CN100365157C - 硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属功能薄膜领域。现有技术Si基片上制备La0.67Ba0.33MnO3薄膜工艺复杂，周期长，生产成本高，且缓冲层对薄膜性能产生未知影响。本发明包括以下步骤：硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10-4～4×10-5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空度保持在4×10-4Pa～4×10-5Pa；充入氧气，流动氧压保持在5～80Pa；1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层，薄膜居里温度达到296～298K，275K时的TCR高于9%K-1，290K时的TCR为6%K-1；工艺简单，周期短，成本低，薄膜择优生长，结晶形态好。
Description
技术领域
本发明涉及一种在硅基片上生长高性能镧钡锰氧薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。
背景技术
掺杂稀土锰氧化物RE1-xMxMnO3(RE＝rare earth，M＝Ca，Sr，Ba，Pb)在外界温度变化和磁场作用下表现巨大的磁电阻效应(colossal magnetoresistance，CMR)，受到了材料科学、凝聚态物理和计算机应用等众多科学领域的极大关注。这类锰氧化物的磁电阻在外磁场作用下可达到60％～80％，在薄膜状态下甚至可以达到90％以上，远远超过了常规磁电阻材料和巨磁电阻材料(GMR)磁性多层膜的磁电阻值，因此在磁存储、磁传感器、磁探测器和磁随机存储器件(MRAM)等方面均有很大的发展潜力，其中又以掺杂浓度为x＝0.33的La0.67Ba0.33MnO3具有接近室温的居里温度而极具应用潜力。
CMR材料的最大特点就是在居里温度TP附近发生从顺磁到铁磁的转变，这一转变同时伴随着绝缘体到金属的相变，即电阻的巨大变化。这一特性可用于制作探测光热辐射的传感元件，如测辐射热仪(Bolometer)。所谓测辐射热仪，广义上说是测量任何电磁辐射的仪器，狭义上讲是测量红外、远红外热辐射的仪器。它是利用外界光、热辐射效应改变(热、辐射)敏感元件的温度从而改变器件输出的某种电信号，如电阻。这类仪器，实际上是扩展了人眼的视觉范围，尤其在红外、远红外电磁辐射探测方面更为突出。军事上，在红外跟踪、夜视系统和电子对抗系统中得到广泛应用；在工业和商业领域，主要用于红外光谱学、天文学、医学、遇难营救、避免碰撞等。目前，灵敏度最好的测辐射热仪是超导测辐射热仪(superconducting bolometer)，但是由于超导材料转变温度的限制，使其只能在低温下使用；而室温下使用的测辐射热仪，灵敏度则远不如低温下的超导测辐射热仪。CMR材料由于具有较高的温度电阻系数TCR＝1/R·dR/dT，且温度范围接近室温，因而在测辐射热仪的研发方面具有很大优势。
目前，国际上对于La0.67Ba0.33MnO3薄膜的制备研究大部分集中在SrTiO3，LaAlO3和NdGaO3基片上，虽然在上述基片上可以制备出性能较好的La0.67Ba0.33MnO3薄膜，但是由于无法与微电子工艺集成，因而难以在工业应用上有所作为。为了与微电子工艺相融合，人们尝试在Si基片上制备La0.67Ba0.33MnO3薄膜，为消除晶格参数和热膨胀系数差异带来的影响，引入了多层的缓冲层，这样一来，虽然能够在Si基片上制备出La0.67Ba0.33MnO3薄膜，但制备工艺却非常复杂，不但延长了制备周期，提高了生产成本，而且缓冲层也会对薄膜性能产生未知影响，难以控制，因而不利于在工业上的实际应用和发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术之不足，提供一种制备工艺简单，生产成本低，可以在硅基片上直接生长且在室温附近具有较高TCR值的La0.67Ba0.33MnO3薄膜的方法。
本发明提供了一种硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)硅基片分别用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，进行干燥后置于真空室内的硅板加热器上；
(2)将真空室抽至4×10-4～4×10-5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空室内真空保持在4×10-4Pa～4×10-5Pa；
(3)向真空室内充入氧气，使真空室内的流动氧压保持在5～80Pa；
(4)能量密度为1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分为3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；
(5)然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，并使氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后，将硅板温度降至室温，降温过程分为3个阶段：①硅板实时温度-550℃：1～5℃/min；②550℃-300℃，2～7℃/min；③300℃-室温，4～20℃/min。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
(1)未使用任何缓冲层，直接在硅基片上制备出La0.67Ba0.33MnO3薄膜，
其居里温度达到室温范围296～298K，275K时的TCR高于9％K-1，290K时的TCR为6％K-1，是目前世界上使用的室温测辐射热仪电阻材料VOx(TCR～2％K-1)的3倍；
(2)制备工艺简单，制备周期短，成本低，故而生产效率大大提高，对于将来的工业生产实用化十分有利；
(3)采用优化的制备工艺，硅基片上的La0.67Ba0.33MnO3薄膜择优生长，薄膜具有良好的结晶形态。
附图说明：
图1是利用本发明在硅基片上制备的La0.67Ba0.33MnO3薄膜的电阻-温度曲线(a)和温度电阻系数TCR-温度曲线(b)；
图2是本发明在硅基片上制备的生长择优取向的La0.67Ba0.33MnO3薄膜(a)与其多晶(b)的XRD图；
图3是本发明按实施例3的工艺在硅基片上生长的表面平滑的La0.67Ba0.33MnO3薄膜的原子力显微镜图；(a)二维平面图；(b)三维立体图。(注：Ra＝4.97nm；Rp-v＝5.74nm；Rms＝6.283nm；其中，Ra和Rms是利用两种不同算法计算得到的表征薄膜表面粗糙度的参数；Rp-v表征薄膜表面峰-谷之间的距离。)
具体实施方式：
下面结合实施例进一步详细说明：
实施例1：
(1)基片的清洗：①利用丙酮超声清洗8分钟，以除去基片表面油脂分子；②然后用无水乙醇超声清洗5分钟，除去丙酮和其它杂质；③利用去离子水反复冲洗，干燥后，将清洗干净的基片置于硅板加热器上；
(2)系统抽真空及硅板加热：将真空室真空抽至4×10-5Pa，然后加热硅板，边抽真空边加热，使硅板温度升至650℃并使真空室内压强保持在4×10-5Pa；
(3)薄膜沉积：当硅板温度达到650℃且真空室内压强为4×10-5Pa后，向真空室充入氧气，使真空室保持5Pa的流动氧分压，待系统稳定后，用能量密度为1J/cm2准分子激光以2Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3多晶靶材3000次；将3000个脉冲分为500，1000和1500脉冲，按次序分三次输出，每次间隔10分钟；
(4)退火：淀积结束后，向真空室内充入氧气，使之达到300Pa，同时硅板以3℃/min升至750℃，使硅板温度保持在750℃，在此条件下保持1小时，然后降温，降温过程分为3个阶段：①750℃～550℃，降温速率为1℃/min；②550℃～300℃，降温速率为2℃/min ；③300℃～室温，降温速率为4℃/min。
实施例2：
(1)基片的清洗：①利用丙酮超声清洗5分钟，以除去基片表面油脂分子；②然后用无水乙醇超声清洗5分钟，除去丙酮和其它杂质；③利用去离子水反复冲洗，干燥后，将清洗干净的基片置于硅板加热器上；
(2)系统抽真空及硅板加热：将真空室真空抽至4×10-4Pa，然后加热硅板，边抽真空边加热，使硅板温度升至850℃并使真空室内压强保持在4×10-4Pa；
(3)薄膜沉积：当硅板温度达到850℃且真空室内压强为4×10-4Pa后，向真空室充入氧气，使真空室保持80Pa的流动氧分压，待系统稳定后，用能量密度为2J/cm2准分子激光以5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3多晶靶材25000次；将25000个脉冲分为1000，2500、2500、4000、5000和5000脉冲，按次序分6次输出，每次间隔3分钟；
(4)退火：淀积结束后，向真空室内充入氧气，使之达到1×105Pa，同时硅板以20℃/min升至900℃，使硅板温度保持在900℃，在此条件下保持12小时，然后降温，降温过程分为3个阶段：①900℃～550℃，降温速率为5℃/min；②550℃～300℃，降温速率为7℃/min；③300℃～室温，降温速率为10℃/min。
实施例3：
(1)基片的清洗：①利用丙酮超声清洗5分钟，以除去基片表面油脂分子；②然后用无水乙醇超声清洗5分钟，除去丙酮和其它杂质；③利用去离子水反复冲洗，干燥后，将清洗干净的基片置于硅板加热器上；
(2)系统抽真空及硅板加热：将真空室真空抽至2×10-4Pa，然后加热硅板，边抽真空边加热，使硅板温度升至750℃并使真空室内压强保持在2×10-4Pa；
(3)薄膜沉积：当硅板温度达到750℃且真空室内压强为2×10-4Pa后，向真空室充入氧气，使真空室保持10Pa的流动氧分压，待系统稳定后，用能量密度为1.2J/cm2准分子激光以4Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3多晶靶材10000次；将10000个脉冲分为500、2500、3000和4000脉冲，按次序分4次输出，每次间隔5分钟；
(4)退火：淀积结束后，向真空室内充入氧气，使之达到5×104Pa，同时硅板以10℃/min升至850℃，使硅板温度保持在850℃，在此条件下保持3小时，然后降温至室温，降温过程分为3个阶段：①850℃～550℃，降温速率为2℃/min；②550℃～300℃，降温速率为3℃/min；③300℃～室温，降温速率为5℃/min。
实施例4：
(1)基片的清洗：①利用丙酮超声清洗10分钟，以除去基片表面油脂分子；②然后用无水乙醇超声清洗5分钟，除去丙酮和其它杂质；③利用去离子水反复冲洗，干燥后，将清洗干净的基片置于硅板加热器上；
(2)系统抽真空及硅板加热：将真空室真空抽至9×10-5Pa，然后加热硅板，边抽真空边加热，使硅板温度升至800℃并使真空室内压强保持在9×10-5Pa；
(3)薄膜沉积：当硅板温度达到800℃且真空室内压强为9×10-5Pa后，向真空室充入氧气，使真空室保持40Pa的流动氧分压，待系统稳定后，用能量密度为1.5J/cm2准分子激光以3Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3多晶靶材15000次；将15000个脉冲分为1000，2000、3000、4000和5000脉冲，按次序分5次输出，每次间隔6分钟；
(4)退火：淀积结束后，向真空室内充入氧气，使之达到5×103Pa，同时硅板以5℃/min升至880℃，使硅板温度保持在880℃，在此条件下保持8小时，然后降温，降温过程分为3个阶段：①880℃～550℃，降温速率为3℃/min；②550℃～300℃，降温速率为5℃/min；③300℃～室温，降温速率为7℃/min。
表1：不同制备工艺下，La0.67Ba0.33MnO3/Si薄膜的居里温度TC及TCR值
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | |
| 居里温度T<sub>C</sub>(K) | 296 | 297 | 297 | 298 |
| 温度电阻系数TCR(％K<sup>-1</sup>)(T＝275K) | 9.81 | 9.62 | 9.60 | 9.57 |
Claims (1)
1.一种硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)硅基片分别用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，进行干燥后置于真空室内的硅板加热器上；
2)将真空室抽至4×10-4～4×10-5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空室内真空保持在4×10-4Pa～4×10-5Pa；
3)向真空室内充入氧气，使真空室内的流动氧压保持在5～80Pa；
4)能量密度为1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分为3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；
5)然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，并使氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后，将硅板温度降至室温，降温过程分为3个阶段：①硅板实时温度-550℃：1～5℃/min；②550℃-300℃，2～7℃/min；③300℃-室温，4～20℃/min。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020187430A1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-12 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| CN1485934A (zh) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | 中国科学院物理研究所 | 掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法 |
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| JP2005097693A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Toyama Prefecture | 超薄膜の作製方法 |
-
2005
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|---|---|---|---|---|
| US20020187430A1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-12 | Tdk Corporation | Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device |
| CN1485934A (zh) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | 中国科学院物理研究所 | 掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法 |
| JP2004273656A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | Ｅｐｉｒ素子及びそれを利用した半導体装置 |
| JP2005097693A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Toyama Prefecture | 超薄膜の作製方法 |
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