CH542567A - Halbleiteranordnung mit elektrolumineszierendem pn-Übergang, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung in einer Fernmessvorrichtung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit elektrolumineszierendem pn-Übergang, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung in einer Fernmessvorrichtung

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CH542567A
CH542567A CH581472A CH581472A CH542567A CH 542567 A CH542567 A CH 542567A CH 581472 A CH581472 A CH 581472A CH 581472 A CH581472 A CH 581472A CH 542567 A CH542567 A CH 542567A
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electroluminescent
junction
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CH581472A
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Dubois Jean-Claude
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE4338187A1 (de) * 1993-11-09 1995-05-11 Telefunken Microelectron Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543222B1 (de) * 1975-09-25 1977-03-03 Itt Ind Gmbh Deutsche Leuchtdiode
DE102017103111B4 (de) 2017-02-16 2025-03-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Halbleiterdiode und elektronische Schaltungsanordnung hiermit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1094831A (en) * 1965-07-21 1967-12-13 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor junction devices
US3636617A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4338187A1 (de) * 1993-11-09 1995-05-11 Telefunken Microelectron Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

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