之后，进行焊锡固定为好。在焊锡固定中，可以使用通常的焊锡材料，但优选使用AuSn等。
如果使固定部件8的折射率比包层34折射率n2还大、或使固定部件8具有光吸收特性，则可以防止入射到包层34侧的光在包层34内传播中和光纤芯27内的传播光耦合的现象。
利用PC研磨使套圈3的一侧端面24a成为缓球状，另一侧的端面24b为了防止端面反射，最好具有某一角度的倾斜(3～8度)。如图7所示，把该外部谐振器安装在半导体激光模块内的珀耳帖元件12上，可以使其位于耦合用透镜11与半导体激光元件10之间。由于能在珀耳帖元件12上安装外部谐振器26，故可以变为温度稳定状态。
通过将套圈3内的光纤2自体加热到1500℃左右，扩散使光纤芯内折射率增大的Ge等添加物，从而可以扩大其模场直径(在单模光纤内传播的光的强度变为峰值的1/e2的直径)2～3倍。如果使用在那种光纤2中记录了FBG1的光纤，则可以缓和与半导体激光元件10的耦合特性的位置精度，提高相对位置偏差的耦合特性。
如果将套圈3内的光纤2做成极化面保持光纤，则例如可以以维持使用于光纤放大器(省略图示)的激励光源用的半导体激光模块13的极化方向的状态，可以向输出用光纤2入射传播。特别是，为了增强激励光源(省略图示)的输出，利用90度正交的极化之间的极化耦合方式。为此，在输出用的光纤2使用极化面保持光纤的情况下，为了半导体激光射出光19的偏振度不退化，在外部谐振器26中也使用极化面保持光纤为好。另外，如果光纤2为极化面保持光纤，则FBG反射光20的偏振光度稳定，所以对半导体激光的频谱特性的稳定有帮助。
若套圈3内的光纤2使用添加稀土类的光纤，则由于来自半导体激光元件10的激励用射出光19，添加在光纤芯27内的稀土类元素被激励，能量级位上升。并且，为了稳定化，在能量级位降低时，发射宽频带的自然发射光。在该宽频带的自然发射光中，由于FBG1，一部分的反射光成分20反射。该反射光成分一边在FBG1与半导体激光元件10之间往复，一边由半导体激光元件10射出的激励光放大，从套圈3的一侧端面24b感应发射。由此，发射：和射出激励光的波长不同的、具有FBG1的反射频谱特性的光。该情况下，通过改变珀耳帖元件的温度，从而改变稀土类添加光纤的长度，改变内部的FBG1的周期Λ(FBG)。由此，放大、感应发射的光的波长也在变化。即，作为可变波长光源的构成成为可能。
图3是本发明的外部谐振器的其他实施例，是在安装了FBG1的套圈3中，在光纤2的一侧光纤端23进行前端加工的外部谐振器。作为前端加工的例子，如图3A～C所示，有楔形、前球形、圆锥形等。前端加工的形状只要按照所使用的半导体激光元件10的种类来选择就可以。例如，使用于波长为980nm的光纤放大器的激励用光源的半导体激光元件10，半导体激光射出光19的近磁场的形状为1∶5左右的深宽比大的椭圆形状。该情况下，使用光纤2的前端加工成如图3A所示的楔形状透镜的就可以。由于楔形透镜效应，透镜的收敛点的形状变为椭圆状，变为和半导体激光元件10的近磁场近似相等的形状。通过配合这些形状，从而获得高的耦合效率成为可能。
在射出光19的近磁场的形状接近圆形的情况下，最好是利用图3B的前球形或图3C的圆锥形。一般地，在光纤2前端的曲率半径r大的情况下，透镜收敛点的形状大，而曲率半径r小的情况下，透镜收敛点的形状小。因此，通过适当选择光纤2前端的曲率半径r，从而可以使透镜收敛点的形状和半导体激光元件10的近磁场的形状一致，可以获得高的耦合效率。
图4A是依据本发明的外部谐振器的其他实施例，是在其一侧端面24b设置光学元件4的外部谐振器。作为光学元件4可以利用光隔离器、滤波器、法拉第转子、偏振光镜。作为把光学元件4设置在套圈3的一侧端面的方法，可以利用粘接剂来密接固定。如图4B所示，也可以利用衬套14以稍微离开套圈3的一侧端面24b的状态进行固定来替代它。如果这样的话，在光路上没有粘接剂，故在可靠性方面为好。
图5是表示在图4的实施方式中、在光纤2的一侧光纤端23上形成透镜5的例子。通常的外部谐振器26，需要通过耦合用透镜11而与半导体激光元件10连接。可是，如图5所示，如果将光纤2的一侧光纤端23进行前端加工而形成透镜5，则可以和半导体激光元件10直接连接。
其次，图6是表示在图5的实施方式中、作为光学元件4把光隔离器6设置在套圈3的一侧端面24b的情况的实施方式。光隔离器6是在法拉第转子的两侧或一侧安装偏振光镜的部件，来自FBG1侧的光可以通过，但来自输出用光纤(省略图示)的光被遮断。
包含在光隔离器6中的每一个元件是用透光性的粘接剂或低熔点玻璃等进行面接合的。另外，也可以用焊锡接合每一个元件的面的一部分或侧面。另外，也有利用真空常温接合，以无接合部件的方式直接密接部件之间的。这样，为了形成层叠结构，可以利用各种方法。另外，向法拉第转子施加饱和磁场的磁铁7安装在套圈3的一侧端面24b。根据光隔离器的种类，也可以没有该磁铁7。
另外，如图4B的实施方式所示，也可以把光隔离器6通过衬套14安装在套圈3的一侧端面24b上，使光隔离器6稍微离开套圈3。
图7是把图6的实施方式中构成的带有光隔离器的外部谐振器26安装在实际的半导体激光模块13中的实施方式。外部谐振器26是放置在珀耳帖元件12上的表面安装用基板16之上，通过耦合用透镜11而连接着输出用的光纤2。
来自半导体激光元件10的射出光19从带有光隔离器的外部谐振器26的光纤2一方的光纤端23上所形成的透镜5入射。入射光的一部分(10％左右)由内部的FBG1而返回。返回的规定波长成分的FBG反射光20在FBG1与半导体激光元件10之间反复谐振，以FBG1反射波长的频谱特性来感应发射。此时，FBG通过光21透过安装在外部谐振器26的一侧的光隔离器6，通过耦合用透镜11，向输出用光纤2′的光纤端28入射。从输出用光纤2′返回的不要光22被安装在外部谐振器26的光隔离器6遮断，所以不能返回到半导体激光元件10。由于外部谐振器26安装在珀耳帖元件12上而可以调整温度，所以动作稳定，波长和输出几乎没有变化。
图8是依据本发明的外部谐振器的其他实施方式。在该实施方式中，在套筒15内安装图6的实施方式的外部谐振器26，在套筒15端面上安装球透镜或非球面透镜所构成的耦合用透镜11。本实施方式是谋求功能进一步集成化的结构，可以直接安装在半导体激光模块上。
耦合用透镜11也可以是不安装在套筒15内而和光隔离器6一起固定在套圈3的一侧端面24b的构成。
图9是把光隔离器6的一部分做成球透镜状并安装在外部谐振器26的套圈3的一侧端面24b的构成。是谋求图8构成的进一步集成化的构成。为了使光隔离器6具有透镜功能，可以采取各种方法。例如，可以在光隔离器的一方的面上粘接衍射光栅。另外，还可以把光隔离器的一方的面进行辅助(relief)加工，使其具有衍射光栅功能。如果在光隔离器6中形成衍射光栅，则可以把光隔离器6做成平板形状的状态，使其具有透镜功能。因此，可以提供集成度更高的光模块。
如果将两个该光隔离器6连续使用，则高隔离化成为可能，同时，不会另外需要与输出用光纤2的耦合中利用的耦合用透镜11。最好使所使用的法拉第转子两侧的偏振光镜的折射率为1.7以上，形成在光隔离器6中的球透镜的外径为1～2mm。由此，球透镜的收敛点附近的像差圆直径变小，与光纤2的耦合容易、且变为高耦合。
图10是在Si或陶瓷材料等的表面安装用基板16上搭载半导体激光元件10，安装图9的带有光隔离器6的外部谐振器26，并和输出用的光纤2′耦合。设置两个球状的光隔离器6、6′，把其中一个光隔离器6′安装在耦合的最佳位置调整用套圈3′的一侧端面24b′上。套圈3′固定在套筒15内，和固定在相同套筒15内的输出用的光纤2′的套圈3″的一侧端面24a″耦合。另外，套圈3′和输出用的光纤2′的套圈3″的一侧端面24a″之间的连接，可以通过将一方的套圈加工成对管状来进行。
[实施例]
实际制作依据本发明的外部谐振器，并安装在图7所示的半导体激光模块中。利用模式实效折射率n1＝1.525、n2＝1.51、Δ＝0.00979、θc＝8°的光纤2和Λ(MASK)＝951(nm)的相位掩模17，制作反射光中心波长λB为1450nm的FBG1。在此，Δ和θc可以由下面公式来计算。
Δ＝(1.5252-1.512)/(2×1.5252)＝0.00979
θc＝sin-1(2×0.00979)1/2＝8.04°
向相位掩模17照射的UV光的强度使用的是500mW左右。另外，UV光的强度分布为高斯形状，FBG1的折射率变化量的大小在FBG1的中心轴方向具有高斯状的分布。并且，在记录时，使光纤从水平开始只倾斜倾斜角β。在此，倾斜角β＝3°(0°＜β≤θc/2)。
这样，使构成FBG的每一个相位光栅33具有高斯状的折射率分布，进一步可以构成相对光纤光轴36的垂直面倾斜角β＝3°的相位光栅33。由此，可以抑制由于FBG1的两端间的法布里-珀罗谐振的不要的反射，可以抑制反射光频谱的具有多个峰值的旁瓣，可以实现窄频带的反射频谱特性。
作为光纤2，把包层直径125μm、芯直径8μm的光纤剥离其保护被覆来使用。另外，在将相位光栅记录在光纤之前，把光纤在高压氢的环境(常温、200atm、10日期间)中加压，在光纤2内充填氢气。加压解放后的20小时后，向光纤2照射UV光。UV光通过Λ(MASK)＝951(nm)的相位掩模17而具有高斯状的强度分布，照射40分钟。这样，制作了Λ(FBG)＝475nm的FBG1。如图12所示，其反射频谱特性是中心波长λB为1450nm。如图12所示，获得中心波长两侧的旁瓣被抑制的陡峭的反射特性的FBG。
λB＝2×1.525×951/2＝1450nm。
把光纤的长度切断成10mm，利用Ni、Au，在包层34的外周进行金属薄膜35的喷镀加工。然后，在外径2.5mm、长度5mm的套圈3内插入光纤，作为FBG的固定部件剂8，利用Au/Sn焊锡材料来进行固定。
使光纤2的一侧从套圈3的一侧端面24露出1mm，进行了前端加工。前端加工由于所使用的半导体激光元件10的近磁场的深宽比为1∶2，所以制作成如图4所示的楔形。使前端稍微球状的其楔角θ大约为90度。由此，可以将与半导体激光元件10耦合的效率控制在70～80％左右。对光纤2不进行前端加工而用通常的耦合用透镜11(聚束点的像差圆为圆形)耦合的情况下的耦合效率为其一半的40％左右。因此，通过对光纤2进行前端加工而直接与半导体激光元件10耦合，从而和通常的耦合用透镜11进行耦合相比，其耦合效率变为一倍。
然后，将套圈3的另一方的端面以8°的角度进行研磨加工。并且，光隔离器6是以Bi置换的厚度约为250μm的金刚砂材料作为法拉第转子。另外，光隔离器6具有用厚度0.3mm的吸收型偏振光镜夹住法拉第转子的两侧的层叠结构，切断成φ1mm的直径。在前端附加球透镜，通过透过性粘接剂，把它安装在内置了FBG1的套圈3的一侧端面上。FBG1的反射波长是1450nm、反射率是13％左右。将在那样的条件下制作的带有光隔离器的外部谐振器26安装在内置珀耳帖元件的半导体激光模块13中。由此，半导体激光元件10由于去除了其振荡波长1450±20nm的频带的返回光，所以稳定地振荡动作。
另外，本实施例的光学元件4不限于光隔离器6，也可以是光滤波元件或光隔离器+光滤波元件。例如，在光学元件为光滤波元件的情况下，由于波形整形，来自FBG1的射出光的频谱特性变为可以更陡峭。另外，光滤波可以是带通滤波器，其使向FBG1的半导体激光元件10的射出光的波长通过、且去除和它不同波长的不要光22。例如，在为波长1550nm频带的光纤放大器(省略图示)、且激励用光源的半导体激光元件10的波长为1480nm的情况下，波长1530nm～1580nm的宽频带的自然发射光从放大器内的Er添加光纤返回到半导体激光元件10，因为它是接近半导体激光元件10的振荡的波长，故其振荡不稳定。为了防止它，如果将遮断其波长带1530nm～1580nm的光的带通滤波器安装在FBG1的一侧端面上，则可以去除不要22光，所以半导体激光元件10稳定地振荡，可以提高输出稳定性。这样，光学元件4去除不要光22，使半导体激光元件10稳定地振荡，可以稳定输出和频谱特性。
接着，在图13中表示已经制作出的半导体激光模块13的振荡频谱特性的测定系统。把所述半导体激光模块13搭载在模块安装基板上，设置在恒温槽30内，并与激光驱动器29连接，进行APC控制。由来自激光驱动器29的电流而使其发光，把从输出用的光纤2出来的光输入到光频谱分析器。通过把恒温槽30的温度控制在-20℃～+70℃之间，从而可以测定振荡频谱的温度特性。
图14中用实线来表示附带外部谐振器的情况下的振荡频谱特性。图14中用虚线来表示没有附带外部谐振器的情况下的振荡频谱特性。没有附带外部谐振器的情况下扩展的振荡被引入到FBG1，变为由FBG1的振荡为主。其中心波长几乎和所使用的带有光隔离器的外部谐振器26的FBG1的反射中心波长1450nm一致。由此，可以谋求光谱的窄频带化、高输出化。
另外，图15是表示：本发明的带有光隔离器的外部谐振器26直接连接振荡波长为1450nm的半导体激光元件10而利用的情况下的中心波长相对温度的稳定性。和使用现有的外部谐振器的情况不同，即使温度变化，输出光的波长也几乎不移位，表示：相对外部温度变化具有极其稳定的波长特性。即，表示，相对温度变化可以实现高的波长稳定性和输出特性。
在本次的实施例中，保持在套圈3内的光纤2使用了通常的单模光纤，但是，不限于这些，也可以使用其他种类的光纤。例如，也可以把单模光纤加热到1500℃左右，扩散使光纤芯27折射率增大的添加物，以做成芯扩大光纤。如果由芯扩大光纤来构成FBG1，则可以缓和：在半导体激光模块13内中设置利用其的外部谐振器26时的对准(alignment)精度。
另外，如果使用极化面保存光纤，则来自外部谐振器26的FBG反射光2的极化面和从半导体激光元件10的半导体激光射出光19的极化面完全一致，所以进行稳定的振荡动作。因此，相对外部的温度变化可以实现稳定的频谱特性。特别是，在珀耳帖元件12中不进行温度控制的非原型(uncrude)半导体激光模块的情况下，在维持波长·输出特性方面是有效的。
并且，在使用添加Er、Tm等稀土类元素的稀土类添加光纤的情况下，如果把半导体激光元件10作为激励光源，则可以以所添加的稀土类元素所固有的波长来进行输出。在稀土类元素中使用Er，作为激励光利用波长980nm的半导体激光元件10进行激励。该情况下，在添加了Er的FBG1内输出，作为FBG1固有的频谱特性的1550nm频带的光，变为高输出光源。其波长和频谱特性依存于FBG1的特性。通过改变FBG1温度，从而根据其热膨胀·收缩，可以改变光谱周期Λ(FBG)。由此，输出光的波长变化，所以可以利用于可变光源。其应用，可以应用于多支半导体激光模块。
另外，本发明不限于应用在所述半导体激光模块13中，安装于串联型模块18内、作为光从动零件的应用展开也是可能的。

Claims (17)

1、一种外部谐振器，其中包括：单一光纤，具有芯和包层，在芯中具有包含反射特定波长光的多个相位光栅的光纤布拉格光栅；和套圈，在内部保持所述光纤，其特征在于，
所述相位光栅的至少一部分相对于光纤光轴的垂直面倾斜；
所述相位光栅与所述光纤的光轴所成的角度β满足如下条件：
0°＜β≤θc/2
θc＝sin-1(2Δ)1/2
Δ＝(n1 2-n2 2)/(2×n1 2)
式中：n1为芯的折射率，n2为包层的折射率，θc为传播光全反射的临界角。
2、根据权利要求1所述的外部谐振器，其特征在于，在所述光纤的包层的外周具有金属薄膜。
3、根据权利要求1所述的外部谐振器，其特征在于，对所述光纤的一侧的端部进行了前端加工。
4、根据权利要求1所述的外部谐振器，其特征在于，所述光纤的一侧的端部加工成楔形、球形或圆锥形。
5、根据权利要求1所述的外部谐振器，其特征在于，在所述套圈的至少一侧端面上安装光学元件。
6、根据权利要求5所述的外部谐振器，其特征在于，所述光学元件具有光隔离器功能和/或光滤波功能。
7、根据权利要求5所述的外部谐振器，其特征在于，在所述光隔离器的至少一侧端面上耦合了耦合用透镜。
8、根据权利要求5所述的外部谐振器，其特征在于，所述光学元件为具有透镜功能的形状。
9、根据权利要求5所述的外部谐振器，其特征在于，在所述光学元件的一方的端面上形成透镜或衍射光栅。
10、一种光纤，其中包括：具有反射特定波长光的光纤布拉格光栅的芯；和覆盖所述芯周围的包层，其特征在于，
构成所述光纤布拉格光栅的每一个相位光栅的至少一部分相对于光纤光轴垂直面倾斜；
所述相位光栅与所述光纤的光轴所成的角度β满足如下条件：
0°＜β≤θc/2
θc＝sin-1(2Δ)1/2
Δ＝(n1 2-n2 2)/(2×n1 2)
式中：n1为芯的折射率，n2为包层的折射率，θc为传播光全反射的临界角。
11、根据权利要求10所述的光纤，其特征在于，在所述光纤的包层的外周具有金属薄膜。
12、根据权利要求10所述的光纤，其特征在于，对所述光纤的一侧的端部进行了前端加工。
13、根据权利要求10所述的光纤，其特征在于，所述光纤的一侧的端部为楔形、球形、或圆锥形。
14、一种半导体激光模块，其特征在于，包括：
半导体激光元件；
取出所述半导体激光元件的输出的输出用光纤；和
连接在所述半导体激光元件与所述输出用光纤端面之间的权利要求1所述的外部谐振器。
15、根据权利要求14所述的半导体激光模块，其特征在于，所述外部谐振器中的光纤的一侧端部加工成楔形、球形、或圆锥形。
16、根据权利要求14所述的半导体激光模块，其特征在于，
在所述外部谐振器中的光纤的一侧端面上，安装了具有光隔离器功能和/或光滤波功能的光学元件。
17、根据权利要求16所述的半导体激光模块，其特征在于，所述光学元件具有透镜功能的形状。
CNB200510062435XA 2004-03-26 2005-03-28 外部谐振器和利用其的半导体激光模块 Expired - Fee Related CN100437167C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004093888A JP2004311994A (ja) 2003-03-27 2004-03-26 外部共振器及びそれを用いた半導体レーザモジュール
JP2004093888 2004-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1673786A CN1673786A (zh) 2005-09-28
CN100437167C true CN100437167C (zh) 2008-11-26

Family

ID=35006277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510062435XA Expired - Fee Related CN100437167C (zh) 2004-03-26 2005-03-28 外部谐振器和利用其的半导体激光模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050220163A1 (zh)
CN (1) CN100437167C (zh)
CA (1) CA2502266A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008026397A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光源およびガス計測装置
US8619247B1 (en) * 2010-04-08 2013-12-31 Haas Laser Technologies, Inc. Laser beam analysis apparatus
US9031366B2 (en) 2012-09-13 2015-05-12 Northrop Grumman Guidance And Electronic Company, Inc. Stabilized pump laser output system and method
US10061092B2 (en) 2013-09-12 2018-08-28 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
CN105518505B (zh) * 2013-09-12 2018-03-30 古河电气工业株式会社 半导体激光模块
US10180545B2 (en) * 2016-03-17 2019-01-15 Applied Optoelectronics, Inc. Alignment correction for optical isolator in a coaxial transmitter optical subassembly (TOSA)
WO2018001442A1 (en) * 2016-06-29 2018-01-04 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa - Recherche Et Developpement Optical resonator, method of manufacturing the optical resonator and applications thereof
DE102017123798B4 (de) * 2017-10-12 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
CN108318963B (zh) * 2018-02-11 2022-02-22 西安交通大学 一种平行多角度倾斜光纤布拉格光栅及其制备方法
US10942275B2 (en) 2018-07-28 2021-03-09 Haas Laser Technologies, Inc. System and method for improving signal-to-noise ratio in a laser imaging system
US10708537B2 (en) 2018-07-28 2020-07-07 Haas Laser Technologies, Inc. System and method for reducing ghost images in a laser imaging system
CN111947100A (zh) * 2019-05-15 2020-11-17 朴钟德 结合光与物质后发射的装置
CN114421276A (zh) * 2020-10-09 2022-04-29 西安立芯光电科技有限公司 一种轴对称型半导体激光巴条合束技术及模组

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293438A (en) * 1991-09-21 1994-03-08 Namiki Precision Jewel Co., Ltd. Microlensed optical terminals and optical system equipped therewith, and methods for their manufacture, especially an optical coupling method and optical coupler for use therewith
US5307437A (en) * 1991-03-29 1994-04-26 Gaz De France Optical fibre incorporating a Bragg lattice and its application
US5327515A (en) * 1993-01-14 1994-07-05 At&T Laboratories Method for forming a Bragg grating in an optical medium
EP0438759B1 (en) * 1989-12-26 1995-08-09 United Technologies Corporation Optical waveguide embedded light redirecting Bragg grating arrangement
JPH10133146A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Kyocera Corp キャピラリー型光アイソレータ
US6332721B1 (en) * 1998-07-10 2001-12-25 Mitsubishi Chemical Corp. Laser diode module
EP1288683A1 (en) * 2001-08-16 2003-03-05 Alcatel Slanted Bragg grating optical fiber and process for manufacturing such a fiber

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4893890A (en) * 1988-05-04 1990-01-16 Lutes George F Low-loss, high-isolation, fiber-optic isolator
US5317576A (en) * 1989-12-26 1994-05-31 United Technologies Corporation Continously tunable single-mode rare-earth doped pumped laser arrangement
US6295149B1 (en) * 1997-01-15 2001-09-25 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. System and method of telecommunication with wavelength division multiplexing comprising a demultiplexer
JP3856609B2 (ja) * 1999-12-09 2006-12-13 沖電気工業株式会社 光導波路素子の製造方法
JP2001330754A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Nec Corp ファイバ型光カプラ及びその製造方法並びにこれを用いた光部品、光送受信器、光装置
WO2002103867A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-27 Infineon Technologies Ag Opto-elektronisches lasermodul
US20050175284A1 (en) * 2002-07-25 2005-08-11 Morita Kazuaki Optical filter

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0438759B1 (en) * 1989-12-26 1995-08-09 United Technologies Corporation Optical waveguide embedded light redirecting Bragg grating arrangement
US5307437A (en) * 1991-03-29 1994-04-26 Gaz De France Optical fibre incorporating a Bragg lattice and its application
US5293438A (en) * 1991-09-21 1994-03-08 Namiki Precision Jewel Co., Ltd. Microlensed optical terminals and optical system equipped therewith, and methods for their manufacture, especially an optical coupling method and optical coupler for use therewith
US5327515A (en) * 1993-01-14 1994-07-05 At&T Laboratories Method for forming a Bragg grating in an optical medium
JPH10133146A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Kyocera Corp キャピラリー型光アイソレータ
US6332721B1 (en) * 1998-07-10 2001-12-25 Mitsubishi Chemical Corp. Laser diode module
EP1288683A1 (en) * 2001-08-16 2003-03-05 Alcatel Slanted Bragg grating optical fiber and process for manufacturing such a fiber

Also Published As

Publication number Publication date
CN1673786A (zh) 2005-09-28
CA2502266A1 (en) 2005-09-26
US20050220163A1 (en) 2005-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100437167C (zh) 外部谐振器和利用其的半导体激光模块
US6636678B1 (en) Method and apparatus for waveguide optics and devices
US20190020178A1 (en) Laser apparatus
TWI330434B (en) Tunable laser
US4335933A (en) Fiber optic wavelength demultiplexer
US4914665A (en) Broadband-tunable external fiber-cavity laser
US7920763B1 (en) Mode field expanded fiber collimator
WO2000045478A9 (en) Rare-earth doped phosphate-glass lasers
WO2018040555A1 (zh) 一种基于单波长窄带滤光组件选频的窄线宽半导体激光器
CN201096983Y (zh) 光栅型光可调谐滤波器
CN102103230A (zh) 光学耦合器以及包括其的有源光学模块
US6967976B2 (en) Laser with reflective etalon tuning element
US20040141235A1 (en) Volume phase grating, a method for producing such a volume phase grating, an optical module and a semiconductor laser module using such a volume phase grating
JPWO2006132285A1 (ja) 光源
JP2004311994A (ja) 外部共振器及びそれを用いた半導体レーザモジュール
US6400746B1 (en) Pump laser with low grating reflectivity
CA2416953C (en) A device for coupling light into the fiber
CA2335670C (en) Light waveguide with integrated input aperture for an optical spectrometer
JPH1184117A (ja) 反射型光導波路グレーティング
JP4462960B2 (ja) 外部共振器、半導体レーザモジュール並びに球状体積型位相格子の製造方法
JP2004220008A (ja) 体積型位相格子とその製造方法及びそれを用いた光モジュール及び半導体レーザモジュール
JP3899996B2 (ja) 光導波路、多波長光源、及び波長可変光源
KR100562942B1 (ko) 편광도가 높은 반도체 레이저 장치
JP3374913B2 (ja) ファイバグレーティング半導体レーザ
JPH09153659A (ja) 発光素子モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081126

Termination date: 20120328