CN100426510C - 沟道注入式可一次编程器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种沟道注入式可一次编程器件，在电容型晶体管侧采用连续沟道注入、多个OTP单元公用一个接触孔。本发明既能保证电容型晶体管的耦合效率，又能缩小电容侧面积进而缩小OTP器件尺寸，提高集成度，降低制造成本。本发明可用于半导体集成电路及分离元器件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种沟道注入式可一次编程器件。
背景技术
在单层多晶硅可一次编程器件(Single-Poly OTP Device)设计中，如何达到既提高电容型晶体管的耦合效率，又尽可能缩小电容侧面积，达到要求的编程效果，是涉及所开发出的OTP(one time programmable可一次编程)器件能否达到最优的关键。
现有技术中，单层多晶硅可一次编程器件均采用在电容型晶体管侧采用N+/N阱，P+/P阱或在Poly(多晶硅)下做一层阻挡层的形式来实现。也有利用沟道注入来提高电容型晶体管耦合效率的做法。《A Single PolyEEPROM Cell Structure for Use in Standard CMOS Processes》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.24，NO.4，AUGUST 1989)、《Cell and Circuit Design for Single-Poly EPROM》(IEEEJOURNAL OFSOLID-STATECIRCUITS，VOL.29，NO.3，March，1994)等文献介绍了这种结构形式的单层多晶硅可一次编程器件。
但是，在以上所述的利用沟道注入的OTP器件设计中，由于在每个OTP单元中都有接触孔从而导致器件尺寸偏大，在实际上影响到OTP器件的尺寸缩小、不利于提高集成度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种沟道注入式可一次编程器件，它既能保证电容型晶体管的耦合效率，又能缩小电容侧面积进而缩小OTP器件尺寸，提高集成度，降低制造成本。
为解决上述技术问题，本发明的沟道注入式可一次编程器件采用的技术方案是，在电容型晶体管侧采用连续沟道注入、多个OTP单元公用一个接触孔。
本发明的沟道注入式可一次编程器件，在不改变现有沟道注入OTP器件制造工艺及其他器件特性的情况下，可以实现既保证了电容型晶体管的耦合效率，又能缩小电容侧面积进而缩小OTP器件尺寸，达到提高集成度，降低制造成本的目的。
本发明与现有的普通沟道注入式OTP器件相比可以大大提高集成密度；同时提高电容侧的结击穿电压(可用于提高编程电压)，并且在CMOS(complementary metai-oxide-semic-onductor互补金属氧化物半导体)集成工艺中非常容易实现。
附图说明
图1是现有的沟道注入式OTP器件结构图；
图2是本发明的OTP器件沟道注入结构图。
具体实施方式
如图1所示，现有的沟道注入式OTP器件，在每个电容型晶体管侧分别单独加入沟道注入2。这样设置沟道注入使得在每个OTP单元中都必须单独设置一个接触孔3，从而导致器件尺寸偏大，不利于提高器件集成度。
本发明所述的OTP器件沟道注入结构，如图2所示。它在电容型晶体管侧，对多个电容型晶体管采用连续沟道注入4，在电容型晶体管侧采用多个OTP单元公用一个接触孔3的结构。
图1、2中的标号1表示Poly(多晶硅)。
本发明的连续注入式OTP结构不仅通过减少接触孔而大大缩小版图面积，同时为OTP的电容型晶体管侧阻挡层的制作方法提供了一种新思路。在普通逻辑工艺中，在不改变其他逻辑工艺的情况下，通过追加一次光刻和注入即可达到生产内藏高密度OTP的目的。
Claims (1)
1.一种沟道注入式可一次编程器件，其特征在于：在电容型晶体管侧，对多个电容型晶体管采用连续沟道注入，由电容型晶体管构成的多个OTP单元公用一个接触孔。
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| US6056783A (en) * | 1995-03-21 | 2000-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for designing cell array layout of non-volatile memory device |
| CN1405779A (zh) * | 2001-08-09 | 2003-03-26 | 惠普公司 | 用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器 |
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- 2004-07-29 CN CNB2004100532921A patent/CN100426510C/zh not_active Expired - Lifetime
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