CN100373502C - 低阶格式化的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种低阶格式化的方法，尤指使用闪存所制成的储存装置于出厂前所执行的低阶格式化的效能改善方法，而该闪存为具有复数个实体区段，且各实体区段为具有复数个分页(page)，而当此闪存制成储存装置后并执行低阶格式化时，在闪存中每一个实体区段的第一个与最后一个分页(Page)写入相对应的逻辑区段地址，以加快闪存所制成的储存装置于出厂前所执行的低阶格式化所需的时间，让厂商可以相同的设备而得到更大的产能，使生产成本降低，进而减少消费者的消费成本。

Description

低阶格式化的方法
技术领域
本发明涉及一种低阶格式化的方法，尤指使用闪存所制成的储存装置于出厂前所执行的低阶格式化的效能改善方法。
背景技术
闪存，自问世以来以低耗能、非易失性、耐震、高储存密度等迷人的特性，在许多可移植性装置中，渐渐取代可擦除可编程只读存储器(EE PROM)或电池供电的存储器，更由于目前半导体技术日益精进，闪存的储存密度与传输速度更是有突飞猛进的成长，因此闪存在许多应用方面，更可以取代硬式磁盘驱动器等传统储存媒体。
当闪存制成储存装置后，需要执行一低阶格式化，使闪存内的每一个实体区段地址(Physical Block Address)写入相对应的逻辑区段地址(Logical Block Address)，而让储存装置能够建立正确的逻辑区段地址与实体区段地址的转换对应表，请参阅图1、2、3所示，为现有技术用的闪存的方块示意图、执行低阶格式化的方块示意图(一)及执行低阶格式化的方块示意图(二)，由图中可清楚看出，现有技术用的闪存A所制成的储存装置于出厂前，为先执行一低阶格式化，将逻辑区段地址写入其应对的实体区段A1中每一个分页A11(Page)内，使储存装置完成低阶格式化，让出厂后的储存装置能够建立正确的逻辑区段地址与实体区段地址的转换对应表，而让消费者使用。
然而，因为科技的进步使得闪存的容量不断的增大，相对的使执行低阶格式化时所需处理的区段与分页也随之增加，进而使执行低阶格式化所需的时间加长，而在厂商未增加其生产设备的情况下，则会因低阶格式化的时间增长而降低产能，进而使生产成本上升而转嫁至消费者，让消费者无法以优惠的价格换取高品质的商品。
由此，要如何改善闪存低阶格式化的执行效能，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
故，本发明有鉴于上述的问题与缺陷，乃搜集相关资料，经由多方评估及考量，并以从事于此行业累积的多年经验，经由不断试作及修改，始设计出此种低阶格式化的方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种改善闪存于低阶格式化的效能，以加快闪存所制成的储存装置于出厂前所执行的低阶格式化所需的时间，让厂商可以相同的设备而得到更大的产能，使生产成本降低，进而减少消费者的消费成本。
该技术特征在于将闪存内的将逻辑区段地址写入实体区段的第一个及最后一个分页(Page)，而让储存装置能够建立正确的逻辑区段地址与实体区段地址的转换对应表，以加快闪存所制成的储存装置于出厂前所执行的低阶格式化所需的时间，让厂商可以相同的设备而得到更大的产能，使生产成本降低，进而减少消费者的消费成本。
附图说明
图1为现有技术的闪存的方块示意图。
图2为现有技术执行低阶格式化的方块示意图(一)。
图3为现有技术执行低阶格式化的方块示意图(二)。
图4为本发明闪存于执行低阶格式化前的示意图。
图5为本发明闪存于执行低阶格式化时的示意图。
图6为本发明闪存于执行低阶格式化后的示意图。
图中符号说明
1    闪存
11   实体区段
111  分页(Page)
A    闪存
A1   实体区段
A11  分页(Page)
具体实施方式
为达成上述目的及功效，本发明所采用的技术手段及其构造，兹结合附图与本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能。
请参阅图4、5、6所示，为本发明闪存于执行低阶格式化前的示意图、执行低阶格式化时的示意图及执行低阶格式化后的示意图，由图中可清楚看出，该闪存1具有复数个实体区段11，且各实体区段11为具有复数个分页111(Page)，而当此闪存1制成储存装置后并执行低阶格式化时，为在闪存1中每一个实体区段11的第一个与最后一个分页111(Page)写入相对应的逻辑区段地址，进而完成低阶格式化。
当完成低阶格式化后，闪存1中的每一个实体区段11中的第一个与最后一个分页111(Page)都记录了相对于实体区段11的逻辑区段地址，如此，当管理者欲建立实体区段11和逻辑区段的地址对应表时，只需读取所有的实体区段11的第一个与最后一个分页111(Page)，即可建立对应表。
再者，本发明所使用的储存装置可为随身碟、记忆卡或闪存所制成的储存装置所构成。
综上所述，本发明低阶格式化的方法，其技术关键在于将闪存1所制成的储存装置于出厂前，先执行一低阶格式化，在闪存1内将逻辑区段地址写入实体区段11的第一个以及最后一个分页111(Page)，而让储存装置能够建立正确的逻辑区段地址与实体区段地址的转换对应表，以减少低阶格式化所需的时间，让厂商可以相同的设备而得到更大的产能，使生产成本降低，进而减少消费者的消费成本。
上述详细说明为针对本发明一种较佳的可行实施例说明而已，该实施例并非用以限定本发明的申请专利范围，凡其它未脱离本发明所揭示的技艺精神下所完成的均等变化与修饰变更，均应包含于本发明所涵盖的专利范围中。
以上所述，本发明低阶格式化的方法于使用时具有显著的功效增进，诚符合新颖性、发明性及进步性的专利要件，依法提出申请

Claims (2)

1.一种低阶格式化的方法，其适用于具有闪存的储存装置，该闪存具有复数个实体区段，且各实体区段为具有复数个分页，其特征在于，
在该闪存的每一个实体区段的第一个与最后一个分页上写入相对应的逻辑区段地址。
2.如权利要求1所述的低阶格式化的方法，其中，该储存装置为随身碟、记忆卡或闪存所制成的储存装置。
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