CH714307A2 - Method of crimping a stone - Google Patents
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- CH714307A2 CH714307A2 CH01335/17A CH13352017A CH714307A2 CH 714307 A2 CH714307 A2 CH 714307A2 CH 01335/17 A CH01335/17 A CH 01335/17A CH 13352017 A CH13352017 A CH 13352017A CH 714307 A2 CH714307 A2 CH 714307A2
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Abstract
L’invention se rapporte à un procédé d’assemblage d’une pierre (1) sur un support de fixation (2), ladite pierre (1) étant taillée pour présenter une table, une couronne, un rondiste (5) et une culasse, ledit procédé d’assemblage comportant les étapes suivantes: a) se munir d’un substrat (8) comportant au moins un logement (10) dans lequel est positionnée ladite pierre (1), ledit logement (10) étant agencé pour former entre le substrat (8) et ladite pierre (1) un espace libre périphérique (12) au moins au niveau du rondiste (5) et de zones (4a, 6a) de la couronne (4) et de la culasse (6) contiguës au rondiste (5), ledit espace libre périphérique (12) comprenant un fond (14) présentant une surface conductrice (16) b) déposer par voie galvanique dans ledit espace libre périphérique (12) une couche métallique (36) au moins au niveau du rondiste (5) et des zones (4a, 6a) de la couronne (4) et de la culasse (6) contiguës au rondiste (5) de manière à emprisonner ledit rondiste (5) dans ladite couche métallique (36) pour former, au moins sensiblement autour du rondiste (5) de la pierre (1), ledit support de fixation (2) c) libérer ladite pierre (1) et son support de fixation (2) du substrat (8). L’invention concerne également un procédé de sertissage sur un élément d’une pièce d’horlogerie ou de bijouterie d’une pierre et de son support de fixation obtenus selon ledit procédé d’assemblage.The invention relates to a method of assembling a stone (1) on a fixing support (2), said stone (1) being cut to present a table, a crown, a rondiste (5) and a cylinder head , said assembly method comprising the following steps: a) providing a substrate (8) comprising at least one housing (10) in which said stone (1) is positioned, said housing (10) being arranged to form between the substrate (8) and said stone (1) a peripheral free space (12) at least at the level of the girdle (5) and zones (4a, 6a) of the crown (4) and the yoke (6) contiguous with the a girdle (5), said peripheral free space (12) comprising a bottom (14) having a conductive surface (16); b) electrically depositing in said peripheral free space (12) a metal layer (36) at least at the level of (5) and zones (4a, 6a) of the crown (4) and the bolt (6) adjoining the girdle (5) so as to imprison forming said rounder (5) in said metal layer (36) to form, at least substantially around the girdle (5) of the stone (1), said fixing support (2) c) releasing said stone (1) and its support fixing (2) the substrate (8). The invention also relates to a crimping method on an element of a timepiece or jewelery of a stone and its fixing support obtained according to said assembly method.
Description
DescriptionDescription
Domaine de l’invention [0001] L’invention se rapporte à un procédé d’assemblage d’une pierre sur un support de fixation, ladite pierre étant taillée pour présenter une table, une couronne, un rondiste et une culasse. L’invention concerne également un procédé de sertissage sur un élément d’une pièce d’horlogerie ou de bijouterie d’une pierre et de son support de fixation obtenus selon ledit procédé d’assemblage.FIELD OF THE INVENTION [0001] The invention relates to a method of assembling a stone on a fixing support, said stone being cut to present a table, a crown, a rondiste and a cylinder head. The invention also relates to a crimping method on an element of a timepiece or jewelery of a stone and its fixing support obtained according to said assembly method.
Arrière-plan de l’invention [0002] Il est connu de sertir des pierres précieuses, semi-précieuses ou synthétiques à l’aide de griffes, de grains ou de rails. Le sertissage traditionnel par montage d’une pierre naturelle, comme du diamant ou de l’émeraude, dans un chaton au moyen de griffes impose généralement une maîtrise dimensionnelle de la taille des pierres proche des 5/100. De ce fait, ce type de sertissage n’est pas compatible avec celui de pierres serties de grandes séries à faible coût utilisant quant à lui des pierres d’une plus grande précision, proche du 1/100, telles que le diamant synthétique, le zircon et le rubis. Résumé de l’invention [0003] La présente invention a pour but de remédier à cet inconvénient en proposant un procédé de sertissage de pierres permettant de s’affranchir des inévitables variations dimensionnelles rencontrées lorsque des pierres naturelles, telles que les diamants ou les émeraudes, sont utilisées.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] It is known to crimp precious, semi-precious or synthetic stones using claws, grains or rails. The traditional crimping by mounting a natural stone, such as diamond or emerald, in a kitten with claws generally imposes a dimensional control of the size of stones close to 5/100. Therefore, this type of crimping is not compatible with that of stones set with large series at low cost using stones of a greater accuracy, close to 1/100, such as synthetic diamond, zircon and ruby. SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to overcome this disadvantage by proposing a method of crimping stones that makes it possible to overcome the inevitable dimensional variations encountered when natural stones, such as diamonds or emeralds, are used.
[0004] A cet effet, l’invention se rapporte tout d’abord à un procédé d’assemblage d’une pierre sur un support de fixation, ladite pierre étant taillée pour présenter une table, une couronne, un rondiste et une culasse, ledit procédé comportant les étapes suivantes: a) se munir d’un substrat comportant au moins un logement dans lequel est positionnée ladite pierre, ledit logement étant agencé pour former entre le substrat et ladite pierre un espace libre périphérique au moins au niveau du rondiste de la pierre et de zones de la couronne et de la culasse contiguës au rondiste, le fond dudit espace libre périphérique présentant une surface conductrice b) déposer par voie galvanique dans ledit espace libre périphérique une couche métallique au moins au niveau du rondiste et des zones de la couronne et de la culasse contiguës au rondiste de manière à emprisonner ledit rondiste dans ladite couche métallique pour former, au moins sensiblement autour du rondiste de la pierre, ledit support de fixation c) libérer ladite pierre et son support de fixation du substrat.For this purpose, the invention relates first of all to a method of assembling a stone on a support, said stone being cut to present a table, a crown, a round and a cylinder head, said method comprising the following steps: a) providing itself with a substrate comprising at least one housing in which said stone is positioned, said housing being arranged to form between the substrate and said stone a peripheral free space at least at the level of the the stone and zones of the crown and the breech contiguous to the girdle, the bottom of said peripheral free space having a conductive surface; b) depositing galvanically in said peripheral free space a metal layer at least at the level of the girdle and the zones of the crown and the breech contiguous to the rondist so as to trap said rondist in said metal layer to form, at least substantially around the ron said rock, said fixing bracket c) releasing said stone and its support for fixing the substrate.
[0005] D’une manière particulièrement avantageuse, le substrat et son logement peuvent être réalisés selon les étapes suivantes: d) se munir d’un substrat présentant une couche conductrice en surface et réaliser dans ledit substrat au moins un trou traversant e) recouvrir le substrat d’une couche de résine photosensible, et former par photolitographie dans la résine photosensible une cavité de dimensions, dans le plan du substrat, supérieures aux dimensions du rondiste de la pierre, de sorte que la cavité comprend une ouverture centrale en correspondance avec le trou traversant et une zone périphérique comprenant des parois latérales en résine et un fond occupé par la couche conductrice du substrat autour du trou traversant, les dimensions de la cavité et du trou traversant formant le logement étant choisies de sorte que la culasse de la pierre se loge partiellement dans le trou traversant pour reposer sur la périphérie de l’ouverture centrale de la cavité, le reste de la culasse au-dessus du trou traversant définissant la zone de la culasse contiguë au rondiste, et de sorte que le reste de la pierre entre ladite zone de la culasse contiguë au rondiste et au moins jusqu’au niveau de la zone de la couronne contiguë au rondiste se loge dans la cavité de manière à former entre la pierre et les parois de la cavité, ledit espace libre périphérique.In a particularly advantageous manner, the substrate and its housing can be made according to the following steps: d) providing a substrate having a conductive layer on the surface and producing in said substrate at least one through hole e) covering the substrate of a photosensitive resin layer, and photolitographically form in the photosensitive resin a cavity of dimensions, in the plane of the substrate, greater than the dimensions of the rondiste of the stone, so that the cavity comprises a central opening in correspondence with the through hole and a peripheral zone comprising resin side walls and a bottom occupied by the conductive layer of the substrate around the through hole, the dimensions of the cavity and the through hole forming the housing being selected so that the stone head is partially lodged in the through hole to rest on the periphery of the central opening of the cavity the remainder of the breech above the through-hole defining the breech area adjacent to the girdle, and such that the remainder of the stone between the breech area adjacent to the girdle and at least to the level of the girdle the crown contiguous to the rondiste is lodged in the cavity so as to form between the stone and the walls of the cavity, said peripheral free space.
[0006] Le procédé selon l’invention permet de choisir les dimensions du logement, et plus particulièrement les dimensions du trou traversant, de manière à s’adapter aux variations dimensionnelles des pierres.The method of the invention allows to choose the dimensions of the housing, and more particularly the dimensions of the through hole, so as to adapt to the dimensional variations of the stones.
[0007] L’invention se rapporte également à un procédé de sertissage d’une pierre sur un élément d’une pièce d’horlogerie ou de bijouterie comprenant le montage de la pierre et de son support de fixation obtenus selon le procédé tel que défini ci-dessus sur un chaton ensuite rapporté sur l’élément de pièce d’horlogerie ou de bijouterie ou directement sur l’élément de pièce d’horlogerie ou de bijouterie.The invention also relates to a method of crimping a stone on an element of a timepiece or jewelery including the mounting of the stone and its fixing support obtained according to the method as defined above on a kitten then reported on the timepiece element or jewelry or directly on the timepiece element or jewelry.
[0008] L’invention se rapporte également à un élément de pièce d’horlogerie ou de bijouterie comprenant au moins une pierre assemblée sur son support de fixation obtenue selon le procédé d’assemblage tel que défini ci-dessus.The invention also relates to a timepiece or jewelery element comprising at least one stone assembled on its fixing support obtained by the assembly method as defined above.
Description sommaire des dessins [0009] D’autres particularités et avantages ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: les fig. 1 à 6 sont des représentations des étapes successives d’un procédé d’assemblage d’une pierre sur un support de fixation selon l’invention; les fig. 7a à 7c sont des vue de dessus de différentes variantes de forme de pierres et de supports de fixation obtenus selon le procédé de l’invention; et la fig. 8 est une vue en coupe représentant une pierre et son support de fixation monté sur un chaton.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [0009] Other particularities and advantages will become clear from the following description, given by way of indication and in no way limitative, with reference to the appended drawings, in which: FIGS. 1 to 6 are representations of the successive steps of a method of assembling a stone on a fixing support according to the invention; figs. 7a to 7c are top views of different stone shape variants and fixing brackets obtained according to the method of the invention; and FIG. 8 is a sectional view showing a stone and its mounting bracket mounted on a kitten.
Description détaillée des modes de réalisation préférés [0010] En référence aux fig. 1 à 6 et 8, la présente invention se rapporte à un procédé d’assemblage d’une pierre 1 sur un support de fixation 2, ladite pierre 1 étant taillée pour présenter une table 3, une couronne 4, un rondiste 5 et une culasse 6. Une telle pierre est de préférence une pierre d’origine naturelle, telle que du diamant ou de l’émeraude, dont les dimensions peuvent varier d’une pierre à l’autre. Il est bien évident que la pierre peut être de toute autre nature, naturelle ou synthétique, le procédé selon l’invention pouvant également être avantageusement utilisé pour de telles pierres.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] Referring to FIGS. 1 to 6 and 8, the present invention relates to a method of assembling a stone 1 on a fixing support 2, said stone 1 being cut to present a table 3, a crown 4, a rondiste 5 and a cylinder head 6. Such a stone is preferably a stone of natural origin, such as diamond or emerald, whose dimensions may vary from one stone to another. It is obvious that the stone can be of any other nature, natural or synthetic, the method according to the invention can also be advantageously used for such stones.
[0011] La première étape a) du procédé d’assemblage de la pierre 1 sur un support de fixation 2 selon l’invention consiste à se munir d’un substrat 8 comportant au moins un logement 10 dans lequel est positionnée ladite pierre 1, ledit logement 10 étant agencé pour former entre le substrat 8 et ladite pierre 1 un espace libre périphérique 12 au moins autour du rondiste 5 de la pierre 1, le fond 14 dudit espace libre périphérique 12 présentant une surface conductrice 16. «Autour du rondiste» signifie que l’espace libre périphérique 12 se situe au moins au niveau du rondiste 5 et de zones 4a et 6a de la couronne 4 et de la culasse 6 respectivement contiguës au rondiste 5.The first step a) of the method of assembling the stone 1 on a fixing support 2 according to the invention consists in providing a substrate 8 comprising at least one housing 10 in which said stone 1 is positioned, said housing 10 being arranged to form between the substrate 8 and said stone 1 a peripheral free space 12 at least around the rounder 5 of the stone 1, the bottom 14 of said peripheral free space 12 having a conductive surface 16. "Around the rounder" means that the peripheral clearance 12 is at least at the level of the girdle 5 and of the zones 4a and 6a of the crown 4 and the yoke 6 respectively contiguous to the girdle 5.
[0012] Plus précisément, le substrat 8 et son logement 10 peuvent être avantageusement réalisés selon les étapes d) et e) suivantes: [0013] L’étape d) consiste à se munir d’un substrat 8 présentant une couche conductrice 16 en surface et à réaliser dans ledit substrat 8 au moins un trou traversant 18. On forme un trou traversant 18 par pierre 1 à assembler. Avantageusement, le substrat 8 est par exemple à base de silicium, de verre, de céramique, ou de quartz. On pourra utiliser par exemple des wafers silicium pour micro-électronique. La couche conductrice 16 peut être obtenue par exemple par dépôt PVD (Physical Vapor Déposition) de chrome, de titane, d’or et leurs combinaisons. Toute autre couche conductrice appropriée peut être utilisée. Les trous traversants 18 peuvent être formés sur le substrat 8 par exemple par ablation laser. D’une manière avantageuse, la répartition des trous traversants 18 sur la surface du substrat est optimisée notamment en fonction des dimensions des logements, de la forme des supports de fixation, etc., afin d’avoir un nombre maximum de trous traversants sur la surface du substrat 8.More specifically, the substrate 8 and its housing 10 may advantageously be made according to the following steps d) and e): Step d) consists in providing a substrate 8 having a conductive layer 16 in surface and to achieve in said substrate 8 at least one through hole 18. A through hole 18 is formed by stone 1 to be assembled. Advantageously, the substrate 8 is for example based on silicon, glass, ceramic, or quartz. For example, silicon wafers for microelectronics may be used. The conductive layer 16 may be obtained for example by PVD deposition (Physical Vapor Deposition) of chromium, titanium, gold and their combinations. Any other suitable conductive layer may be used. The through holes 18 may be formed on the substrate 8, for example by laser ablation. Advantageously, the distribution of the through holes 18 on the surface of the substrate is optimized in particular according to the dimensions of the housing, the shape of the fixing brackets, etc., in order to have a maximum number of through holes on the surface of the substrate. substrate surface 8.
[0014] L’étape e) consiste à recouvrir le substrat 8 d’une couche de résine photosensible 20 comme le montre la fig. 1, puis à former par photolitographie dans ladite résine photosensible 20 une cavité 22, ladite cavité 22 et le trou traversant 18 formant le logement 10 dans lequel sera positionnée la pierre 1 comme cela sera décrit ci-après. La cavité 22 est creusée jusqu’à faire apparaître la couche conductrice 16.Step e) consists in covering the substrate 8 with a layer of photoresist 20 as shown in FIG. 1, then to form by photolithography in said photosensitive resin 20 a cavity 22, said cavity 22 and the through hole 18 forming the housing 10 in which will be positioned the stone 1 as will be described below. The cavity 22 is hollowed out until the conductive layer 16 appears.
[0015] Les dimensions du trou traversant 18, dans le plan du substrat 8, sont de dimensions inférieures aux dimensions (appelé généralement «diamètre») du rondiste 5 de la pierre 1 et les dimensions de la cavité 22, dans le plan du substrat 8, sont supérieures au diamètre du rondiste 5 de la pierre 1. En conséquence, la cavité 22 présente des dimensions, dans le plan du substrat8, supérieures aux dimensions du trou traversant 18, la cavité 22 comprenant alors une ouverture centrale 24 en correspondance avec le trou traversant 18, et une zone périphérique comprenant des parois latérales 26 en résine et un fond, c’est-à-dire le fond 14 occupé par la couche conductrice 16 du substrats autour du trou traversant 18. Le logement 10 présente donc une section en forme de T dans le plan perpendiculaire au substrat 8, comme le montre la fig. 2.The dimensions of the through hole 18, in the plane of the substrate 8, are of dimensions smaller than the dimensions (generally called "diameter") of the rounder 5 of the stone 1 and the dimensions of the cavity 22, in the plane of the substrate 8, are greater than the diameter of the rondiste 5 of the stone 1. Consequently, the cavity 22 has dimensions, in the plane of the substrate8, greater than the dimensions of the through hole 18, the cavity 22 then comprising a central opening 24 in correspondence with the through hole 18, and a peripheral zone comprising resin side walls 26 and a bottom, that is to say the bottom 14 occupied by the conductive layer 16 of the substrates around the through hole 18. The housing 10 therefore has a T-shaped section in the plane perpendicular to the substrate 8, as shown in FIG. 2.
[0016] D’une manière particulièrement avantageuse, l’étape e) comprend l’utilisation d’une résine photosensible 20 négative, par exemple une résine SU8, l’irradiation par UV de la couche de résine photosensible 20 à travers un masque correspondant au contour du support de fixation souhaité, et l’élimination de la partie non irradiée de la couche de résine photosensible 20 de façon à obtenir la cavité 22 dont le contour correspond au contour dudit support de fixation souhaité. Un tel procédé de photolitographie est connu en soi de l’homme du métier et ne nécessite pas de description plus détaillée. [0017] Une fois le substrat 8 et ses logements 10 réalisés, l’étape a) du procédé d’assemblage selon l’invention se poursuit par la mise en place d’une pierre 1 dans chacun des logements 10 formés.In a particularly advantageous manner, step e) comprises the use of a negative photoresist, for example an SU8 resin, the UV irradiation of the photoresist layer 20 through a corresponding mask. to the contour of the desired fixation support, and the removal of the non-irradiated portion of the photoresist layer 20 so as to obtain the cavity 22 whose contour corresponds to the contour of said desired fixation support. Such a photolithographic method is known per se to those skilled in the art and does not require a more detailed description. Once the substrate 8 and its housing 10 made, step a) of the assembly method according to the invention continues with the establishment of a stone 1 in each of the housing 10 formed.
[0018] Les dimensions de la cavité 22 et du trou traversant 18 formant le logement 10 sont choisies de sorte que la culasse 6 de la pierre 1 se loge partiellement dans le trou traversant 18 pour reposer sur la périphérie de l’ouverture centrale 24 de la cavité 22, le reste de la culasse 6 au-dessus du trou traversant 18 définissant la zone 6a de la culasse 6 contiguë au rondiste 5, et de sorte que le reste de la pierre 1 entre ladite zone 6a de la culasse 6 contiguë au rondiste 5 et au moins jusqu’au niveau de la zone 4a de la couronne 4 contiguë au rondiste 5 se loge dans la cavité 22 de manière à former entre la pierre 1 et les parois de la cavité 22, c’est-à-dire les parois latérales 26 et le fond 14, ledit espace libre périphérique 12. [0019] D’une manière particulièrement préférée, les dimensions de la cavité 22 et du trou traversant 18 sont choisies de sorte que la culasse 6 de la pierre 1 se loge pratiquement entièrement dans le trou traversant 18 afin que la zone 6a de culasse 6 contiguë au rondiste 5 s’étende uniquement immédiatement en dessous du rondiste 5, et la zone 4a de la couronne 4 contiguë au rondiste 5 s’étend uniquement immédiatement au-dessus du rondiste 5 de manière à former entre la pierre 1 et les parois de la cavité 22, c’est-à-dire les parois latérales 26 et le fond 14, ledit espace libre périphérique 12 uniquement sensiblement autour du rondiste 5, c’est-à-dire au niveau du rondiste 5 et uniquement immédiatement de part et d’autre dudit rondiste 5, comme le montre la fig. 3. En outre, le logement 10, et plus particulièrement la cavité 22, présente une hauteur telle que la table 3 de la pierre 1 dépasse dudit logement 10, et plus particulièrement de la cavité 22, comme le montre la fig. 3. L’épaisseur de la couche de résine 20 est choisie à cet effet.The dimensions of the cavity 22 and the through hole 18 forming the housing 10 are chosen so that the cylinder head 6 of the stone 1 is partially housed in the through hole 18 to rest on the periphery of the central opening 24 of the cavity 22, the remainder of the yoke 6 above the through hole 18 defining the zone 6a of the yoke 6 adjacent to the girdle 5, and so that the remainder of the stone 1 between said zone 6a of the yoke 6 contiguous with the 5 and at least to the level of the zone 4a of the crown 4 adjacent to the girdle 5 is housed in the cavity 22 so as to form between the stone 1 and the walls of the cavity 22, that is to say the side walls 26 and the bottom 14, said peripheral free space 12. [0019] In a particularly preferred manner, the dimensions of the cavity 22 and the through hole 18 are chosen so that the cylinder head 6 of the stone 1 is housed almost entirely in the through hole 18 so that the breech zone 6a 6 contiguous to the girdle 5 extends only immediately below the girdle 5, and the zone 4a of the crown 4 contiguous to the girdle 5 extends only immediately above the girdle 5 so as to form between the stone 1 and the walls of the cavity 22, that is to say the side walls 26 and the bottom 14, said peripheral free space 12 only substantially around the girdle 5, that is to say at the 5 and only immediately on either side of said rounder 5, as shown in FIG. 3. In addition, the housing 10, and more particularly the cavity 22, has a height such that the table 3 of the stone 1 protrudes from said housing 10, and more particularly from the cavity 22, as shown in FIG. 3. The thickness of the resin layer 20 is chosen for this purpose.
[0020] La seule cote précise de la pierre pouvant être assurée étant le «diamètre» du rondiste 5 et sa hauteur, il est possible que la mise en place de la pierre 1 ne se fasse pas correctement, et ne permette pas d’assurer une planéité suffisante de la table 3 de la pierre 1.The only precise dimension of the stone can be assured being the "diameter" of the rounder 5 and height, it is possible that the establishment of the stone 1 is not done properly, and does not allow to ensure sufficient flatness of the table 3 of the stone 1.
[0021] Dans ce cas, le procédé d’assemblage selon l’invention peut comprendre, entre les étapes a) et b), une étape f) de correction de l’orientation de la pierre. D’une manière avantageuse, et en référence à la fig. 4, cette étape f) peut comprendre la mise en contact de la table 3 de la pierre 1 avec un dispositif de repositionnement 28 agencé pour repositionner la pierre 1 dans son logement 10. Un tel dispositif de repositionnement 28 comprend par exemple une plaque rigide 30 revêtue d’un tapis déformable ou d’une mousse 32 permettant de compenser les hauteurs des pierres 1. Le dispositif de repositionnement 28 est agencé pour que le tapis ou la mousse 32 soit mis en contact avec les tables 3 des pierres positionnées dans leurs logements respectifs 10 sur le substrat 8 de manière à corriger l’orientation desdites pierres et à assurer la planéité des tables 3 des pierres 1.In this case, the assembly method according to the invention may comprise, between steps a) and b), a step f) for correcting the orientation of the stone. Advantageously, and with reference to FIG. 4, this step f) may comprise contacting the table 3 of the stone 1 with a repositioning device 28 arranged to reposition the stone 1 in its housing 10. Such a repositioning device 28 comprises for example a rigid plate 30 covered with a deformable carpet or a foam 32 to compensate for the heights of the stones 1. The repositioning device 28 is arranged so that the carpet or the foam 32 is brought into contact with the tables 3 stones positioned in their homes respectively on the substrate 8 so as to correct the orientation of said stones and to ensure the flatness of the tables 3 of the stones 1.
[0022] Avant de retirer le dispositif de repositionnement 28, il peut être nécessaire de prévoir, entre les étapes f) et b), une étage g) de fixation de la culasse 6 de la pierre 1 dans le trou traversant 18. Cette étape g) permet de conserver le positionnement correct des pierres 1 dans leurs logements 10, même après avoir retiré le dispositif de repositionnement 28. [0023] L’étage g) consiste par exemple à introduire, par l’entrée libre du trou traversant 18, une colle de maintien 34 autour de la culasse 6 de la pierre 1 permettant de fixer la pierre 1 dans le logement 10. Afin d’éviter que la colle de maintien 34 ne passe dans la cavité 22 en cas de jeu entre la pierre 1 et l’ouverture centrale 24, on peut utiliser une colle de maintien suffisamment visqueuse qui ne remplira pas les interstices les plus fins. Il est également possible de boucher, du côté de la cavité 22, les interstices existants entre la pierre 1 et l’ouverture centrale 24, préalablement au dépôt de la colle de maintien 34. A cet effet, on peut pulvériser dans lesdits interstices, du côté de la cavité 22, une résine qui pourra facilement être éliminée (par dissolution par exemple). Il est également possible de prévoir un dépôt d’une couche d’indium de 50 um environ sur le substrat 8 de silicium avant la mise en place des pierres 1. La couche d’indium présente l’avantage de se déformer lors de l’étape f) de correction de l’orientation des pierres par la mise à niveau des tables 3 et de pouvoir ensuite assurer l’étanchéité au niveau de l’ouverture centrale 24 de la cavité 22.Before removing the repositioning device 28, it may be necessary to provide, between steps f) and b), a stage g) fixing the cylinder head 6 of the stone 1 in the through hole 18. This step g) makes it possible to maintain the correct positioning of the stones 1 in their housings 10, even after the repositioning device 28 has been removed. [0023] The stage g) consists, for example, of introducing, through the free inlet of the through hole 18, a retaining glue 34 around the cylinder head 6 of the stone 1 for fixing the stone 1 in the housing 10. In order to prevent the retaining glue 34 from passing into the cavity 22 in case of play between the stone 1 and the central opening 24 can be used a sufficiently viscous retaining adhesive that will not fill the finest interstices. It is also possible to close, on the side of the cavity 22, the interstices existing between the stone 1 and the central opening 24, prior to the deposition of the retaining glue 34. For this purpose, it is possible to spray into said interstices, next to the cavity 22, a resin that can easily be removed (by dissolution for example). It is also possible to provide a deposition of an indium layer of approximately 50 μm on the silicon substrate 8 before the setting of the stones 1. The indium layer has the advantage of being deformed during the step f) of correcting the orientation of the stones by leveling the tables 3 and then being able to seal at the central opening 24 of the cavity 22.
[0024] L’étage g) est suivie d’une étape h) de retrait du dispositif de repositionnement 28 pour pouvoir poursuivre la mise en oeuvre du procédé d’assemblage de l’invention.The stage g) is followed by a step h) of removal of the repositioning device 28 to continue the implementation of the assembly process of the invention.
[0025] Une fois la pierre 1 positionnée dans son logement 10 sur le substrat 8 en formant entre ledit substrat 8 et ladite pierre 1 un espace libre périphérique 12 au moins au niveau du rondiste 5 et des zones 4a et 6a respectivement de la couronne 4 et de la culasse 6 contiguës au rondiste 5 conformément à l’étape a) décrite ci-dessus, le procédé d’assemblage selon l’invention se poursuit par la mise en oeuvre de l’étape b). Cette étape b) consiste à déposer par voie galvanique dans ledit espace libre périphérique 12, à partir du fond 14 dudit espace libre périphérique 12 occupé par la couche conductrice 16, une couche métallique 36 au niveau du rondiste 5 et des zones 4a, 6a respectivement de la couronne 4 et de la culasse 6 contiguës au rondiste 5, de manière à emprisonner ledit rondiste 5 dans ladite couche métallique 36 pour former, au moins sensiblement autour du rondiste 5 de la pierre 1, ledit support de fixation 2, comme le montre la fig. 6. Son rondiste 5 étant emprisonné dans la couche métallique 36 constituant le support de fixation 2, la pierre 1 est désormais solidaire de son support de fixation 2.Once the stone 1 positioned in its housing 10 on the substrate 8 by forming between said substrate 8 and said stone 1 a peripheral free space 12 at least at the level of the girdle 5 and the zones 4a and 6a respectively of the crown 4 and the cylinder head 6 contiguous to the girdle 5 according to step a) described above, the assembly method according to the invention continues with the implementation of step b). This step b) consists in depositing by galvanic means in said peripheral free space 12, from the bottom 14 of said peripheral free space 12 occupied by the conductive layer 16, a metal layer 36 at the level of the girdle 5 and the zones 4a, 6a respectively the crown 4 and the cylinder head 6 contiguous to the girdle 5, so as to trap said girdle 5 in said metal layer 36 to form, at least substantially around the girdle 5 of the stone 1, said support 2, as shown fig. 6. Since its rondist 5 is trapped in the metal layer 36 constituting the fixing support 2, the stone 1 is now secured to its fixing support 2.
[0026] La couche métallique 36 déposée à l’étape b) est de préférence réalisée dans un matériau choisi parmi le groupe comprenant le nickel, l’or, l’argent, le platine, le rhodium, le palladium, le cuivre et leurs alliages.The metal layer 36 deposited in step b) is preferably made of a material selected from the group consisting of nickel, gold, silver, platinum, rhodium, palladium, copper and their alloys. alloy.
[0027] Les conditions d’électroformage, notamment la composition des bains, la géométrie du système, les tensions et densités de courant, sont choisis pour chaque métal ou alliage à électro-déposer selon les techniques bien connues dans l’art de l’électroformage (cf. par exemple Di Bari G.A. «electroforming» Electroplating Engineering Handbook 4th Edition rédigée par L.J. Durney, publié par Van Nostrand Reinhold Compagny Inc., N.Y. USA 1984).The electroforming conditions, in particular the composition of the baths, the geometry of the system, the voltages and current densities, are chosen for each metal or alloy to be electro-deposited according to the techniques well known in the art of the art. electroforming (see for example Di Bari GA "electroforming" Electroplating Engineering Handbook 4th Edition written by LJ Durney, published by Van Nostrand Reinhold Company Inc., NY USA 1984).
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH01335/17A CH714307B1 (en) | 2017-11-07 | 2017-11-07 | A stone setting process. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CH01335/17A CH714307B1 (en) | 2017-11-07 | 2017-11-07 | A stone setting process. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CH714307A2 true CH714307A2 (en) | 2019-05-15 |
CH714307B1 CH714307B1 (en) | 2021-04-15 |
Family
ID=66471919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CH01335/17A CH714307B1 (en) | 2017-11-07 | 2017-11-07 | A stone setting process. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH714307B1 (en) |
-
2017
- 2017-11-07 CH CH01335/17A patent/CH714307B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH714307B1 (en) | 2021-04-15 |
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