CN100428402C - 从箔片分离半导体芯片的方法和用于安装半导体芯片的设备 - Google Patents

Abstract

在芯片推顶器(6)的支撑下从箔片(4)分离半导体芯片(1)并且从箔片(4)拾取半导体芯片(1)，该芯片推顶器(6)具有斜面(16)和具有紧邻脱模边缘(18)设置的沟槽(12)的支撑区(13)，斜面(16)表面(17)形成为凹面，并且终止于从芯片推顶器(6)的表面(9)突出的脱模边缘(18)。可以给沟槽(12)抽真空。半导体芯片(1)与箔片(4)的分离和拾取发生于：晶片平台(5)相对于芯片推顶器(6)移动，以便在从芯片推顶器(6)的表面(9)伸出的脱模边缘(18)拉箔片(4)，从而半导体芯片(1)自身临时至少部分与箔片(4)分离，并且着陆于支撑区(13)之上的箔片(4)上，并且芯片抓手(7)拾取位于支撑区(13)上的半导体芯片(1)。

Description

从箔片分离半导体芯片的方法和用于安装半导体芯片的设备

技术领域

本发明涉及用于从箔片分离半导体芯片的方法和用于安装半导体芯片的设备，该装置适合于执行该方法。

背景技术

通常，半导体芯片是在行内公知为胶带(tape)的框(frame)中保持的箔片上提供的，用于使用这样一种安装设备来进行处理。半导体芯片粘附于箔片。具有箔片的框由可移动晶片平台容纳。晶片平台循环移动，以致在第一位置A一个接一个地提供半导体芯片，接着由芯片抓手拾取所提供的半导体芯片，并且放在衬底上的第二位置B。从箔片除去所提供的半导体芯片是由设置在箔片下面的芯片推顶器(行内人公知为管芯推顶器)所支持的。这样，通常设置在芯片推顶器中的至少一个顶针支持半导体芯片从箔片的分离。

根据专利US4921564，一种方法已经公知，利用该方法，可以从箔片分离半导体芯片，并且无需顶针的协助而由芯片抓手拾取该半导体芯片。利用该方法，将具有半导体芯片的箔片放置到可加热板上。在面向箔片的一侧上，该板具有空腔，可以给该空腔抽真空。当安装时，一方面，给空腔抽真空，使得箔片被拉入空腔中，并且部分从半导体芯片分离。另一方面，为了额外减小半导体芯片与箔片的粘接，将箔片加热到50度至65度的温度。该方法能够处理大量的半导体芯片，然而，在相当大但是非常薄的半导体芯片情况下，经常发生在抽真空和除去箔片时，半导体芯片升起并且接着落回到箔片上，从而还会发生相邻的半导体芯片叠加。

要分离的半导体芯片的厚度在持续降低。今天，在许多情况下厚度总计仅100微米，并且还具有进一步将厚度减小到75至50微米的趋势。此外，在晶片的背面上具有粘接层。因此增加了半导体芯片在晶片上的粘接。上述在顶针的辅助下分离半导体芯片的技术达到了其极限。根据US4921564的在真空情况下对箔片分离也不再奏效：箔片不再能够加热到所需要的50度至65度的温度，因为在这些温度下粘接层已经硬化，使得半导体芯片更好地粘接于箔片。

专利US6561743公开了用于从箔片分离半导体芯片的另外的方法。利用该方法，在边缘拉具有待分离半导体芯片的箔片，从而半导体芯片和箔片在边缘上被彼此分离。在半导体芯片自身完全从箔片分离之前，该箔片的分离就被停止。为了控制半导体芯片与箔片的分离，首先将芯片抓手下降到半导体芯片上，并且给半导体芯片施加真空。然后在边缘拉箔片，直到半导体芯片自身从箔片完全分离。专利申请US2002/0129899也公开了类似的方法。这些方法的缺点在于，由于分离所需的边缘高度必须在1.5毫米左右，因此会毁坏相邻的半导体芯片。

本发明的目的是开发一种从箔片分离半导体芯片的强有利的方法，使用该方法不会毁坏相邻的半导体芯片。

发明内容

根据本发明用于安装粘附于箔片的半导体芯片的设备包括：容纳具有半导体芯片的箔片的晶片平台和芯片推顶器，在面向箔片的表面上，该芯片推顶器具有与待分离的半导体芯片的宽度对应并且具有脱模边缘的斜面，在脱模边缘上，半导体芯片与箔片分离。将斜面的表面形成凹面，并在脱模边缘，达到仅大约0.3毫米的最大高度。优选的是，该表面是具有恒定曲率的柱面。利用该斜面的凹陷形状，在斜面的脱模边缘增加半导体芯片的底面与箔片之间的角度，因此降低从半导体芯片分离箔片所需的力。因此，可以将脱模边缘的高度减小到仅0.3至0.4毫米的特定高度。紧邻脱模边缘的是具有沟槽的支撑区。这些沟槽分别平行于分离方向或者垂直于脱模边缘延伸，并给它们抽真空。晶片平台可以在两个垂直方向移动。

半导体芯片与箔片的分离和利用芯片抓手的拾取按如下方式进行：开始，依序进行三个步骤，以便相对于斜面对准待分离的半导体芯片：

1.沿第一方向移动晶片平台，直到待分离的第一半导体芯片的前边缘平行并且沿着斜面的脱模边缘延伸。

2.沿第二方向移动晶片平台，直到待分离的第一半导体芯片相对于斜面的横向边缘位于中央，和

3.给支撑区的沟槽抽真空，使得箔片被拉抵支撑区。

在下一个步骤中，第一半导体芯片与箔片分离并且位于由芯片抓手拾取的位置。

4.沿第一方向将晶片平台移动预定的距离，该距离一般为大约一至两毫米，比待分离的半导体芯片的长度长。

利用该步骤，在斜面的脱模边缘拉箔片。半导体芯片随着它移动。这样，箔片自己从半导体芯片的下面分离。与箔片分离的半导体芯片部分以角度悬在空气中，就像仅在一边支撑的板。当半导体芯片的后端到达斜面的脱模边缘时，则半导体芯片落回到箔片上。然而，现在半导体芯片位于支撑区上，在此箔片被拉到支撑区的沟槽中。因此极大地减小了半导体芯片与箔片的粘接。

由于向前馈送的长度大约为一至两毫米，比所分离的半导体芯片的长度长，因此，待分离的第二半导体芯片已经伸出于斜面的脱模边缘。

首先分离的半导体芯片现在位于支撑区上，以便通过芯片抓手拾取。现在借助于照相机测量该半导体芯片的位置和方向。如果测量的实际位置相对于设定位置的偏离超过预定的容许限度，则移动晶片平台，直到半导体芯片的实际位置相对于设定位置的偏离在预定的容许限度内。该步骤与实际的从箔片分离的工艺无关。该装置现在准备好以便芯片抓手可以从箔片拾取第一半导体芯片并且将其放置到衬底上。在下一个步骤中，进行通过芯片抓手拾取半导体芯片，例如进行如下：

5.将芯片抓手下降到位于支撑区上的半导体芯片上，抽真空，并且给芯片抓手施加预定的拾取力，并升高芯片抓手。

由于半导体芯片之间的距离非常小，因此在某些情况下，在步骤5之前降低斜面可能是需要的或者很有意义的，以便芯片抓手能够拾取该半导体芯片，而不会使芯片抓手接触到下一个半导体芯片。

当芯片抓手拾取了半导体芯片时，下一个半导体芯片可以从箔片分离，并且被提供到支撑区上，以便通过芯片抓手拾取。因此晶片平台沿第一方向移动，移动长度是该半导体芯片的长度和切割轨迹的平均宽度。

一行一行地处理箔片上的半导体芯片，从而根据步骤1和2，每行的第一半导体芯片总是相对于斜面对准。

因此从箔片拾取薄半导体芯片的方法的特征在于，从箔片分离半导体芯片和由芯片抓手拾取半导体芯片发生在两个彼此独立、连续的步骤中。分离之后，半导体芯片再次着陆于箔片上。然而，由于箔片的很大的部分被拉到支撑区中的沟槽中，因此显著减小了箔片和半导体芯片之间的接触面积。相应地，也减小了半导体芯片与箔片的粘接。可以通过芯片抓手容易地拾取半导体芯片。

优选的是，可以给具有脱模边缘的斜面施加超声，使得可以由超声支持分离工艺。此外，当脱模边缘的高度可调节时是有利的，以便可以在从箔片完全分离半导体芯片之前立即降低高度。

本发明提供了几个优点：

-由于在一般0.3毫米、至多0.4毫米的情况下、斜面的脱模边缘处的高度差非常小，因此即使相邻半导体芯片的边缘也在斜面上移动，也不会毁坏这些相邻的半导体芯片。

-由于芯片抓手不必支持箔片与半导体芯片的分离，因此粘接循环所需的时间独立于分离工艺。

-由于具有沟槽的支撑区不妨碍相邻的半导体芯片，因此可以形成具有宽区域的支撑区，使得同样一块区域可以同样地用于小的和大的半导体芯片。

-理想地，斜面的宽度对应于半导体芯片的宽度。因此优选将斜面形成为可更换的插入物，该插入物被插入到可以被抽取真空的芯片推顶器中的空腔中。

在步骤4，移动晶片平台，因此使之相对于芯片推顶器移动。可以选择的是，也可以移动芯片推顶器，因为这仅是晶片平台和芯片推顶器之间的相对移动问题。

所述方法很好地适用于大量的箔片类型和晶片的粘接涂层。然而，现在有些粘接剂在将晶片切割为半导体芯片时由于切割产生的热而局部变为液态。这样导致在半导体芯片边缘区域中的粘接剂与箔片结合，和/或相邻的半导体芯片借助于粘接剂依然彼此连接(即，半导体芯片之间的粘接层的分离不完全)。另一方面，存在非常有弹性的箔片。当通过支撑区上的真空保持该箔片时，那么，在移动晶片平台时，箔片在斜面上没有被拉，而是变得扭曲。为了解决这些问题，本发明提出了现在阐述的具体措施。

为了支持半导体芯片与箔片的分离，一个措施是为芯片推顶器配备具有可以升高和降低的顶针。例如顶针是以顶针块的方式配置的。优选顶针形成有圆头，使得它们不会穿透箔片。上述步骤5由下列步骤5A代替。

5A.将芯片抓手下降到半导体芯片上或者半导体芯片上方的小距离处，所述半导体芯片位于支撑区，升高具有顶针的顶针块，直到顶针将箔片压抵于半导体芯片，接着同时升高顶针块和芯片抓手。

这样，随着通过真空将箔片拉入到支撑区中的沟槽中，箔片与半导体芯片底面的分离逐渐增大，直到除了顶针头和半导体芯片之间的箔片之外，箔片与半导体芯片分离。

同样，可以如现有技术那样进行步骤5A。优选的是，根据在中国专利申请CN1505122A中描述的方法，该文献在此被引入以供明确参考。

还存在一些应用，对于这些应用有利的是不是将半导体芯片的整个底面与箔片分离而是例如仅分离底面的90％。这样做，一旦箔片分离了90％就降低斜面。在降低斜面的情况下进一步移动晶片平台，直到下一个半导体芯片的前边缘到达斜面的脱模边缘。现在再次升高斜面，并且进一步移动晶片平台，直到待分离的半导体芯片到达其在支撑区之上的设定位置。这样，箔片正确地与下一个半导体芯片分离。在顶针的辅助下从支撑区拾取半导体芯片。

为了避免箔片的扭曲，一个措施是以很少的步骤来分离箔片，而不对支撑区抽真空。这样做，中止了支撑区上反复地抽真空，将晶片平台移动半导体芯片长度的一部分，接着给支撑区抽真空。以这种方式，将箔片与半导体芯片的新的向前馈送长度一片接一片地分离。

附图说明

被并入到本说明书中并且构成本说明书一部分的附图图示出了本发明的一个或多个实施例，并且与详细说明一起用于解释本发明的原理和实施方式。附图中的图案不是按比例绘制的。

在图中：

图1说明了根据本发明用于安装半导体芯片的装置，该装置具有芯片推顶器，

图2示出了芯片推顶器的平面图，

图3示出了沿着图2的线I-I的芯片推顶器的截面，

图4-9示出了根据第一方法、在对半导体芯片与箔片进行分离以及借助于芯片抓手拾取所分离的半导体芯片的工艺期间的连续瞬态图(snapshots)，

图10说明了芯片推顶器的进一步的例子，

图11示出了具有顶针块的芯片推顶器，

图12、13示出了在顶针支持下拾取半导体芯片，和

图14-17示出了根据进一步的方法在半导体芯片分离期间的瞬态图。

具体实施方式

图1示出了用于将半导体芯片1、1’、1”安装到衬底2上的装置的简化示意图。以行和列设置的半导体芯片1、1’、1”附着于例如保持在框3中的箔片4上。该装置具有容纳框3并且在第一位置A一个接一个地提供半导体芯片1的可移动晶片平台5。在第一位置A，根据本发明的芯片推顶器6被设置在箔片4的下面，在该例子中该芯片推顶器6是不具有顶针的推顶器。当移去半导体芯片1时，芯片推顶器6起到支持其从箔片4分离的作用。晶片平台5可以沿x和y两个垂直方向移动。设置箔片4，使得半导体芯片1、1’、1”的边缘几乎平行于方向x和y。该装置还具有芯片抓手7，用于将在第一位置A提供的半导体芯片1传送到衬底2上的第二位置B。芯片抓手7是可升高和降低的粘接头8的元件部分。粘接头8和芯片抓手7一起在位置A和位置B(或者几个位置B₁、B₂等)之间前后移动。

图2示出了芯片推顶器6的平面图，即面向箔片4的芯片推顶器6的表面9(图1)的平面图。图3示出了沿着图2的线I-I的芯片推顶器6的截面。芯片推顶器6的表面9包含凹陷10和支撑区13，在凹陷10中打开可以施加真空的钻孔，支撑区具有平行设置的沟槽12。沟槽12沿x方向延伸，沟槽12的尖部14与芯片推顶器6的表面9齐平。一方面，沟槽12之间的距离足够大，以便当给沟槽12抽真空时，箔片4被拉到沟槽12中，另一方面，沟槽12之间的距离足够小，以便当箔片4预先没有与半导体芯片分离时，不会由于箔片4没有被拉到沟槽12中而毁坏至少部分位于支撑区13上的相邻半导体芯片。插入物15被插入并与凹陷10精密配合，该插入物15包含具有凹面17的斜面16。在斜面16的一侧形成突出的脱模边缘18，在其上，箔片4与半导体芯片1分离。斜面16的相对侧19与芯片推顶器6的表面9齐平。优选凹面17是柱面，其纵轴平行于脱模边缘18延伸，并且例如具有8毫米的半径。斜面16的宽度B大体上对应于待分离的半导体芯片的宽度。脱模边缘18和支撑区13之间的高度差ΔH共计大约0.3毫米。重要的是脱模边缘18形成突然的转变，半导体芯片在沿x方向向前馈送晶片平台5时对此不能适应。脱模边缘18平行于y方向延伸。位置A(图1)位于支撑区13上，优选在其中央。

斜面16的表面17形成为凹面具有下列效果，即，可以将在脱模边缘18的凹面上适用的切线21和垂直线22围起的角α明确地选择为小于90°。角α越尖锐，箔片4自身越好地从半导体芯片1分离。

根据上述步骤，产生了半导体芯片1与箔片4的分离。图4-9示出了在分离工艺和随后的拾取工艺过程中的连续瞬态图。图4-9仅示出了理解本发明所需的部分，即斜面16和支撑区13、以及箔片4和依次待分离的晶片的相同行的半导体芯片1、1’、1”。

根据步骤1至3，定位晶片平台，使得待分离的晶片的一行中的第一半导体芯片1的前边缘平行并且沿着斜面16的脱模边缘18延伸，并且使得待分离的该行的第一半导体芯片1相对于斜面16的纵向边缘20(图2)位于中央。此外，给支撑区13的沟槽12抽真空，使得该区域中的箔片4被拉到沟槽12中。该状态示于图4。现在将晶片平台5在x方向上向前馈送预定的距离ΔL。这样，箔片4在斜面16的脱模边缘18之上被拉动。半导体芯片1与其一起移动。图5至8示出了在这一向前馈送过程中的连续瞬态图。由于表征脱模边缘18的几何形状的锐角α，因此半导体芯片1自身与箔片4分离，并且分离部分以一角度立在空气中(图5，6)。一旦半导体芯片1的后部到达脱模边缘18(图7)，在重力作用下，半导体芯片1以其后部边缘为轴并且落到支撑区13上的箔片4上。

由于向前送料的长度比分离的半导体芯片1的长度长大约一到两毫米，因此待分离的下一个半导体芯片1’已经凸出到斜面16的脱模边缘18之外。此状态示于图8。

首先分离的半导体芯片1现在位于支撑区13上的箔片4上，准备由芯片抓手7拾取。现在借助于照相机测量此半导体芯片1的位置和方向。如果测量的实际位置相对于设定位置的偏离超过预定的容许限度，则移动晶片平台5，直到半导体芯片1的实际位置相对于设定位置的偏离在预定的容许限度内。该步骤与从箔片实际分离的工艺无关。该装置现在准备好以便芯片7可以从箔片4拾取第一半导体芯片1并且将其放置到衬底2(图1)上。图9示出了刚由芯片抓手7拾取半导体芯片1之后的状态。

设计所描述的实施例，使得半导体芯片1位于由芯片抓手7拾取的固定位置A。然而，还可以设计该安装装置，使得半导体芯片位于不同的位置A₁、A₂等，并且通过芯片抓手7拾取。在这种情况下，还可以是不移动晶片平台5，而是通过适当的装置仅移动芯片推顶器6或者移动晶片平台5和芯片推顶器6两者，以便在斜面16的脱模边缘18分离箔片4，这是因为对于分离箔片4来讲，其仅是晶片平台5和斜面16的脱模边缘18之间的相对移动。

图10示出了芯片推顶器6的进一步实施例，在该实施例中，借助于通过驱动器23可以上下移动的活塞24，可以调节脱模边缘18和支撑区13之间的高度差ΔH。活塞24设置得接近脱模边缘18，使得当升高活塞24时，斜面16在与脱模边缘18对角线相对的边缘25上旋转，以致斜面16的与脱模边缘18相对的边缘26保持与芯片推顶器6的表面9齐平。该设计能够使高度差ΔH最佳地适应于箔片的特性。此外，该设计能够细化分离工艺，因为在步骤4，开始处的高度差ΔH具有预定的值ΔH₁，直到出现图6表示的状态。现在降低活塞24，使得高度差ΔH具有更小的值ΔH₂。至少保持高度差ΔH₂，直到出现图7所示的状态，在该状态时，在重力的作用下，半导体芯片1以其后部边缘为轴，从而完全与箔片4分离，并且在重力的作用下，落到支撑区13上。然后，再次升高活塞24，使得高度差ΔH再次具有值ΔH₁。值ΔH₂还可以是零。

此外，插入物15优选的是直接耦连到超声换能器27，或者像此处的情况这样，可以通过活塞24耦连到超声换能器27，使得可以通过超声支持该分离工艺。还可以是用于给整个芯片推顶器6施加超声的结构。

图11示出了具有顶针块28的芯片推顶器6的实施例的分解图。沟槽12之间的尖端14包含孔29，通过孔29，顶针块28的各个顶针30伸出。沟槽12还可以包含能够用于抽真空的孔31。在组装条件下，可以升高和降低顶针块28和斜面16。

图12和13示出了使用顶针30(没有示出细节)的原理。半导体芯片1位于芯片推顶器6的支撑区13上的箔片4上。芯片抓手7已准备好拾取半导体芯片1。沿z方向升高顶针块28，使得顶针30局部地升高箔片4而不穿透它。该状态示于图12。一旦达到所需的拾取力，芯片抓手7和顶针块28进一步一起升高。这样，随着真空将箔片4在顶针30之间向下拉到沟槽12中，箔片4就很大程度上与半导体芯片1的下面分离。最后，停止顶针块28的移动。该状态示于图13。如果芯片抓手7进一步升高，则半导体芯片1最后与箔片4分离。在该例子中，顶针30的尖端不是很尖而是圆滑的，这样不会穿透箔片4。

同样，可以如现有技术中常见的那样来使用顶针块28。优选的是，应用在中国专利申请CN1505122A中描述的方法。

可以修改图4至8说明的用于从半导体芯片1的下面100％地除去箔片4的方法，以便以更小百分比来从半导体芯片1的下面除去箔片4，例如80％或者90％。图6示出了在半导体芯片1的大约80％长度上除去箔片4的状态。在进行完步骤1至3之后，在步骤4A，没有完全除去箔片4，在步骤4B，降低斜面16，在步骤4C，进一步移动晶片平台5，直到半导体芯片1达到支撑区13上的设定位置：

4A.在第一方向将晶片平台5移动预定的距离，该距离小于待分离的半导体芯片1的长度。

4B.降低斜面16，使得脱模边缘18不再伸出于支撑区13之外。(该状态示于图14)。

4C.在第一方向移动晶片平台5，直到下一个半导体芯片1’到达斜面16的脱模边缘18(该状态示于图15)。

4D.升高斜面16。

4E.在第一方向移动晶片平台5，直到半导体芯片1到达支撑区13之上的设定位置(该状态示于图8)。

此后，在顶针30的支撑下通过芯片抓手7拾取半导体芯片1。

利用目前描述的例子，在支撑区13给沟槽12抽真空，同时移动晶片平台5，以便除去箔片4。该方法适用于在支撑区13上滑动的箔片。然而，还存在不在支撑区13上滑动而是扭曲的箔片。对于这种箔片，省略步骤3，并且将步骤4修改如下：

4AA.在第一方向将晶片平台5移动预定的短距离。

由于不给支撑区13抽真空，因此箔片4没有被拉到支撑区13的沟槽12中，因此也没有从半导体芯片1的下面除去箔片4。图16示出了第一次实施步骤4AA之后的状态。

4BB.给支撑区13抽真空。

一旦给支撑区13抽真空，箔片4就被拉到支撑区13的沟槽12中，因此从伸出于脱模边缘18的半导体芯片1的下面除去了箔片4。图17示出了第一次实施步骤4BB之后的状态。

4CC.释放支撑区13的真空。

4DD.重复步骤4AA至4CC，直到从半导体芯片1完全除去箔片4或者除去到希望的程度。

4EE.释放支撑区13的真空，并在第一方向移动晶片平台5，直到下一个半导体芯片1’伸出于斜面16的脱模边缘18预定的短距离，并且如果需要，重复步骤4AA至4CC，直到半导体芯片1到达支撑区13上面的设定位置。

虽然示出和描述了本发明的实施例和应用，但是对于享有本公开利益的本领域技术人员来说很显然的是，在不脱离发明概念的情况下，除了上述之外的许多修改都是可以的。因此，除了在附加的权利要求及其等效物的精神之外，否则本发明不受到限制。

Claims (16)

1.一种用于从箔片(4)分离半导体芯片(1)并且利用芯片抓手(7)从箔片(4)拾取半导体芯片(1)的方法，其中箔片(4)固定在晶片平台(5)上，并且箔片(4)的一部分位于芯片推顶器(6)的表面(9)上，其中芯片推顶器(6)包括具有沟槽(12)的支撑区(13)和具有脱模边缘(18)的斜面(16)，所述脱模边缘(18)伸出于推顶器(6)的表面(9)上方，其中与脱模边缘(18)相邻的斜面(16)的表面(17)是凹陷的，该方法包括以下步骤：

给支撑区(13)的沟槽(12)抽真空，

在垂直于斜面(16)的脱模边缘(18)的方向上相对于芯片推顶器(6)移动晶片平台(5)，以便在斜面(16)的脱模边缘(18)上拉箔片(4)，从而半导体芯片(1)自身临时地至少部分与箔片(4)分离，并且着陆于支撑区(13)之上的箔片(4)上，和

从箔片(4)拾取位于支撑区(13)上的半导体芯片(1)。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在箔片(4)与半导体芯片(1)完全分离之前，相对于芯片推顶器(6)的表面(9)降低脱模边缘(18)的高度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括

给斜面(16)施加超声，用于支持从半导体芯片(1)分离箔片(4)。

4.一种用于从箔片(4)分离半导体芯片(1)并且利用芯片抓手(7)从箔片(4)拾取半导体芯片(1)的方法，其中箔片(4)固定在晶片平台(5)上，并且箔片(4)的一部分位于芯片推顶器(6)的表面(9)上，其中芯片推顶器(6)包括具有沟槽(12)的支撑区(13)和具有脱模边缘(18)的斜面(16)，所述脱模边缘(18)伸出于推顶器(6)的表面(9)上方，其中与脱模边缘(18)相邻的斜面(16)的表面(17)是凹陷的，该方法重复地包括以下步骤：

在垂直于斜面(16)的脱模边缘(18)的方向上相对于芯片推顶器(6)移动晶片平台(5)，移动距离为半导体芯片(1)的长度的一部分，以便在斜面(16)的脱模边缘(18)之上拉箔片(4)，同时没有给支撑区(13)的沟槽(12)抽真空，

停止晶片平台(5)和芯片推顶器(6)之间的相对移动，

给支撑区(13)的沟槽(12)抽真空，并最终

从箔片(4)拾取位于支撑区(13)上的半导体芯片(1)。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括

给斜面(16)施加超声，用于支持从半导体芯片(1)分离箔片(4)。

6.一种用于在衬底上安装半导体芯片的装置，该装置包括：

用于容纳具有半导体芯片的箔片(4)的晶片平台(5)，

具有表面(9)的芯片推顶器，该表面(9)具有带有沟槽(12)的支撑区(13)和斜面(16)，斜面(16)的表面(17)被形成为凹陷，并且终止于从芯片推顶器(6)的表面(9)突出的脱模边缘(18)处，

晶片平台(5)可相对于芯片推顶器(6)移动，和

用于从箔片(4)拾取位于支撑区(13)上的半导体芯片(1)并且将半导体芯片(1)放到衬底上的芯片抓手。

7.根据权利要求6所述的装置，其中脱模边缘(18)从芯片推顶器(6)的表面(9)伸出，伸出最大距离为0.4毫米。

8.根据权利要求6所述的装置，其中沟槽(12)垂直于脱模边缘(18)延伸。

9.根据权利要求7所述的装置，其中沟槽(12)垂直于脱模边缘(18)延伸。

10根据权利要求6所述的装置，其中斜面(16)的凹陷表面(17)是柱面，其纵轴平行于脱模边缘(18)延伸。

11.根据权利要求7所述的装置，其中

其中斜面(16)的凹面(17)是柱面，其纵轴平行于脱模边缘(18)延伸。

12.根据权利要求8所述的装置，其中斜面(16)的凹面(17)是柱面，其纵轴平行于脱模边缘(18)延伸。

13.根据权利要求6所述的装置，进一步包括用于调节脱模边缘(18)的高度的装置。

14.根据权利要求7所述的装置，进一步包括用于调节脱模边缘(18)的高度的装置。

15.根据权利要求8所述的装置，进一步包括用于调节脱模边缘(18)的高度的装置。

16.根据权利要求6至15中任一项所述的装置，进一步包括用于给斜面(16)施加超声的超声换能器(27)。

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