CH621890A5 - - Google Patents

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CH621890A5
CH621890A5 CH1237176A CH1237176A CH621890A5 CH 621890 A5 CH621890 A5 CH 621890A5 CH 1237176 A CH1237176 A CH 1237176A CH 1237176 A CH1237176 A CH 1237176A CH 621890 A5 CH621890 A5 CH 621890A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
mask
layer
metal
gold
photoresist layer
Prior art date
Application number
CH1237176A
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German (de)
English (en)
Inventor
Robert L Seliger
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Hughes Aircraft Co filed Critical Hughes Aircraft Co
Publication of CH621890A5 publication Critical patent/CH621890A5/de

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
CH1237176A 1975-10-28 1976-09-30 CH621890A5 (pt)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62642575A 1975-10-28 1975-10-28

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Publication Number Publication Date
CH621890A5 true CH621890A5 (pt) 1981-02-27

Family

ID=24510336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1237176A CH621890A5 (pt) 1975-10-28 1976-09-30

Country Status (7)

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US (1) US4101782A (pt)
JP (1) JPS5255382A (pt)
CH (1) CH621890A5 (pt)
DE (1) DE2643811C2 (pt)
FR (1) FR2330036A1 (pt)
GB (1) GB1554420A (pt)
NL (1) NL170189C (pt)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383026A (en) * 1979-05-31 1983-05-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Accelerated particle lithographic processing and articles so produced
AT371947B (de) * 1979-12-27 1983-08-10 Rudolf Sacher Ges M B H Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten
AT383438B (de) * 1981-12-04 1987-07-10 Rudolf Sacher Ges M B H Freitragende maske
JPS58207988A (ja) * 1982-05-28 1983-12-03 日本鋼管株式会社 水圧試験機のパイプ洗浄装置
AT382040B (de) * 1983-03-01 1986-12-29 Guenther Stangl Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter
US5112707A (en) * 1983-09-26 1992-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Mask structure for lithography
DE3435177A1 (de) * 1983-09-26 1985-04-11 Canon K.K., Tokio/Tokyo Maske fuer lithographische zwecke
IL88837A (en) * 1988-12-30 1993-08-18 Technion Res & Dev Foundation Method for the preparation of mask for x-ray lithography
US5567551A (en) * 1994-04-04 1996-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for preparation of mask for ion beam lithography
DE10230532B4 (de) * 2002-07-05 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen des Aufbaus einer Maske zum Mikrostrukturieren von Halbleitersubstraten mittels Fotolithographie
US8105499B2 (en) * 2008-07-14 2012-01-31 International Business Macines Corporation Transmission electron microscopy sample etching fixture

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3529960A (en) * 1967-01-24 1970-09-22 Hilbert Sloan Methods of treating resist coatings
US3659510A (en) * 1969-05-01 1972-05-02 Hughes Aircraft Co Apparatus and method utilizable in forming metal grids
US3815978A (en) * 1972-06-20 1974-06-11 Ibm Durable see-through photoresist mask
US3742230A (en) * 1972-06-29 1973-06-26 Massachusetts Inst Technology Soft x-ray mask support substrate
US3873824A (en) * 1973-10-01 1975-03-25 Texas Instruments Inc X-ray lithography mask
JPS5086336A (pt) * 1973-11-29 1975-07-11
JPS521634A (en) * 1975-06-24 1977-01-07 Nippon Furnace Kogyo Kaisha Ltd Valve for fuel supply pipe

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Publication number Publication date
DE2643811C2 (de) 1981-10-15
NL170189C (nl) 1982-10-01
GB1554420A (en) 1979-10-17
JPS5428267B2 (pt) 1979-09-14
FR2330036A1 (fr) 1977-05-27
DE2643811A1 (de) 1977-05-05
NL170189B (nl) 1982-05-03
US4101782A (en) 1978-07-18
FR2330036B1 (pt) 1980-05-09
NL7611919A (nl) 1977-05-02
JPS5255382A (en) 1977-05-06

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