CN100334154C - 热材料的链延长 - Google Patents

热材料的链延长 Download PDF

Info

Publication number
CN100334154C
CN100334154C CNB028263308A CN02826330A CN100334154C CN 100334154 C CN100334154 C CN 100334154C CN B028263308 A CNB028263308 A CN B028263308A CN 02826330 A CN02826330 A CN 02826330A CN 100334154 C CN100334154 C CN 100334154C
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicone oil
linking agent
composition
chain extension
silicone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028263308A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1610725A (zh
Inventor
小詹姆斯·马塔亚巴斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of CN1610725A publication Critical patent/CN1610725A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100334154C publication Critical patent/CN100334154C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种作为热材料的可固化材料，其包括至少一种乙烯基封端硅油、至少一种导热填料和至少一种氢封端硅油。所述氢封端硅油用来降低所述固化热界面材料的剪切模量G’。

Description

热材料的链延长
相关申请的交叉引用
这是2001年3月30日提交的申请No.09/823,106的部分连续申请。
技术领域
本发明涉及热材料。更具体地，本发明涉及控制热材料的热阻。
背景技术
为满足高性能微处理器的市场需求，近来微处理器体系结构的发展趋势已是增加晶体管的数目(更高的功率)、减小处理器的尺寸(更小的管芯(die))并增加时钟速度(更高的频率)。这些已导致在硅管芯级上的功耗以及热流量的不断上升，这提高了硅上的原始功率和功率密度。
热材料已作为器件间的界面用在封装中以帮助这些器件(即微处理器)散热。热界面材料(thermal interface material，TIM)通常包括聚合物基体和导热填料。用于电子封装的TIM技术包含了几种类别的材料，例如相变材料、环氧树脂、油脂和凝胶。
相变材料(phase change material，PCM)是在热应用中会从固态转变为液态的一类材料。这些材料在室温下呈固态，而在管芯操作温度下则呈液态。当PCM呈液态时，较容易适应表面，并提供较低的界面热阻。由于PCM呈膜状时的可利用性，且不需要后续的分配处理，所以较容易处理与加工。但是，从形成角度看，在PCM中使用的聚合物和填料的组合则限制了这些材料的体积导热率。
金属填充的环氧树脂通常是极易导热材料，其热固化成高度交联材料。但是，它们存在严重的与封装的其他构件相集成的问题。例如，金属填充的环氧树脂会在材料内出现局部相分离现象。这是导致了高接触阻力的封装的热机械行为所引起的。而且，环氧树脂模量高的特性会导致界面出现严重分层。
与其他类材料相比，热油脂是一类可提供许多优点的材料，包括润湿性能好和能适应界面、无需后续分配处理以及体积导热率高。油脂在各种不同封装中提供了优异的性能；但是，由于在温度循环过程中油脂热性能下降，所以它不能广泛地用于所有封装。据观察，在某些封装中油脂会在温度循环期间的循环应力的作用下从界面间迁移出。这种现象称为“溢出”(“pump out”)。这些在温度循环期间作用在界面处的大量的热机械应力是由管芯与散热板随着温度变化而相对弯曲引起的。由于这种溢出现象本质上与油脂中用到的配方化学组成有关，所以所有典型的油脂都会遭受溢出现象。
高性能、高功率的处理器需要使用集成散热器(integrated heatspreader，IHS)。公知的热油脂、环氧树脂和目前市场上可用的相变材料并不满足包括IHS的封装的性能要求。PCM不具备使中央处理器上的高热量散除所必须的、足够高的体积导热率，它们通常需要使用外部夹具来施加恒定的正向力以达到最佳性能。高导热性的金属填充的环氧树脂热聚合物由于它们的集成问题会导致分层和高的界面阻力，以致不能使用。而且，油脂由于溢出导致使用受限。为克服这些主要的技术障碍，于是开发出高导热性、低模量的交联凝胶。
凝胶通常包括可交联的硅酮聚合物，例如乙烯基封端硅酮聚合物、交联剂和导热填料。凝胶同时具有油脂和交联TIM的性能。在固化之前，这些材料的性能类似于油脂。它们的体积导热率高，表面能低，并且在分配和组装时能较好地适应表面不规则性，这些有助于使热接触阻力最小化。固化之后，凝胶是交联填充的聚合物，并且交联反应提供了粘结强度，从而规避了油脂在温度循环期间表现出的溢出问题。它们的模量(E’)足够低(数量级在兆帕斯卡(MPa)范围，而观测到的环氧树脂模量在吉帕斯卡(GPa)范围)，以致这种材料仍能够分散内部应力并防止界面分层。这样，从材料集成的角度看，这些填充凝胶的低模量性能是很具吸引力的。但是，即使目前在工业上使用的凝胶的模量较低，但仍没有低到足以经得起可靠性应力测试。本发明提供了可固化的TIM，这种TIM的模量更低，足以满足电子封装的性能要求，并经得起可靠性应力测试。
附图说明
下面对本发明的详细描述将使本发明的特征和优点变得显而易见，其中：
图1是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的聚合物链的示图。
图2是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的链延长剂的示图。
图3是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的交联剂的示图。
图4是表示其中可实施本发明一个实施例的集成电路封装的示图。
图5是表示其中可实施本发明另一个实施例的集成电路封装的示图。
图6是表示其中可实施本发明另一个实施例的集成电路封装的示图。
图7是表示其中可实施本发明另一个实施例的集成电路封装的示图。
图8是表示其中可实施本发明另一个实施例的集成电路封装的示图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释，会提到许多细节以提供对本发明的全面理解。但是，显然对于本领域的技术人员而言实施本发明并不需要这些具体细节。
流变仪(即应变控制流变仪)用来监测凝胶的固化反应，并测量固化凝胶在固化温度(即125℃)下的剪切储能模量G’(以下称模量G’)。在可靠性应力测试过程中，如果G’过高(即，正如典型环氧树脂的情况)，则用在IHS的TIM会发生分层。许多方法用来控制G’水平。这些方法包括控制活性硅油乙烯基端基与活性硅酮水合物(即硅氢键(Si-H))交联位点的比例，控制硅油分子量，控制交联剂分子量，以及控制每个分子中Si-H交联位点的数目。这些方法能够一定程度地控制G’，其中利用任意已建立的公知方法可测得G’。
图1是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的聚合物链的示图。
结构组分100是硅油基组合物。结构组分100包括至少一个氧-硅(O-Si)单元和多个烃基来组成硅油以及乙烯基。括号中的O-Si基代表聚合物。聚合物的下标“m”是聚合度，代表结构组分100的聚合物链长，其中“m”在10-1000的范围内(即，当“m”等于10，则聚合物链的平均长度为10)。当硅油基(即带烃基的O-Si-O-Si)与乙烯基(例如CH＝CH2)结合则形成具有结构组分100的乙烯基封端硅油(其中CH是甲烷自由基，CH2是亚甲基)。乙烯基位于该聚合物链的末端。符号“H2C＝CH-”或“-CH＝CH2”表示硅油的乙烯基端基。乙烯基封端硅油结构(即结构组分100)包括多个C1-C26烃基。用R1-R4表示这些烃基。注意，R1、R2、R3和R4均各自独立地选自C1-C26。换句话说，R1、R2、R3和R4可以选自包括1-26个碳原子的脂肪基、脂环基和芳烃基，它们可以相同，也可以不同。在一个实施例中，硅油是乙烯基封端聚(二甲基硅氧烷)  (即组分100中R1、R2、R3和R4均为甲基(C1))。
图2是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的链延长剂的示图。
结构组分200(例如链延长剂)包括用带有下标“n”(其中“n”是聚合度)的括号表示的硅油基物质和位于硅油(例如O-Si-O-Si-O-Si等，链结构)两端的Si-H/H-Si(硅酮水合物)。链延长剂或结构组分200可长可短，这取决于结构中所用的聚合物(O-Si)成分的数目。换句话说，所用的链延长剂的聚合度“n”可以在约10-10000的范围内。结构组分200(H封端硅油)可作为图1中所描述的聚合物链的链延长剂。这两个氢(H)位于硅油基物质(O-Si-O-Si-链)的两端。链延长剂还包括多个C1-C26烃基，用R5-R8表示它们。R5、R6、R7和R8均独立地选自C1-C26烃基。在一个实施例中，链延长剂是氢封端聚(二甲基硅氧烷)(即组分200中R5、R6、R7和R8均为甲基(C1))。链延长剂与乙烯基封端硅油结合来控制TIM(凝胶)的模量(即剪切模量G’)。
一般地，TIM具有两个关键功能。一个功能是散热，另一个功能是充当吸收应力的材料。TIM上的应力是由不同材料(即管芯和金属)的耦合膨胀不匹配引起的，这是因为这些材料具有不同的热膨胀系数。管芯和金属之间的TIM接收管芯和金属作用的应力。据观察，具有链延长剂的TIM的模量(即剪切模量G’)下降，从而能更好地吸收这些应力，不会从表面分层。还观察到，具有链延长剂的TIM的热界面阻力下降，因此能更好地导热。
图3是表示根据本发明一个实施例的可固化TIM的制备中作为一种结构组分的交联剂的示图。
硅酮交联剂结构300包括至少一个聚合物单元(用带有下标“y”的括号表示)、至少一个可交联单元(用带有下标“x”的括号表示)、硅酮和用R9-R14表示的多个C1-C26烃基。R9-R14均独立地选自C1-C26烃基。在一个实施例中，R1-R14都为甲基(CH3)。下标“x”和“y”代表聚合度，其中“x”在3-100的范围内，“y”在10-10000的范围内。当交联剂300与乙烯基封端硅油以及其他添加剂结合时，形成凝胶TIM的基本配方(如图4所示的)。这种凝胶TIM模量较低；但是，这个模量并没有低到足以满足高性能处理器的要求。因此，形成包括结构组分100、200和300以及其他添加剂的凝胶TIM，来生成模量(即模量G’)下降的可固化TIM。
在一个实施例中，可固化TIM组合物包括至少一种具有结构100的乙烯基封端硅油、至少一种具有结构200的H封端硅油和至少一种导热填料。可固化TIM组合物还包括至少一种具有结构300的硅酮交联剂。在这种情况下(即结构300与结构100、200和导热填料结合)，控制结构200的链延长剂与结构300的交联剂之间的比例，从而使得链延长剂的Si-H当量占配方中交联剂和链延长剂的Si-H总当量的摩尔分率在0.1-1范围内。在一个实施例中，这个比例约为0.6。注意，配方可包含多个链延长剂和/或交联剂。配方中交联剂300包括多个硅酮水合物(Si-H)单元。链延长剂200包括两个Si-H单元。如前面已提到的，这两个Si-H单元位于聚合物链的两端。链延长剂200有助于减少可固化TIM中交联键的数目。这样导致剪切模量G’减小，从而降低了由TIM引起的热阻。封装中热阻低，则器件(即中央处理器(CPU))可更快地运行，这是因为低热阻的TIM能够散发掉器件中更多的热量。注意，TIM中剪切模量G’减小，会引起其他模量(即模量E’)也降低，这是因为这些模量是相关的。链延长剂可以与任意种类的聚合物链使用。由于硅酮热凝胶材料的剪切模量G’小于环氧树脂凝胶材料(这些材料的模量极高，无法进行商业利用)，所以它是目前为止最普遍使用的。但是，由于链延长剂的存在，硅酮热凝胶的剪切模量G’可以进一步下降。
凝胶TIM配方包括至少一种乙烯基封端硅油(即结构100)、至少一种Si-H交联剂和Pt催化剂。固化后，这种凝胶TIM配方具有较低的模量G’。但是，这种配方的G’还没有低到足以满足高性能处理器的要求。交联剂和硅油结合生成网络结构。固化后所得的G’值取决于交联位点之间的平均距离。交联位点之间的平均距离取决于交联剂(即结构300)的“y”值和“x”值、硅油(即结构100)的“m”值、以及交联剂与硅油的比例(即Si-H与Si-vinyl之间的比例)。为使交联位点之间的距离更长，而粘度又不会增加(即不增加结构100的“m”值和结构300的“y”值)，则使用链延长剂(即结构200)。在一个实施例中，链延长剂的大小大致等于交联剂(即结构200的“n”值约等于结构300的“y”值和“x”值之和)。
通过将这些组分混合在一起，并通过分散方法将它们涂布在任意特定表面上，在某一温度(即室温)下固化来生成凝胶，可制得可交联TIM。凝胶TIM配方包括至少一种乙烯基封端硅油(即结构100)、至少一种氢封端硅油(例如，链延长剂或结构200)，至少一种硅酮交联剂(即Si-H交联剂或结构300)和至少一种导热填料(未示出)。这些结构组分结合在一起，形成低模量G’的凝胶TIM。这些组分结合在一起的顺序对于TIM的形成并不是关键的。当然诸如用于固化反应的催化剂之类的其他添加剂可包括在这些组分中。调节链延长剂的Si-H当量与交联剂的Si-H当量的比例，从而得到所期望的模量G’值。
固化过程中发生的交联反应包括乙烯基与硅氢基反应而形成硅-碳键。注意，Si-H与Si-vinyl(硅-乙烯基)的摩尔比例是控制固化后硅酮基体性能的关键参数，这对本领域的技术人员来说是公知的。但是，实施本发明中用到的这个值的范围较宽。Si-H与Si-vinyl的这个比值在约2-0.6的范围内。Si-H与Si-vinyl的比值超出这个范围可能导致所得到材料的G’值在所期望的范围之外。在一个实施例中，Si-H与Si-vinyl的比约为1.0。
由于链延长技术在固化过程中形成线型、高分子量的硅酮聚合物，所以基质硅油可具有较宽范围的分子量。但是，低分子量的硅油是所期望的，这是因为低分子量硅油由于它们在固化之前粘度较低从而使得TIM的加工性得到改善。而且，低分子量硅油由于被限制在填料表面时的熵损失减少，所以低分子量硅油能更好地润湿填料，并允许更高的填料负载，从而提供了更高的体积导热率。
填料是图1和图2所示结构的组合物或图1、2和3所示结构的组合物所必需的。虽然配方中填料种类和质量百分比是热界面材料性能的关键参数，但是本领域的技术人员都充分理解这些参数，并且这些参数对于实施本发明也不是关键的。因此，实施本发明可使用的填料种类和填料负载的范围都非常宽。这些填料的实例包括金属，例如铝、银、铜等；陶瓷，例如氮化铝、氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化铝等；镀银铝，碳纤维，合金及它们的任意组合。
类似地，实施本发明可使用的填料的平均颗粒尺寸和颗粒尺寸分布的范围也非常宽。填料的平均填料尺寸越大，能提供的体积导热率越高；但是，它们形成的粘合层也更厚，从而降低了热性能。因此，必须权衡这些因素，再选择某一范围内的平均颗粒尺寸，从而获得高性能的热界面材料。通常，平均颗粒尺寸小于约300微米。在一个实施例中，平均颗粒尺寸小于约30微米。
包括链延长技术的凝胶TIM可以在较宽的温度和/或时间范围内固化。通过选择催化剂种类、催化剂浓度、以及催化剂抑制剂和延迟剂的可选使用，可控制固化时间和温度，这些对于本领域技术人员来说都是已知的。一般，链延长剂与典型的硅酮交联剂反应更快，因此，通常需要改变催化剂的种类、浓度、抑制剂等，从而在固化过程中达到反应平衡，获得足够长的保存期和适用期(pot life)。
此外，本发明的组合物还可以包含其他添加剂，包括但不限于：用于固化反应的催化剂、用于填料的偶联剂、粘合促进剂、着色剂和其他本领域技术人员公知的添加剂。
本发明的组合物可用作需要散热的电子封装中的热界面材料。这些封装可以是各种封装形式，包括针型栅格阵列、球型栅格阵列和具有固定插入物的球型栅格阵列。这些组合物尤其适于用作倒装芯片封装的IHS和管芯之间的热界面材料；但是，它们可用在各种不同应用中，只要芯片和诸如散热片、风扇、平板热管等之类的散热硬件之间需要热界面材料。
图4是表示其中可实施本发明一个实施例的集成电路封装400的示图。
在一个实施例中，集成电路封装400包括通过焊凸点416电耦合到集成电路414的衬底412，这是在通常称之为控制塌陷芯片连接(controlledcollapsed chip connection，C4)工艺中用到的。虽然这里示出并描述了焊凸点416，但应该理解到集成电路414可通过其他方法(例如接合线)连接到衬底412上。
集成电路封装400可包括附在衬底412的底部表面420上的多个焊球418。焊球418可回流以将集成电路封装400附到印制电路板(未示出)上。衬底412可包含路由迹线、表面垫、电源层/接地层和通孔等，它们将焊球418与焊凸点416电连接。虽然这里示出并描述了焊球418，但应该理解到封装400可以具有其他接点，例如引脚。
集成电路产生热，而这种热必须从集成电路封装400中除去。热元件428可与集成电路414热耦合，从而使集成电路414散热更容易。热元件428可以是具有多个翼片430的散热器。为减小集成电路414和热元件428之间的热阻抗，可以将本发明的可固化TIM 441注入保持结构440，形成热管，然后可将热管放置在集成电路414和热元件428之间。所用的可固化TIM 441可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。
图5是表示其中可实施本发明另一个实施例的微处理器组件500的示图。
微处理器组件500包括装在衬底514上的印制电路板(printed circuitboard，PCB)512和散热板540。微处理器组件500还包括装在PCB 512上的处理器管芯516。处理器管芯516是作为微处理器组件500的处理核心的集成电路。微处理器组件500还包括散热端盖522和散热板540。
根据本发明的可固化热界面材料520用作处理器管芯516和散热板540之间的热材料(如所示的)。可固化TIM 520可用喷涂机涂布。所用的可固化TIM 520可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂(如上所述)。
在一个实施例中，散热板540设置在PCB 512和处理器管芯516以上，用来冷却微处理器组件500的各种电子部件。散热板540是沿其整个表面散热来完成其功能的。如图5所示的，热从处理器管芯516沿着箭头A所示的传热路径传递到散热板540。在这个实施例中，散热板540由铝制成。
图6是表示其中可实施本发明一个实施例的集成电路封装600的示图。
在一个实施例中，集成电路封装600包括通过焊凸点616电耦合到集成电路614的衬底612，这是在通常称之为控制塌陷芯片连接(C4)工艺中用到的。可固化TIM 613用作集成电路或管芯614和集成散热器(IHS)615之间的热材料。集成电路封装600可包括附在衬底612的底部表面620上的多个焊球618。
集成电路614产生热，而这种热必须从集成电路封装600中除去。集成散热器615可与集成电路614热耦合，从而使集成电路614散热更容易。散热器615可包括金属和可选地具有另一种金属涂层的金属合金，或可包括导热性复合材料。为减小集成电路614和散热器615之间的热阻抗，将可固化TIM 613置于集成电路614和散热器615之间。所用的可固化TIM 613可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。
而且，热元件621可热耦合到散热器615以便于进一步散热。热元件621可以是具有多个翼片的散热器。为减小集成电路614和热元件621之间的热阻抗，应用另一种热界面材料623，并置于散热器615和热元件621之间。热界面材料623与可固化TIM 641可以相同，也可以不同。在一个实施例中，热界面材料623可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。在另一个实施例中，热界面材料623可以是热油脂。在另一个实施例中，热界面材料623可以是相变材料。
图7是表示其中可实施本发明一个实施例的集成电路封装700的示图。
在一个实施例中，集成电路封装700包括通过焊凸点716电耦合到集成电路714的衬底712，这是在通常称之为控制塌陷芯片连接(C4)工艺中用到的。可固化TIM 713用作集成电路或管芯714和集成散热器(IHS)715之间的热材料。集成电路封装700可通过焊凸点718电耦合到插入物730，这是在通常称之为表面安装连接(surface mounting connection，SMT)工艺中用到的。插入物730可包括多个引脚731。
集成电路714产生热，而这种热必须从集成电路封装700中除去。集成散热器715可与集成电路714热耦合，从而使集成电路714散热更容易。散热器715可包括金属和可选地具有另一种金属涂层的金属合金，或可包括导热性复合材料。为减小集成电路714和散热器715之间的热阻抗，将根据本发明的可固化TIM 713置于集成电路714和散热器715之间。可固化TIM 713可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。
而且，热元件721可热耦合到散热器715以便于进一步散热。热元件721可以是具有多个翼片的散热器。为减小集成电路714和热元件721之间的热阻抗，应用根据本发明的另一种热界面材料723，并置于散热器715和热元件721之间。热界面材料723与可固化TIM 713可以相同，也可以不同。在一个实施例中，热界面材料723可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。在另一个实施例中，热界面材料723可以是热油脂。在另一个实施例中，热界面材料723可以是相变材料。
图8是表示其中可实施本发明一个实施例的集成电路封装800的示图。
集成电路封装800包括通过焊凸点816电耦合到集成电路814的衬底812，这是在通常称之为控制塌陷芯片连接(C4)工艺中用到的。可固化TIM 813用作集成电路或管芯814和集成散热器(IHS)815之间的热材料。集成电路封装800可包括附在衬底812的底部表面820上的多个引脚818。
集成电路814产生热，而这种热必须从集成电路封装800中除去。集成散热器815可与集成电路814热耦合，从而有助于集成电路814散热。散热器815可包括金属和可选地具有另一种金属涂层的金属合金，或可包括导热性复合材料。为减小集成电路814和散热器815之间的热阻抗，将可固化TIM 813置于集成电路814和散热器815之间。所用的可固化TIM813可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。
而且，热元件821可热耦合到散热器815以便于进一步散热。热元件821可以是具有多个翼片的散热器。为减小集成电路814和热元件821之间的热阻抗，应用另一种热界面材料823，并置于散热器815和热元件821之间。热界面材料823与可固化TIM 841可以相同，也可以不同。在一个实施例中，热界面材料823可以是包括结构组分100和200的组合物，或者该组合物可包括结构组分100、200和300、以及其他添加剂。在另一个实施例中，热界面材料823可以是热油脂。在另一个实施例中，热界面材料823可以是相变材料。
虽然已参照说明性实施例描述了本发明，但这种描述不能视为是限制性的。对这些说明性实施例的进行各种改进及替代，对于本发明所属领域的技术人员来说都是显而易见的，应认为在本发明的精神和范围内。

Claims (26)

1.一种组合物，包括：
至少一种乙烯基封端硅油；
至少一种链延长剂；
至少一种导热填料；和
至少一种硅酮交联剂，以形成低模量的凝胶热界面材料，该硅酮交联剂是包括多个硅氢键(Si-H)的共聚物；所述组合物是可固化并导热的材料。
2.如权利要求1所述的组合物，其中所述链延长剂包括一种氢封端硅油，其中所述氢封端硅油的硅氢键(Si-H)当量占所述硅酮交联剂和所述氢封端硅油的Si-H总当量的摩尔分率至少为0.4。
3.如权利要求1所述的组合物，其中Si-H当量与硅-乙烯基当量的摩尔比例在2到0.6的范围内。
4.如权利要求3所述的组合物，其中所述比例为1。
5.如权利要求1所述的组合物，其中所述导热填料是铝、银、铜、氮化铝、氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化铝、镀银铜、镀银铝、和碳纤维、及其合金和混合物的其中一种。
6.如权利要求1所述的组合物，其中所述链延长剂包括至少一种氢封端硅油。
7.如权利要求1所述的组合物，其中所述硅酮交联剂的多个硅氢键(Si-H)包括至少3个硅氢键(Si-H)。
8.如权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种链延长剂包括：
至少一种氢封端硅油。
9.如权利要求1所述的组合物，还包括：
至少一种用于固化反应的催化剂；和
至少一种粘合促进剂。
10.一种方法，包括：
将至少一种乙烯基封端硅油，至少一种链延长剂和导热填料结合以形成可固化的热界面材料(TIM)；和
结合硅酮交联剂以形成低模量的凝胶热界面材料，所述硅酮交联剂是包括多个硅氢键(Si-H)的无规共聚物。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述氢封端硅油的硅氢键(Si-H)当量占所述硅酮交联剂和所述氢封端硅油的Si-H总当量的摩尔分率至少为0.4。
12.如权利要求10所述的方法，其中硅氢键(Si-H)当量与硅乙烯基键(硅-乙烯基)当量的摩尔比例在2到0.6的范围内。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述比例为1.0。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述导热填料是铝、银、铜、氮化铝、氧化铝、氧化锌、氮化硼、氮化铝、镀银铜、镀银铝、碳纤维、及其合金和混合物的其中一种。
15.如权利要求10所述的方法，还包括结合至少一种用于固化反应的催化剂。
16.如权利要求15所述的方法，还包括结合至少一种用于所述填料的偶联剂。
17.如权利要求15所述的方法，还包括结合至少一种粘合促进剂。
18.如权利要求10所述的方法，其中所述硅酮交联剂的多个硅氢键(Si-H)包括至少3个硅氢键(Si-H)。
19.一种处理器组件，包括：
半导体器件；
耦合到所述半导体器件的散热器；
在所述半导体器件和所述散热器之间提供热阻的第一可固化热材料，所述第一可固化热材料包括：
至少一种乙烯基封端硅油；
链延长剂；和
至少一种导热填料；
耦合到所述散热器的热元件；以及
在所述散热器和所述热元件之间的第二可固化热材料，所述第二可固化热材料包括：
至少一种乙烯基封端硅油；
链延长剂；和
至少一种导热填料；
所述第一和第二可固化热材料还包括至少一种硅酮交联剂，以形成低模量的凝胶热界面，该硅酮交联剂是包括多个硅氢键(Si-H)的无规共聚物。
20.如权利要求19所述的处理器组件，其中所述硅酮交联剂的多个硅氢键(Si-H)包括至少3个硅氢键(Si-H)。
21.如权利要求19所述的处理器组件，还包括：
耦合到所述半导体器件的衬底；和
耦合到所述衬底的插入物。
22.如权利要求21所述的处理器组件，还包括：
将所述衬底与所述半导体器件相耦合的第一多个焊凸点；和
将所述半导体器件与所述衬底相耦合的第二多个焊凸点。
23.如权利要求21所述的处理器组件，还包括：
从所述插入物向外延伸的多个引脚。
24.如权利要求19所述的处理器组件，其中所述氢封端硅油的硅氢键(Si-H)当量占所述硅酮交联剂和所述氢封端硅油的Si-H总当量的摩尔分率至少为0.4。
25.如权利要求19所述的处理器组件，其中Si-H当量与硅-乙烯基当量的摩尔比例在2到0.6的范围内。
26.如权利要求19所述的处理器组件，还包括：
耦合到所述半导体器件的衬底；和
从所述衬底向外延伸的多个引脚。
CNB028263308A 2001-12-27 2002-12-20 热材料的链延长 Expired - Fee Related CN100334154C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/034,699 US7060747B2 (en) 2001-03-30 2001-12-27 Chain extension for thermal materials
US10/034,699 2001-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1610725A CN1610725A (zh) 2005-04-27
CN100334154C true CN100334154C (zh) 2007-08-29

Family

ID=21878043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028263308A Expired - Fee Related CN100334154C (zh) 2001-12-27 2002-12-20 热材料的链延长

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7060747B2 (zh)
EP (1) EP1458816A1 (zh)
CN (1) CN100334154C (zh)
AU (1) AU2002357380A1 (zh)
HK (1) HK1077595A1 (zh)
TW (1) TWI290159B (zh)
WO (1) WO2003057782A1 (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7060747B2 (en) * 2001-03-30 2006-06-13 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
US20030168731A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-11 Matayabas James Christopher Thermal interface material and method of fabricating the same
JP4587636B2 (ja) * 2002-11-08 2010-11-24 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US7119143B2 (en) * 2004-03-04 2006-10-10 Laird Technologies, Inc. Silicone pads for electronics thermal management
US7312261B2 (en) * 2004-05-11 2007-12-25 International Business Machines Corporation Thermal interface adhesive and rework
US20060014309A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Sachdev Krishna G Temporary chip attach method using reworkable conductive adhesive interconnections
JP4637652B2 (ja) * 2005-05-31 2011-02-23 富士通株式会社 はんだ付け方法及び電子部品
CN1978582A (zh) * 2005-12-09 2007-06-13 富准精密工业(深圳)有限公司 导热膏及使用该导热膏的电子装置
KR100819234B1 (ko) * 2006-05-25 2008-04-02 삼성전자주식회사 네비게이션 단말의 목적지 설정 방법 및 장치
US20080166552A1 (en) * 2006-11-06 2008-07-10 Arlon, Inc. Silicone based compositions for thermal interface materials
US20090111925A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Burnham Kikue S Thermal interface materials, methods of production and uses thereof
US7760507B2 (en) * 2007-12-26 2010-07-20 The Bergquist Company Thermally and electrically conductive interconnect structures
WO2009093335A1 (ja) * 2008-01-25 2009-07-30 Fujitsu Limited 熱容量制御材料及び部品実装方法
US9142480B2 (en) * 2008-08-15 2015-09-22 Intel Corporation Microelectronic package with high temperature thermal interface material
CA2796441C (en) 2010-04-26 2017-12-12 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Filler particles, resin composition, grease, and coating composition
DE102011004789A1 (de) * 2011-02-25 2012-08-30 Wacker Chemie Ag Selbsthaftende, zu Elastomeren vernetzbare Siliconzusammensetzungen
US20140210121A1 (en) * 2011-08-15 2014-07-31 Johson Controls Technology Company Semi Permanent Tool Coating Enhancement for Extended Number of Releases
CN102504543B (zh) * 2011-12-12 2013-11-20 广州市白云化工实业有限公司 一种高散热硅膏组合物及其制备方法
CN102532904B (zh) * 2011-12-28 2013-04-24 烟台德邦科技有限公司 一种有机硅散热材料及其制备方法
JP5708824B2 (ja) * 2012-09-14 2015-04-30 横浜ゴム株式会社 硬化性樹脂組成物
US8920919B2 (en) 2012-09-24 2014-12-30 Intel Corporation Thermal interface material composition including polymeric matrix and carbon filler
CN102924923B (zh) * 2012-10-24 2014-12-03 江苏大学 一种高导热磁性金属纤维/硅橡胶复合材料及其制备方法
US10506719B2 (en) * 2013-01-15 2019-12-10 Blackberry Limited Thermal dissipater apparatus for use with electronic devices
EP2970597A4 (en) 2013-03-12 2016-10-12 Tyco Electronics Corp HYBRID THERMOPLASTIC GELS AND METHODS OF PREPARATION THEREOF
KR102250406B1 (ko) 2013-03-14 2021-05-12 다우 실리콘즈 코포레이션 경화성 실리콘 조성물, 전기 전도성 실리콘 접착제, 이의 제조 및 사용 방법, 및 이를 포함하는 전기 디바이스
WO2014150302A1 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Dow Corning Corporation Conductive silicone materials and uses
CN103408937B (zh) * 2013-07-30 2015-06-03 深圳德邦界面材料有限公司 一种粘性或非粘性的导热界面材料及其制备方法
US20150259584A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 Randall D. Lowe, JR. Integrated heat spreader sealants for microelectronic packaging
US9928963B2 (en) * 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US10580717B2 (en) * 2016-01-11 2020-03-03 Intel Corporation Multiple-chip package with multiple thermal interface materials
CN109072051B (zh) 2016-03-08 2023-12-26 霍尼韦尔国际公司 相变材料
US9725577B1 (en) 2016-08-30 2017-08-08 International Business Machines Corporation Self-healing thermal interface materials
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
CN107488441B (zh) * 2017-09-20 2022-03-22 深圳沃尔提莫电子材料有限公司 一种液态金属导热填料及制备方法
US10428256B2 (en) * 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
CN111961255B (zh) * 2020-08-27 2021-12-14 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种导热凝胶及其制备方法
US20240141110A1 (en) 2021-02-23 2024-05-02 Byk-Chemie Gmbh Polysiloxane dispersing agent
CN115734557A (zh) * 2021-08-26 2023-03-03 华为技术有限公司 复合导热材料和电子设备
CN115353738A (zh) * 2022-08-12 2022-11-18 超聚变数字技术有限公司 膏状热界面材料及其制备方法、电子设备
CN115505264A (zh) * 2022-08-12 2022-12-23 超聚变数字技术有限公司 膏状热界面材料及其制备方法、电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85101835A (zh) * 1984-06-28 1987-01-10 拜尔公司 采用含有高分散活性填充物和硅聚合物的化合物用来制造硅树胶糊和硅树脂模制组成物以及此类型的组成物
US4852646A (en) * 1987-06-16 1989-08-01 Raychem Corporation Thermally conductive gel materials
JPH0455337B2 (zh) * 1985-04-11 1992-09-03 Nippon Electric Co
US6020424A (en) * 1997-06-30 2000-02-01 Ferro Corporation Screen printable thermally curing conductive gel

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293477A (en) 1980-01-04 1981-10-06 Ford Motor Company Highly filled thermally conductive elastomers III
FR2570383B1 (fr) 1984-09-20 1988-03-18 Nec Corp Composition stable conductrice de la chaleur et bloc de dispositif semi-conducteur dans lequel cette composition est utilisee
US4838347A (en) * 1987-07-02 1989-06-13 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Thermal conductor assembly
US4974119A (en) 1988-09-14 1990-11-27 The Charles Stark Draper Laboratories, Inc. Conforming heat sink assembly
US5122562A (en) * 1990-09-25 1992-06-16 General Electric Company Heat curable silicone rubber compositions
JP3541390B2 (ja) * 1991-02-22 2004-07-07 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 グリース状シリコーン組成物およびその製造方法
US5137959A (en) 1991-05-24 1992-08-11 W. R. Grace & Co.-Conn. Thermally conductive elastomer containing alumina platelets
KR970005712B1 (ko) * 1994-01-11 1997-04-19 삼성전자 주식회사 고 열방출용 반도체 패키지
US5616403A (en) * 1994-07-11 1997-04-01 General Electric Company Fluorosilicone coatings
MY112145A (en) * 1994-07-11 2001-04-30 Ibm Direct attachment of heat sink attached directly to flip chip using flexible epoxy
KR100245971B1 (ko) * 1995-11-30 2000-03-02 포만 제프리 엘 중합접착제를 금속에 접착시키기 위한 접착력 촉진층을 이용하는 히트싱크어셈블리 및 그 제조방법
JP4121152B2 (ja) 1996-04-29 2008-07-23 パーカー−ハニフイン・コーポレーシヨン 電子部品用の適合性熱境界面材料
US5781412A (en) * 1996-11-22 1998-07-14 Parker-Hannifin Corporation Conductive cooling of a heat-generating electronic component using a cured-in-place, thermally-conductive interlayer having a filler of controlled particle size
DE19709531A1 (de) * 1997-03-10 1998-09-17 Roeko Gmbh & Co Zwei-Komponenten-Kit und Stift auf Guttaperchabasis zur Verwendung mit dem Kit
JP4015722B2 (ja) 1997-06-20 2007-11-28 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性ポリマー組成物
US5968606A (en) 1997-06-30 1999-10-19 Ferro Corporation Screen printable UV curable conductive material composition
US6096414A (en) 1997-11-25 2000-08-01 Parker-Hannifin Corporation High dielectric strength thermal interface material
US5978223A (en) 1998-02-09 1999-11-02 International Business Machines Corporation Dual heat sink assembly for cooling multiple electronic modules
JP3444199B2 (ja) 1998-06-17 2003-09-08 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びその製造方法
US6218730B1 (en) 1999-01-06 2001-04-17 International Business Machines Corporation Apparatus for controlling thermal interface gap distance
US6238596B1 (en) 1999-03-09 2001-05-29 Johnson Matthey Electronics, Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US5989459A (en) 1999-03-09 1999-11-23 Johnson Matthey, Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
US6162663A (en) 1999-04-20 2000-12-19 Schoenstein; Paul G. Dissipation of heat from a circuit board having bare silicon chips mounted thereon
US6188576B1 (en) 1999-05-13 2001-02-13 Intel Corporation Protective cover and packaging for multi-chip memory modules
US6045961A (en) * 1999-08-17 2000-04-04 Xerox Corporation Thermally stable silicone fluids
US6311769B1 (en) * 1999-11-08 2001-11-06 Space Systems/Loral, Inc. Thermal interface materials using thermally conductive fiber and polymer matrix materials
JP3580358B2 (ja) 2000-06-23 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
US6469379B1 (en) * 2001-03-30 2002-10-22 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
US7060747B2 (en) * 2001-03-30 2006-06-13 Intel Corporation Chain extension for thermal materials
JP3580366B2 (ja) 2001-05-01 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
US6597575B1 (en) * 2002-01-04 2003-07-22 Intel Corporation Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
US6841867B2 (en) * 2002-12-30 2005-01-11 Intel Corporation Gel thermal interface materials comprising fillers having low melting point and electronic packages comprising these gel thermal interface materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85101835A (zh) * 1984-06-28 1987-01-10 拜尔公司 采用含有高分散活性填充物和硅聚合物的化合物用来制造硅树胶糊和硅树脂模制组成物以及此类型的组成物
JPH0455337B2 (zh) * 1985-04-11 1992-09-03 Nippon Electric Co
US4852646A (en) * 1987-06-16 1989-08-01 Raychem Corporation Thermally conductive gel materials
US6020424A (en) * 1997-06-30 2000-02-01 Ferro Corporation Screen printable thermally curing conductive gel

Also Published As

Publication number Publication date
US7060747B2 (en) 2006-06-13
US7671120B2 (en) 2010-03-02
AU2002357380A1 (en) 2003-07-24
TW200305607A (en) 2003-11-01
HK1077595A1 (en) 2006-02-17
US20020143092A1 (en) 2002-10-03
WO2003057782A1 (en) 2003-07-17
US20060122304A1 (en) 2006-06-08
TWI290159B (en) 2007-11-21
EP1458816A1 (en) 2004-09-22
CN1610725A (zh) 2005-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100334154C (zh) 热材料的链延长
US6841867B2 (en) Gel thermal interface materials comprising fillers having low melting point and electronic packages comprising these gel thermal interface materials
US6469379B1 (en) Chain extension for thermal materials
US6597575B1 (en) Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials
US5315154A (en) Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
US6339120B1 (en) Method of preparing thermally conductive compounds by liquid metal bridged particle clusters
CN101197361B (zh) 功率模块及其制造方法
US20180323130A1 (en) Adhesive polymer thermal interface material with sintered fillers for thermal conductivity in micro-electronic packaging
TWI657132B (zh) 具有基質及經密封相變材料分散於其中之組合物及以其組裝之電子裝置
JP2006522491A (ja) 熱相互接続および界面システム、製造方法、およびその使用方法
CN107170724A (zh) 冷却器件、封装的半导体器件和封装半导体器件的方法
EP1609838A2 (en) Thermal transient suppression material and method of production
CN111725079B (zh) 一种有引线塑封芯片的高导热性塑封工艺
KR100574289B1 (ko) 방열부재, 그의 제조방법 및 그의 설치방법
JP2018534791A (ja) マトリックス及びカプセル化材料を有し、電子デバイスに使用される組成物
CN107004650A (zh) 用于组装电子装置的组合物
TW201130874A (en) Thermal interface material with epoxidized nutshell oil
JP4202923B2 (ja) 熱伝導性材料、マイクロエレクトロニクス装置、熱伝導性材料を形成する方法及びマイクロチップから熱を伝導して取り去る方法
TW200421579A (en) Thermal interface apparatus, systems, and methods
JP2007189154A (ja) 熱伝導接合材及び実装方法
CN102648266A (zh) 含有苯酯的热界面材料
JP4693624B2 (ja) 実装方法
KR102636434B1 (ko) 전력 반도체 패키지용 칩 본딩 조성물
JP3865957B2 (ja) 伝熱性化合物
US20050054143A1 (en) Using benzocyclobutene based polymers as underfill materials

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1077595

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1077595

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070829

Termination date: 20151220

EXPY Termination of patent right or utility model