CN100339743C - 有源矩阵基板及电磁波检测器 - Google Patents

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Abstract

本发明是在有源矩阵基板上，像素电极与信号线及扫描线在平面上不重叠，并在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。由此，能够提供采用能确保电荷收集电极的面积占有率尽量大的有源矩阵基板、并且S/N好、面积大、清晰度高的电磁波检测器。

Description

有源矩阵基板及电磁波检测器
技术领域
本发明涉及能检测利用X射线等射线、可见光、红外线等电磁波产生的图像的电磁波检测器、以及其所采用的有源矩阵基板的结构。
背景技术
以往所知作为电磁波检测器中的一种有二维的电磁波检测器，该检测器是例如将能检测X射线等电磁波并产生电荷(电子-空穴对)的半导体膜即有电磁波导电性(也称为光导电性)的半导体膜、和收集在该半导体膜中生成的电荷的电荷收集电极在行方向及列方向上二维配置，同时，对每个像素设置开关元件。上述电磁波检测器中，对每一行使开关元件依次闭合，从而读出每一列的所述电荷。
所述二维电磁波检测器其结构、原理例如如“S.O.Kasap，J.A.Rowlands，‘Direct-Coversion Flat-Panel X-Ray Image Sensors for Digital Radiography’，Proceedings of the IEEE，April，2002，Vol.90，No.4，pp.591-604”等文献所阐述。对于上述文献所述的已有的电磁波检测器的构成及原理现简要说明如下。
图8为表示电磁波检测器的检测原理的剖面图。电磁波检测器例如具有以a-Se为代表的显示出电磁波导电性的半导体膜101。半导体膜101的上层形成偏置电极102，下层形成电荷收集电极103。电荷收集电极103与存储电容(Cs)104连接，存储电容104通过FET(TFT)等开关元件105与电荷检测放大器106连接。
X射线等电磁波一旦射入这种电磁波检测器，半导体膜101内就产生电荷(电子-空穴对)。这时，通过加在偏置电极102和电荷收集电极103之间的偏压，使半导体膜101产生的电子向“+”电极侧移动，而空穴向“-”电极侧移动，最终电荷累积在存储电容104中，累积在存储电容104中的电荷通过将开关元件105闭合，取出给电荷检测放大器106。这样，根据由电荷检测放大器106检测出的电荷量，便可检测到射入半导体膜101的电磁波的强度。
另外，通过将该电磁波检测器的构成要素(电荷收集电极、存储电容、开关元件)二维矩阵配置，利用读出线依次读出电荷，而能获取检测对象即电磁波的二维信息。这里作为二维的矩阵阵列可以采用将薄膜晶体管(TFT)作为开关元件使用的有源矩阵阵列。
图9(a)表示利用有源矩阵阵列110、置于其上的半导体膜101、及再置于其上的偏置电极102构成的电磁波检测器的剖面结构(1个像素部分)。有源矩阵阵列110包括开关元件105、存储电容104、电荷收集电极103、及驱动它们用的布线(扫描线(栅极布线)107、信号线(源极布线)108等，参照图9(b))。图9(b)是从上方向下看图9(a)所示的有源矩阵阵列110的俯视图，表示每个像素的平面布置。
上述的电磁波检测器能做成大面积、高清晰的检测器，例如在用于胸部X光摄影等医用检测器的场合，要有17英寸×17英寸左右的面积，并具备3000×3000左右像素的检测器。因而，要求在上述有源矩阵阵列上配置成格子状的扫描线107及信号线108具有能以高频高精度地传输电信号的能力，要求尽可能减小各条布线的时间常数(布线电阻值×布线电容)的阵列设计。
由此，如图9(b)所示，大面积、高清晰度的电磁波检测器上，可以考虑一种有用的设计方法，即不让扫描线107和信号线108在平面上与电荷收集电极1 03重叠。其结果，能消除在扫描线107或信号线108和电荷收集电极1 03的重叠区域产生的寄生电容。由此，能降低各布线的布线电容。
可是，即便在这种扫描线107和信号线108与电荷收集电极103在平面上不重叠的所述构成中，严格地分析，还是存在着从电荷收集电极103的边缘起向上述布线渐渐拓宽的电力线。为此，在扫描线107和信号线108的布线与电荷收集电极103之间还残存微量的寄生电容。
为了减小这种各条布线(特别是信号线108)和电荷收集电极103之间的寄生电容，可以考虑采用将各条布线和电荷收集电极103的间隙尽量加大的那种像素平面布置。但是，这种情况下，由于加大布线和电荷收集电极103之间的间隙而使电荷收集电极103的面积占有率(也称为充填率fill-factor)变小。电荷收集电极103的面积占有率一旦变小，电荷的收集效率就变差，存在电磁波检测器检测灵敏度降低的问题。
发明内容
本发明之目的在于提供一种采用能确保电荷收集电极的面积占有率尽可能大的有源矩阵阵列、并且S/N好、大面积、高清晰的电磁波检测器。
本发明的有源矩阵基板为了达到上述目的，是在基板上信号线、扫描线配置成格子状，在每一单位格子上形成开关元件和像素电极，在这样的有源矩阵基板中，所述像素电极在平面上与所述信号线及扫描线不重叠，并且在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
另外，为了达到上述目的，本发明的一种电磁波检测器，包含：有源矩阵基板；在所述有源矩阵基板上形成的、感应检测对象的电磁波而生成电荷的半导体膜；设置在所述有源矩阵基板上、用作对所述半导体膜生成的电荷的电荷收集电极的像素电极，所述有源矩阵基板这样构成，它在基板上格子状配置信号线、扫描线，每个单位格子上形成开关元件和像素电极，所述像素电极在平面上和所述信号线及扫描线不重叠，并在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
在所述有源矩阵基板、及采用该基板的电磁波检测器中，从提高读出信号的S/N比的角度来分析，要求信号线与扫描线相比，进一步降低布线电容。本发明在所述有源矩阵基板中，根据所述X1＞Y1的关系，像素电极(电荷收集电极)和布线之间产生的寄生电容与信号线之间的寄生电容比与扫描线之间的寄生电容要小。
即，按照上述的构成，通过将像素电极和信号线间的间隙X1做得比像素电极和扫描线间的间隙Y1宽，从而能实现将像素电极(电荷收集电极)的面积占有率的降低抑制在最低限度、并减小信号线的布线电容、S/N好的电磁波检测器。
本发明的其它目的、特征、及优点通过以下的阐述将会充分得以理解。另外，本发明之长处，参照附图及其后之说明亦将会明了。
附图说明
图1表示本发明一实施形态，图1(a)为表示电磁波检测器1个像素单位的结构的剖面图，图1(b)为其俯视图。
图2(a)为表示扫描线和栅极电极的形状的俯视图，图2(b)为表示信号线和源极电极的形状的俯视图，图2(c)为表示电荷电容线和电荷电容电极的形状的俯视图。
图3为表示本发明其它实施形态的示意图，是表示电磁波检测器1个像素单位的结构的俯视图。
图4为表示在上述电磁波检测器中采用的有源矩阵基板上相邻像素电极的间隙的俯视图。
图5为表示在上述电磁波检测器中光源配置在有源矩阵基板背面时的构成的剖面图。
图6为表示在有源矩阵基板内对每个像素同时配置光电二极管元件的电磁波检测器的检测原理的剖面图。
图7为表示在有源矩阵基板内对每个像素同时设置光电二极管元件的电磁波检测器1个像素单位的结构的剖面图。
图8为表示电磁波检测器的检测原理的剖面图。
图9是表示已有的电磁波检测器的示意图，图9(a)为表示电磁波检测器的1个像素单位的结构的剖面图、图9(b)为其俯视图。
具体实施方式
[实施形态1]
参照附图对本发明的一实施形态说明如下。再有，以下的说明中，设电磁波检测器为包括多个与检测的图像的1个像素相当的电磁波检测元件，并将它们二维排列。
图1(b)为表示所述电磁波检测器1个像素单位的结构的剖面图，图1(a)为其俯视图。图1(a)及图1(b)所示的1个像素的尺寸为0.1mm×0.1mm～0.3mm×0.3mm左右，作为整个电磁波检测器，通常将这些像素(电磁波检测器)以500×500～3000×3000像素程度呈XY矩阵状排列。作为尺寸大小，假设X光胸部摄影用，则要用17″×17″左右的检测器。
如图1(a)及(b)所示，所述电磁波检测器是在有源矩阵基板1上依次形成有电磁波导电性的半导体膜2、及与图中未示出的电源连接的偏置电极(公共电极)3。半导体膜2通过被X射线等电磁波照射，在内部产生电荷(电子—空穴)。即半导体膜2有电磁波导电性，将X射线等电磁波图像信息变换成电荷信息。
另外，半导体膜2例如由硒为主成分(有50％以上的含有率)的非晶态的a-Se(非晶态硒)形成。此外，也能使用CdTe、CdZnTe、PbI2、HgI2、CaAs、Si等作为半导体膜2。还有，在半导体膜2的上层及/或下层上有时也设置电荷阻挡层、或缓冲层，但本实施形态1涉及的电磁波检测器中所定义的半导体膜2包括这些层在内。作为电荷阻挡层、或缓冲层的例子，可以举出有含As或Te的Se层、掺杂微量卤素或碱金属等的Se层、或Sb2S3、CeO2、CdS等高电阻半导体层等。
以下，详细说明有源矩阵基板1。有源矩阵基板1具有玻璃基板11、扫描线(栅极电极)12、存储电容线(存储电容电极)13、栅极绝缘膜14、连接电极15、沟道层16、接触层17、信号线(源极电极)18、绝缘保护膜19、层间绝缘膜20、及像素电极(电荷收集电极)21。有源矩阵基板1上，信号线18及扫描线12在玻璃基板11上配置成格子状，其每一个单位格子上都形成开关元件即TFT(薄膜晶体管Thin Film Transistor)4及像素电极21。
另外，有源矩阵基板1上，利用扫描线12、栅极绝缘膜14、信号线18、连接电极15、沟道层16及接触层17等构成TFT4，利用存储电容线13、栅极绝缘膜14、连接电极15等构成存储电容(Cs)5。
再者，本形态如图2(a)～(c)所示，将扫描线12中构成TFT4的部分称为栅极电极12a、信号线18中构成TFT4的部分称为源极电极18a、存储电容线13中构成存储电容5的部分称为存储电容电极13a。
另外，本实施形态1中，举例所示的构成为栅极电极12a、源极电极18a、存储电容电极13a分别兼用作扫描线12、信号线18、存储电容线13的一部分，但是也可以将栅极电极12a、源极电极18a、存储电容电极13a分别与扫描线12、信号线18、存储电容线13分开另行构成。
玻璃基板11是支持基板，作为玻璃基板11例如可以采用无碱玻璃基板。扫描线12及信号线18是排列成格子状的电气布线(金属布线)，在其各交点处形成TFT4。
TFT4是开关元件，其源极及漏极分别与信号线18及连接电极15连接。即这样设置，使信号线18包括作为信号线的直线部分、及构成TFT4用的延长部分(即源极电极18a)，连接电极15构成TFT4的漏极电极，并与TFT4和存储电容5相连。
对于栅极绝缘膜14，可使用SiNx或SiOx等，栅极绝缘膜14设置成能覆盖栅极电极12a及存储电容电极13a，位于栅极电极12a上的部位起到作为TFT4中的栅极绝缘膜的作用，位于存储电容电极13a上的部位起到作为存储电容5中的电介质层作用。即利用在和栅极电极2同一层上形成的存储电容电极13a和连接电极15之间的重叠区域，来形成存储电容5。还有，作为栅极绝缘膜14并不限于SiNx或SiOx，也可同时利用将栅极电极14a及存储电容电极13a阳极氧化后的阳极氧化膜。
另外，沟道层(i层)16是TFT4的沟道部分，成为连接源极电极18a和连接电极15的电流的通路。接触层(n+层)17实现与沟道层16和源极电极18a接触、以及与沟道层16和连接电极15接触。
在信号线18及连接电极15上、即玻璃基板11上几乎遍及整个面(大致全部区域)形成绝缘保护膜19。由此，保护连接电极15和源极电极18a，同时使得这些电极在电气绝缘上隔离。另外，绝缘保护膜19在规定位置、即连接电极15上隔着存储电容5位于与存储电容电极13a对向的部分的部位上，有接触孔22。
层间绝缘膜20设置在绝缘保护膜19的上方，层间绝缘膜20由树脂形成，力图使TFT4平坦。在层间绝缘膜20的上层，即有源矩阵基板1的最上层上设置由ITO、或A1等导电膜形成的像素电极21。在层间绝缘膜20中，接触孔22也在和绝缘保护膜19的同一处贯穿，像素电极21通过该接触孔22和连接电极15连接。
再有，在像素电极21上还形成半导体膜2和偏置电极3，大致覆盖整个表面。
在偏置电极3和存储电容电压13a之间连接未图示的电源，能够对半导体膜2施加电压。由此，通过存储电容5能使偏置电极3和像素电极21之间产生电场。这时，因为半导体膜2和存储电容5变成电路上串联连接的结构，故在对偏置电极3施加偏压的状态下，若通过吸收X射线等电磁波而在半导体膜2内生成电荷(电子—空穴对)，则所生成的电子就向“+”电极侧移动，而空穴就向“-”电极侧移动。最终电荷累积在存储电容5中。
整个电磁波检测器中，多个像素电极21呈一维或二维排列，同时，该电磁波检测器具有多个与像素电极21分别连接的存储电容5和与存储电容5分别连接的TFT4。由此，将一维或二维的电磁波信息暂存在存储电容5中，通过依次扫描TFT4，能方便地读出一维或二维的电荷信息。再者，为了读出上述电荷信息，在各信号线18的端部连接了电荷检测放大器(参照图8)。
以上，对本发明实施形态1涉及的电磁波检测器的基本结构进行了说明，以下将对上述电磁波检测器的特点进行说明。
上述电磁波检测器中，为了实现大面积、高清晰度的检测器，要求在扫描线12或信号线18上有能以高频、高精度传输电气信号的能力。因此，要求将各布线的时间常数(布线电阻值×布线电容)尽可能地减小的阵列设计，这一点如在背景技术中已叙述过的那样。
大面积、高清晰度的电磁波检测器中，通常采用扫描线12及信号线18在平面上与像素电极21不重叠的设计，就能降低在扫描线12及信号线18和像素电极21之间产生的寄生电容。但是，即使在像素电极21和各根布线不重叠的情况下，在两者的间隙很窄时，仍存在从像素电极21的端部向各条布线的电力线，并残存微量的寄生电容。
在本实施形态1涉及的电磁波检测器中，当考虑最佳的像素平面布置的时候，要考虑以下的两点来进行设计。
第1，残存于像素电极21和各布线的间隙的寄生电容能通过加宽像素电极21和各布线间的间隙而降低，但加宽该间隙会导致使电磁波检测器的面积占有率降低。
为了有效地将半导体膜2上生成的电荷引入存储电容5，当然最好是尽量将像素电极21的面积占有率设定得大些。根据本发明人等的研究表明，如像素电极21的面积占有率低于50％，则电荷的收集效率急剧恶化。因此，希望像素电极21的面积占有率大于50％以上，最好设定成65％以上。
第2，电荷检测放大器与信号线18的端部连接时，从信号线18读出的信号的噪声增盖因能用1+Cd/Cf(Cd：信号线的布线电容、Cf：电荷检测放大器的反馈电容)形式表示，故信号线18的布线电容直接影响读出信号的S/N。因而，从提高读出信号的S/N的角度出发，要求信号线18比扫描线12的布线电容更加低。
从以上两个观点出发，本实施形态1涉及的电磁波检测器中，像素电极21的形状形成如图1(b)所示的近似矩形的形状，该像素电极21形成与扫描线12及信号线18在平面上不重叠。这是由于在实现大面积、高清晰的电磁波检测器时，要求扫描线12、信号线18要有能以高频、高精度传输电信号的能力，因此要尽量减少各布线的时间常数(布线电阻值×布线电容)。
即，通过做成不让像素电极21和扫描线12及信号线18在平面上重叠而形成，从而能避免在扫描线12和像素电极21的重叠部分生成电容，及避免在信号线18和像素电极21的重叠部生成电容。
另外，即使在像素电极21和各布线不重叠的情况下，两者的间隙很窄时，仍有从像素电极21的端部向各布线的电力线存在，还残存微量的寄生电容。为了降低这一寄生电容，要求将像素电极21和各布线间的间隔尽量离开。
但加宽像素电极21和各布线间的间隙，会招致像素电极面积占有率降低，故本实施形态中，如图1(b)所示，在设像素电极21和信号线18的间隙为X1、像素电极21和扫描线12的间隙为Y1时，引入满足X1＞Y1关系的设计。换言之，利用扫描线12和信号线18的格子所划分的像素形状近似正方形，而与此不同的是，本申请的像素电极21变成沿信号线18的一边为长边的长方形。
即从上述第2点观点出发，要求信号线18比扫描线12的布线电容更加降低。本发明中，通过对于像素电极21和各布线的间隙满足X1＞Y1的关系，从而能将像素电极21的面积占有率的降低抑制在最低限度，并有效地减小信号线18的布线电容。据此，能实现大面积、高清晰的电磁波检测器。
在应用本发明的电磁波检测器中，例如在像素间隔100～200μm的情况下，最好设定成X1＝5～25μm、Y1＝0～5μm。通过引入这一平面布置，能将像素电极21的面积占有率抑制在最低限度，能减小信号线18的布线电容。
再者，本实施形态1中，所示的是可应用于直接变换型的电磁波检测器的有源矩阵基板的结构，但也能应用于有源矩阵基板内对每个像素同时设置光电二极管元件的电磁波检测器(光电变换装置)。图6表示原理图，图7表示元件结构剖面图(每一个像素)。在这种情况下，光电二极管31由在与TFT元件32连接并对每个像素设置的第1电极42、和对多个像素公共设置的第2电极42之间夹有半导体43的元件构成，该第1电极41相当于本申请的像素电极。
[实施形态2]
以下，参照附图说明上述实施形态1所示的电磁波检测器的一变形例。
图3为表示本发明一实施形态的电磁波检测器1个像素单位的结构的俯视图。另外，本发明实施形态2涉及的电磁波检测器的剖面结构基本上和实施形态1一样。
本实施形态2中，对于实施形态1的像素平面布置，再对存储电容5的存储电容电极13a的形状作变更。即如图3所示，在设存储电容电极13a信号线18的间隙为X2、存储电容电极13a和扫描线12的间隙为Y2时，引入满足X2＞Y2的关系的设计。
以下，说明图3所示的布置的效果。在图1(b)所示的像素布置的情况下，由于满足X1＞Y1的关系，所以如图4所示，对于相邻像素电极21间的间隙，其中与跨过扫描线12的方向(图中为纵向)的间隙B相比，则跨过信号线18的方向(图中为横向)的间隙A较宽。
在电磁波检测器的情况下，像素电极21是起到用于收集在其上的半导体膜2中产生的电荷的电荷收集电极的作用，但通常所知在相邻的像素电极21之间彼此的间隙A、B中电荷易被俘获，例如在“W.Zhao，G.DeCrescenzo，J.A.Rowklands，‘Investigation of lagand ghosting in amorphous seleniumflat-panel x-ray detectors’Proceedings of SPIE，Vol.4682，pp.9-20，2002”中已对其机理进行了说明。
如在相邻的像素电极21之间过度地俘获电荷，则在对图像拍摄时，会带来残留图像、或灵敏度下降等不良影响。像素电极21间的间隙越大，由该俘获电荷引起的不良影响就越显著。因此，如对上述的间隙A、间隙B作比较，在间隙A中由于所俘获的电荷产生的不良影响则显著地表露出来。
另外，对于这种被俘获的电荷，如日本国公开专利公报即特开平9-9153号公报(对应USP 5563421号)所揭示的那样，可知通过对该区域照光，能消除俘获现象。
例如，如图5所示，通过在有源矩阵基板1(图5中，对于像素电极21以外的构成，图中均省略)的背面(即有源矩阵基板1的形成像素电极21一侧的相反侧)设置平面光源6，并通过有源矩阵基板1对像素电极21间的间隙A、间隙B照光，从而能避免上述的俘获电荷产生的不良影响。这时，有源矩阵基板1上由于形成金属膜组成的构件(扫描线12、信号线18、存储电容电极13a等)，因此自平面光源6射出的光就通过由这些布线、电极形成的开口部到达有源矩阵基板1的表面。
这里，如前所述，试比较上述的间隙A、间隙B，因为在间隔大的间隙A中所俘获的电荷较容易产生较大的不良影响，所以与间隙B相比，则要求能更多地对间隙A照光的像素的布置。
这里，本实施形态2中，如图3所示，在设存储电容电极13a和信号线18的间隙为X2、存储电容电极5和扫描线12的间隙为Y2时，采用满足X2＞Y2的关系的布置。另外，在图3的布置中，取连接电极15的形状和存储电容电极5几乎相同。
在该布置中，因扫描线12、信号线18、存储电容电极13a全部由金属膜形成，故X2、Y2都与光透过的开口区的宽度相当。因而，在宽度宽的X2上透光多，就能有效地对间隙A照光。最终能实现将残余图像、或灵敏度降低等特性不良的现象抑制在最低限度的电磁波检测器。
再者，本实施形态中，所示的是存储电容布线与扫描线平行设置的有源矩阵基板的例子，但存储电容布线也可与信号线平行设置。另外，有源矩阵基板的元件结构的详细内容并不限于本申请的构成。另外，即使在存储电容电极由ITO等透光膜形成时，而且在它产生极少的光吸收的情况下，最好还是采用本申请的构成。
如上所述，本发明的有源矩阵基板是在基板上格子状地配置信号线、扫描线，并在每个单位格子上形成开关元件和像素电极，在这种有源矩阵基板中，所述像素电极和上述信号线及扫描线在平面上不重叠，而且在设所述像素电极和所述信号线间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
在采用上述有源矩阵基板的电磁波检测器中，从提高读出信号的S/N观点出发，要求与扫描线相比进一步降低信号线的布线电容。这里，在上述有源矩阵基板中，利用上述X1＞Y1的关系，对于像素电极(电荷收集电极)和布线之间产生的寄生电容，其中与信号线的寄生电容比与扫描线的寄生电容要小。
即按照上述的构成，通过使像素电极和信号线之间的间隙X1比像素电极和扫描线之间的间隙Y1要宽，从而能实现将像素电极(电荷收集电极)的面积占有率的降低抑制在最低限度、并降低信号线的布线电容、S/N好的电磁波检测器。
另外，上述有源矩阵基板中，每个上述单位格子都包括有金属膜形成的存储电容电极的像素电容，上述存储电容电极可以这样构成，它和上述信号线及扫描线在平面上不重叠，并在设上述存储电容电极和上述信号线之间的间隙为X2、上述存储电容电极和上述扫描线之间的间隙为Y2时，满足X2＞Y2的关系。
上述构成的有源矩阵基板中，当用于电磁波检测器时，可以考虑从有源矩阵基板的背面一侧照光，防止像素电极间生成的俘获电荷的不良影响。另外，其像素电极间的间隙越大，则像素电极间生成的俘获电荷的影响越显著。
在这种使用形态的有源矩阵基板中，按照上述的构成，能实现容易对跨过间隙更大的跨过信号线方向的像素电极之间的间隙照光的有源矩阵基板，通过采用该有源矩阵基板，能将像素电极之间生成的俘获电荷的不良影响抑制在最低限度。
另外，本发明的电磁波检测器是在有源矩阵基板上，形成对检测对象的电磁波产生感应生成电荷的半导体膜，上述有源矩阵基板中的像素电极起到作为收集上述半导体膜中生成的电荷的电荷收集电极的作用，在这种电磁波检测器中，上述有源矩阵基板是在基板上格子状配置信号线、扫描线，每个单位格子上形成开关元件和像素电极而构成，上述像素电极在平面上和上述信号线及上述扫描线不重叠，并在设上述像素电极和上述信号线之间的间隙为X1、上述像素电极和上述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
按照上述的构成，和上述有源矩阵基板一样，通过使像素电极和信号线之间的间隙X1比像素电极和扫描线之间的间隙Y1要宽，从而能实现将像素电极(电荷收集电极)的面积占有率的降低抑制在最低限度、并减小信号线的布线电容、S/N好的电磁波检测器。
另外，上述电磁波检测器中，还能对上述有源矩阵基板在与上述像素电极形成侧相反的一侧具备光源而构成。
按照上述的构成，使用电磁波检测器时，能从有源矩阵基板的背面一侧照光，能防止像素电极间生成的俘获电荷的不良影响。
另外，在上述的电磁波检测器中，上述有源矩阵基板可以这样构成，它在上述单位格子上包括有金属膜形成的存储电容电极的像素电容，上述存储电容电极在平面上和上述信号线及扫描线不重叠，并在设上述存储电容电极和上述信号线之间的间隙为X2、上述存储电容电极和上述扫描线之间的间隙为Y2时，满足X2＞Y2的关系。
按照上述的构成，容易对间隙更大的跨过信号线方向的像素电极之间的间隙照光，能将像素电极间生成的俘获电荷的不良影响抑制在最低限度。
本发明详细说明中提出的具体实施形态或实施示例，最终均是为了阐明本发明的技术内容，故不应限于所述具体例子而作狭义解释，在本发明的精神和以下所述的权利要求的范围内，可以作各种变更并实施。

Claims (5)

1.一种有源矩阵基板，是在基板上格子状配置信号线、扫描线，在每个单位格子上形成开关元件和像素电极的有源矩阵基板，其特征在于，
上述像素电极在平面上和上述信号线及扫描线不重叠，并在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
在所述每个单位格子上包括由金属膜形成的存储电容电极的存储电容，所述存储电容电极在平面上与所述信号线及扫描线不重叠，并在设所述存储电容电极和所述信号线之间的间隙为X2、所述存储电容电极与所述扫描线之间的间隙为Y2时，满足X2＞Y2的关系。
3.一种电磁波检测器，该电磁波检测器包含：有源矩阵基板；在所述有源矩阵基板上形成的、感应检测对象的电磁波而生成电荷的半导体膜；设置在所述有源矩阵基板上、用作对所述半导体膜生成的电荷的电荷收集电极的像素电极，其特征在于，
所述有源矩阵基板这样构成，它在基板上格子状配置信号线、扫描线，每个单位格子上形成开关元件和像素电极，
所述像素电极在平面上和所述信号线及扫描线不重叠，并在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。
4.如权利要求3所述的电磁波检测器，其特征在于，
在所述有源矩阵基板的形成所述像素电极一侧的相反侧具有光源。
5.如权利要求4所述的电磁波检测器，其特征在于，
所述有源矩阵基板在所述每个单位格子上包括由金属膜形成的存储电容电极的存储电容，所述存储电容电极在平面上和所述信号线及扫描线不重叠，并在设所述存储电容电极和所述信号线之间的间隙为X2、所述存储电容电极和所述扫描线之间的间隙为Y2时，满足X2＞Y2的关系。
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