JP3374913B2 - ファイバグレーティング半導体レーザ - Google Patents
ファイバグレーティング半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光増幅器と
グレーティングファイバとを備えるファイバグレーティ
ング半導体レーザに関する。
グレーティングファイバとを備えるファイバグレーティ
ング半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】ファイバグレーティング半導体レーザ
（以下、「ＦＧＬ」ともいう）は、半導体光増幅器と、
グレーティングファイバとを組み合わせて構成されたレ
ーザ装置である。
（以下、「ＦＧＬ」ともいう）は、半導体光増幅器と、
グレーティングファイバとを組み合わせて構成されたレ
ーザ装置である。
【０００３】従来のＦＧＬでは、反射率が最大となる回
折波長に対して対称な反射スペクトルを有するグレーテ
ィングファイバを使用し、かかるグレーティングファイ
バを半導体光増幅器に対して位置決めして光学的な結合
を図っていた。
折波長に対して対称な反射スペクトルを有するグレーテ
ィングファイバを使用し、かかるグレーティングファイ
バを半導体光増幅器に対して位置決めして光学的な結合
を図っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＦＧＬでは、半導体光増幅器に対してグレーティングフ
ァイバを位置決めする際、光軸方向の位置変化に対して
光出力が急激に変化することがあった。従って、半導体
光増幅器に対するグレーティングファイバの位置合わせ
が難しくなり、位置決め精度が低下して、半導体光増幅
器とグレーティングファイバとの間の光学的な結合ロス
が大きくなる場合があった。
ＦＧＬでは、半導体光増幅器に対してグレーティングフ
ァイバを位置決めする際、光軸方向の位置変化に対して
光出力が急激に変化することがあった。従って、半導体
光増幅器に対するグレーティングファイバの位置合わせ
が難しくなり、位置決め精度が低下して、半導体光増幅
器とグレーティングファイバとの間の光学的な結合ロス
が大きくなる場合があった。
【０００５】また、ＦＧＬモジュール作製後に生じる位
置ズレに対しても光出力が急激に変化してしまうという
問題があった。
置ズレに対しても光出力が急激に変化してしまうという
問題があった。
【０００６】そこで本発明は、半導体光増幅器とグレー
ティングファイバとの間の光学的な結合ロスの低減が可
能なファイバグレーティング半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
ティングファイバとの間の光学的な結合ロスの低減が可
能なファイバグレーティング半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を達
成するため、まずグレーティングファイバの光軸方向の
位置変化に対し、光出力がなぜ急激に変化するのかにつ
いて検討を行った。
成するため、まずグレーティングファイバの光軸方向の
位置変化に対し、光出力がなぜ急激に変化するのかにつ
いて検討を行った。
【０００８】ＦＧＬの共振器長ＬがδＬだけ変化する
と、発振波長λFGLは、 λFGL＋δλFGL＝２（Ｌ＋δＬ）／ｍ ・・・ （１） なる式に従って変化する（ｍは自然数）。ここで共振器
長Ｌは、共振器間の距離、即ち半導体光増幅器の端面
間、半導体光増幅器の端面からグレーティングファイバ
端部までの間及びグレーティングファイバの端部からグ
レーティングの実効的な反射点、通常グレーティングの
中点までの間の光学的距離の和により規定される。従っ
て、位置合わせの際に、グレーティングファイバが光軸
方向に位置変化（Ｚ位置変化）すると、この変化量δＺ
がそのまま共振器長Ｌの変化量δＬとなり、その結果、
発振波長λFGLはＺ位置の変化に対して直線的に変化す
ると考えられていた。すなわち、図８の下のグラフに示
すように、発振波長λFGLはＺ位置変化に対して直線的
に変化し、同図の上のグラフに示すように光出力Ｐは、
発振波長λFGLが最大反射率となる回折波長λFGとなる
ときのＺ位置に対して対称に変化すると考えられてい
た。
と、発振波長λFGLは、 λFGL＋δλFGL＝２（Ｌ＋δＬ）／ｍ ・・・ （１） なる式に従って変化する（ｍは自然数）。ここで共振器
長Ｌは、共振器間の距離、即ち半導体光増幅器の端面
間、半導体光増幅器の端面からグレーティングファイバ
端部までの間及びグレーティングファイバの端部からグ
レーティングの実効的な反射点、通常グレーティングの
中点までの間の光学的距離の和により規定される。従っ
て、位置合わせの際に、グレーティングファイバが光軸
方向に位置変化（Ｚ位置変化）すると、この変化量δＺ
がそのまま共振器長Ｌの変化量δＬとなり、その結果、
発振波長λFGLはＺ位置の変化に対して直線的に変化す
ると考えられていた。すなわち、図８の下のグラフに示
すように、発振波長λFGLはＺ位置変化に対して直線的
に変化し、同図の上のグラフに示すように光出力Ｐは、
発振波長λFGLが最大反射率となる回折波長λFGとなる
ときのＺ位置に対して対称に変化すると考えられてい
た。
【０００９】しかし、Ｚ位置変化に対する光出力Ｐの変
化を調べたところ、図９の上のグラフに示すように非対
称性が生じ、回折波長λFGより短波長領域で光出力が急
激に変化することが分かった。この原因を探るべく、Ｚ
位置変化に対する発振波長λ FGLの変化を調べたとこ
ろ、図９の下のグラフに示すように、発振波長λFGLは
Ｚ位置の変化に対して非直線的に変化しており、特に回
折波長λFGより短波長領域で発振波長λFGLの変化率が
大きいことが分かった。従って、発振波長λFGLを最小
発振波長λminから回折波長λFGまで変化させるのに必
要なＺ位置変化量ΔＺ1と、発振波長λFGLを回折波長λ
FGから最大発振波長λmaxまで変化させるのに必要なＺ
位置変化量ΔＺ2とが異なるものとなり、その結果、図
９の上のグラフに示すように光出力Ｐに非対称性が生じ
て、短波長領域では少ないＺ位置変化に対して光出力が
急激に変化することが分かった。
化を調べたところ、図９の上のグラフに示すように非対
称性が生じ、回折波長λFGより短波長領域で光出力が急
激に変化することが分かった。この原因を探るべく、Ｚ
位置変化に対する発振波長λ FGLの変化を調べたとこ
ろ、図９の下のグラフに示すように、発振波長λFGLは
Ｚ位置の変化に対して非直線的に変化しており、特に回
折波長λFGより短波長領域で発振波長λFGLの変化率が
大きいことが分かった。従って、発振波長λFGLを最小
発振波長λminから回折波長λFGまで変化させるのに必
要なＺ位置変化量ΔＺ1と、発振波長λFGLを回折波長λ
FGから最大発振波長λmaxまで変化させるのに必要なＺ
位置変化量ΔＺ2とが異なるものとなり、その結果、図
９の上のグラフに示すように光出力Ｐに非対称性が生じ
て、短波長領域では少ないＺ位置変化に対して光出力が
急激に変化することが分かった。
【００１０】更に、発振波長λFGLが非直線的に変化す
る原因を探るべく検討を進めた結果、Ｚ位置の変化によ
り共振器長がδＬだけ変化し、発振波長λFGLが（１）
式に従って変化すると、グレーティングファイバの反射
率Ｒも変化するが、この反射率Ｒの変化に伴って、半導
体光増幅器内の活性層の屈折率ｎも変化することが分か
った。すなわち、反射率Ｒが増加すると、半導体光増幅
器中の活性層のキャリア密度Ｎが減少し、その結果、屈
折率ｎが増加する。これとは逆に、反射率Ｒが減少する
と、半導体光増幅器中の活性層のキャリア密度Ｎが増加
し、その結果、屈折率ｎが減少する。そして、この屈折
率ｎの変化が、半導体光増幅器の端面間の光学的距離を
変化させ、共振器長Ｌ、ひいては発振波長λFGLの変化
に影響を及ぼしていることを見出した。
る原因を探るべく検討を進めた結果、Ｚ位置の変化によ
り共振器長がδＬだけ変化し、発振波長λFGLが（１）
式に従って変化すると、グレーティングファイバの反射
率Ｒも変化するが、この反射率Ｒの変化に伴って、半導
体光増幅器内の活性層の屈折率ｎも変化することが分か
った。すなわち、反射率Ｒが増加すると、半導体光増幅
器中の活性層のキャリア密度Ｎが減少し、その結果、屈
折率ｎが増加する。これとは逆に、反射率Ｒが減少する
と、半導体光増幅器中の活性層のキャリア密度Ｎが増加
し、その結果、屈折率ｎが減少する。そして、この屈折
率ｎの変化が、半導体光増幅器の端面間の光学的距離を
変化させ、共振器長Ｌ、ひいては発振波長λFGLの変化
に影響を及ぼしていることを見出した。
【００１１】つまり、Ｚ位置の変化量をδＺ、屈折率の
変化量をδｎとすると、発振波長の変化量δλFGLは、 δλFGL ∝ δＬ ∝ ｎ×δＺ ＋ δｎ×Ｚ ・・・ （２） なる関係を有すると考えられる。ここでδｎ、δＺの符
号は、λFGL≦λFGである短波長領域ではδｎ×δＺ＞
０となり、λFGL＞λFGである長波長領域ではδｎ×δ
Ｚ＜０となる。
変化量をδｎとすると、発振波長の変化量δλFGLは、 δλFGL ∝ δＬ ∝ ｎ×δＺ ＋ δｎ×Ｚ ・・・ （２） なる関係を有すると考えられる。ここでδｎ、δＺの符
号は、λFGL≦λFGである短波長領域ではδｎ×δＺ＞
０となり、λFGL＞λFGである長波長領域ではδｎ×δ
Ｚ＜０となる。
【００１２】上記した（２）式に示すように、回折波長
λFGより短波長領域では、Ｚ位置の変化量δＺの他に、
屈折率の変化δｎによる正の帰還が加わるため、共振器
長の変化量δＬは実際のＺ位置の変化量δＺより大きく
なり、発振波長λFGLの変化率が大きくなる。一方、回
折波長λFGより長波長領域では、屈折率の変化量δｎに
よる負の帰還が加わるため、共振器長の変化量δＬは実
際のＺ位置の変化量δＺより小さくなり、発振波長λ
FGLの変化率が小さくなる。これらの理由から、発振波
長λFGLはＺ位置変化に対して非直線的に変化すると考
えられる。その結果、光出力Ｐに非対称性が生じ、短波
長領域において光出力Ｐの変化率が大きくなって、位置
合わせの困難性を生じると考えられる。
λFGより短波長領域では、Ｚ位置の変化量δＺの他に、
屈折率の変化δｎによる正の帰還が加わるため、共振器
長の変化量δＬは実際のＺ位置の変化量δＺより大きく
なり、発振波長λFGLの変化率が大きくなる。一方、回
折波長λFGより長波長領域では、屈折率の変化量δｎに
よる負の帰還が加わるため、共振器長の変化量δＬは実
際のＺ位置の変化量δＺより小さくなり、発振波長λ
FGLの変化率が小さくなる。これらの理由から、発振波
長λFGLはＺ位置変化に対して非直線的に変化すると考
えられる。その結果、光出力Ｐに非対称性が生じ、短波
長領域において光出力Ｐの変化率が大きくなって、位置
合わせの困難性を生じると考えられる。
【００１３】発明者は、以上の事情を考慮し、Ｚ位置変
化に対する光出力Ｐの非対称性を緩和するための手段に
ついて鋭意検討を行った。そして、光出力Ｐの非対称性
を緩和するためには、発振波長λFGLを最小発振波長λ
minから回折波長λFGまで変化させるのに必要なＺ位置
変化量ΔＺ1（図９に示す）と、発振波長λFGLを回折波
長λFGから最大発振波長λmaxまで変化させるのに必要
なＺ位置変化量ΔＺ2（図９に示す）との差を小さくす
る必要があり、そのためにはグレーティングファイバの
反射スペクトル形状を変更して、同一波長帯域で回折波
長λFGを長波長側へシフトすることが有効であるとの結
論に至り、本発明を完成するに至った。
化に対する光出力Ｐの非対称性を緩和するための手段に
ついて鋭意検討を行った。そして、光出力Ｐの非対称性
を緩和するためには、発振波長λFGLを最小発振波長λ
minから回折波長λFGまで変化させるのに必要なＺ位置
変化量ΔＺ1（図９に示す）と、発振波長λFGLを回折波
長λFGから最大発振波長λmaxまで変化させるのに必要
なＺ位置変化量ΔＺ2（図９に示す）との差を小さくす
る必要があり、そのためにはグレーティングファイバの
反射スペクトル形状を変更して、同一波長帯域で回折波
長λFGを長波長側へシフトすることが有効であるとの結
論に至り、本発明を完成するに至った。
【００１４】即ち、本発明のファイバグレーティング半
導体レーザは、光を発生し且つ増幅する半導体光増幅器
と、半導体光増幅器に光学的に結合されたグレーティン
グファイバとを備えるファイバグレーティング半導体レ
ーザであって、グレーティングファイバの反射スペクト
ルは、所定の反射率において、反射率が最大になる回折
波長より短波長領域の幅が、長波長領域の幅より広いこ
とを特徴とする。
導体レーザは、光を発生し且つ増幅する半導体光増幅器
と、半導体光増幅器に光学的に結合されたグレーティン
グファイバとを備えるファイバグレーティング半導体レ
ーザであって、グレーティングファイバの反射スペクト
ルは、所定の反射率において、反射率が最大になる回折
波長より短波長領域の幅が、長波長領域の幅より広いこ
とを特徴とする。
【００１５】このファイバグレーティング半導体レーザ
では、グレーティングファイバの反射スペクトルは、短
波長領域の幅が、長波長領域の幅より広いため、同一波
長帯域で対称な反射スペクトルを有するグレーティング
ファイバと比較して、最大反射率を与える回折波長が長
波長側へシフトしている。従って、発振波長を最小発振
波長から回折波長まで変化させるのに必要な光軸方向の
位置変化量と、発振波長を回折波長から最大発振波長ま
で変化させるのに必要な光軸方向の位置変化量との差が
小さくなる。その結果、光軸方向の位置変化に対する光
出力の非対称性が緩和される。これにより、半導体光増
幅器に対するグレーティングファイバの位置合わせが容
易になり、位置決め精度が向上する。
では、グレーティングファイバの反射スペクトルは、短
波長領域の幅が、長波長領域の幅より広いため、同一波
長帯域で対称な反射スペクトルを有するグレーティング
ファイバと比較して、最大反射率を与える回折波長が長
波長側へシフトしている。従って、発振波長を最小発振
波長から回折波長まで変化させるのに必要な光軸方向の
位置変化量と、発振波長を回折波長から最大発振波長ま
で変化させるのに必要な光軸方向の位置変化量との差が
小さくなる。その結果、光軸方向の位置変化に対する光
出力の非対称性が緩和される。これにより、半導体光増
幅器に対するグレーティングファイバの位置合わせが容
易になり、位置決め精度が向上する。
【００１６】また、発明者の知見によると、本発明によ
るファイバグレーティング半導体レーザでは、所定の反
射率を最大反射率の半値とし、この半値における短波長
領域の幅をΔλ1、長波長領域の幅をΔλ2とした場合
に、Δλ1とΔλ2との比は、 １．４≦ Δλ1／Δλ2 ≦６．５ の間のいずれかの値をとると好ましい。
るファイバグレーティング半導体レーザでは、所定の反
射率を最大反射率の半値とし、この半値における短波長
領域の幅をΔλ1、長波長領域の幅をΔλ2とした場合
に、Δλ1とΔλ2との比は、 １．４≦ Δλ1／Δλ2 ≦６．５ の間のいずれかの値をとると好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
によるファイバグレーティング半導体レーザの好適な一
実施形態について説明する。なお、同一の要素には同一
の符号を付し、重複する説明を省略する。
によるファイバグレーティング半導体レーザの好適な一
実施形態について説明する。なお、同一の要素には同一
の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】図１（ａ）は、本発明によるＦＧＬ１を上
面から見た一部断面図であり、グレーティングファイバ
の配置が明確に示されるように該当部分について断面が
示されている。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線に
おける縦断面図である。
面から見た一部断面図であり、グレーティングファイバ
の配置が明確に示されるように該当部分について断面が
示されている。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線に
おける縦断面図である。
【００１９】図示の通り、ＦＧＬ１の主要部は、搭載部
材に収納されている。搭載部材としては、例えばバタフ
ライ型パッケージ（以下、「ＰＫＧ」という）１０があ
り、以下、このＰＫＧ１０を使用する場合について説明
する。
材に収納されている。搭載部材としては、例えばバタフ
ライ型パッケージ（以下、「ＰＫＧ」という）１０があ
り、以下、このＰＫＧ１０を使用する場合について説明
する。
【００２０】ＰＫＧ１０は、一の面にグレーティングフ
ァイバ挿入面を有し、これに隣接する２側面に複数のリ
ードピン３６を有する。また、ＰＫＧ１０は、底面の内
側面上にＰＫＧ１０の接地端子に接続されている接地導
電層を有する。この接地導電層上には、冷却素子として
のペルチェ素子１２が搭載されており、このペルチェ素
子１２上に、導電性の搭載部材１４を介してチップキャ
リア１６，２４が搭載されている。
ァイバ挿入面を有し、これに隣接する２側面に複数のリ
ードピン３６を有する。また、ＰＫＧ１０は、底面の内
側面上にＰＫＧ１０の接地端子に接続されている接地導
電層を有する。この接地導電層上には、冷却素子として
のペルチェ素子１２が搭載されており、このペルチェ素
子１２上に、導電性の搭載部材１４を介してチップキャ
リア１６，２４が搭載されている。
【００２１】チップキャリア１６上には、半導体光増幅
器１８が搭載されている。半導体光増幅器１８は、その
第１の端面（図２の１８ａ）をＰＫＧ１０のグレーティ
ングファイバ挿入面に面して配置されている。
器１８が搭載されている。半導体光増幅器１８は、その
第１の端面（図２の１８ａ）をＰＫＧ１０のグレーティ
ングファイバ挿入面に面して配置されている。
【００２２】グレーティングファイバ２２は、フェルー
ル２８の中央部に設けられた開口部に挿入され、その先
端部分は、フェルール２８の一の端面から所定の長さだ
け突出している。フェルール２８は、スリーブ３０に支
持されている。スリーブ３０は、ＰＫＧ１０のグレーテ
ィングファイバ挿入面に固定されているグレーティング
ファイバ導入部材３２の内側のスリーブ挿入部に固定さ
れている。
ル２８の中央部に設けられた開口部に挿入され、その先
端部分は、フェルール２８の一の端面から所定の長さだ
け突出している。フェルール２８は、スリーブ３０に支
持されている。スリーブ３０は、ＰＫＧ１０のグレーテ
ィングファイバ挿入面に固定されているグレーティング
ファイバ導入部材３２の内側のスリーブ挿入部に固定さ
れている。
【００２３】また、フェルール２８は、搭載部材１４の
フェルール支持部に固定されている。これによって、半
導体光増幅器１８の第１の端面（図２の１８ａ）とグレ
ーティングファイバ２２との位置関係が固定される。す
なわち、半導体光増幅器１８の第１の端面が、グレーテ
ィングファイバ２２の端部と光学的に結合可能なよう
に、半導体光増幅器１８およびグレーティングファイバ
２２のそれぞれの光軸が調芯される。
フェルール支持部に固定されている。これによって、半
導体光増幅器１８の第１の端面（図２の１８ａ）とグレ
ーティングファイバ２２との位置関係が固定される。す
なわち、半導体光増幅器１８の第１の端面が、グレーテ
ィングファイバ２２の端部と光学的に結合可能なよう
に、半導体光増幅器１８およびグレーティングファイバ
２２のそれぞれの光軸が調芯される。
【００２４】チップキャリア２４上には、フォトダイオ
ード（以下、「ＰＤ」という）２６が搭載されている。
ＰＤ２６の受光面は、半導体光増幅器１８の第１の端面
（図２の１８ａ）と対向する第２の端面（図２の１８
ｂ）に対面している。このため、半導体光増幅器１８の
出射光の強度を検知するためのモニタＰＤとして作動す
る。この信号も、またリードピン３６を介して外部へ取
り出される。
ード（以下、「ＰＤ」という）２６が搭載されている。
ＰＤ２６の受光面は、半導体光増幅器１８の第１の端面
（図２の１８ａ）と対向する第２の端面（図２の１８
ｂ）に対面している。このため、半導体光増幅器１８の
出射光の強度を検知するためのモニタＰＤとして作動す
る。この信号も、またリードピン３６を介して外部へ取
り出される。
【００２５】図２は、図１に示されたＦＧＬ１に使用さ
れる半導体光増幅器１８およびグレーティングファイバ
２２のみを特に示したＦＧＬ１の模式図である。
れる半導体光増幅器１８およびグレーティングファイバ
２２のみを特に示したＦＧＬ１の模式図である。
【００２６】図示の通り、半導体光増幅器１８は、回折
格子２０を備えたグレーティングファイバ２２と組み合
わされてＦＧＬ１の主要部を構成している。半導体光増
幅器１８は、その内部に形成された所定の軸に沿って伸
びる活性層４０と、活性層４０を挟み、活性層４０への
注入電流を供給するための１対の電極４２を備えてお
り、電極４２を介して供給された駆動電流により活性層
４０から所定の軸方向に光が放射されるよう構成されて
いる。また、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａに
は、反射防止膜４４が形成されており、一方、これに対
向する第２の端面１８ｂには、第１の端面より高反射率
を有する反射膜４６が形成されている。この反射膜４６
により、ＦＧＬ１の共振器における一方の反射器が構成
されている。
格子２０を備えたグレーティングファイバ２２と組み合
わされてＦＧＬ１の主要部を構成している。半導体光増
幅器１８は、その内部に形成された所定の軸に沿って伸
びる活性層４０と、活性層４０を挟み、活性層４０への
注入電流を供給するための１対の電極４２を備えてお
り、電極４２を介して供給された駆動電流により活性層
４０から所定の軸方向に光が放射されるよう構成されて
いる。また、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａに
は、反射防止膜４４が形成されており、一方、これに対
向する第２の端面１８ｂには、第１の端面より高反射率
を有する反射膜４６が形成されている。この反射膜４６
により、ＦＧＬ１の共振器における一方の反射器が構成
されている。
【００２７】グレーティングファイバ２２は２つの端部
を有し、これらのうち一方の端部２２ａは半導体光増幅
器１８の第１の端面１８ａと対向していて、この端部２
２ａと第１の端面１８ａとが光学的に結合可能な位置に
グレーティングファイバ２２が配置されている。ここ
で、第１の端面１８ａと光学的に結合している端部２２
ａは、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａから出射
された光がその端部２２ａから入射してコア部５２内に
集束可能な所定の形状、つまりレンズ機能を有する形状
を備えることが好ましい。このようなレンズ化された端
部２２ａは、端部２２ａと半導体光増幅器１８との間で
光学的に高い結合効率を実現する。
を有し、これらのうち一方の端部２２ａは半導体光増幅
器１８の第１の端面１８ａと対向していて、この端部２
２ａと第１の端面１８ａとが光学的に結合可能な位置に
グレーティングファイバ２２が配置されている。ここ
で、第１の端面１８ａと光学的に結合している端部２２
ａは、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａから出射
された光がその端部２２ａから入射してコア部５２内に
集束可能な所定の形状、つまりレンズ機能を有する形状
を備えることが好ましい。このようなレンズ化された端
部２２ａは、端部２２ａと半導体光増幅器１８との間で
光学的に高い結合効率を実現する。
【００２８】グレーティングファイバ２２には、レンズ
形状を有する一の端部２２ａから所定距離離れたコア部
５２内の位置に回折格子２０が形成されている。このよ
うな回折格子２０を形成するために好適な光ファイバ
は、酸化ゲルマニウムを所定量含むと共に所定の屈折率
を有するコア部５２と、コア部５２の周囲に設けられた
コア部５２より小さい屈折率を有するクラッド部５４と
を備えている。そして、この光ファイバに紫外線を照射
することによって、コア部５２に屈折率の異なる領域を
複数の箇所に設けたものである。この回折格子２０によ
り、特定の波長の光が選択的に反射され、これによって
ＦＧＬ１の共振器における他方の反射器が構成されてい
る。
形状を有する一の端部２２ａから所定距離離れたコア部
５２内の位置に回折格子２０が形成されている。このよ
うな回折格子２０を形成するために好適な光ファイバ
は、酸化ゲルマニウムを所定量含むと共に所定の屈折率
を有するコア部５２と、コア部５２の周囲に設けられた
コア部５２より小さい屈折率を有するクラッド部５４と
を備えている。そして、この光ファイバに紫外線を照射
することによって、コア部５２に屈折率の異なる領域を
複数の箇所に設けたものである。この回折格子２０によ
り、特定の波長の光が選択的に反射され、これによって
ＦＧＬ１の共振器における他方の反射器が構成されてい
る。
【００２９】ここで、上記した構成のＦＧＬ１につい
て、半導体光増幅器１８に対するグレーティングファイ
バ２２の最適な光学的結合は、以下のようにして実現さ
れる。
て、半導体光増幅器１８に対するグレーティングファイ
バ２２の最適な光学的結合は、以下のようにして実現さ
れる。
【００３０】図３に示すように、搭載部材１４は組立治
具６０に固定されている。搭載部材１４は、半導体光増
幅器１８を搭載したチップキャリア１６を搭載面に備
え、電気的な接続を完了した状態まで、既に組み立てら
れている。なお、ＰＤ（図１の２６）およびチップキャ
リア（図１の２４）は、ここでは図示していない。組立
治具６０は、グレーティングファイバ２２の第１の端部
２２ａと、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａとの
間の光軸方向の距離Ｚを調節するための移動機構６２を
備える。特に、図示していないが、フェルール２８およ
び搭載部材１４を固定するための溶接装置も設けられて
いる。
具６０に固定されている。搭載部材１４は、半導体光増
幅器１８を搭載したチップキャリア１６を搭載面に備
え、電気的な接続を完了した状態まで、既に組み立てら
れている。なお、ＰＤ（図１の２６）およびチップキャ
リア（図１の２４）は、ここでは図示していない。組立
治具６０は、グレーティングファイバ２２の第１の端部
２２ａと、半導体光増幅器１８の第１の端面１８ａとの
間の光軸方向の距離Ｚを調節するための移動機構６２を
備える。特に、図示していないが、フェルール２８およ
び搭載部材１４を固定するための溶接装置も設けられて
いる。
【００３１】また、グレーティングファイバ２２の第１
の端部２２ａは、半導体光増幅器１８の第１の端面１８
ａに対向するように配置される。そして、グレーティン
グファイバ２２の第２の端部２２ｂは、光出力が計測可
能な測定装置６４に光学的に結合される。この測定装置
６４を用いると、グレーティングファイバ２２を伝わり
第２の端部２２ｂに達した光の出力を計測できる。ま
た、半導体光増幅器１８には、電流を加えるために電源
６６が導電線６８を介して接続される。
の端部２２ａは、半導体光増幅器１８の第１の端面１８
ａに対向するように配置される。そして、グレーティン
グファイバ２２の第２の端部２２ｂは、光出力が計測可
能な測定装置６４に光学的に結合される。この測定装置
６４を用いると、グレーティングファイバ２２を伝わり
第２の端部２２ｂに達した光の出力を計測できる。ま
た、半導体光増幅器１８には、電流を加えるために電源
６６が導電線６８を介して接続される。
【００３２】このような光学的な結合を組み立てた後
に、電源６６から半導体光増幅器１８に電流を供給する
と、半導体光増幅器１８の活性層（図２の４０）におい
て光が発生する。発生した光は反射膜（図２の４６）に
おいて反射され、反射防止膜（図２の４４）を通してグ
レーティングファイバ２２に向けて出射される。
に、電源６６から半導体光増幅器１８に電流を供給する
と、半導体光増幅器１８の活性層（図２の４０）におい
て光が発生する。発生した光は反射膜（図２の４６）に
おいて反射され、反射防止膜（図２の４４）を通してグ
レーティングファイバ２２に向けて出射される。
【００３３】このような光学的な結合においては、グレ
ーティングファイバ２２の第１の端部２２ａと、半導体
光増幅器１８の第１の端面１８ａとの間の光軸方向の距
離Ｚが変化するに伴い、グレーティングファイバ２２の
第２の端部２２ｂで観測される光出力が変化する。した
がって、この観測値に基づいて移動機構６２により光軸
方向の距離Ｚを調節することで、グレーティングファイ
バ２２と半導体光増幅器１８との間で最適な光学的結合
が実現される。なお、数ミクロン程度のＺ位置制御を行
う場合であれば、上述した機械制御でなく、ペルチェ素
子１２を温度制御することで行うことも可能である。
ーティングファイバ２２の第１の端部２２ａと、半導体
光増幅器１８の第１の端面１８ａとの間の光軸方向の距
離Ｚが変化するに伴い、グレーティングファイバ２２の
第２の端部２２ｂで観測される光出力が変化する。した
がって、この観測値に基づいて移動機構６２により光軸
方向の距離Ｚを調節することで、グレーティングファイ
バ２２と半導体光増幅器１８との間で最適な光学的結合
が実現される。なお、数ミクロン程度のＺ位置制御を行
う場合であれば、上述した機械制御でなく、ペルチェ素
子１２を温度制御することで行うことも可能である。
【００３４】さて、本実施形態にかかるＦＧＬ１では、
グレーティングファイバ２２の反射スペクトルにその主
要な特徴がある。すなわち、グレーティングファイバ２
２の反射スペクトルは、図４に示すように単一のピーク
を有し、所定の反射率において、回折波長λFGより短波
長領域の幅が、長波長領域の幅より広くなっている。よ
り詳細には、最大反射率Ｒpの半値であるＲp／２の反射
率において、回折波長λFGより短波長領域の幅をΔ
λ1、長波長領域の幅をΔλ2とした場合に、Δλ1とΔ
λ2との比Δλ1／Δλ2は、１．４から６．５の間のい
ずれかの値を採っている。
グレーティングファイバ２２の反射スペクトルにその主
要な特徴がある。すなわち、グレーティングファイバ２
２の反射スペクトルは、図４に示すように単一のピーク
を有し、所定の反射率において、回折波長λFGより短波
長領域の幅が、長波長領域の幅より広くなっている。よ
り詳細には、最大反射率Ｒpの半値であるＲp／２の反射
率において、回折波長λFGより短波長領域の幅をΔ
λ1、長波長領域の幅をΔλ2とした場合に、Δλ1とΔ
λ2との比Δλ1／Δλ2は、１．４から６．５の間のい
ずれかの値を採っている。
【００３５】なお、かかる反射スペクトルを有するグレ
ーティングファイバ２２のコア部５２における屈折率分
布ｎ（ｒ）は、図５を参照して以下に示すように、 ｎ（ｒ） ＝ ｎ0 ＋ ｎav ＋ ｆ（ｒ） （ｒ1＜ｒ＜ｒ2） ｎ0 （ｒ≦ｒ1，ｒ2≦ｒ） なる式により模式的に表すことができる。ここで、ｎ0
はコア部本来の屈折率、ｎavは回折格子領域における中
心屈折率であり、ｆ（ｒ）は例えば正弦波関数で表され
る。
ーティングファイバ２２のコア部５２における屈折率分
布ｎ（ｒ）は、図５を参照して以下に示すように、 ｎ（ｒ） ＝ ｎ0 ＋ ｎav ＋ ｆ（ｒ） （ｒ1＜ｒ＜ｒ2） ｎ0 （ｒ≦ｒ1，ｒ2≦ｒ） なる式により模式的に表すことができる。ここで、ｎ0
はコア部本来の屈折率、ｎavは回折格子領域における中
心屈折率であり、ｆ（ｒ）は例えば正弦波関数で表され
る。
【００３６】そして、かかる屈折率分布ｎ（ｒ）を有す
るグレーティングフィアバ２２は、次のようにして作製
することができるすなわち、ファイバ側面に所望の位相
格子マスクを置き、このマスクにスペクトルの鋭い紫外
線（通常はエキシマレーザを用いる）を照射し、位相格
子マスクを通過した光の干渉効果を利用して回折格子の
周期に相当するビームの強弱を用いて回折格子を作製す
る。このとき、まず、ファイバに張力を与えない状態
で、回折格子を作製する領域の半分の領域にのみ位相格
子マスクを置き、紫外線を照射する。次いで、ファイバ
に引っ張り張力を与えた状態で、回折格子を作製する残
り半分の領域に、位相格子マスクを置いて紫外線を照射
する。その後、張力を解放すると、張力を与えた状態で
紫外線を照射した領域における回折格子の周期は、張力
を与えない状態で紫外線を照射した領域における回折格
子の周期よりも僅かながら短くなる。このような周期の
異なる回折格子を連続的に形成することで、非対称な反
射スペクトルを有するグレーティングファイバが作製さ
れる。
るグレーティングフィアバ２２は、次のようにして作製
することができるすなわち、ファイバ側面に所望の位相
格子マスクを置き、このマスクにスペクトルの鋭い紫外
線（通常はエキシマレーザを用いる）を照射し、位相格
子マスクを通過した光の干渉効果を利用して回折格子の
周期に相当するビームの強弱を用いて回折格子を作製す
る。このとき、まず、ファイバに張力を与えない状態
で、回折格子を作製する領域の半分の領域にのみ位相格
子マスクを置き、紫外線を照射する。次いで、ファイバ
に引っ張り張力を与えた状態で、回折格子を作製する残
り半分の領域に、位相格子マスクを置いて紫外線を照射
する。その後、張力を解放すると、張力を与えた状態で
紫外線を照射した領域における回折格子の周期は、張力
を与えない状態で紫外線を照射した領域における回折格
子の周期よりも僅かながら短くなる。このような周期の
異なる回折格子を連続的に形成することで、非対称な反
射スペクトルを有するグレーティングファイバが作製さ
れる。
【００３７】ここで、グレーティングファイバ２２の反
射スペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、次のよう
にして決定される。
射スペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、次のよう
にして決定される。
【００３８】まず、図６（ａ）に示すように、回折波長
λFGに対して対称な反射スペクトルを有するグレーティ
ングファイバを用いたＦＧＬについて、Ｚ位置変化に対
する光出力Ｐと発振波長λFGLの変化を表すグラフを得
る。そして、同グラフにおいて最小の発振波長を
λmin、最大の発振波長をλmaxとした場合に、発振波長
λFG LがλminからλFGまで変化するのに必要なＺ位置変
化量ΔＺ1と、発振波長λFGLがλFGからλmaxまで変化
するのに必要なＺ位置変化量ΔＺ2との比ΔＺ2／ΔＺ1
を求める。なお、この比ΔＺ2／ΔＺ1の値は計算により
求めることもできる。
λFGに対して対称な反射スペクトルを有するグレーティ
ングファイバを用いたＦＧＬについて、Ｚ位置変化に対
する光出力Ｐと発振波長λFGLの変化を表すグラフを得
る。そして、同グラフにおいて最小の発振波長を
λmin、最大の発振波長をλmaxとした場合に、発振波長
λFG LがλminからλFGまで変化するのに必要なＺ位置変
化量ΔＺ1と、発振波長λFGLがλFGからλmaxまで変化
するのに必要なＺ位置変化量ΔＺ2との比ΔＺ2／ΔＺ1
を求める。なお、この比ΔＺ2／ΔＺ1の値は計算により
求めることもできる。
【００３９】次に、図６（ｂ）に示すように、Ｚ位置変
化に対する光出力Ｐの非対称性を緩和するためには、Ｚ
位置変化量ΔＺ1とΔＺ2との差を小さくする必要があ
り、これを実現するために、同図に示すようにグレーテ
ィングファイバの反射スペクトル形状を変更し、最大反
射率を一定とした状態で回折波長λFGを同一波長帯域で
長波長側へシフトさせる。そのときの反射スペクトルの
短波長領域の幅Δλ1と長波長領域の幅Δλ2との比Δλ
1／Δλ2が求めるべき比となるが、比Δλ1／Δλ2とシ
フト前のＺ位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1とは近似的に等
しいものである。従って、グレーティングファイバ２２
の反射スペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、比Δ
Ｚ2／ΔＺ1によって決定される。
化に対する光出力Ｐの非対称性を緩和するためには、Ｚ
位置変化量ΔＺ1とΔＺ2との差を小さくする必要があ
り、これを実現するために、同図に示すようにグレーテ
ィングファイバの反射スペクトル形状を変更し、最大反
射率を一定とした状態で回折波長λFGを同一波長帯域で
長波長側へシフトさせる。そのときの反射スペクトルの
短波長領域の幅Δλ1と長波長領域の幅Δλ2との比Δλ
1／Δλ2が求めるべき比となるが、比Δλ1／Δλ2とシ
フト前のＺ位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1とは近似的に等
しいものである。従って、グレーティングファイバ２２
の反射スペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、比Δ
Ｚ2／ΔＺ1によって決定される。
【００４０】図７は、回折波長λFGに対して対称な反射
スペクトルを有するグレーティングファイバについて、
最大反射率Ｒpを種々に変化させた場合の、Ｚ位置変化
量の比ΔＺ2／ΔＺ1の変化を示すグラフである。図７に
よれば、例えば最大反射率Ｒ pが８０％である場合、Ｚ
位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1は２．５程度である。従っ
て、最大反射率Ｒpが８０％であるグレーティングファ
イバ２２を使用して本実施形態にかかるＦＧＬ１を構成
する場合、最大反射率Ｒpの半値である４０％の反射率
において、短波長領域の幅Δλ1と長波長領域の幅Δλ2
との比Δλ1／Δλ2が２．５程度となるような反射スペ
クトルを得ることができるように、回折格子２０を形成
すればよいことになる。
スペクトルを有するグレーティングファイバについて、
最大反射率Ｒpを種々に変化させた場合の、Ｚ位置変化
量の比ΔＺ2／ΔＺ1の変化を示すグラフである。図７に
よれば、例えば最大反射率Ｒ pが８０％である場合、Ｚ
位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1は２．５程度である。従っ
て、最大反射率Ｒpが８０％であるグレーティングファ
イバ２２を使用して本実施形態にかかるＦＧＬ１を構成
する場合、最大反射率Ｒpの半値である４０％の反射率
において、短波長領域の幅Δλ1と長波長領域の幅Δλ2
との比Δλ1／Δλ2が２．５程度となるような反射スペ
クトルを得ることができるように、回折格子２０を形成
すればよいことになる。
【００４１】なお、グレーティングファイバの最大反射
率Ｒpと、Ｚ位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1との関係は図
７に示されるが、グレーティングファイバの最大反射率
Ｒpの使用範囲は通常５〜９５％であるため、Ｚ位置変
化量の比ΔＺ2／ΔＺ1は、最大で５程度、最小で２程度
となる。従って、グレーティングファイバ２２の反射ス
ペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、 ２．０≦ Δλ1／Δλ2 ≦５．０ の間のいずれかの値をとる。
率Ｒpと、Ｚ位置変化量の比ΔＺ2／ΔＺ1との関係は図
７に示されるが、グレーティングファイバの最大反射率
Ｒpの使用範囲は通常５〜９５％であるため、Ｚ位置変
化量の比ΔＺ2／ΔＺ1は、最大で５程度、最小で２程度
となる。従って、グレーティングファイバ２２の反射ス
ペクトルを特徴付ける比Δλ1／Δλ2は、 ２．０≦ Δλ1／Δλ2 ≦５．０ の間のいずれかの値をとる。
【００４２】しかし、上記した範囲は、半導体光増幅器
内の活性層における屈折率（ｎ）のキャリア濃度（Ｎ）
依存性ｄｎ／ｄＮが、−２．８×１０-26ｍ-3で固定さ
れている場合を想定した範囲であり、発明者はｄｎ／ｄ
Ｎの±３０％程度の変動を考慮すべきと考えている。こ
れを考慮した場合は、Δλ1とΔλ2との比は、 １．４≦ Δλ1／Δλ2 ≦６．５ の間のいずれかの値をとることが好ましい。
内の活性層における屈折率（ｎ）のキャリア濃度（Ｎ）
依存性ｄｎ／ｄＮが、−２．８×１０-26ｍ-3で固定さ
れている場合を想定した範囲であり、発明者はｄｎ／ｄ
Ｎの±３０％程度の変動を考慮すべきと考えている。こ
れを考慮した場合は、Δλ1とΔλ2との比は、 １．４≦ Δλ1／Δλ2 ≦６．５ の間のいずれかの値をとることが好ましい。
【００４３】なお、この比Δλ1／Δλ2が１．４より小
さい場合は、光出力Ｐの非対称性緩和の効果が薄く、
６．５より大きい場合は光出力Ｐの非対称性緩和の効果
が大きすぎて光出力Ｐに逆に新たな非対称性が生じるも
のと考えられる。
さい場合は、光出力Ｐの非対称性緩和の効果が薄く、
６．５より大きい場合は光出力Ｐの非対称性緩和の効果
が大きすぎて光出力Ｐに逆に新たな非対称性が生じるも
のと考えられる。
【００４４】次に、上記した構成のＦＧＬ１の作用効果
について、図６（ｂ）を参照しながら説明する。
について、図６（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４５】図６（ｂ）に示すように、本実施形態にか
かるＦＧＬ１では、グレーティングファイバ２２の反射
スペクトルは、所定の反射率、すなわち最大反射率ＲP
の半値である反射率Ｒp／２おいて、回折波長λFGより
短波長領域の幅Δλ1が、長波長領域の幅Δλ2より広く
なっているため、同一波長帯域で対称な反射スペクトル
を有するグレーティングファイバと比較して、回折波長
λFGが長波長側へシフトしている。従って、発振波長λ
FGLがλminからλFGまで変化するために必要なＺ位置変
化量ΔＺ1と、発振波長λFGLがλFGからλmaxまで変化
するために必要なＺ位置変化量ΔＺ2との差が小さくな
る。その結果、Ｚ位置変化に対する光出力Ｐの非対称性
が緩和され、半導体光増幅器１８に対するグレーティン
グファイバ２２の位置合わせが容易になり、位置決め精
度が向上して半導体光増幅器１８とグレーティングファ
イバ２２との間の光学的な結合ロスを低減することがで
きる。
かるＦＧＬ１では、グレーティングファイバ２２の反射
スペクトルは、所定の反射率、すなわち最大反射率ＲP
の半値である反射率Ｒp／２おいて、回折波長λFGより
短波長領域の幅Δλ1が、長波長領域の幅Δλ2より広く
なっているため、同一波長帯域で対称な反射スペクトル
を有するグレーティングファイバと比較して、回折波長
λFGが長波長側へシフトしている。従って、発振波長λ
FGLがλminからλFGまで変化するために必要なＺ位置変
化量ΔＺ1と、発振波長λFGLがλFGからλmaxまで変化
するために必要なＺ位置変化量ΔＺ2との差が小さくな
る。その結果、Ｚ位置変化に対する光出力Ｐの非対称性
が緩和され、半導体光増幅器１８に対するグレーティン
グファイバ２２の位置合わせが容易になり、位置決め精
度が向上して半導体光増幅器１８とグレーティングファ
イバ２２との間の光学的な結合ロスを低減することがで
きる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体光増幅器に対し
てグレーティングファイバを位置合わせする際に、光軸
方向の位置変化に対する光出力の急激な変化を緩和する
ことができる。従って、半導体光増幅器に対するグレー
ティングファイバの位置合わせが容易になり、位置決め
精度が向上して半導体光増幅器とグレーティングファイ
バとの間の光学的な結合ロスを低減することができる。
てグレーティングファイバを位置合わせする際に、光軸
方向の位置変化に対する光出力の急激な変化を緩和する
ことができる。従って、半導体光増幅器に対するグレー
ティングファイバの位置合わせが容易になり、位置決め
精度が向上して半導体光増幅器とグレーティングファイ
バとの間の光学的な結合ロスを低減することができる。
【図１】図１（ａ）は、ＦＧＬを上面から見た一部断面
図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線におけ
る縦断面図である。
図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ−Ｉ線におけ
る縦断面図である。
【図２】図２は、図１に示すＦＧＬに使用された半導体
光増幅器およびグレーティングファイバのみを特に示し
た模式図である。
光増幅器およびグレーティングファイバのみを特に示し
た模式図である。
【図３】図３は、搭載部材が組立治具に固定された状態
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図４】図４は、ＦＧＬに使用されるグレーティングフ
ァイバの反射スペクトルを示すグラフである。
ァイバの反射スペクトルを示すグラフである。
【図５】図５は、ＦＧＬに使用されるグレーティングフ
ァイバに形成された回折格子の屈折率分布を示すグラフ
である。
ァイバに形成された回折格子の屈折率分布を示すグラフ
である。
【図６】図６は、ＦＧＬに使用されるグレーティングフ
ァイバのＺ位置変化に対する発振波長λFGL及び光出力
Ｐの変化を表すグラフである。
ァイバのＺ位置変化に対する発振波長λFGL及び光出力
Ｐの変化を表すグラフである。
【図７】図７は、従来の回折波長λFGに対して対称な反
射スペクトルを有するグレーティングファイバを使用し
たＦＧＬについて、最大反射率ＲPと、Ｚ位置変化量の
比ΔＺ2／ΔＺ1との関係を表すグラフである。
射スペクトルを有するグレーティングファイバを使用し
たＦＧＬについて、最大反射率ＲPと、Ｚ位置変化量の
比ΔＺ2／ΔＺ1との関係を表すグラフである。
【図８】図８は、ＦＧＬに使用されるグレーティングフ
ァイバのＺ位置変化に対する発振波長λFGLおよび光出
力Ｐの理想的な変化を示す特性図である。
ァイバのＺ位置変化に対する発振波長λFGLおよび光出
力Ｐの理想的な変化を示す特性図である。
【図９】図９は、従来の回折波長λFGに対して対称な反
射スペクトルを有するグレーティングファイバを使用し
たＦＧＬについて、Ｚ位置変化に対する発振波長λFGL
および光出力Ｐの変化を示す特性図である。
射スペクトルを有するグレーティングファイバを使用し
たＦＧＬについて、Ｚ位置変化に対する発振波長λFGL
および光出力Ｐの変化を示す特性図である。
１…ファイバグレーティング半導体レーザ、１８…半導
体光増幅器、２０…回折格子、２２…グレーティングフ
ァイバ、λFG…回折波長、ＲP…最大反射率、Δλ1…短
波長領域の幅、Δλ2…長波長領域の幅。
体光増幅器、２０…回折格子、２２…グレーティングフ
ァイバ、λFG…回折波長、ＲP…最大反射率、Δλ1…短
波長領域の幅、Δλ2…長波長領域の幅。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/14
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 光を発生し且つ増幅する半導体光増幅器
と、前記半導体光増幅器に光学的に結合されたグレーテ
ィングファイバとを備えるファイバグレーティング半導
体レーザであって、 前記グレーティングファイバの反射スペクトルは、所定
の反射率において、反射率が最大になる回折波長より短
波長領域の幅が、長波長領域の幅より広いことを特徴と
するファイバグレーティング半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記所定の反射率を最大反射率の半値と
し、この半値における前記短波長領域の幅をΔλ1、前
記長波長領域の幅をΔλ2とした場合に、Δλ 1とΔλ2
との比は、 １．４≦ Δλ1／Δλ2 ≦６．５ の間のいずれかの値をとることを特徴とする請求項１に
記載のファイバグレーティング半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36458999A JP3374913B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | ファイバグレーティング半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36458999A JP3374913B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | ファイバグレーティング半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185807A JP2001185807A (ja) | 2001-07-06 |
| JP3374913B2 true JP3374913B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=18482189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36458999A Expired - Fee Related JP3374913B2 (ja) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | ファイバグレーティング半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374913B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944203B2 (en) | 2002-05-08 | 2005-09-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multimode light generating module, semiconductor laser apparatus, and optical fiber amplifier |
| WO2015190569A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
-
1999
- 1999-12-22 JP JP36458999A patent/JP3374913B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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