CH532960A - Reaktor zum Durchführen eines Vorganges, bei dem ein Gasstrom und mindestens ein Substrat verwendet werden, und Verfahren zum Betrieb dieses Reaktors - Google Patents

Reaktor zum Durchführen eines Vorganges, bei dem ein Gasstrom und mindestens ein Substrat verwendet werden, und Verfahren zum Betrieb dieses Reaktors

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CH532960A
CH532960A CH336071A CH336071A CH532960A CH 532960 A CH532960 A CH 532960A CH 336071 A CH336071 A CH 336071A CH 336071 A CH336071 A CH 336071A CH 532960 A CH532960 A CH 532960A
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CH336071A
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Cornelis Eversteijn Franciscus
Leonardus Peek Hermanus
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Philips Nv
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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CH336071A 1970-03-11 1971-03-08 Reaktor zum Durchführen eines Vorganges, bei dem ein Gasstrom und mindestens ein Substrat verwendet werden, und Verfahren zum Betrieb dieses Reaktors CH532960A (de)

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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242075A (en) * 1975-09-29 1977-04-01 Nippon Denso Co Ltd Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment
GB1524326A (en) * 1976-04-13 1978-09-13 Bfg Glassgroup Coating of glass
JPS5944771B2 (ja) * 1979-03-29 1984-11-01 テルサ−ムコ株式会社 半導体熱処理炉
JPS5942970B2 (ja) * 1979-03-29 1984-10-18 テルサ−ムコ株式会社 半導体熱処理用反応管
JPS5923464B2 (ja) * 1979-04-18 1984-06-02 テルサ−ムコ株式会社 半導体熱処理装置
US4325319A (en) * 1980-01-18 1982-04-20 Caterpillar Tractor Co. Air flow system for the charging conductor in an electrostatic painting system
US4834022A (en) * 1985-11-08 1989-05-30 Focus Semiconductor Systems, Inc. CVD reactor and gas injection system
US4976996A (en) * 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof
FR2612946B1 (fr) * 1987-03-27 1993-02-19 Chimie Metal Procede et installation pour le depot chimique de revetements ultradurs a temperature moderee
US5221556A (en) * 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
DE3721636A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Quarzglasreaktor fuer mocvd-anlagen
WO1989012703A1 (en) * 1988-06-22 1989-12-28 Asm Epitaxy, Inc. Gas injector apparatus for chemical vapor deposition reactors
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
US6090211A (en) * 1996-03-27 2000-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming semiconductor thin layer
JP3068075B2 (ja) * 1998-01-17 2000-07-24 ハンベック コーポレイション 化合物半導体製造用水平反応炉
SE9801190D0 (sv) * 1998-04-06 1998-04-06 Abb Research Ltd A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition
TW544775B (en) * 2001-02-28 2003-08-01 Japan Pionics Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
US6626997B2 (en) 2001-05-17 2003-09-30 Nathan P. Shapiro Continuous processing chamber
JP4192148B2 (ja) * 2002-06-10 2008-12-03 東京エレクトロン株式会社 原子層堆積法処理装置
US8124170B1 (en) * 2004-01-23 2012-02-28 Metal Oxide Technologies, Inc Method for forming superconductor material on a tape substrate
WO2005124859A2 (en) * 2004-06-10 2005-12-29 Avansys, Inc. Methods and apparatuses for depositing uniform layers
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
JP4466723B2 (ja) * 2007-11-21 2010-05-26 住友電気工業株式会社 有機金属気相成長装置
US8628616B2 (en) * 2007-12-11 2014-01-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate
JP5954202B2 (ja) * 2013-01-29 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US11032945B2 (en) * 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484311A (en) * 1966-06-21 1969-12-16 Union Carbide Corp Silicon deposition process
US3367304A (en) * 1967-03-13 1968-02-06 Dow Corning Deposition chamber for manufacture of refractory coated filaments
US3479680A (en) * 1967-05-08 1969-11-25 Stewart Warner Corp Caster seal

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Publication number Publication date
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DE2110289B2 (de) 1980-03-13
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US3750620A (en) 1973-08-07
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SE368724B (cs) 1974-07-15
JPS5317862B1 (cs) 1978-06-12
NL7003431A (cs) 1971-09-14
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FR2084428A5 (cs) 1971-12-17
DE2110289A1 (de) 1971-09-23
DE2110289C3 (de) 1980-10-30

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