CN1988039A - 闪存分散写入方法 - Google Patents

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CN1988039A CN 200510022912 CN200510022912A CN1988039A CN 1988039 A CN1988039 A CN 1988039A CN 200510022912 CN200510022912 CN 200510022912 CN 200510022912 A CN200510022912 A CN 200510022912A CN 1988039 A CN1988039 A CN 1988039A
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朱健华
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Phison Electronics Corp
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Phison Electronics Corp
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Abstract

本发明涉及一种闪存分散写入方法，将闪存的物理区块分成第一区域与第二区域，且第一区域由多个子区域所组成，而第二区域为无资料的区域，以作为写入时轮替之用，当闪存写入资料时，先从第一区域中选定非预设子区域内的物理区块，并选择第二区域中欲写入的物理区块，当该次写入次数为预定值的倍数时，则更换其它物理区块作为第二区域写入之的物理区块，再将第一区域中所选定的物理区块的资料写入至第二区域的物理区块，且第一区域所选定的物理区块搬移至第二区域，而第二区域已写入资料的物理区块则会搬移至第一区域，由此分散每个区块的写入次数，以延长闪存的使用寿命。

Description

闪存分散写入方法
技术领域
本发明涉及一种闪存分散写入方法，尤指可更换欲写的物理区块的写入方法，由此分散每个区块的写入次数，以延长闪存的使用寿命。
背景技术
闪存(Flash)自问世以来以低耗能非挥发性、耐震、高储存密度等迷人的特性，在许多可移植性装置中，渐渐取代EEPROM或电池供电的内存，更由于目前半导体技术日益精进，闪存的储存密度与传输速度更是有突飞猛进的成长，因此闪存在许多应用中更可以取代硬式磁盘驱动器等传统储存媒体，但是因为闪存(Flash)的存取方式，受限于闪存本身架构设计的关系，在读取时只能以一个页(Page)为单位，从各页内的任一地址开始读取资料，在写入时，则需以区块(Block)为单位，先抹除(Erase)整个区块，才能逐页写入(Page by page)，这样一来在处理容量小于一个区块的资料时必须受限闪存的结构，来设定存取的方式。
而一般闪存会进行低阶格式化的步骤，使闪存内的每一个物理区段地址(Physical Block Address)写入相对应的逻辑区段地址(Logical Block Address)，以建立正确的逻辑区段地址与物理区段地址的转换对应表，然而，由于一个逻辑区块对应一个或多个物理区块，如果使用时只是不断重复写入某几个逻辑区块的地址时，轮流替换的物理区块也会限定在一个范围内，会造成写入区域过于集中的问题，容易降低闪存的使用寿命，请参阅图5、6所示，为现有资料写入方法的方块示意图(一)与方块示意图(二)，由图中所示可清楚看出，该闪存分成第一区域A1与第二区域A2，第一区域A1含有资料的逻辑区域，第二区域A2为无资料的区域，且第二区域A2主要作为写入时轮替之用，当闪存于写入资料时，先从第二区域A2的所有物理区块中选择欲写入的物理区块A21，再将资料写入物理区块A21，待资料写入物理区块A21后，即搬移至第一区域A1以替换物理区块A11，且物理区块A21变更为第一区域A1的内含有资料的区块，而物理区块A11则搬移至第二区域A2中，并变更为无资料的空间，然此一方式只更改第一区域A1部份区块的资料，造成第一区域A1中的部份区块与第二区域A2的物理区块A21被轮流写入，而如此频繁地对部份区块写入资料，不但让每个区块写入次数不平均，也使得内存管理效能不佳，并造成闪存的寿命缩短。
所以，如何解决闪存较佳的管理方式，以期待能提升系统的效能，延长闪存的使用寿命，并减少系统的耗电量，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种闪存分散写入方法，利用闪存的物理区块分成第一区域与第二区域，且第一区域为由多个子区域所组成的逻辑区域，而第二区域为无资料的区域，当闪存于写入资料时，若该次写入次数为预定值的倍数，则更换其它物理区块作为第二区域写入之的物理区块，再将第一区域中所选定的物理区块的资料写入至第二区域的物理区块，且第一区域所选定的物理区块搬移至第二区域，而第二区域已写入资料的物理区块则会搬移至第一区域，由此不但分散每个区块的写入次数，且可有效增加闪存的使用寿命。
为达上述目的，本发明提供一种闪存分散写入方法，将闪存的物理区块分成第一区域与第二区域，而第一区域为含有资料的逻辑区域，且第一区域由多个子区域所组成，而第二区域为无资料的区域，以作为写入时轮替之用，当闪存于写入资料时依照下列步骤进行：
(A)从第一区域中选定非预设子区域内的物理区块；
(B)从第二区域中选定物理区块作为写入的物理区块；
(C)判断该次写入次数是否为预定值的倍数，若是，则进行步骤C；若否，则进行步骤D；
(D)更换其它物理区块作为第二区域写入之的物理区块；
(E)将第一区域中所选定的物理区块的资料写入至第二区域的物理区块；
(F)将第一区域所选定的物理区块搬移至第二区域，并将第二区域已写入资料的物理区块搬移至第一区域。
附图说明
图1  为本发明较佳实施例的方块图；
图2  为本发明较佳实施例资料写入的方块示意图(一)；
图3  为本发明较佳实施例资料写入的方块示意图(二)；
图4  为本发明较佳实施例资料写入的动作流程图；
图5  为现有技术资料写入方法的方块示意图(一)；
图6  为现有技术资料写入方法的方块示意图(二)。
图中符号说明
1    第一区域
11   子区域
111  物理区块
2    第二区域
21   物理区块
A1   第一区域
A11  物理区块
A2   第二区域
A21  物理区块
具体实施方式
为达成上述目的及功效，本发明所采用的目的、构造技术特征以及其功效，结合附图就本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能如下，以利完全了解。
请参阅图1所示，为本发明较佳实施例的方块图，由图中所示可清楚看出，本发明的闪存分散写入方法是将闪存的物理区块分成第一区域1与第二区域2，其中：
该第一区域1为含有资料的逻辑区域，而第一区域1由多个子区域11所组成，且每一子区域11均包括有多个物理区块111。
该第二区域2为无资料的区域，而第二区域2主要作为写入时轮替之用，且第二区域2包括有多个物理区块21。
请参阅图2、3所示，为本发明较佳实施例资料写入的方块示意图(一)与方块示意图(二)，由图中所示可清楚看出，当闪存于写入资料时，先从第一区域1的多个子区域11选择预设子区域11，并于其它非预设子区域11内选定物理区块111，再从第二区域2中选定物理区块21，以作为写入时轮替的物理区块21，接着判断该次闪存的写入次数是否为预定值的倍数，若该次闪存的写入次数为预定值的倍数，则将第二区域2所选定的欲写入的物理区块21更换为其它物理区块21，以作为第二区域2写入之的物理区块21，若该次闪存的写入次数不是预定值的倍数，则不需更换第二区域2欲写入的物理区块21，待第一区域1的物理区块111与第二区域的物理区块21均选定后，即可将第一区域1中所选定的物理区块111的资料写入至第二区域2的物理区块21，并待资料写入完成后将第一区域1所选定的物理区块111搬移至第二区域2，且同时将第二区域2已写入资料的物理区21块搬移至第一区域1，而第一区域1所选定的物理区块111搬移至第二区域2后即成为第二区域2的物理区块21，且第二区域2已写入资料的物理区块21搬移至第一区域1后即成为第一区域1的物理区块111。
由上可知，当闪存的写入次数到达预定值的倍数时，均会更新第二区域2的物理区块21，可平均分散第一区域1的物理区块111与第二区域2的物理区块21的写入次数，以增加闪存的使用寿命，解决现有闪存只有固定数个物理区块轮替，造成每个区块写入次数不平均，使得内存管理效能不佳的缺陷。
请参阅图4所示，为本发明较佳实施例资料写入的动作流程图，由图中所示可清楚看出，本发明于资料写入时，按下列步骤进行：
(400)开始；
(401)从第一区域1中选定非预设子区域11内的物理区块111；
(402)从第二区域2中选定物理区块21作为写入的物理区块21；
(403)判断该次写入次数是否为预定值的倍数，若是，则进行步骤404；若否，则进行步骤405；
(404)更换其它物理区块21作为第二区域2写入物理区块21；
(405)将第一区域1中所选定的物理区块111的资料写入至第二区域2的物理区块21；
(406)将第一区域1所选定的物理区块111搬移至第二区域2，并将第二区域2已写入资料的物理区块21搬移至第一区域1；
(407)完成。
所以，本发明的闪存分散写入方法于实际使用时具有以下优点：
本发明于写入次数到达预定值的倍数时，将第二区域2所选定的欲写入的物理区块21更换为其它物理区块21，以作为第二区域2写入之的物理区块21，使得闪存每隔一定的写入次数时会更新第二区域2的物理区块21，不但平均分散第一区域1的物理区块111与第二区域2的物理区块21的写入次数，且可有效延长闪存的使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非局限本发明的保护范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所为之简易修饰及等效结构变化，均应同理包含于本发明的专利范围内。

Claims (3)

1.一种闪存分散写入方法，将闪存的物理区块分成第一区域与第二区域，而第一区域为含有资料的逻辑区域，且第一区域由多个子区域所组成，而第二区域为无资料的区域，以作为写入时轮替之用，其特征在于，当闪存于写入资料时依照下列步骤进行：
(A)从第一区域中选定非预设子区域内的物理区块；
(B)从第二区域中选定物理区块作为写入的物理区块；
(C)判断该次写入次数是否为预定值的倍数，若是，则进行步骤C；若否，则进行步骤D；
(D)更换其它物理区块作为第二区域写入之的物理区块；
(E)将第一区域中所选定的物理区块的资料写入至第二区域的物理区块；
(F)将第一区域所选定的物理区块搬移至第二区域，并将第二区域已写入资料的物理区块搬移至第一区域。
2.如权利要求1所述的闪存分散写入方法，其中，该第一区域所选定的物理区块搬移至第二区域后即成为第二区域的物理区块。
3.如权利要求1所述的闪存分散写入方法，其中，该第二区域已写入资料的物理区块搬移至第一区域后即成为第一区域的物理区块。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101788954B (zh) * 2009-01-24 2012-07-18 群联电子股份有限公司 用于快闪存储器的区块管理方法及其存储系统与控制器
CN101957797B (zh) * 2009-07-17 2013-01-09 群联电子股份有限公司 闪速存储器逻辑区块管理方法及其控制电路与储存系统
CN101571832B (zh) * 2008-04-29 2013-07-17 群联电子股份有限公司 数据写入方法及使用该方法的快闪存储系统与其控制器
CN108073362A (zh) * 2017-12-20 2018-05-25 北京兆易创新科技股份有限公司 一种延长PairBlock使用寿命的方法及装置
CN110392885A (zh) * 2017-04-07 2019-10-29 松下知识产权经营株式会社 增大了使用次数的非易失性存储器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101571832B (zh) * 2008-04-29 2013-07-17 群联电子股份有限公司 数据写入方法及使用该方法的快闪存储系统与其控制器
CN101788954B (zh) * 2009-01-24 2012-07-18 群联电子股份有限公司 用于快闪存储器的区块管理方法及其存储系统与控制器
CN101957797B (zh) * 2009-07-17 2013-01-09 群联电子股份有限公司 闪速存储器逻辑区块管理方法及其控制电路与储存系统
CN110392885A (zh) * 2017-04-07 2019-10-29 松下知识产权经营株式会社 增大了使用次数的非易失性存储器
CN110392885B (zh) * 2017-04-07 2023-08-04 松下知识产权经营株式会社 增大了使用次数的非易失性存储器
CN108073362A (zh) * 2017-12-20 2018-05-25 北京兆易创新科技股份有限公司 一种延长PairBlock使用寿命的方法及装置
CN108073362B (zh) * 2017-12-20 2021-04-09 北京兆易创新科技股份有限公司 一种延长PairBlock使用寿命的方法及装置

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